【課題】真空吸着によりワークを吸着保持するワークステージにおいて、中央部が凸に変形したワークであっても、その反りを矯正して全面で吸着保持できるようにすること。
【解決手段】ワークＷが搬送されると、ピン５ａが上昇し、ワークＷを受け取りピン５ａが下降する。これによりワークＷはワークステージ上４に置かれる。ピン５ａとともに鍔部材７も下降し、鍔部材７の下面が蓋部材６の上面に密着する。鍔部材７と蓋部材６が密着することにより、ワークステージ４の貫通孔４ｃは閉じられる。この状態で、真空吸着孔４ｂに真空が供給されると、ワークＷとワークステージ４の間の空間は減圧し、ワークＷはワークステージ４に吸着保持される。ピン５ａが下降したとき鍔部材７と蓋部材６により貫通孔４ｃが閉じるので、貫通孔４ｃを通って大気が流入せず、ワークＷが椀を伏せたように変形していたとしても確実にワークＷを吸着保持することができる。 （もっと読む）

【課題】可変成形マスクを用いて基板上に形成されるパターンの形状の精度を高めることができる走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
走査型露光装置は、照明系２１、反射ミラー２３，複数のＳＬＭミラーを有するＳＬＭ２４、ＳＬＭミラーからの光によって投影領域に露光パターンを形成する投影光学系２２、投影領域に対して基板Ｓを走査するステージ１１、及び、ＳＬＭ２４を制御するＳＬＭ駆動装置２５を備えている。ＳＬＭ駆動装置２５は、ＳＬＭミラー各々の共役位置を基板表面に合わせるように、該基板表面の段差に応じてＳＬＭミラー各々の位置を変更する。加えてＳＬＭ駆動装置２５は、隣り合うＳＬＭミラーからの光同士がＳＬＭミラーの位置変更に伴って互いに弱め合う部分には、それ以外の部分よりも多くのＳＬＭミラーからの光が到達するようにＳＬＭ２４の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板に局所的でない歪が発生している場合でも、基板の広い領域の歪みの傾向をとらえて的確にその変位を算出できる変位算出方法、描画装置を提供する。
【解決手段】 アライメントマークＭ１１〜Ｍ１４、Ｍ２１〜Ｍ２４、Ｍ３１〜Ｍ３４、Ｍ４１〜Ｍ４４、の各位置におけるＸ方向のずれ量ΔＸを算出し、そのずれ量から第１スプライン曲線ＳＬ１を描き、評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＸ位置（Ｘ＝ｘｅ）における補正値ΔＸ１〜ΔＸ４を算出する。ΔＸ１〜ΔＸ４から第１副スプライン曲線ＳＬ１Ｓを描き評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＹ位置（Ｘ＝ｙｅ）における補正値ΔＸｅを算出し、Ｘ方向の補正量とする。Ｙ方向の補正量も同様に算出する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で容易に撮像面の傾斜状態を検出可能な傾斜検出方法を提供する。
【解決手段】２つの撮像装置のそれぞれについて、撮像装置の傾斜状態を検出する傾斜検出工程と、撮像装置の傾斜を調整する傾斜調整工程と、撮像装置の位置を検出する位置検出工程と、撮像装置の位置を調整する位置調整工程と、を有し、傾斜検出工程は、均等間隔で設けられたパターンを、撮像装置の焦点位置を順次変化させて撮像し、撮像画像におけるパターン位置を検出してパターン領域を設定し、パターン領域における各画素の輝度値を検出し、検査方向に沿って画素間の輝度変化量を算出し、各パターン領域における輝度変化量の積算値を算出し、積算値が最大となる撮像画像に対応した焦点一致位置を検出し、焦点一致位置に基づいて、撮像装置の傾斜状態を検出することを特徴とする調整方法。 （もっと読む）

【課題】基板の反り量が大きい場合等であっても適切な露光を行うことができ、好ましくは基板内のチップ等の損傷を回避することもできる露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置には、ステージ３上に載置された基板１２に光を照射する光源１と、光源１側から基板１２をステージ３に押圧する押圧部材２と、基板１２の押圧部材２により押圧されている領域の平坦度を測定するセンサ４と、センサ４により測定された平坦度に応じて押圧部材２が基板１２を押圧する力を制御する制御部５と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハから取得できるチップ数を増大させることが可能な半導体ウェーハのパターン露光方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１８に、長方形状の露光単位領域３５を長方形の短辺に平行な第１の方向に順次移動させながら回路パターンを露光するに際に、露光単位領域３５における半導体ウェーハ１８の厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において小さくなるように半導体ウェーハ１８を傾けて露光する半導体ウェーハのパターン露光方法であって、半導体ウェーハ１８に、外周部を露光あるいは露光焦点面を決定する領域から除外するエッジ除外領域３１を、第１の方向における第１除外幅ｄ１が第１の方向に直角な第２の方向における第２除外幅ｄ２より小さくなるように設定し、エッジ除外領域３１を含まない露光単位領域３５内で、表面凹凸が露光焦点面において小さくなるように半導体ウェーハ１８を傾けて露光焦点面を設定する。 （もっと読む）

【課題】デフォーカス部分を正確に検出できるとともに、デフォーカス部分を検出した場合であっても、生産性や歩留まりを低下させることなく半導体ウェハーを製造することが可能な露光方法並びに露光装置を提供する。
【解決手段】露光スキャン処理の直前に、フォトレジスト膜２のデフォーカス部分２１を検出するオートフォーカススキャン処理を行い、露光スキャン処理は、オートフォーカススキャン処理において検出されたデフォーカス部分２１の検出信号に基づいてフィードバック制御を行なうことにより、デフォーカス部分２１をブラインドしながら露光することで、半導体ウェハー１上のデフォーカス部分２１にレジストパターンを残存させる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】要素間のレジストを十分に照射する。
【解決手段】基板上のレジストを照射するリソグラフィ方法であって、該レジストが、基板上に位置する第１の要素と基板上に位置する第２の要素との間の領域を充填し、第１の要素が第１の長さ、第１の幅、及び第１の高さを有し、第２の要素が、第２の長さ、第２の幅、及び第２の高さを有し、第１の高さが第２の高さに実質的に等しく、第１の長さが第２の長さに実質的に平行であり、第１の方向に延在し、レジストで充填された領域を画定する第１の要素と第２の要素の対向する側壁の間の距離がレジストを照射するために使用される放射の波長よりも短い方法であって、該方法が、楕円偏光放射でレジストを照射するステップであって、第１の高さ及び第２の高さで、上記楕円偏光放射が第１の方向に垂直に、第１及び第２の長さに対して実質的に垂直に偏光するように構成されたステップを含む方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】マスクのパターン形成領域の平面性を確保しつつ、マスクを保持することができるマスク保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】所定のパターンが形成されたパターン形成領域４３及び該パターン形成領域４３の周囲の周辺領域４４を有する表面Ｒｂと、該表面Ｒｂの裏側の裏面Ｒａとが形成されたレチクルＲを保持する第１静電吸着保持装置２５において、レチクルＲの裏面Ｒａを静電吸着する支持面３７ａを有する基体３７と、基体３７に設けられ、パターン形成領域４３を含む大きさで形成された電極面３９ａを有する第１電極部３９と、基体３７に設けられ、第１電極部３９の周囲に配置された第２電極部４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来に比べマスクの変形を精度良く補正することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置が、マスク２の合焦状態を検出し、マスク２の合焦状態が検出された時のマスク２のパターン面の裏面の形状を計測し、計測結果を格納部１１に予め格納する。露光装置が、基板５の露光前に、マスク２のパターン面の裏面の形状を計測し、該計測結果と上記格納部１１に予め格納された形状の計測結果とを比較する。そして、露光装置が、上記比較結果に基づいて、マスク２の変形を補正する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持部に搬送された基板に対して第１手順に対応した第１処理を実行する基板処理方法は、保持部に搬送された基板の歪みに関する情報を検出することと、歪みに関する情報に基づいて、基板に対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断することと、を含む。 （もっと読む）

【目的】対象物のパターンに依存することなくビームスプリッタの反射率を安定させることが可能な高さ検出装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の高さ検出装置１００は、対象物１０１面に照明光を照明する照明光学系２００と、対象物１０１面から反射された反射光を入射するλ／４板２７０と、λ／４板２７０を通過した反射光を分岐するビームスプリッタ２２２と、ビームスプリッタ２２２によって分岐された反射光の一方を前記反射光の結像点の前側で受光して、光量を検出する光量センサ２５２と、結像点の後側で受光して、光量を検出する光量センサ２５４と、光量センサ２５２，２５４の出力に基づいて対象物１０１面の高さを演算する演算回路２６０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】計測用の光学系を大型化することなく、マスクの面形状の情報を効率的にかつ高精度に計測する。
【解決手段】レチクルの形状情報を計測する計測装置において、投影光学系ＰＬの物体面側に配置され、複数の位相マーク２０が形成されたパターン面を有するレチクルＲと、投影光学系ＰＬの像面側に配置され、位相マーク２０に対応して複数の周期パターン３９が形成された蛍光膜３５と、位相マーク２０、投影光学系ＰＬ、及び周期パターン３９を通過した照明光ＩＬから生成される検出光ＤＬを検出するＦＯＰ３７及び撮像素子３８と、撮像素子３８の検出信号からそのパターン面の形状情報を求める演算装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハ外周部のショットを高歩留まりかつ高効率で露光する露光制御装置を提供すること。
【解決手段】ウエハ外周部に配置される露光ショット内でのウエハの高さに関する高さ情報に基づいて、露光ショットを、露光するショットまたは露光しないショットの何れかに設定する露光有無設定部１２と、露光有無設定部１２が設定した露光するショットへの露光指示と、露光有無設定部１２が設定した露光しないショットに露光を行わないようスキップさせる指示と、を出力する露光指示部１４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】コストを抑えながら、被計測面の表面形状を短時間で計測することができる計測装置を提供する。
【解決手段】計測光と参照光とを前記被計測面と参照面の表面に入射させ、計測点で反射した計測光と参照面の参照点で反射した参照光によって形成される干渉光の強度を検出する複数の第１の方向に配列された撮像素子と、前記干渉光の強度に基づいて、被計測面の高さを算出する処理部とを有する。参照面又は被計測面は、計測光又は参照光の間に異なる光路長差が生じるように配置され、計測点で反射した計測光及び参照点で反射した参照光が前記第１の方向に沿って移動しながら前記複数の領域のそれぞれに順次入射するように前記被計測面を駆動して、前記複数の領域のそれぞれで順次検出される干渉光の強度から前記光路長差に対する干渉光の強度を表す強度信号を生成し、前記計測点における前記被計測面の高さを算出する。 （もっと読む）

【課題】コストを抑えながら、被計測面の表面形状を短時間で計測することができる計測装置を提供する。
【解決手段】被計測面の表面形状を計測する計測装置であって、計測光を前記被計測面の表面に入射させ、参照光を参照面に入射させ、前記被計測面の前記局所領域内の第１、２の計測点で反射した第１、２の計測光と前記第１、２の計測点に対応する前記参照面の第１、２の参照点で反射した第１、２の参照光とを前記撮像素子の第１、２の領域に導く光学系と、撮像素子で検出され、前記第１、２の領域において前記第１、２の計測光と前記第１、２の参照光によって形成される干渉光の強度に基づいて、前記局所領域における前記被計測面の高さを算出する処理部と、を有し、前記第１の計測光と前記第１の参照光との光路長差と、前記第２の計測光と前記第２の参照光との光路長差との間に差が生じるように配置されていることを特徴とする計測装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのエッジ部まで精度よく露光する。
【解決手段】フォーカス測定光ＥＬを照射するショット領域Ｓが、ウエハ６のエッジ付近の予め定められた領域にかからないショット領域Ｓである場合には、所定数のスリット状領域ＳＬおきに露光面の高さを測定し、ウエハ６のエッジ付近の予め定められた領域にかかるショット領域Ｓである場合には、ウエハ６のエッジ付近の予め定められた領域にかからないショット領域Ｓに比べて、多くのスリット状領域ＳＬの露光面の高さを測定する走査型露光装置。 （もっと読む）

【課題】走査露光処理を中断させることなく、基板上のショット領域において、両スキャン方向の同期精度を算出する。
【解決手段】原版を保持するレチクルステージと、基板を保持するウエハステージとを所定の走査方向に同期移動させて、基板に定義される配列を構成する複数の領域を露光する露光処理方法であって、複数の領域において露光処理を通して取得する装置情報を抽出する抽出工程Ｓ１と、走査方向が第１の走査方向で同期移動された領域における装置情報に基づいて、第２の走査方向で同期移動された領域における装置情報を補間するための補間値を算出する算出工程Ｓ４、Ｓ５とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を搭載したチャックをステージにより移動して、光ビームによる基板の走査を行う際、基板の表面の高さが変動しても、パターンの描画を精度良く行う。
【解決手段】チャック１０の高さを調節する高さ調節機構（Ｚ−チルト機構９）と、チャック１０に搭載された基板１の表面の高さの変動を検出する検出装置（レーザー変位計４７）とを設け、Ｘステージ５によりチャック１０を移動しながら、検出装置（レーザー変位計４７）によりチャック１０に搭載された基板１の表面の高さの変動を検出し、検出結果に基づき、光ビーム照射装置２０から照射された光ビームの焦点が基板１の表面に合う様に、高さ調節機構（Ｚ−チルト機構９）によりチャック１０の高さを調節する。Ｘステージ５に縦揺れ等が発生して基板１の表面の高さが変動しても、パターンの描画が精度良く行われる。 （もっと読む）