【課題】表面ラフネス（roughness）が変化している領域においても、安定して欠陥を検出することができるマスク検査方法およびその装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体露光用マスクの欠陥を検出する方法は、マスクの表面高さ分布からバックグラウンド強度を取得し、前記バックグラウンド強度から基準バックグラウンド強度分布を取得し、前記マスクに任意波長の光を入射させ、前記マスクの注目位置の像を取得し、前記取得された像の注目位置の信号強度と、前記注目位置の周辺領域における信号強度の平均値によって信号強度を取得し、前記基準バックグラウンド強度分布に対する、前記信号強度の比によって、前記信号強度の補正係数を求め、前記注目位置の信号強度に前記補正係数を乗じることによって、前記信号強度を補正し、前記補正された信号強度が予め定めておいたしきい値以上か否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】短い計算時間で高精度にフレアを予測することが可能なフレアの予測方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィにおけるフレアの予測方法であって、パターンレイアウトのパターン密度分布を求める工程Ｓ１４と、パターン密度分布の変化の傾きを求める工程Ｓ１５と、パターン密度分布の変化の傾きに基づく複数の区画サイズでフレア計算を行う工程Ｓ１６〜Ｓ１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気的に重要な箇所の寸法精度を向上し、性能・歩留まり向上、チップコスト低減の効果を得る。
【解決手段】半導体装置の製造プロセス最適化手法は、回路設計データから作成されたフォトマスクを用いて露光プロセスにより回路設計データに基づいたパターンを基板上に形成する。この最適化手法は、フォトマスクを用いて第１露光条件で第１露光装置にて基板上に形成されるパターンと、フォトマスクを用いて第２露光条件で第２露光装置にて基板上に形成されるパターンとの、予め定めた複数の箇所における差分の分布に基づく統計量を算出する際に、回路設計データより抽出した電気的特性情報に基づいて差分に重み付けをした上で統計量を算出する工程と、第２露光条件を変化させて算出する工程を繰り返し、変化させた第２露光条件の中で合計が最小或いは所定の基準値以下となる露光条件を第２露光装置の最適露光条件２１として選定する工程(Ｓ２７)とを含む。 （もっと読む）

【課題】正確なフレア値を短時間で算出する。
【解決手段】実施の形態によれば、フレア値算出方法が提供される。前記フレア値算出方法、では、複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。そして、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出する。 （もっと読む）

【課題】露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を高精度且つ安定的に求めることが可能なフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板の面上に、少なくともフォーカス測定用のテストパターン５Ａが形成されたテストパターン領域を有し、テストパターン領域には、一定の幅ＷＡを有するライン状の第１パターン６Ａと、第１パターン６Ａとは異なる幅ＷＢを有するライン状の第２パターン６Ｂとが設けられ、このうち、第１パターン６Ａと、第２パターン６Ｂと、第１パターン６Ａとを、基準線ＸＣを挟んで軸対称となる位置に、この順で幅方向に一対並べて配置すると共に、幅方向において隣接するパターン間６Ａ，６Ｂ（６Ａ）の中心線ＸＡ，ＸＢ（ＸＡ）の間隔ＸＰを互いに等しくすることによって、テストパターン５Ａが構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラムマスクパターンを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する回路マスクパターンの補正方法は、回路マスクパターン２０における対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点Ｂを配置し、評価点Ｂの光強度を求め、求められた評価点Ｂの光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータ１０が実行する。 （もっと読む）

【課題】所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを容易に作成すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、マスクパターン作成方法が提供される。マスクパターン作成方法では、補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する。そして、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正する。 （もっと読む）

【課題】 目標とする有効光源を少ない計算コストで迅速に導出する。
【解決手段】 プログラムがコンピュータに実行させる有効光源の算出方法は、前記物体の振幅透過率の分布および前記物体を透過した光の位相の分布を表現する数学的モデルを取得する取得工程と、前記像面における光強度を、前記有効光源とフーリエ変換の関係にある物体面における相互強度と前記数学的モデルとから演算する演算式を構築する構築工程と、前記像面における光強度の分布が目標パターンに近づくように前記物体面における相互強度を決定する決定工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、Ｎ×Ｎショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、チップ領域５の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、（ａ）メインパターン５ａを形成するメインマスク１と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの上下に位置する部分を形成する上下マスク２と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの左右に位置する部分を形成する左右マスク３と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの角部に位置する部分を形成する隅マスク４を準備する工程と、（ｂ）メインマスク１、上下マスク２、左右マスク３、隅マスク４を組み合わせてチップ領域５を含むショット配列を形成する工程と、（ｃ）当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ１００に積層されたレジスト１０２に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン１８が形成され、かつ転写パターン１８を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク１４を介して、レジスト１０２に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト１０２に転写し、レジスト１０２に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ１０４を現像液槽１６の現像液に浸漬する。 （もっと読む）

【課題】複数の位相差及び複数の透過率を有するフォトマスクを用いる場合であっても、照明形状及びフォトマスク形状をそれぞれ最適化できるようにする。
【解決手段】フォトマスク２００は、露光光を透過させる透光部２０４と、透光部２０４よりも露光光の透過率が低い半遮光部２０２と、露光光を透光部２０４と異なる位相で透過させる位相シフト部２０３とを少なくとも有する。投影光学系の瞳面を分割してなる複数の分割点のそれぞれにおいて、フォトマスク２００を透過した露光光の光強度分布を求め、当該光強度分布に基づいて、フォトマスク２００を用いた露光における露光光の照明形状を設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な結像性能を与える露光条件及びマスクパターンを決定することができるプログラム及び方法を提供する。
【解決手段】露光条件及びマスクパターンを設定する第１ステップと、前記露光条件を用いて、投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第１評価関数を用いて前記マスクパターンを仮決定する第２ステップと、仮決定された前記マスクパターンと前記露光条件とを用いて、前記投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第２評価関数の値を算出する第３ステップと、前記第２評価関数の値に基づいて前記露光条件及び前記マスクパターンを変更する第４ステップと、前記露光条件及び前記マスクパターンを初期値として前記第２ステップ及び前記第３ステップを繰り返す処理を実行するか否かを判定する処理を含む第５ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布の決定に有利な技術を提供する。
【解決手段】照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布を決定する方法であって、照明光学系の瞳面に形成される互いに異なる複数の要素光源を生成するＳ１０８と、投影光学系が有しうる互いに異なる複数の収差状態を設定するＳ１１０と、複数の収差状態から選択した１つの収差状態を投影光学系に与え、Ｓ１０８で生成した複数の要素光源から選択した１つの要素光源でマスクのパターンを照明したときに形成される光学像を、複数の収差状態と複数の要素光源との組み合わせの全てについて算出すＳ１１２と、算出した光学像に基づいて、マスクのパターンの光学像の評価場所のエッジ位置を目標エッジ位置に近づけるように、複数の要素光源のそれぞれに与える重み付けを決定し、重み付けを与えた複数の要素光源を合成した光源を照明光学系の瞳面に形成すべき光強度分布として決定する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルや結晶欠陥などの不良を含む半導体素子を容易に検知する技術の提供。
【解決手段】半導体素子の製造方法では、複数の半導体素子部アレイを基板上に形成（Ｓ１）し、半導体素子部の外観検査（Ｓ２）を行う。外観検査後、半導体素子部上に絶縁膜を形成（Ｓ３）し、絶縁膜上に第一レジスト膜を形成（Ｓ４）する。第一レジスト膜をパターニングして開口のアレイを有する第一レジストマスクを形成（Ｓ５）する。第二レジストを第一レジストマスクの第一レジスト開口に形成して、第二レジストマスクを形成（Ｓ６）する。第二レジストは、外観検査の結果によって示されるアレイ内の第一レジスト開口に形成される。第一レジストマスク及び第二レジストマスクを用いたエッチングにより絶縁膜から保護膜を形成（Ｓ７）する。保護膜及び半導体素子部上に電極を形成（Ｓ８）し、電気特性の検査（Ｓ９）を行う。 （もっと読む）

【課題】フレアによる影響を低減する。
【解決手段】本実施形態の露光用マスクは、露光装置により、感光性樹脂膜がパターン化されることのない第１の領域と所望の形状のパターン群が形成される第２の領域とを有する感光性樹脂膜パターンを転写形成する際に使用するものである。前記露光用マスクは、透明基板と、この透明基板上に設けられ光を遮断する機能または光を一部透過させる機能を有する遮光膜とから構成される。前記露光用マスクにおける前記第１の領域に対応する領域に亘って、前記露光装置の露光条件に対して非解像のピッチの前記遮光膜による繰り返しパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】投影光学系の像面位置を精度高く計測すること。
【解決手段】基板の露光量をラインパターンのレジスト像が解像する露光量以上になる大きさ、換言すれば、ラインパターンのレジスト像のコントラスト値が所定値以上になる大きさに制御する。また、フォーカス位置を変化させた際にパターン倒れが発生しない大きさ以上の線幅を有するラインパターンを使用してベストフォーカス位置を算出する。これにより、デフォーカスによってパターン倒れが発生することを抑制しつつ、算出されるベストフォーカス位置の露光量依存性を無視することができるので、投影光学系の像面位置を精度高く計測することができる。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィを用いてパターン形成する際のレイヤ間の位置合わせを精度良く行なうパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第１のテンプレート作製ステップは、光露光装置によってショット毎に所定の位置ずれ分布を与えて第１の基板上パターンを形成し、その後、前記第１の基板上パターンを前記ショット毎に切り出して第１のテンプレートを作製する。第２のテンプレート作製ステップは、前記第１のテンプレートのパターンを転写して第２のテンプレートを作製する。パターン形成ステップは、第２の基板に既に形成されている下層側パターンとの間の位置ずれ量が所定の基準値以下となる第２のテンプレートのパターンを転写して前記第２の基板上に第２の基板上パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも内側で輪郭Ｘに沿った第１のラインＬ１より内側の第１領域に形成され、ボンディングパッド１２の表面が露出した第１の開口部２１Ａと、第１の開口部２１Ａ上に第１の開口部２１Ａよりも大きい開口面積で形成され、ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも外側で輪郭Ｘに沿った第２のラインＬ２より内側の第２領域に形成された第２の開口部２１Ｂとからなる開口部２１を有する保護膜２１を備えた半導体装置を製造効率良く低コストに製造する。
【解決手段】露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されるパターンの均一度をより容易に調節することのできる方法を提供する。
【解決手段】ターゲットパターン等に対する原本レイアウトを設計するステップ３１０と、設計された前記原本レイアウトで最外郭パターンのサイズを調節しながら、それぞれのサイズに対するシミュレーションコントゥアを得るステップ３２０と、それぞれの前記シミュレーションコントゥアに含まれたパターン等に対する均一性分布値等を獲得するステップ３３０と、獲得された前記均一性分布値等のうち何れかに対応される最外郭パターンサイズをターゲット最外郭パターンサイズに決定するステップ３４０と、前記ターゲットパターンで、前記最外郭パターンの内側にある内側パターン等に対する光近接補正（ＯＰＣ）を行うステップ３５０を含む半導体素子のパターン均一度の調節方法。 （もっと読む）

【課題】設計パターン寸法に応じた寸法のパターンを基板面内の全面で一様に形成すること。
【解決手段】実施の形態によれば、光学条件補正関数を作成する補正関数作成ステップと、照明パラメータ補正量を算出する補正量算出ステップと、第１の基板を露光する露光ステップと、を含んでいる。補正関数作成ステップでは、第１の基板上への露光処理に用いる露光量以外の照明パラメータを前記第１の基板面内の露光座標に基づいて補正する光学条件補正関数を、第２の基板上に形成したパターンの基板面内寸法分布に基づいて作成する。補正量算出ステップでは、前記光学条件補正関数および前記第１の基板上に設定される各露光ショットの露光座標を用いて、前記照明パラメータの補正量を前記露光ショット毎に少なくとも１つずつ算出する。露光ステップでは、前記照明パラメータの補正量で前記照明パラメータを補正しながら、前記第１の基板を露光する。 （もっと読む）