【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置でエピタキシャル層（エピ層）の厚みを測定し、開閉部材の操作によって開閉部材に対応するガス流出口を開閉させ、開閉部材の操作に対応するウェーハ面内のエピ層の厚みをモデル化して、ウェーハ面内エピ厚推定モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、ウェーハにエピ層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層形成工程Ｓ２により形成されたエピ層について複数の測定位置においてエピ層の実厚みであるウェーハ面内実エピ厚を測定する実厚み測定工程Ｓ３と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたウェーハ面内エピ厚推定モデルに基づいて開閉部材を操作し、ウェーハ面内実エピ厚のばらつきが最小となるように修正するウェーハ面内実エピ厚修正工程Ｓ１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びプログラムを提供する。
【解決手段】エッチング装置８０は、イオンガン１１と、ＸＹステージ１２と、制御部１３と、ＰＣ１５と、測定装置８１とを備える。測定装置８１は、基板３１上の所定の測定点の厚みを測定する。予めイオンガン１１のエッチングレートの分布と、基板３１の被エッチング量の分布とに基づいて、エッチング中心の位置に応じて測定点における基板３１の厚みの中間目標厚みが設定される。各領域でエッチングを施した際、測定点の厚みが当該中間目標厚みからの許容範囲に入る場合、ＸＹステージ１２を駆動し、エッチングを終了させる。 （もっと読む）

【解決手段】処理中に処理チャンバ内の基板上の付着膜を特性化するための方法が提供される。方法は、測定コンデンサが第１の容量値に設定された状態で、プローブヘッドについての電圧電流特性を決定することを含む。方法は、また、測定コンデンサが第１の容量値よりも大きい容量値に設定された状態で、プローブヘッドにＲＦ列を印加することを含む。方法は、更に、付着膜についての初期抵抗値及び初期容量値を提供することを含む。方法は、尚もまた、初期抵抗値、初期容量値、及び電圧電流特性を利用して疑似電圧時間曲線を生成することを含む。方法は、尚も更に、一ＲＦ列の間における付着膜を通した電位降下を表わす測定電圧時間曲線を決定することを含む。方法は、そのうえ、これら２つの曲線を比較することを含む。もしこれらの差が所定の閾値未満である場合は、付着膜を特性化するために初期抵抗値及び初期容量値を利用する。 （もっと読む）

本発明は、モジュール式反応器筐体及び機能モジュールを含む改善されたＣＶＤ反応器サブシステムを提供する。モジュール式反応器筐体は、市販の低温壁ＣＶＤ反応チャンバを収容することができ、機能モジュールは、反応器筐体上に配置して、反応チャンバを用いてＣＶＤ処理を実施するのに必要な機能を提供することができる。好ましい機能モジュールは、ＣＶＤ反応チャンバに熱を供給するモジュールと、ＣＶＤ反応チャンバ内部の状態を測定するモジュールとを含んでいる。本発明は、また、このようなＣＶＤ反応器サブシステムの形成方法、特に、特定のＣＶＤ処理を最適に実施するためのサブシステムの形成方法、及びこのような構成を実施するためのキットも提供する。有利なことに、本発明は、単一のＣＶＤ反応器サブシステムを、それがいくつかの別々のＣＶＤ処理を最適に実施できるように、構成換え及び配置換えできるようにする。
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【課題】生産開始時に実験等により加工形状予測モデルのモデル係数を決定する手間を簡略化することと、予測モデル係数を変数として捉え、この係数を生産中に実験等の手間を掛けること無く自動的に更新する方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造システムおよび製造方法において、処理対象であるウエハの検査データからプラズマ加工後の形状を処理前に計算する加工形状予測モデルと、プラズマ処理条件に依存した加工形状を計算する応答曲面モデルを用いて、プラズマ加工後に所望の形状になるようにプラズマ処理条件を制御する構成において、この加工形状予測モデルが調整可能な予測モデル係数を有し、この予測モデル係数を自動的に較正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エッチング後の残膜を一定の膜厚とできる残膜制御性のよい薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１膜厚の第１部分と、該第１膜厚より薄い第２膜厚の第２部分とを有する薄膜を形成する方法であって、基板上に該第１膜厚の該薄膜を成膜する工程と、成膜時の該薄膜にレーザ照射を行って反射波の干渉波形である成膜時干渉波形を取得する工程と、該薄膜の該第２部分をエッチングする工程と、該エッチング時の該第２部分にレーザ照射を行ってエッチング時干渉波形を取得する工程と、該成膜時干渉波形に基づいて、該第２部分が該第２膜厚になった状態の該エッチング時干渉波形である目標エッチング時干渉波形を演算する工程とを備え、該エッチング時干渉波形が該目標エッチング時干渉波形となった時点でエッチングをストップすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御する。
【解決手段】処理室で基板を処理する基板処理方法であって、基板を処理室へ収容する工程と、加熱装置の設定温度と、冷却装置が供給する流体の流量と、前記処理室内に収容された基板の中心側の温度と該基板の外周側との温度偏差との相関関係に基づいて、補正された前記設定温度にて前記加熱装置が前記処理室内に収容された基板の外周側から光加熱しつつ前記冷却装置が前記処理室の外側に流体を前記相関関係に基づいた流量で供給して基板の外周側を冷却した状態で、前記処理室で前記基板を処理する工程とを有する基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供された基板の最表面温度を測定する。
【解決手段】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供されている基板に形成された酸化膜の膜厚の測定結果に基づき基板の表面温度を測定する。前記酸化処理ガスとしては酸素ガス等の酸化性ガスが挙げられる。前記酸化膜の膜厚は楕円偏光解析法またはＸ線光電子分光法が例示される。前記酸化プロセス系内では基板を中空に配置させると、光が直接当たらない基板表面の表面温度測定に適用できる。 （もっと読む）

【課題】エッチングなどの表面処理における膜厚測定において、照明光などの外乱によって受光部の検出精度が損なわれるのを防止する。
【解決手段】表面処理装置１０に膜厚測定設備２０Ｘを付設する。その発光部２１は、所定波長の測定光Ｌ１を被処理物９０に出射し、受光部２２は、被処理物９０からの光を検出し、膜９２の厚さの測定に供する。さらに照明部２３を設け、処理チャンバー１２内を前記所定波長の光を含まない照明光Ｌ３で照明する。受光部２２は、前記所定波長の光に感応する一方、前記照明光Ｌ３の波長の光に感応しない。処理チャンバー１２を画成する仕切りには、前記所定波長の光をカットする入射フィルタ１１ｆを設ける。 （もっと読む）

回転ディスク化学気相成長反応システムにおいてウェハ上に材料層を均一に堆積するシステムおよび方法が提供され、１つ以上の基材の表面を回転軸にほぼ垂直に維持し、該回転軸に沿って上流方向に面したまま、該１つ以上の基材（１３８）が軸（１０６）を中心にキャリア（１０４）で回転される。回転時に、第１のガスが、第１のセットのガス入口（１７０）から該１つ以上の基材に向かう下流方向に放出される。第２のガスが、少なくとも１つの可動ガスインジェクタ（１０８）から該１つ以上の基材に向かう下流方向に放出され、該少なくとも１つの可動ガス入口が、回転軸に対する半径方向の運動成分によって移動される。
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【課題】 付着確率の異なる粒子の混入割合を、たとえば、製膜作業と関連してリアルタイムで計測できる膜質評価装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 それぞれ第一取入口部５５あるいは第二取入口部６７を通って進入して第一水晶振動子５１あるいは第二水晶振動子６７に付着する粒子の付着量を計測する第一製膜速度計測部４５および第二製膜速度計測部４７と、第一製膜速度計測部４５の第一取入口部５５にそれを覆うように設置され、第一取入口部５５を通過する粒子の一部を付着させるフィルタ部５３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理ガス導入部の効率化を図り、プラズマ密度分布の均一性ないし制御性に優れた高密度・低電子温度のプラズマ生成を可能とすること。
【解決手段】マイクロ波発生器６０より出力されたマイクロ波は、導波管６２、導波管−同軸管変換器６４および同軸管６６を有するマイクロ波伝送線路５８を伝播して、遅延板５６を通ってラジアルラインスロットアンテナ５４に給電され、アンテナ５４の各スロットからチャンバ１０内に向けて放射され、マイクロ波のパワーで処理ガスのプラズマが生成される。処理ガス供給源８２より送出された処理ガスは、第１ガス供給管８４および同軸管６６のガス流路８０を通って上部中心ガス吐出口８６から吐出され、チャンバ１０内で軸対称・放射状に拡散する。 （もっと読む）

【課題】ＢＴＢＡＳ（ビス３級ブチルアミノシラン）ベースの窒化膜（ＢＴＮ）の剥離を抑えるため、反応管の石英と同じＳｉＯ₂からなる酸化膜（ＢＴＯ）をプリコート膜として反応管上に形成していても、堆積膜を除去するためのガスクリーニングの終点を適当に定め、総膜厚を抑えることのできる減圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、プリコート膜成膜後の１バッチ目のモニタ・ウェーハの窒化膜の堆積時間と膜厚を用いて、ＢＴＮ膜の成膜レートを算出する手段と、その成膜レートによりプリコート膜のＢＴＮ膜の膜厚を算出する手段と、そのＢＴＮ膜の膜厚及びＢＴＯ／ＢＴＮ成膜比よりＢＴＯ膜の膜厚を算出する手段と、プリコート膜の膜厚及び成膜プロセス処理毎の累積膜厚より総膜厚を算出する手段と、ＢＴＮ膜単体のガスクリーニングの終点を検出する手段と、総膜厚と検出した終点にしたがって、ガスクリーニングを実施する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】目的は、製品の品質のバッチ毎のばらつきが抑制される薄膜製造方法及び薄膜製造システムを提供すること。
【解決手段】薄膜製造装置１を用いた薄膜製造方法は、（ａ）製膜バッチ処理Ｌを実行して基板８上に薄膜１１３を形成する工程を具備する。（ａ）工程は、（ａ１）基板８を対向電極２に保持する工程と、（ａ２）製膜室６内に薄膜１１３の原料を含むガスＬを導入する工程と、（ａ３）ガスＬを導入しながら、放電電極３と対向電極２との間に高周波電力１０５を印加して基板８上に薄膜１１３を形成する工程とを含む。（ａ）工程は、薄膜製造装置１についてのセルフクリーニングＮの後、その次のセルフクリーニングＮ’の前に実行される。（ａ３）工程において、セルフクリーニングＮから製膜バッチ処理Ｌまでに薄膜製造装置１が実行する製膜バッチ処理の回数Ｌに基づいて高周波電力１０５が制御される。 （もっと読む）

【課題】ビューポート内面への反応生成物の付着を効率よく防止することができ、気流の影響を抑制してレーザー光等による光学的な観察、測定を確実に行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板観測用のビューポート２０を有するチャンバー１４内にフローチャンネル１３を収納した気相成長装置において、フローチャンネルの基板対向壁に、ビューポートを介して基板面を光学的に観測する際の光路となる通孔１３ｂを設け、該通孔を設けたフローチャンネル壁外面（上部壁１３ａの上面）とビューポートのチャンバー内側部との間にパージガス流路２４を設けるとともに、該パージガス流路内に、フローチャンネル内を流れる原料ガスの流れ方向と同一方向で、実質的に同一速度、同一圧力で、かつ、層流状態でパージガスを流すためのパージガス導入手段２５を設ける。 （もっと読む）

【課題】安定した温度場下で水蒸気酸化処理等をすることができる加熱処理方法および加熱処理装置を提供すること。
【解決手段】加熱された雰囲気下でウェハ６などの被処理物を処理する加熱処理装置であって、ウェハ６がセットされるトレイ５およびトレイ５にセットされたウェハを加熱するヒータ７を有した処理部２と、処理部２に送られるガスを予熱する予熱部３と、を有した加熱炉１を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜中の膜厚またはエッチング中のエッチング深さを測定する。
【解決手段】半導体ウエハ１の第１表面およびリファレンスミラー１３からのそれぞれの反射波１７ｃ、１７ｄによって第１干渉波を検出する。次いで、半導体ウエハ１の第１表面をエッチングすることによって、第１表面から第２表面へ変形する。次いで、半導体ウエハ１の第２表面およびリファレンスミラー１３からのそれぞれの反射波１７ｃ、１７ｄによって第２干渉波を検出する。次いで、第１干渉波と第２干渉波との位相差を電圧値に変換して、リファレンスミラー１３が固定された圧電素子１５にその電圧値を印加して、圧電素子１５を変位させると共にリファレンスミラー１３を移動する。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェハ５の特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、ウェハ５の面全体で位置に依存するパラメータ値を求める。ｂ）酸化レートおよび結果として得られる酸化層の厚さがウェハ５の平面における光強度に依存しており、酸化剤の使用とともにウェハ５の面全体を同時に照射することによる作用によって、ウェハ５の面全体を酸化させる。ｃ）酸化層を除去する。この場合、ステップｂ）において光強度を位置に依存してまえもって設定し、ステップａ）において測定された位置に依存する各パラメータ値における相違を、位置に依存する光強度の結果として生じるステップｂ）における酸化レートおよびステップｃ）におけるその後の酸化層除去によって低減する。 （もっと読む）

【課題】目標膜厚を有する薄膜を製造可能な薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】検出器５０は、光源３０から出射され、基板９０によって反射光の強度変化に基づいて反応容器１０内で結晶成長された半導体層の膜厚を検出する。また、検出器５０は、制御装置６０から半導体層の目標膜厚と、原料ガスを停止して反応容器１０内で成長する半導体層の膜厚（＝過剰膜厚）とを受ける。そして、検出器５０は、目標膜厚から過剰膜厚を減算した制御上の目標膜厚を求め、実測した半導体層の膜厚が制御上の目標膜厚に達すると、停止信号ＳＴＰを生成して制御装置６０へ出力する。制御装置６０は、停止信号ＳＴＰに応じて、Ｌレベルの信号ＳＥ１〜ＳＥ４を生成してバルブ９１〜９４へ出力し、バルブ９１〜９４を閉じる。 （もっと読む）

【課題】成膜の良好なモニタリングが可能な真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、真空槽３０と、基板が設置された基板ドーム２２と、蒸着材料が設置された坩堝と、基板ドーム２２に設置されたモニター部２１と、を備える。モニター部２１は、モニターガラス４１と、モニター窓４２と、投光部４３と、ミラー４４と、受光部４７等から構成されており、モニター窓４２を介してモニターガラス４１に形成された膜の厚さを投光部４３から光を照射し、各波長における吸収率光の強度の変化量を測定することにより計測する。モニター窓４２は、断面形状が台形状に形成されているため、開口４２ａ内にイオン、蒸着材料が導かれやすい。従って、モニターガラス４１は良好に成膜される。モニターガラス４１へ良好に成膜が生じることにより、基板ドームに設置された基板の成膜の良好なモニタリングが可能となる。 （もっと読む）