露光装置および露光方法
【課題】露光量のきめ細かな監視および調整を可能にする。
【解決手段】実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。
【解決手段】実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、露光装置および露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、回路パターンの線幅をさらに縮小する要求が高まっている。このような縮小化要求に対してリソグラフィ技術では、レジストの露光に用いる光の波長をより短波長にすることで対応している。パターン幅４５ｎｍの世代からは、極短紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）と呼ばれる、１３．５ｎｍを中心とした波長領域の露光光（「極端紫外光」とも呼ばれる）を用いることが検討されている。ＥＵＶを用いれば、従来は達成できなかったパターン幅・パターンピッチの縮小化にも対応可能と考えられている。
【０００３】
ここで、微細パターン露光においては、露光量のきめ細かな監視および調整が必須となっている。
【０００４】
露光量の調整には、露光量を安定化させることが重要である。安定化の鍵となる露光パラメータには、例えば光源強度、露光装置内の減衰、光学素子の反射率などが含まれる。
【０００５】
この一方、ウェーハの露光によってレジストの反応生成物が発生し、これがコンタミネーションとしてウェーハ近傍の露光装置構成部品に付着することがある。特に、ＥＵＶ光を反射させる光学素子の表面に反応生成物が付着すると、ＥＵＶ露光の反射率が低下するおそれがある。光学素子の反射率が低下すると、露光量のきめ細かな監視および調整が不能となるため、パターン寸法が変動し、その結果、デバイス歩留まりの低下を招くという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５７９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、露光量のきめ細かな監視および調整を可能にする露光装置および露光方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図。
【図２Ａ】図１に示す光電子検出器の第１例の第１配置例を示す図。
【図２Ｂ】図１に示す光電子検出器の第１例の第２配置例を示す図。
【図３】第１例の光電子検出器の操作方法の説明図。
【図４Ａ】図１に示す光電子検出器の第２例の第１配置例を示す図。
【図４Ｂ】図１に示す光電子検出器の第２例の第２配置例を示す図。
【図５】第２例の光電子検出器の操作方法の説明図。
【図６】第２の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図。
【図７】図６に示す洗浄機構の一例の主要部を示す正面図。
【図８】従来の技術による洗浄結果の説明図。
【図９】図６に示す露光装置による洗浄結果の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。なお、以下の図において、同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明は必要な場合に限り行う。また、図面は説明を容易にするため、必ずしも正確な縮尺で描かれていない点に留意されたい。
【００１１】
（１）第１の実施の形態
図１は、第１の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の露光装置は、反射型露光ユニット８０の他、主制御部１、光電子検出器１０、光電子検出器駆動ユニット２０、検出信号処理部３２、メモリＭＲ１〜ＭＲ３、表面状態分布作成部３４および露光パラメータ調整部３６を備える。図１において、Ｘ、Ｙ、Ｚは、互いに直交する方向を示す。この点は図６についても同様である。
【００１２】
露光ユニット８０は、反射型マスク８７が配置されるマスクステージＳと、レジスト（被照射材）が塗布されたウェーハ（被加工材）Ｗが配置されるウェーハステージ（被加工材ステージ）Ｓと、露光光Ｌを出射する露光用光源５と、露光用光源５からの露光光Ｌを反射型マスク８７に照射する照明光学系７と、反射型マスク８７で反射した露光光ＬをマスクステージＳ上に投影する投影光学系８と、マスクステージＳを駆動するマスクステージ駆動部９と、ウェーハステージＳを駆動するウェーハステージ駆動部１１０と、を含む。
【００１３】
本実施の形態の露光光Ｌは、後述するように波長１３．５ｎｍを中心とする波長５〜２０ｎｍの極短紫外光を用いる。極短紫外光は、大気雰囲気中では大気分子に衝突して散乱してしまう性質を有するため、少なくとも露光用光源５、照明光学系７、反射型マスク８７、投影光学系８及びウェーハＷを真空雰囲気内に配置している。
【００１４】
マスクステージＳは、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、マスクステージＳには、反射型マスク８７をＸ方向及びＹ方向に移動させるマスクステージ駆動部９が接続されている。また、マスクステージＳは、上記反射型マスク８７を静電吸着により固定できるように構成されている。
【００１５】
ウェーハステージＳは、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に構成されており、ウェーハステージＳには、ウェーハＷをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させるウェーハステージ駆動部１１０が接続されている。また、ウェーハステージＳは、ウェーハＷを静電吸着により固定できるように構成されている。ウェーハＷは、本実施形態において例えば第２の基板に対応する。
【００１６】
主制御部１２は、反射型マスク８７及びウェーハＷを、投影光学系８の縮小倍率に比例した速度比（例えば４：１）で同期してＸ及びＹ方向に走査するようにマスクステージ駆動部９及びウェーハステージ駆動部１１０を制御する。
【００１７】
露光用光源５は、例えば、波長５〜２０ｎｍ（より好ましくは波長１３．５ｎｍ）の極短紫外光の露光光Ｌを出射するＥＵＶ光源を用いる。ＥＵＶ光源として、例えば、レーザ光でプラズマを励起するレーザ励起型プラズマ光源や、放電によりプラズマを励起する放電型プラズマ光源等を用いることができる。本実施の形態は、放電型プラズマ光源よりもパワーの大きいレーザ励起型プラズマ光源を用いる。波長５〜２０ｎｍ程度のＥＵＶ光源を用いることにより、５０ｎｍ以下の微細加工が可能になる。
【００１８】
露光用光源５から出射した露光光Ｌは、照明光学系７を介して反射型マスク８７の表面に垂直な方向に対して傾斜した角度（例えば６°）で入射し、反射型マスク８７で反射した後、投影光学系８からウェーハＷに垂直に入射するように構成されている。
【００１９】
反射型マスク８７には、アライメントマーク２１が形成され、このアライメントマーク２１を基準にパターンが形成されている。また、反射型マスク８７は、石英ガラス等からなる基板と、この基板上に屈折率の異なる薄膜が交互に積層されて構成され、露光光Ｌを反射する反射多層膜と、この反射多層膜上の一部に形成され、露光光Ｌを吸収する吸収体層とを備え、吸収体層の有無によってパターン及びアライメントマーク２１が形成されている。反射多層膜は、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ等を用いることができる。吸収体層は、例えば、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等を用いることができる。本実施形態において、反射型マスク８７は例えば第１の基板に対応する。
【００２０】
照明光学系７は、露光用光源５の光軸５ａ上に配置されたフィルタ（第２の光学素子）７０と、第１乃至第４のミラー７１Ａ〜７１Ｄと、を含む。
【００２１】
フィルタ７０は、露光光Ｌの波長を含む所定の波長帯域（例えば５〜２０ｎｍ）を透過させ、それ以外の波長をカットする特性を有する。なお、フィルタ７０は、露光用光源５に内蔵してもよい。ここで、フィルタ７０のかわりに選択的に光を反射するミラー（第２の光学素子）を用いても良い。すなわち、露光光Ｌの波長を含む特定の波長の光に対する反射率を高め、一方で、その他の波長の光に対する反射率を低くするミラーを用いることができる。このミラーで反射した光は、反射型マスク８７へと導かれる。さらには、フィルタとミラーを混在させた素子（第２の光学素子）を用いて、露光光Ｌの波長を含む特定の波長の光を選択的に反射型マスク８７に導入することも可能である。
【００２２】
第１及び第２のミラー７１Ａ，７１Ｂの反射面は、同図では平坦面であるが、凹面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。第３及び第４のミラー７１Ｃ，７１Ｄの反射面は、同図では凹面であるが、平坦面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。また、ミラー７１Ａ〜７１Ｄの数は、同図では４枚であるが、６枚等でもよい。
【００２３】
投影光学系８は、第１乃至第７のミラーＭ１〜Ｍ７を備える。第１乃至第７のミラーＭ１〜Ｍ７の反射面は、同図では凹面であるが、平坦面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。ミラーＭ１〜Ｍ７の数は、同図では７枚であるが、４枚、８枚等でもよい。ミラーの枚数が少ない程、光の利用効率を高くすることができ、ミラーの枚数が多い程、ＮＡ（開口数）を大きくすることができる。本実施の形態の投影光学系８のＮＡは、例えば０．２５、縮小倍率は、例えば１／４である。
【００２４】
光電子検出器１０は、投影光学系８内でウェーハＷに近接する光学素子にＥＵＶ光Ｌが照射することにより発生する光電子を検出する。光電子検出器駆動ユニット２０は、光電子検出器１０が光学素子の面に沿った複数箇所で光電子を検出するよう光電子検出器１０を走査する。光電子検出器１０および光電子検出器駆動ユニット２０の具体的構成については後に詳述する。
【００２５】
検出信号処理部３２は、光電子検出器１０からの検出信号を処理して主制御部１に送る。本実施形態において、光電子検出器１０、光電子検出器駆動ユニット２０および検出信号処理部３２は、例えば光電子検出手段に対応する。
【００２６】
記憶装置ＭＲ１には、後述する実施形態の露光方法の手順が記述されたレシピファイルが格納され、主制御部１は、このレシピファイルを読み込んで露光を実行する。記憶装置ＭＲ２には、光学素子の座標情報が格納され、主制御部１は、光電子検出器１０から送られた検出信号に座標情報を付加して面内光電子量分布データを作成し、表面状態分布作成部３４に送る。表面状態分布作成部３４は、記憶装置ＭＲ３に接続され、記憶装置ＭＲ３には光電子量と、光学素子に付着するコンタミネーションの厚さとの関係を記述したテーブルが格納される。
【００２７】
表面状態分布作成部３４は、記憶装置ＭＲ１内のテーブルを参照することにより、主制御部１から送られた面内光電子量分布データから光学素子表面におけるコンタミネーションの分布量を表す表面状態分布データを作成する。本実施形態において、主制御部１、記憶装置ＭＲ１〜ＭＲ３、および表面状態分布作成部３４は、例えば面内分布情報作成手段に対応する。
【００２８】
露光パラメータ調整部３６は、本実施形態において例えば露光パラメータ調整手段に対応し、表面状態分布データを、ロット毎、または週もしくは月に一度など定期的に評価してコンタミネーション分布量が所定の閾値を上回る場合に、例えば光源５の強度を上昇させるよう指令信号を生成して露光ユニット８０に送る。
【００２９】
光電子検出器１０の具体的構成について図２Ａおよび図２Ｂを参照して説明する。図２Ａにおいて、光電子検出器１０１は２つのミラーＭ２，Ｍ３とミラーＭ１との間に配置される。検出信号のＳ／Ｎを考慮すると、光電子検出器１０は測定対象である光学素子の近傍に配置することが望ましい。しかしながら、例えばミラーＭ２，Ｍ３とミラーＭ１との間のクリアランスが狭い場合などは、図２Ｂに示すように、ミラーＭ２，Ｍ３とレジストＬＳとの間、即ち、ウェーハＷの表面近傍に光電子検出器１０１を配置しても測定可能である。また、ダミーウェーハを使用する場合は、その表面に配置してもよい。
【００３０】
光学素子の表面、図２Ａに示す例ではミラーＭ１の表面に、カーボン系のレジスト脱離物質などでなるコンタミネーションが存在すると、ミラーＭ１表面の仕事関数が変化し、これにより、ＥＵＶ光照射によって発生する光電子の数量が多くなる。このため、光電子検出器１０での検出量も増加する。逆に、ミラーＭ１の表面内でコンタミネーションの付着が無い部分では光電子の検出量は少ない。図２Ａに示す光電子検出器１０１は、位置分解能を有していない。そこで、光電子検出器１０をミラーＭ１の表面に沿って走査することにより、ミラーＭ１表面の光電子量面内分布を測定することができる。なお、図２Ａおよび図２Ｂは説明を容易にするため図１の紙面垂直方向において反対側（裏面側）から描画した図となっている。この点は、図４Ａおよび図４Ｂにおいて同様である。
【００３１】
図３は、光電子検出器駆動ユニット２０による光電子検出器１０１の走査方法の一例を示す説明図である。光電子検出器駆動ユニット２０は、主制御部１から駆動信号を送られて、図示しないアクチュエータにより、Ｘ方向リニアガイドＬＧＸおよびＹ方向リニアガイドＬＧＹに沿って光電子検出器１０１を移動させることにより、例えば図３の符号ＡＲ１に示す軌道を辿るように電子検出器１０１を走査する。
【００３２】
図４Ａは、位置分解能を有する光電子検出器１０３を配置した例である。光電子検出器１０３は、二次元方向にアレイ状に配設された光電子検出素子（図５参照）を有する。理論上は測定対象の光学素子の表面全てをカバーするよう光電子検出素子を配設すれば走査することなく一度で光電子を検出することが可能である。
【００３３】
しかしながら、そのような大掛かりな検出器は露光装置の他の構成部材との配置関係から現実的ではなく、実際には図５に示すように、例えばＹ方向で３個分、Ｘ方向で４個分程度の走査が必要になる。この場合でも、上述した光電子検出器１０１と比較して測定時間を大幅に短縮することができる。また、二次元方向のみならず、例えばＸ方向に一列に配設するなどの一次元のライン検出器を使用しても測定時間の短縮が可能である。
【００３４】
なお、特に図示しないが、Ｚ方向のリニアガイドをさらに設けてＺ方向にも移動可能な構成にすれば、例えば図４Ｂに示すように、ミラーＭ２，Ｍ３とレジストＬＳとの間、即ち、ウェーハＷの表面近傍に光電子検出器１０３を移動させて測定することが可能である。この点は前述した光電子検出器１０１についても同様である。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、光電子検出器１０により光学素子の光電子を検出して表面の面内光電子量分布データを作成し、さらに該面内光電子量分布データから光学素子表面におけるコンタミネーションの分布量を表す表面状態分布データを作成するので、露光量をきめ細かく監視しかつ、調整することができる。これにより、パターン寸法変動を抑制することができ、その結果、デバイスの歩留まりを向上させることができる。
【００３６】
なお、上記実施形態では、表面状態分布データを評価する露光パラメータ調整部３６を備え、評価結果に応じて露光ユニット８０の露光パラメータをレシピファイルに従って調整する形態を取り挙げて説明したが、レシピファイルおよび露光パラメータ調整部３６を備えることは特に必須の要件ではなく、例えばオペレータが表面状態分布データを評価して手動で露光パラメータを調整することとしてもよい。
【００３７】
（２）第２の実施の形態
図６は、第２の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図である。図１との対比により明らかなように、本実施形態の露光装置は、図１の露光装置の構成に加えて、洗浄プロセス決定部３８、洗浄制御部４０、洗浄駆動機構４２、洗浄機構５０および記憶装置ＭＲ４をさらに備える。これらの洗浄プロセスＥ決定部３８、洗浄制御部４０、洗浄駆動機構４２、洗浄機構５０および記憶装置ＭＲ４は、本実施形態において、例えば洗浄手段に対応する。
【００３８】
図７は、洗浄機構５０の一例の主要部を示す正面図である。通常露光時には投影光学系８の外部に配置されている洗浄機構５０が光学素子等の洗浄時に洗浄機構駆動ユニット４２により光学素子のコンタミネーション付着領域の前、図７に示す例ではミラーＭ１のコンタミネーションＣＴ１に吹出口Ｐ１〜Ｐ１０が対向するように駆動されて移動する。
【００３９】
記憶装置ＭＲ４は、光学素子の表面におけるコンタミネーションの量と洗浄ガスの濃度との関係、および、該コンタミネーション量と洗浄ガスの供給時間との関係を記述したテーブルを格納する。洗浄プロセス決定部３８は、表面状態分布作成部３４から表面状態分布データを送られて記憶装置ＭＲ４内のテーブルを参照することにより、洗浄プロセスを決定して洗浄制御部４０に送る。洗浄プロセスには、洗浄のタイミングの他、洗浄ガスの供給時間やガス濃度がガス吹出口毎に決定される。
【００４０】
洗浄制御部４０は、送られた洗浄プロセスに規定された洗浄タイミングが到来すると、制御信号を生成して洗浄機構駆動ユニット４２を制御して洗浄機構５０を、洗浄対象である光学素子の近傍へ搬送する。洗浄制御部４０はさらに、（図示しない）ガスボンベを選択してその供給弁を調整することにより、洗浄機構５０の吹出口毎にガス濃度およいガス供給量を調整し、コンタミネーションの分布に応じた洗浄プロセスを実行する。
【００４１】
図８は、従来の技術による洗浄プロセスを用いた場合の洗浄結果を説明する図である。従来は、ミラーＭ１上におけるコンタミネーションＣＴの分布状態に関係なく一律に洗浄ガスを吹き付けていたために、コンタミネーションＣＴが付着する領域と共に、コンタミネーションＣＴが付着していない領域についても洗浄プロセスに曝されてしまい、その結果、ミラーの表面を削ってしまう恐れがあった。
【００４２】
図９は、本実施形態による洗浄プロセスとその結果の一例を説明する図である。図９の矢印の太さに示すように、本実施形態では、コンタミネーションＣＴの分布状態に応じてガス濃度または供給時間を変え、コンタミネーションＣＴの多い領域ではガス供給時間を長くし（もしくは吹き付け量を多くし）またはガス濃度を濃くすることによって洗浄を進める一方、コンタミネーションＣＴの少ない部分はガス供給量を減らし、またはガス濃度を薄くした。
【００４３】
これにより、光学素子表面の劣化などを解消しつつ、コンタミネーション部分を確実に洗浄することができた。
【００４４】
以上、実施の形態のいくつかについて説明したが、上記形態に限ることなく、種々変形して適用可能であることは勿論である。例えば、上述した実施形態では、光源の強度を調整することにより露光量を調整する場合を取り挙げたが、これに限ることなく、例えば反射率の異なる光学素子を複数用意し、レボルバー（図示せず）等を用いて回転させることにより、光学素子を交換することとしてもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１：主制御部
５：光源
７：照明光学系
８：投影光学系
１０，１０１，１０３：光電子検出器
２０：光電子検出器駆動ユニット
３２：検出信号処理部
３４：表面状態分布作成部
３６：露光パラメータ調整部
３８：洗浄プロセス決定部
４０：洗浄制御部
４２：洗浄機構駆動ユニット
５０：洗浄機構
８０：露光ユニット
８７：反射型マスク
Ｍ１〜Ｍ７，７１Ａ〜７１Ｄ：ミラー
ＭＲ１〜ＭＲ４：記憶装置
Ｐ１〜Ｐ１０：洗浄ガス吹出口
Ｗ：ウェーハ
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、露光装置および露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、回路パターンの線幅をさらに縮小する要求が高まっている。このような縮小化要求に対してリソグラフィ技術では、レジストの露光に用いる光の波長をより短波長にすることで対応している。パターン幅４５ｎｍの世代からは、極短紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）と呼ばれる、１３．５ｎｍを中心とした波長領域の露光光（「極端紫外光」とも呼ばれる）を用いることが検討されている。ＥＵＶを用いれば、従来は達成できなかったパターン幅・パターンピッチの縮小化にも対応可能と考えられている。
【０００３】
ここで、微細パターン露光においては、露光量のきめ細かな監視および調整が必須となっている。
【０００４】
露光量の調整には、露光量を安定化させることが重要である。安定化の鍵となる露光パラメータには、例えば光源強度、露光装置内の減衰、光学素子の反射率などが含まれる。
【０００５】
この一方、ウェーハの露光によってレジストの反応生成物が発生し、これがコンタミネーションとしてウェーハ近傍の露光装置構成部品に付着することがある。特に、ＥＵＶ光を反射させる光学素子の表面に反応生成物が付着すると、ＥＵＶ露光の反射率が低下するおそれがある。光学素子の反射率が低下すると、露光量のきめ細かな監視および調整が不能となるため、パターン寸法が変動し、その結果、デバイス歩留まりの低下を招くという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５７９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、露光量のきめ細かな監視および調整を可能にする露光装置および露光方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図。
【図２Ａ】図１に示す光電子検出器の第１例の第１配置例を示す図。
【図２Ｂ】図１に示す光電子検出器の第１例の第２配置例を示す図。
【図３】第１例の光電子検出器の操作方法の説明図。
【図４Ａ】図１に示す光電子検出器の第２例の第１配置例を示す図。
【図４Ｂ】図１に示す光電子検出器の第２例の第２配置例を示す図。
【図５】第２例の光電子検出器の操作方法の説明図。
【図６】第２の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図。
【図７】図６に示す洗浄機構の一例の主要部を示す正面図。
【図８】従来の技術による洗浄結果の説明図。
【図９】図６に示す露光装置による洗浄結果の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。なお、以下の図において、同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明は必要な場合に限り行う。また、図面は説明を容易にするため、必ずしも正確な縮尺で描かれていない点に留意されたい。
【００１１】
（１）第１の実施の形態
図１は、第１の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の露光装置は、反射型露光ユニット８０の他、主制御部１、光電子検出器１０、光電子検出器駆動ユニット２０、検出信号処理部３２、メモリＭＲ１〜ＭＲ３、表面状態分布作成部３４および露光パラメータ調整部３６を備える。図１において、Ｘ、Ｙ、Ｚは、互いに直交する方向を示す。この点は図６についても同様である。
【００１２】
露光ユニット８０は、反射型マスク８７が配置されるマスクステージＳと、レジスト（被照射材）が塗布されたウェーハ（被加工材）Ｗが配置されるウェーハステージ（被加工材ステージ）Ｓと、露光光Ｌを出射する露光用光源５と、露光用光源５からの露光光Ｌを反射型マスク８７に照射する照明光学系７と、反射型マスク８７で反射した露光光ＬをマスクステージＳ上に投影する投影光学系８と、マスクステージＳを駆動するマスクステージ駆動部９と、ウェーハステージＳを駆動するウェーハステージ駆動部１１０と、を含む。
【００１３】
本実施の形態の露光光Ｌは、後述するように波長１３．５ｎｍを中心とする波長５〜２０ｎｍの極短紫外光を用いる。極短紫外光は、大気雰囲気中では大気分子に衝突して散乱してしまう性質を有するため、少なくとも露光用光源５、照明光学系７、反射型マスク８７、投影光学系８及びウェーハＷを真空雰囲気内に配置している。
【００１４】
マスクステージＳは、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、マスクステージＳには、反射型マスク８７をＸ方向及びＹ方向に移動させるマスクステージ駆動部９が接続されている。また、マスクステージＳは、上記反射型マスク８７を静電吸着により固定できるように構成されている。
【００１５】
ウェーハステージＳは、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に構成されており、ウェーハステージＳには、ウェーハＷをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させるウェーハステージ駆動部１１０が接続されている。また、ウェーハステージＳは、ウェーハＷを静電吸着により固定できるように構成されている。ウェーハＷは、本実施形態において例えば第２の基板に対応する。
【００１６】
主制御部１２は、反射型マスク８７及びウェーハＷを、投影光学系８の縮小倍率に比例した速度比（例えば４：１）で同期してＸ及びＹ方向に走査するようにマスクステージ駆動部９及びウェーハステージ駆動部１１０を制御する。
【００１７】
露光用光源５は、例えば、波長５〜２０ｎｍ（より好ましくは波長１３．５ｎｍ）の極短紫外光の露光光Ｌを出射するＥＵＶ光源を用いる。ＥＵＶ光源として、例えば、レーザ光でプラズマを励起するレーザ励起型プラズマ光源や、放電によりプラズマを励起する放電型プラズマ光源等を用いることができる。本実施の形態は、放電型プラズマ光源よりもパワーの大きいレーザ励起型プラズマ光源を用いる。波長５〜２０ｎｍ程度のＥＵＶ光源を用いることにより、５０ｎｍ以下の微細加工が可能になる。
【００１８】
露光用光源５から出射した露光光Ｌは、照明光学系７を介して反射型マスク８７の表面に垂直な方向に対して傾斜した角度（例えば６°）で入射し、反射型マスク８７で反射した後、投影光学系８からウェーハＷに垂直に入射するように構成されている。
【００１９】
反射型マスク８７には、アライメントマーク２１が形成され、このアライメントマーク２１を基準にパターンが形成されている。また、反射型マスク８７は、石英ガラス等からなる基板と、この基板上に屈折率の異なる薄膜が交互に積層されて構成され、露光光Ｌを反射する反射多層膜と、この反射多層膜上の一部に形成され、露光光Ｌを吸収する吸収体層とを備え、吸収体層の有無によってパターン及びアライメントマーク２１が形成されている。反射多層膜は、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ等を用いることができる。吸収体層は、例えば、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｒ等を用いることができる。本実施形態において、反射型マスク８７は例えば第１の基板に対応する。
【００２０】
照明光学系７は、露光用光源５の光軸５ａ上に配置されたフィルタ（第２の光学素子）７０と、第１乃至第４のミラー７１Ａ〜７１Ｄと、を含む。
【００２１】
フィルタ７０は、露光光Ｌの波長を含む所定の波長帯域（例えば５〜２０ｎｍ）を透過させ、それ以外の波長をカットする特性を有する。なお、フィルタ７０は、露光用光源５に内蔵してもよい。ここで、フィルタ７０のかわりに選択的に光を反射するミラー（第２の光学素子）を用いても良い。すなわち、露光光Ｌの波長を含む特定の波長の光に対する反射率を高め、一方で、その他の波長の光に対する反射率を低くするミラーを用いることができる。このミラーで反射した光は、反射型マスク８７へと導かれる。さらには、フィルタとミラーを混在させた素子（第２の光学素子）を用いて、露光光Ｌの波長を含む特定の波長の光を選択的に反射型マスク８７に導入することも可能である。
【００２２】
第１及び第２のミラー７１Ａ，７１Ｂの反射面は、同図では平坦面であるが、凹面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。第３及び第４のミラー７１Ｃ，７１Ｄの反射面は、同図では凹面であるが、平坦面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。また、ミラー７１Ａ〜７１Ｄの数は、同図では４枚であるが、６枚等でもよい。
【００２３】
投影光学系８は、第１乃至第７のミラーＭ１〜Ｍ７を備える。第１乃至第７のミラーＭ１〜Ｍ７の反射面は、同図では凹面であるが、平坦面、凸面、非球面等の他の形状でもよい。ミラーＭ１〜Ｍ７の数は、同図では７枚であるが、４枚、８枚等でもよい。ミラーの枚数が少ない程、光の利用効率を高くすることができ、ミラーの枚数が多い程、ＮＡ（開口数）を大きくすることができる。本実施の形態の投影光学系８のＮＡは、例えば０．２５、縮小倍率は、例えば１／４である。
【００２４】
光電子検出器１０は、投影光学系８内でウェーハＷに近接する光学素子にＥＵＶ光Ｌが照射することにより発生する光電子を検出する。光電子検出器駆動ユニット２０は、光電子検出器１０が光学素子の面に沿った複数箇所で光電子を検出するよう光電子検出器１０を走査する。光電子検出器１０および光電子検出器駆動ユニット２０の具体的構成については後に詳述する。
【００２５】
検出信号処理部３２は、光電子検出器１０からの検出信号を処理して主制御部１に送る。本実施形態において、光電子検出器１０、光電子検出器駆動ユニット２０および検出信号処理部３２は、例えば光電子検出手段に対応する。
【００２６】
記憶装置ＭＲ１には、後述する実施形態の露光方法の手順が記述されたレシピファイルが格納され、主制御部１は、このレシピファイルを読み込んで露光を実行する。記憶装置ＭＲ２には、光学素子の座標情報が格納され、主制御部１は、光電子検出器１０から送られた検出信号に座標情報を付加して面内光電子量分布データを作成し、表面状態分布作成部３４に送る。表面状態分布作成部３４は、記憶装置ＭＲ３に接続され、記憶装置ＭＲ３には光電子量と、光学素子に付着するコンタミネーションの厚さとの関係を記述したテーブルが格納される。
【００２７】
表面状態分布作成部３４は、記憶装置ＭＲ１内のテーブルを参照することにより、主制御部１から送られた面内光電子量分布データから光学素子表面におけるコンタミネーションの分布量を表す表面状態分布データを作成する。本実施形態において、主制御部１、記憶装置ＭＲ１〜ＭＲ３、および表面状態分布作成部３４は、例えば面内分布情報作成手段に対応する。
【００２８】
露光パラメータ調整部３６は、本実施形態において例えば露光パラメータ調整手段に対応し、表面状態分布データを、ロット毎、または週もしくは月に一度など定期的に評価してコンタミネーション分布量が所定の閾値を上回る場合に、例えば光源５の強度を上昇させるよう指令信号を生成して露光ユニット８０に送る。
【００２９】
光電子検出器１０の具体的構成について図２Ａおよび図２Ｂを参照して説明する。図２Ａにおいて、光電子検出器１０１は２つのミラーＭ２，Ｍ３とミラーＭ１との間に配置される。検出信号のＳ／Ｎを考慮すると、光電子検出器１０は測定対象である光学素子の近傍に配置することが望ましい。しかしながら、例えばミラーＭ２，Ｍ３とミラーＭ１との間のクリアランスが狭い場合などは、図２Ｂに示すように、ミラーＭ２，Ｍ３とレジストＬＳとの間、即ち、ウェーハＷの表面近傍に光電子検出器１０１を配置しても測定可能である。また、ダミーウェーハを使用する場合は、その表面に配置してもよい。
【００３０】
光学素子の表面、図２Ａに示す例ではミラーＭ１の表面に、カーボン系のレジスト脱離物質などでなるコンタミネーションが存在すると、ミラーＭ１表面の仕事関数が変化し、これにより、ＥＵＶ光照射によって発生する光電子の数量が多くなる。このため、光電子検出器１０での検出量も増加する。逆に、ミラーＭ１の表面内でコンタミネーションの付着が無い部分では光電子の検出量は少ない。図２Ａに示す光電子検出器１０１は、位置分解能を有していない。そこで、光電子検出器１０をミラーＭ１の表面に沿って走査することにより、ミラーＭ１表面の光電子量面内分布を測定することができる。なお、図２Ａおよび図２Ｂは説明を容易にするため図１の紙面垂直方向において反対側（裏面側）から描画した図となっている。この点は、図４Ａおよび図４Ｂにおいて同様である。
【００３１】
図３は、光電子検出器駆動ユニット２０による光電子検出器１０１の走査方法の一例を示す説明図である。光電子検出器駆動ユニット２０は、主制御部１から駆動信号を送られて、図示しないアクチュエータにより、Ｘ方向リニアガイドＬＧＸおよびＹ方向リニアガイドＬＧＹに沿って光電子検出器１０１を移動させることにより、例えば図３の符号ＡＲ１に示す軌道を辿るように電子検出器１０１を走査する。
【００３２】
図４Ａは、位置分解能を有する光電子検出器１０３を配置した例である。光電子検出器１０３は、二次元方向にアレイ状に配設された光電子検出素子（図５参照）を有する。理論上は測定対象の光学素子の表面全てをカバーするよう光電子検出素子を配設すれば走査することなく一度で光電子を検出することが可能である。
【００３３】
しかしながら、そのような大掛かりな検出器は露光装置の他の構成部材との配置関係から現実的ではなく、実際には図５に示すように、例えばＹ方向で３個分、Ｘ方向で４個分程度の走査が必要になる。この場合でも、上述した光電子検出器１０１と比較して測定時間を大幅に短縮することができる。また、二次元方向のみならず、例えばＸ方向に一列に配設するなどの一次元のライン検出器を使用しても測定時間の短縮が可能である。
【００３４】
なお、特に図示しないが、Ｚ方向のリニアガイドをさらに設けてＺ方向にも移動可能な構成にすれば、例えば図４Ｂに示すように、ミラーＭ２，Ｍ３とレジストＬＳとの間、即ち、ウェーハＷの表面近傍に光電子検出器１０３を移動させて測定することが可能である。この点は前述した光電子検出器１０１についても同様である。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、光電子検出器１０により光学素子の光電子を検出して表面の面内光電子量分布データを作成し、さらに該面内光電子量分布データから光学素子表面におけるコンタミネーションの分布量を表す表面状態分布データを作成するので、露光量をきめ細かく監視しかつ、調整することができる。これにより、パターン寸法変動を抑制することができ、その結果、デバイスの歩留まりを向上させることができる。
【００３６】
なお、上記実施形態では、表面状態分布データを評価する露光パラメータ調整部３６を備え、評価結果に応じて露光ユニット８０の露光パラメータをレシピファイルに従って調整する形態を取り挙げて説明したが、レシピファイルおよび露光パラメータ調整部３６を備えることは特に必須の要件ではなく、例えばオペレータが表面状態分布データを評価して手動で露光パラメータを調整することとしてもよい。
【００３７】
（２）第２の実施の形態
図６は、第２の実施の形態による露光装置の概略構成を示すブロック図である。図１との対比により明らかなように、本実施形態の露光装置は、図１の露光装置の構成に加えて、洗浄プロセス決定部３８、洗浄制御部４０、洗浄駆動機構４２、洗浄機構５０および記憶装置ＭＲ４をさらに備える。これらの洗浄プロセスＥ決定部３８、洗浄制御部４０、洗浄駆動機構４２、洗浄機構５０および記憶装置ＭＲ４は、本実施形態において、例えば洗浄手段に対応する。
【００３８】
図７は、洗浄機構５０の一例の主要部を示す正面図である。通常露光時には投影光学系８の外部に配置されている洗浄機構５０が光学素子等の洗浄時に洗浄機構駆動ユニット４２により光学素子のコンタミネーション付着領域の前、図７に示す例ではミラーＭ１のコンタミネーションＣＴ１に吹出口Ｐ１〜Ｐ１０が対向するように駆動されて移動する。
【００３９】
記憶装置ＭＲ４は、光学素子の表面におけるコンタミネーションの量と洗浄ガスの濃度との関係、および、該コンタミネーション量と洗浄ガスの供給時間との関係を記述したテーブルを格納する。洗浄プロセス決定部３８は、表面状態分布作成部３４から表面状態分布データを送られて記憶装置ＭＲ４内のテーブルを参照することにより、洗浄プロセスを決定して洗浄制御部４０に送る。洗浄プロセスには、洗浄のタイミングの他、洗浄ガスの供給時間やガス濃度がガス吹出口毎に決定される。
【００４０】
洗浄制御部４０は、送られた洗浄プロセスに規定された洗浄タイミングが到来すると、制御信号を生成して洗浄機構駆動ユニット４２を制御して洗浄機構５０を、洗浄対象である光学素子の近傍へ搬送する。洗浄制御部４０はさらに、（図示しない）ガスボンベを選択してその供給弁を調整することにより、洗浄機構５０の吹出口毎にガス濃度およいガス供給量を調整し、コンタミネーションの分布に応じた洗浄プロセスを実行する。
【００４１】
図８は、従来の技術による洗浄プロセスを用いた場合の洗浄結果を説明する図である。従来は、ミラーＭ１上におけるコンタミネーションＣＴの分布状態に関係なく一律に洗浄ガスを吹き付けていたために、コンタミネーションＣＴが付着する領域と共に、コンタミネーションＣＴが付着していない領域についても洗浄プロセスに曝されてしまい、その結果、ミラーの表面を削ってしまう恐れがあった。
【００４２】
図９は、本実施形態による洗浄プロセスとその結果の一例を説明する図である。図９の矢印の太さに示すように、本実施形態では、コンタミネーションＣＴの分布状態に応じてガス濃度または供給時間を変え、コンタミネーションＣＴの多い領域ではガス供給時間を長くし（もしくは吹き付け量を多くし）またはガス濃度を濃くすることによって洗浄を進める一方、コンタミネーションＣＴの少ない部分はガス供給量を減らし、またはガス濃度を薄くした。
【００４３】
これにより、光学素子表面の劣化などを解消しつつ、コンタミネーション部分を確実に洗浄することができた。
【００４４】
以上、実施の形態のいくつかについて説明したが、上記形態に限ることなく、種々変形して適用可能であることは勿論である。例えば、上述した実施形態では、光源の強度を調整することにより露光量を調整する場合を取り挙げたが、これに限ることなく、例えば反射率の異なる光学素子を複数用意し、レボルバー（図示せず）等を用いて回転させることにより、光学素子を交換することとしてもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１：主制御部
５：光源
７：照明光学系
８：投影光学系
１０，１０１，１０３：光電子検出器
２０：光電子検出器駆動ユニット
３２：検出信号処理部
３４：表面状態分布作成部
３６：露光パラメータ調整部
３８：洗浄プロセス決定部
４０：洗浄制御部
４２：洗浄機構駆動ユニット
５０：洗浄機構
８０：露光ユニット
８７：反射型マスク
Ｍ１〜Ｍ７，７１Ａ〜７１Ｄ：ミラー
ＭＲ１〜ＭＲ４：記憶装置
Ｐ１〜Ｐ１０：洗浄ガス吹出口
Ｗ：ウェーハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、
光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、
前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、
前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、
を備える露光装置。
【請求項２】
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から露光パラメータを調整する露光パラメータ調整手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記光学素子を洗浄する洗浄手段と、
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から前記洗浄手段による前記光学素子の洗浄プロセスを決定する洗浄プロセス決定手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセス決定手段は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの供給時間を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセス決定手段は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの濃度を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
光源からのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光をパターンが作成された第１の基板に照射し、前記第１の基板から発せられる光束を、光学素子を有する縮小光学系を通過させて縮小させ、第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する露光装置を用いた露光方法であって、
前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を前記光学素子の表面に沿った複数の箇所で検出する工程と、
検出された光電子と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する工程と、
を備える露光方法。
【請求項７】
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から露光パラメータを調整する工程をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記露光装置は、前記光学素子を洗浄する洗浄手段を含み、
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から前記光学素子の洗浄プロセスを決定する工程と、をさらに備えることを特徴とする請求項６または７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセスを決定する工程は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの供給時間を設定する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の露光方法。
【請求項１０】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセスを決定する工程は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの濃度を設定する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の露光方法。
【請求項１】
ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、
光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、
前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、
前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、
を備える露光装置。
【請求項２】
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から露光パラメータを調整する露光パラメータ調整手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記光学素子を洗浄する洗浄手段と、
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から前記洗浄手段による前記光学素子の洗浄プロセスを決定する洗浄プロセス決定手段と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセス決定手段は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの供給時間を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセス決定手段は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの濃度を設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
光源からのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光をパターンが作成された第１の基板に照射し、前記第１の基板から発せられる光束を、光学素子を有する縮小光学系を通過させて縮小させ、第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する露光装置を用いた露光方法であって、
前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を前記光学素子の表面に沿った複数の箇所で検出する工程と、
検出された光電子と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する工程と、
を備える露光方法。
【請求項７】
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から露光パラメータを調整する工程をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記露光装置は、前記光学素子を洗浄する洗浄手段を含み、
前記面内分布情報を評価し、該評価結果から前記光学素子の洗浄プロセスを決定する工程と、をさらに備えることを特徴とする請求項６または７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセスを決定する工程は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの供給時間を設定する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の露光方法。
【請求項１０】
前記洗浄手段は、前記光学素子の表面に向けてガスを吹き付ける複数のガス吹出口を有し、
前記洗浄プロセスを決定する工程は、前記面内分布情報に応じてガス吹出口毎に前記ガスの濃度を設定する工程を含むことを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の露光方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−６４７６８（Ｐ２０１２−６４７６８Ａ）
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０７９８８（Ｐ２０１０−２０７９８８）
【出願日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]