【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面上での照度低下や光学像劣化の度合いを軽減すること。
【解決手段】露光波長の光を発する光源部と、照明の形状を可変に構成された照明光学系部、及び、ＥＵＶマスク２０のパターン像をウエハ４０上に形成する投影光学系を備えた露光装置であって、投影光学系の瞳面を通過する光の一部を遮蔽する中心遮蔽５０と、一端側を介して中心遮蔽５０と繋がり、中心遮蔽５０から放射状に延伸するスポーク５１と、スポーク５１の他端側と繋がり、中心遮蔽５０及びスポーク５１を支持する支持部材５２と、を有する遮蔽部材が瞳面近傍に位置し、遮蔽部材は、中心遮蔽５０の中心を、中心遮蔽５０と垂直に通過する軸を回転軸として、回転可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ光を得る。
【解決手段】レーザ装置３と共に用いられる光学システムは、少なくとも１つの焦点を有し、前記レーザ装置３から出力されるレーザ光を集光する集光光学系と、前記集光光学系と該集光光学系の少なくとも１つの焦点との間に配置されるビームスプリッタ１００と、前記ビームスプリッタ１００によって分岐されたレーザ光の光路上に配置される光センサ１１０と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】 反射させた光による悪影響を発生させることなく特定の波長の光を選択的に透過させるフィルタを提供する。
【解決手段】 第１波長を有する第１の光を反射し、前記第１波長より短い第２波長を有する第２の光を透過させるフィルタであって、第１方向に沿って間隙をおいて平行に配置された複数の板状部材を含み、前記複数の板状部材のそれぞれの端面によって形成される包絡面は平面をなし、前記平面は前記第１方向と非平行である。 （もっと読む）

【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、所定の原子のプラズマ励起によりＥＵＶ光を生じさせる発光部(10)と、発光部から照射されたＥＵＶ光を集光させる集光部(20)と、集光部により集光したＥＵＶ光をマスクを介して基板上に照射する露光部(30)と、発光部内のＥＵＶ光の発光点の位置を検出する第１プラズマ位置モニタ(11a)と、発光部の位置を調整する発光部駆動装置(13)と、を有する露光装置を用いる。そして、プラズマ位置モニタにより検出された発光点と発光基準位置との第１ズレ量を判断し、第１ズレ量に基づいて、発光部駆動装置を駆動する。さらに、集光部により集光したＥＵＶ光の集光点の位置を検出する第１集光位置モニタ(21a)と、集光部の位置を調整する集光部駆動装置(23)と、を有する露光装置を用いる。そして、集光点と基準集光点の位置との第２ズレ量を算出し、第２ズレ量の算出結果に基づいて集光部駆動装置(23)を駆動する。 （もっと読む）

【課題】中間集光点以降における照度分布測定を、露光装置側に照度分布を測定する手段を設けることなく、極端紫外光光源装置単体でも行うことができるようにすること。
【解決手段】ＥＵＶ光源装置において、集光鏡６と中間集光点ｆの間に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光だけを抽出する多孔板２０１と蛍光板２０２と折り返しミラー２０３と受光検出器２０５を設ける。多孔板２０１には、中間集光点ｆに向かう光のみが通過するように配置された多数の貫通孔が設けられており、受光検出器２０５には中間集光点ｆに集光する光のみが受光される。受光検出器２０５で検出した点状の照度分布は画像処理部１０で補間処理され、中間集光点ｆに集光する光の照度分布が復元される。これにより、集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができ、また、ＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡６を移動させ照度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の波長を有した露光光を容易に評価する露光量評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、フォトマスクが、露光光のうちＥＵＶ光よりも長い波長を有した長波長光を反射し且つ前記ＥＵＶ光を吸収する長波長光反射膜を有している。また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。そして、フォトマスクと、レジストが塗布された露光対象の基板と、をＥＵＶ露光装置内にセットする。前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。そして、前記基板に照射された露光光の露光量に基づいて、前記基板に照射された長波長光の光量分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源を用いた場合に、ウェハ面上での露光量を正確に算出することができ、パターン寸法精度の向上に寄与する。
【解決手段】パルス駆動により極端紫外域のパルス光を発生する光源１０と、光源１０からのパルス光を試料面５０上に導く光学系２０，４０と、試料面５０上の照度を計測する照度計測器７１と、光学系２０，４０の光路途中の照度を計測する照度計測器７２と、を備えた露光装置である。実際の露光とは別に、光源１０の駆動により出力されるパルス光の順番毎に、照度計測器７１で得られた計測値と照度計測器７２で得られた計測値との比を求めて記憶し、実際の露光において、光源１０の駆動により出力されるパルス光の順番毎に、照度計測器７２を用いて得られた計測値とこれ対応する比との積を求めて露光量推定値を算出し、算出した露光量推定値に対応して露光動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウのレーザ光による熱負荷による特性の悪化を改善させる。
【解決手段】ウィンドウユニットは、レーザ光を透過するウィンドウと、前記ウィンドウの外縁を保持し、内部に前記ウィンドウの外側または内側の周辺に液体を流す流路が設けられたホルダとが設けられたウィンドウホルダと、を備えていてもよい。流路には、たとえば冷却装置から供給された冷却媒体が流れてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ投影露光装置に備わる投影光学系の瞳面内の透過率分布を高精度に計測することのできる技術を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ投影露光装置において、反射光に位相差を与える複数のライン状の位相差パターンＭＰを有する検査用マスクを用いて、ウエハの主面上に位相差パターンＭＰの投影像を形成し、位相差パターンＭＰの一方のエッジ部に対応する投影像光強度の低下量と、位相差パターンＭＰの他方のエッジ部に対応する投影像光強度の低下量とを比較することにより、ＥＵＶ投影露光装置の瞳面内の透過率分布を把握する。 （もっと読む）

【課題】露光量のきめ細かな監視および調整を可能にする。
【解決手段】実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスや反射層形成前の基板を、方向確認のために裏返すという作業を行うことなく、異物付着の恐れを低減して、より的確に基板の方向や表裏を判別できる反射型マスクブランクス、反射型マスク、および反射型マスクブランクスの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 反射層形成前の反射型マスクブランクス用基板主面に、アライメントマークやネームマーク等からなる視認可能なマークを平面非対称な位置に形成することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】使用時の投影光学系の光学特性を計測することができる計測用光学部材、マスク、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】計測用光学部材２３は、計測用パターン４６が形成されるパターン形成領域４４及び該パターン形成領域４４とは異なる位置に配置される非パターン形成領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃを有する複数の計測用パターンユニット４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃを備えている。非パターン形成領域４５ａ，４５ｂ，４５ｃは、計測用パターンユニット４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ毎に互いに異なる形成条件で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ホイルトラップを交換するタイミングを適切に判断することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】プラズマによる光を発生するプラズマ生成部（１、２、３）と、プラズマ生成部で発生した光を集光する集光鏡（６）と、プラズマ生成部で発生したデブリが集光鏡に到達することを抑制するホイルトラップ（８）と、ホイルトラップと接地部との間に流れる電流を測定する電流測定部（１１）とを備える。 （もっと読む）

【課題】輸送管内壁への酸化物の付着を低減できる洗浄装置を提供する。
【解決手段】対象物１１に水素ラジカルを供給することによって前記対象物１１を洗浄する洗浄装置２７であって、加熱された触媒１に気体を供給することによって水素ラジカルを生成する生成手段と、前記生成手段から前記対象物１１への気体の供給を制限可能な制限手段と、前記制限手段により気体の供給が制限された状態で、前記触媒１の周囲の気体を前記対象物１１を介さずに排気可能な排気手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成サイトに対する各種要素の配置自由度を向上する。
【解決手段】チャンバ装置は、オブスキュレーション領域を有する外部装置と共に用いられるチャンバ装置であって、ＥＵＶ光の生成が内部で行われるチャンバ１０と、前記チャンバ１０内に配置され、前記ＥＵＶ光を集光する集光ミラー１４と、前記集光ミラー１４を前記チャンバ１０に固定する支持部と、前記チャンバに設けられ、前記集光ミラー１０で集光されたＥＵＶ光Ｌ２を前記外部装置へ導入するための出力口Ｗ１４と、を備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】露光装置の特性が劣化するような露光条件においても、生産性を低下させることなく半導体装置を製造できる、半導体装置の製造方法、生産管理装置および生産管理システムを提供する。
【解決手段】露光装置に接続される生産管理システムにおいて、規定された基板処理計画を実行した場合に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎを光Ｌが継続的に通過することに起因する露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎの特性の変化を予測し、該特性の変化が露光処理中に閾値を超える場合に、その時刻を取得する予測部１４と、上記時刻に到達する前に、露光装置ＰＭ１〜ＰＭｎのそれぞれで上記特性が均一化されるように基板処理計画を変更して改めて規定する計画変更部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光源装置において光を集光するために用いられるミラー装置において、温度調節機構からミラー基板に力が加わっても、ミラーの歪みを発生しにくくする。
【解決手段】ミラー装置は、一方の面に反射層が形成され、内部に温度調節媒体のための少なくとも１つの流路が形成されたミラー基板と、ミラー基板を複数の位置においてそれぞれ支持する複数の支持部と、ミラー基板が複数の支持部によって支持される複数の位置の内の少なくとも１つの位置の近傍において少なくとも１つの流路に接続された少なくとも１つの供給配管及び少なくとも１つの排出配管とを具備する。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光光源装置において、均一な角度分布特性を得るための集光鏡の位置調整を、短時間で行うことができるようにすること。
【解決手段】制御部１０の分布データベース１０ａに、不均一な角度分布特性画像データと、この不均一な角度分布特性を均一な角度分布特性にするための集光鏡の移動方向および移動量と登録しておく。角度分布特性測定器１２により、角度分布画像データを取得したら、この角度分布特性画像データを、分布データベース１０ａに登録された画像と比較し、角度分布特性画像データの中から、取得した現在の角度分布特性と最もよく一致する画像データを選ぶ。そして、選び出した画像データに対応づけて記憶されている、均一な角度分布特性にするための集光鏡６の移動方向および移動量のデータを読み出し、これに基づいて、集光鏡移動手段１１により、集光鏡６を移動させる。 （もっと読む）

【課題】極端紫外光光源装置の中間集光点以降における照度分布特性が悪化したことをリアルタイムで検知すると共に、悪化した照度分布を修正できるようにすること。
【解決手段】ＥＵＶ光源装置において、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知する円筒形状の検知手段２０を設ける。中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光は、検知手段２０の開口２０ａを通過するので、露光処理中あっても中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知することができる。中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布と相関しているので、上記検知手段２０により得られたＥＵＶ光の照度分布の悪化から、集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができる。また、上記ＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡６を移動させることにより、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を改善することができる。 （もっと読む）