【課題】露光パターン形成用領域を複数回に分けて露光する場合、又は複数の露光パターン形成用領域を同時若しくは連続的に露光する場合に、露光位置の確認が容易な露光方法及び露光位置の確認方法を提供する。
【解決手段】露光対象部材２は、露光パターン形成用領域及びその周囲の少なくとも一部の非パターン形成領域を備えている。この露光対象部材２の非パターン形成領域における露光パターンの延長上にある領域に露光光の照射により変色する光変色材料を塗布するか、又は露光光の照射により変色する光変色部材を貼付し、マスクに透過させた露光光を露光対象部材に照射する際に、露光パターン形成用領域の他に、光変色材料又は光変色部材からなる光変色領域２２にも照射してこれを変色させる。そして、この光変色領域２２の変色により、露光パターン形成領域における露光位置を確認し、露光不良の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の波長を有した露光光を容易に評価する露光量評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、フォトマスクが、露光光のうちＥＵＶ光よりも長い波長を有した長波長光を反射し且つ前記ＥＵＶ光を吸収する長波長光反射膜を有している。また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。そして、フォトマスクと、レジストが塗布された露光対象の基板と、をＥＵＶ露光装置内にセットする。前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。そして、前記基板に照射された露光光の露光量に基づいて、前記基板に照射された長波長光の光量分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】可変成形マスクを用いて基板上に形成されるパターンの形状の精度を高めることができる走査型露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
走査型露光装置は、照明系２１、反射ミラー２３，複数のＳＬＭミラーを有するＳＬＭ２４、ＳＬＭミラーからの光によって投影領域に露光パターンを形成する投影光学系２２、投影領域に対して基板Ｓを走査するステージ１１、及び、ＳＬＭ２４を制御するＳＬＭ駆動装置２５を備えている。ＳＬＭ駆動装置２５は、ＳＬＭミラー各々の共役位置を基板表面に合わせるように、該基板表面の段差に応じてＳＬＭミラー各々の位置を変更する。加えてＳＬＭ駆動装置２５は、隣り合うＳＬＭミラーからの光同士がＳＬＭミラーの位置変更に伴って互いに弱め合う部分には、それ以外の部分よりも多くのＳＬＭミラーからの光が到達するようにＳＬＭ２４の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の各モジュールのデータを効率よく取得すると共に精度高い検査を行うこと。
【解決手段】
モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、前記センサ部に電力を供給するための受電用コイルとを備えたセンサ用基板を前記保持部材に保持する工程と、次いで前記保持部材を前進させて前記センサ用基板を前記モジュールに受け渡す工程と、記基台と共に移動する送電用コイルに電力を供給して磁界を形成すると共に、この磁界中で当該送電用コイルと前記受電用コイルとを共鳴させ、前記送電用コイルから前記受電用コイルに電力を供給する工程と、前記センサ部によりモジュールに関するデータを取得する工程と、を含む基板処理装置のデータ取得方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】露光量のきめ細かな監視および調整を可能にする。
【解決手段】実施形態の露光装置は、ＥＵＶ光を発光し、パターンが作成された第１の基板に照射する光源と、光学素子を有し、前記第１の基板から発せられる光束を縮小して第２の基板に照射することにより前記パターンを前記第２の基板に転写する縮小光学系と、前記ＥＵＶ光の照射により前記光学素子から発生する光電子を検出する光電子検出手段と、前記光電子検出手段の検出信号と前記光学素子表面の座標情報とから前記光学素子表面の状態分布を表す面内分布情報を作成する面内分布情報作成部と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】基板ステージに対する可変成形マスクの相対位置を高精度に計測できる露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】露光装置は、照明光ＩＬｉの状態を空間的に個別に変調する複数のマイクロミラー素子２１を有し、マイクロミラー素子２１を照明光ＩＬｉの入射位置に２次元的に配置して照明光ＩＬｉを変調する可変成形マスク２０と、所定の走査方向に移動する基板ステージ１０と、可変成形マスク２０によって変調された照明光ＩＬｉを基板ステージ１０に載置された基板へ導いて、基板上に光パターンを投影する投影光学系ＰＬと、基板ステージ１０の位置を検出する第１レーザー干渉計３１の少なくとも一部が設けられて、基板ステージ１０の位置の基準となるメトロロジーフレームと、メトロロジーフレームに設けられて、可変成形マスク２０との相対位置を検出するマスク位置計測部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の反り量が大きい場合等であっても適切な露光を行うことができ、好ましくは基板内のチップ等の損傷を回避することもできる露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置には、ステージ３上に載置された基板１２に光を照射する光源１と、光源１側から基板１２をステージ３に押圧する押圧部材２と、基板１２の押圧部材２により押圧されている領域の平坦度を測定するセンサ４と、センサ４により測定された平坦度に応じて押圧部材２が基板１２を押圧する力を制御する制御部５と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。
【解決手段】 露光装備でウェーハを露光させるために使うマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクを利用して各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。 （もっと読む）

【課題】液体の漏洩や浸入を抑えることのできる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐ上にパターンの像を投影することによって、基板Ｐを露光する。露光装置ＥＸは、基板Ｐを保持する基板ホルダ５２を有し、基板ホルダ５２に基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージＰＳＴと、基板ホルダ５２に基板Ｐもしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、検出器の検出結果に応じて、基板ステージＰＳＴの可動領域を変更する制御装置ＣＯＮＴとを備える。 （もっと読む）

【課題】 被検光学系の瞳透過率分布を高精度に且つ比較的低い負荷で迅速に測定する。
【解決手段】 被検光学系の瞳透過率分布を測定する測定装置は、被検光学系の瞳と光学的にフーリエ変換の関係にある第１面に設置可能な回折格子と、回折格子を経て生成された＋１次回折光が瞳の有効領域内の第１瞳部分領域を通過し且つ回折格子を経て生成された−１次回折光が第２瞳部分領域を通過するように光軸に対して傾いた光束を第１面の所定位置に入射させる照明光学系と、第１瞳部分領域および被検光学系を経た＋１次回折光の強度と、第２瞳部分領域および被検光学系を経た−１次回折光の強度とを計測する計測部とを備え、＋１次回折光の強度の計測値および−１次回折光の強度の計測値に基づいて、第１瞳部分領域における瞳透過率と第２瞳部分領域における瞳透過率との比を求める。 （もっと読む）

【課題】開口数の大きな被検光学系の光学特性計測に用いることが可能な光検出装置、同装置を用いた光学特性計測装置、光学特性測定方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の一表面上に配置された開口パターンと、前記基板の前記一表面に対向する表面上に形成された蛍光膜とを有する蛍光ユニットと、複数の光ファイバーを束ねて構成された導光部材と、前記導光部材の一表面に接して配置された撮像素子とを有する撮像ユニットを備えた光検出装置とし、前記蛍光ユニットの前記蛍光膜側の表面を、前記撮像ユニットの前記導光部材側の表面に対面して配置する。 （もっと読む）

【課題】露光用光エネルギーの伝達効率値算出システム及び算出システムを利用した光エネルギーの伝達効率値算出方法を提供する。
【解決手段】エキシマレーザー発生器１０で発生された光エネルギー値をエキシマレーザー発生器１０からネットワークライン６０を介して受けると同時に、露光装置４０で単位露光面積を露光させることに使った露光エネルギー値を露光装置４０からネットワークライン６０を介して受けて単位露光面積を露光させるのに使った露光エネルギー値をエキシマレーザー発生器１０で発生された光エネルギー値で分けた値に１００を掛けてリアルタイムで光伝達効率値を算出するデータサーバー５０と、エキシマレーザー発生器１０と露光装置４０の間に設置された光学システム２０の不良または汚染を予測するように前記ネットワークライン６０を介して前記データサーバー５０で算出された光伝達効率値を受ける統制室サーバー７０で構成される。 （もっと読む）

【課題】スループットを改善することのできる基板処理装置、及び基板処理装置の温調方法、及びこれら基板処理装置や温調方法を用いるデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】大気圧下にあるウエハＷの雰囲気を減圧して減圧雰囲気に変更する第１チャンバ１６と、減圧雰囲気に維持され、第１チャンバ１６から搬送されたウエハＷに所定の処理を施す第２チャンバ１２とを備える。そして、第２チャンバ１２内の温度を、第１チャンバ１６内で大気圧から減圧雰囲気への変更に伴って変化するウエハＷの温度に対応する設定温度に調整する温調機構を備える。 （もっと読む）

【課題】位置計測系の周期誤差が発生しても、精度良く周期パターンの位置を検出する。
【解決手段】可動ステージの位置を位置計測系を用いて計測し、その計測情報を用いて可動ステージを駆動するとともに、可動ステージ外の周期パターンから成る計測用マークを可動ステージに一部が配置された検出器を用いて検出する。ここで、位置計測系の計測周期（図１０（Ｂ）及び１０（Ｃ）に示される例では０．２５μｍ）の自然数倍と異なるピッチ（図１０（Ｃ）の例では２．０３１２５μｍ（なお、図１０（Ｂ）の例では２μｍ））の周期パターンを計測用マークとして用いることにより、計測周期に等しい位置計測系の周期誤差が発生しても、検出精度を損なうことなく、計測用マークの位置情報を計測することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置のエンコーダ型センサシステムの位置精度を増大させる。
【解決手段】基準構造に対するリソグラフィ装置の基板テーブルの位置を測定するエンコーダ型センサシステムを含むリソグラフィ装置が開示される。エンコーダ型センサシステムは、エンコーダセンサヘッドおよびエンコーダセンサターゲットを含み、リソグラフィ装置は、エンコーダセンサターゲットを収容するための凹所を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面のレベル変動の測定時間を短縮する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスからパターンを基板（Ｗ）に転写するパターニングサブシステムを備える。パターニングサブシステムは、記録された基板表面のレベル変動の測定結果に従って制御される。レベルセンサ（ＬＳＰ，ＬＳＤ）は、レベルセンシング放射ビームを投影して基板表面の位置から反射させ、反射したセンシングビームを検出して位置の表面レベルを測定するために設けられる。レベルセンサは、少なくとも一つの移動光学素子（ＭＰ，ＭＤ）内蔵しており、基板表面を光学的移動（δＹ）により少なくとも一次元にスキャンして、レベルセンサと基板との間の機械的動作なしで異なる位置の表面レベルの測定結果を取得する。光路長等化手段は、成形リフレクタ及び／または追加的な移動ミラーを用いることにより、スキャンの間の焦点変動を回避するために配置される。 （もっと読む）

【課題】基板の平面度調整を行うために、基板を保持する保持手段の裏面を支持する支持手段と前記裏面とに隙間が生じないようにするステージ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】保持手段の裏面と支持手段との間に空気を供給し、前記保持手段を前記支持手段から浮上させる軸受手段と、前記軸受手段から供給される気体の流量を検出する検出手段と、前記支持手段の駆動を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記軸受手段により前記保持手段を浮上させたときに、前記検出手段によって検出される流量が、所定の流量の範囲内になるように前記支持手段の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】搬送される基板上に異物が存在する場合であっても、マスクを傷つけることがなく、高精度に露光を行うことができる近接スキャン露光装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】近接スキャン露光装置１は、複数のマスク保持部１１より搬入側の基板搬送機構１０上に、基板Ｗ上の異物を検出するための異物検出機構４０を有する。異物検出機構４０によって基板Ｗ上に付着した異物Ｇが検出されると、その異物検出信号に基づいてマスク保持部１１をマスクＭに対して近接退避する近接退避機能によりマスク保持部１１を退避させることでマスクＭと異物Ｇとの衝突が避けられてマスクを傷つけることがなく、さらに、異物Ｇを通過した後は再度マスク保持部１１をマスクＭに近接させて再度露光開始することで、基板Ｗの無駄な部分を最小限に抑えながら高精度に露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑制しつつ焦点ずれの発生を低減する。
【解決手段】露光装置は、投影光学系と、原版ステージと、基板ステージと、筐体の一端面と前記原版ステージの第１基準面間の距離を検出する第１検出器と、筐体の他端面と前記基板ステージのた第２基準面間の距離を検出する第２検出器と、前記筐体の前記一端面と前記他端面間の距離情報を検出する第３検出器と、前記原版ステージのマークと前記投影光学系と前記基板ステージのマークとを通過する光を検出して前記投影光学系のフォーカス状態を計測する計測器と、を備える。前記制御部は、前記第３検出器による前記情報が許容範囲内でないなら前記投影光学系のフォーカス制御を行い、許容範囲内なら前記第１検出器の結果に基づいて前記原版の面が前記投影光学系の物体面に位置し、前記第２検出器の結果に基づいて前記基板が前記投影光学系の像面に位置するようにフォーカス制御を行う。 （もっと読む）

【課題】フォーカス値の測定時間を短縮し、かつ正確なフォーカス値を得ることができる半導体装置の製造方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ３上に形成されたレジスト６より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第１の領域３１について得られたフォーカス値に、前記第１の領域３１よりも反射率が高い第２の領域３２について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。 （もっと読む）