【課題】 本発明は、、製造しようとする基板に応じて補正の方法を選択できるようにして、後工程や用途等の使用形態に適合するように描画データの補正をおこなうことができる描画データの補正装置および描画装置を提供する。
【解決手段】 描画データの補正装置において、補正方法選択手段は、入力される補正情報に応じて複数のデータ補正手段を選択して使用して、位置決めマークの位置情報に基づいて描画データの補正を行う。描画装置は、その補正した描画データＤＤにより基板に描画を行う。 （もっと読む）

【課題】投影領域の形状に応じて容易に露光を行うこと。
【解決手段】露光光のパターンを対象面に転写する露光装置であって、パターンを形成するパターン形成部と、パターンを対象面に投影する投影光学系と、対象面のうちパターンが投影される投影領域の露光光の光軸方向の形状に応じて投影光学系の開口数を調整する開口数調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハの基準面を正確に求めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、ウエハ表面にレーザ照射し該ウエハ表面にナンバリング部を形成する工程と、ウエハディスクの爪に形成された押し当て部を該ウエハ表面に押し当てて該ウエハの基準面を求める工程と、該基準面を基準として該ウエハ表面に処理を施す工程と、を備える。そして、該基準面を求める工程では、該ナンバリング部を形成する工程で生じた突起物が、該爪に形成された溝に収容されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】作業効率の低下を招くことなく、基板における露光領域の変形に関する情報を容易に計測する。
【解決手段】露光光の照射処理が行われる基板Ｂ上の複数の照射領域ＳＡにそれぞれ設けられ、各照射領域における変形に関する情報を計測する変形計測装置Ｇと、温度による基板の変形に関する情報を、変形計測装置とは独立して計測する第２変形計測装置Ｇ２とを有し、変形計測装置及び第２変形計測装置は、露光光の照射処理によりパターニング形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果を抑えつつ開口幅の異なる溝を同時に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、被加工部材１上の第１のマスク膜２上に、第１のアスペクト比を有する溝４ａを含む小開口パターン領域５ａと第１のアスペクト比よりも小さい第２のアスペクト比を有する溝４ｂを含む大開口パターン領域５ｂを含むパターンを有する第２のマスク膜３を積層する工程と、第２のマスク膜３のパターンを第１のマスク膜２に転写する工程と、小開口パターン領域５ａの第２のマスク膜３を選択的に除去する工程と、小開口パターン領域５ａの第２のマスク膜３を選択的に除去した後、第１のマスク膜２および第２のマスク膜３をマスクとして用いて被加工部材１にエッチングを施し、溝を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されるチップサイズが小さくなっても、基準となる有効チップ領域の位置を目視、顕微鏡などにより認識することを容易とすること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィの工程において、縮小投影型露光装置を用いた基準露光工程において、有効基準チップ領域に隣接する無効基準チップ領域を含み、かつ有効チップ領域および有効基準チップ領域を含まない露光範囲で、チップ領域のパターンとは異なるレジストパターンを形成するように露光を行う。これにより、周辺露光装置における周辺領域の露光において、有効基準チップ領域に隣接した無効基準チップ領域、その他無効チップ領域が残存していても、形成されるパターンの違いから有効基準チップ領域の位置を目視、顕微鏡などによっても容易に認識することができる。 （もっと読む）

【課題】ロジック回路とメモリ回路を混載した半導体装置において、ロジック回路部に形成されるレジストパターン形状の精度低下抑制に寄与する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ロジックトランジスタ、不揮発性メモリをそれぞれ形成する第１及び第２の活性領域を画定する素子分離絶縁膜を、ＳＴＩで形成する工程と、第２の活性領域上方に、フローティングゲートとなる導電層を形成する工程と、導電層上及びその外側の領域を覆って、窒化シリコンを含む絶縁膜を形成する工程と、第１の活性領域の隣接部分の素子分離絶縁膜上の窒化シリコンを含む絶縁膜を覆い、第１の活性領域を露出するマスクを用いてエッチングする工程と、第１の活性領域の隣接部分の素子分離絶縁膜上の窒化シリコンを含む絶縁膜上に端部の配置されたフォトレジストパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】これらの背景に鑑みてなされたものであって、ファイバー状の細長い基体にマイクロ構造を形成するための技術を提供する。
【解決手段】 ファイバー状の細長い部材にフォトリソグラフィ技術によってパターンを転写するための露光モジュールであって、入口及び出口を有する筒状の空洞が設けられる透光性の基体と、前記筒状の空洞の壁面に設けられた遮光パターンとを有する、露光モジュールが提供される。好適には、このモジュールは、前記筒状空洞の入口及び出口付近に形成され、露光される部材を潤滑液を介して又は介さないで摺動可能に支持する部材支持部と、前記部材支持部より奥の部分に設けられ、前記部材支持部より筒径の大きな露光部とを有し、前記遮光パターンは前記露光部の洞壁面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】下層に形成された凹部のパターンの上に、フォトレジストを形成して上層のパターンを重ねて露光する際に、下層のパターンの影響を受けずに上層のパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスパターンと、矩形状に掘り込まれたマークが第１の方向に所定の間隔で配列された第１のマーク列を第２の方向に複数配列した第１の検査用パターンと、が形成された加工処理対象上にレジストを塗布し、第２のデバイスパターンを形成するためのマスクパターンと、矩形状に掘り込まれたマークが第１のマーク列のマーク間に配置されるとともに、第２の方向の形成位置が第１のマーク列と所定の長さだけ重なるように配置される第２のマーク列を第２の方向に複数配列した第２の検査用パターンと、をレジストに形成し、第１と第２の検査用パターンを用いて算出した合わせずれ量から後の工程に進むか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】
投影光学系内に設置された光学素子の劣化を防止できる周辺露光装置等を提供する。
【解決手段】
基板（ウエハ）Ｗに設けられた複数の露光領域３０のうち、ウエハＷの周辺にある周辺領域３２を露光する周辺露光装置において、位相シフトレチクル７０（光学部材）のパターン形成領域７１の全面に形成された複数のパターン群７２Ａ〜７２Ｆを、光学系を介して、ウエハＷの周辺領域３２に露光する周辺露光装置を提供する。
複数のパターン群７２Ａ〜７２Ｆは、位相シフタ部７７と光透過部７８によって構成され、位相シフタ部７７と光透過部７８のピッチ（繰り返し周期）が、パターン群７２Ａ〜７２Ｆ毎にピッチＰ１〜Ｐ６となり、互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法等に関し、半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去するための洗浄装置及び洗浄方法、及び半導体装置の製造方法等に関する。
【解決手段】本発明に係るの洗浄装置は、半導体ウエハ３の最外端から内側に５ｍｍ以内の部分を挟んで押し当てる第１及び第２のブラシ１ａ、１ｂと、第１及び第２のブラシを保持する第１及び第２のブラシ軸２ａ、２ｂと、第１及び第２のブラシ軸を回転させる回転機構と、半導体ウエハを回転させる回転機構と、洗浄液を供給する機構と、制御機構とを具備し、制御機構は、半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍ以内の部分に第１及び第２のブラシを押し当て且つ半導体ウエハの最外端から内側に５ｍｍより更に内側の表裏面には第１及び第２のブラシを押し当てないことにより、半導体ウエハのエッジ部に成膜された膜を除去するように制御する機構であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部の間口部分の拡大を抑制しつつ、開口部内に埋め込み導体を埋め込みやすくする。
【解決手段】半導体ウェハＷ１の中心から左側に離れたチップ領域Ｃ１ａ、Ｃ１ｂでは、開口部１３ａ、１３ｂ内の左右の壁面のうち右側の壁面にのみ深さ方向に沿って傾斜面を設け、半導体ウェハＷ１の中心から右側に離れたチップ領域Ｃ１ｄ、Ｃ１ｅでは、開口部１３ｄ、１３ｅ内の左右の壁面のうち左側の壁面にのみ深さ方向に沿って傾斜面を設け、半導体ウェハＷ１の中心の近傍のチップ領域Ｃ１ｃでは、開口部１３ｃ内の左右の壁面には傾斜面を設けないようにする。 （もっと読む）

【課題】段差パターンに起因するパターン形成不良領域を、段差パターンレイアウト面内で正確かつ短時間に算出する露光不良領域算出方法を得ること。
【解決手段】基板上の段差パターンとしてゲートＧ１を形成した後、ゲートＧ１よりも後にピラーパターンＰを形成するとピラーパターンＰがパターン形成不良となる領域を不良発生危険度マップ２１として算出するために、基板面内でのゲートＧ１のパターンからの距離と露光不良領域となる可能性に関する情報との対応関係と、ゲートＧ１のパターン形成に用いたレイアウトと、を用いる。 （もっと読む）

【課題】配線パターン間の合わせズレが小さな技術を提供する。
【解決手段】下層配線用絶縁膜に下層配線膜を設けるＡ工程と、ビア用絶縁膜および上層配線用絶縁膜を積層して設けるＢ工程と、該絶縁膜にビアを形成するＣ工程と、該ビアにビアフィル材を充填するＥ工程と、レジスト膜に上層配線用のパターンを構成するＦ工程とを具備する半導体装置の製造方法において、下層配線用絶縁膜に位置整合用メタル膜を設け、前記位置整合用メタル膜上の絶縁膜に位置整合用ビアを形成し、前記位置整合用ビアにビアフィル材を充填し、前記位置整合用メタル膜およびレジスト膜に位置整合用開口部を構成し、前記位置整合用開口部と該位置整合用開口部の真下に構成されている前記位置整合用メタル膜および／または前記位置整合用ビアに充填されたビアフィル材とを観測し、得られた位置情報を基にして前記上層配線用のパターンが正しく形成されているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせずれ誤差を低減できるようにする。
【解決手段】制御部２ａは、ショット内ディストーション形状の補正係数および／またはショット内ディストーション形状ショット間補正係数として５次以上のｎ次に線形分解した補正式の補正係数を算出し、ショット毎にディストーション誤差を補正する（Ｓ６、Ｓ７）。その後、露光装置が求められたパラメータを入力して露光する（Ｓ８）。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑制し、デバイスを良好に形成できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、基板を保持する可動部材を駆動し、前記基板上でデバイスを構成するチップが形成可能な第１ショット領域を、パターン化された第１露光光で露光する第１露光システムと、前記基板を保持する、前記可動部材と異なる保持部材を有し、前記基板とパターン化された第２露光光とを相対移動しながら、前記基板上で前記チップが形成されない第２ショット領域を、前記第２露光光で露光する第２露光システムと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 新しいリソグラフィキャリア基板を提供する。
【解決手段】 キャリア基板には、キャリア基板の一方の面上にＰＤＭＳおよび硬化剤の層が設けられる。ＰＤＭＳおよび硬化剤は、リソグラフィ基板を受けて、これに付着することあできる。キャリア基板は、従来のリソグラフィ装置によってキャリア基板とリソグラフィ基板の組み合わせを扱うことができるような寸法にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の清掃を半導体製造装置を停止することなく行うことができ、生産効率の向上を図り得るウエハ載置台のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 表面に凹凸パターンを有するクリーニングウエハを用いたウエハ載置台のクリーニング方法であって、前記クリーニングウエハ１１の表面を前記ウエハ載置台１４の表面に対向させて、正規の位置とは異なる位置に載置する工程と、前記ウエハ載置台１４の表面に載置された前記クリーニングウエハ１１の位置を正規の位置に補正する機構を用いて、前記クリーニングウエハ１１の位置を補正して前記クリーニングウエハ１１を前記ウエハ載置台１４上の正規の位置に移動させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】段差状のレジスト膜の厚みを高精度に形成することができる半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置の製造方法は、第１基板上に多結晶シリコンからなる半導体膜を形成し、半導体膜上にレジスト膜を成膜する。そして、レジスト膜をハーフトーンマスクを用いて段差状にパターニングする。具体的には、露光光に単一波長を用いて、入射光と反射光との干渉によって得られた波線状の干渉光を利用する。これにより、特に、段差部分の厚みが均一となったレジスト膜を得ることができる。そして、このレジスト膜の段差部分を利用して、例えば、半導体膜のソース領域とドレイン領域とに不純物を注入する。 （もっと読む）