極端紫外光光源装置における照度分布検出方法および集光光学手段の位置調整方法
【課題】極端紫外光光源装置の中間集光点以降における照度分布特性が悪化したことをリアルタイムで検知すると共に、悪化した照度分布を修正できるようにすること。
【解決手段】ＥＵＶ光源装置において、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知する円筒形状の検知手段２０を設ける。中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光は、検知手段２０の開口２０ａを通過するので、露光処理中あっても中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知することができる。中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布と相関しているので、上記検知手段２０により得られたＥＵＶ光の照度分布の悪化から、集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができる。また、上記ＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡６を移動させることにより、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を改善することができる。
【解決手段】ＥＵＶ光源装置において、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知する円筒形状の検知手段２０を設ける。中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光は、検知手段２０の開口２０ａを通過するので、露光処理中あっても中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知することができる。中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布と相関しているので、上記検知手段２０により得られたＥＵＶ光の照度分布の悪化から、集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができる。また、上記ＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡６を移動させることにより、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を改善することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を出射する極端紫外光光源装置における照度分布の検出方法およびＥＵＶ光源装置に用いられている集光光学手段の位置調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められ、次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）を放出する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）が開発されている（例えば特許文献１参照）。
図６は、特許文献１に示されるＥＵＶ光源装置を簡易的に説明するための図である。
同図に示すように、ＥＵＶ光源装置は、放電容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５と集光鏡６とを収容するＥＵＶ集光部１ｂが設けられる。
一対の円盤状の電極２ａ，２ｂは、絶縁材２ｃを挟んで図６の紙面において上下に配置されている。紙面の下方に位置する放電電極２ｂには、モータ２ｊの回転軸２ｅが取付けられている。放電電極２ａ、２ｂは、摺動子２ｇ、２ｈを介してパルス電力供給部３に接続されている。
放電電極２ｂの周辺部には溝部２ｄが設けられ、この溝部２ｄに高温プラズマＰを発生させるための固体の原料Ｍ（ＬｉまたはＳｎ）が配置されている。
１ｃは、放電部１ａ、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニットである。
【０００３】
上記のＥＵＶ光源装置においては、放電電極２ｂの溝部に配置された高温プラズマ用の原料に対し、エネルギービーム照射機４から、エネルギービームを照射する。エネルギービームは、例えばレーザビームであり、レーザ入射窓４ａを介して照射され、固体の原料が放電電極２ａと２ｂとの間で気化する。
この状態で、放電電極２ａと２ｂの間にパルス電力供給部３からパルス電力が供給されると、放電電極２ａのエッジ部分と放電電極２ｂのエッジ部分との間で放電が発生し、高温プラズマ原料ＭによるプラズマＰが形成され、放電時に流れる大電流により加熱励起され高温化し、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、ホイルトラップ５を介してＥＵＶ集光部１ｂに入射し、集光鏡６によって、集光鏡６の中間集光点ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置に接続された点線で示した露光機４０に入射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００５／１０１９２４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなＥＵＶ光源装置においては、以下に説明するような実用上の問題があった。
すなわち、極端紫外光光源装置を長時間にわたって点灯駆動した場合、プラズマＰと集光鏡６とのアライメントのズレが生じ、中間集光点ｆ以降の照度分布特性が悪化し、分布が非対称になるという問題がある。照度分布特性が悪化して非対称になる原因は、例えば、以下の２つの原因が考えられる。
（１）点灯駆動時間の経過とともに放電電極が磨耗していくことにより、放電電極間に形成されるプラズマの位置が、点灯初期の状態と比べて変動する。
（２）集光鏡６が、放電電極２ａ，２ｂやプラズマＰから発せられる熱により高温状態になって、熱歪みを生じて変形する。
このように、中間集光点以降における極端紫外光の照度分布特性が悪化して非対称になった場合は、露光機４０が処理する被処理体に露光ムラが生じることがある。
【０００６】
ところが、従来の極端紫外光光源装置においては、このような中間集光点以降における極端紫外光の照度分布特性が悪化して非対称になったことを、露光中にリアルタイムで検知することは、実施されていなかった。
本発明は、上記事情によりなされたものであって、本発明の目的は、極端紫外光光源装置の中間集光点以降における照度分布特性が悪化して非対称になったことをリアルタイムで検知すると共に、悪化した照度分布を修正できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を放射するプラズマが空間的広がりを有するため、当該プラズマから放射されて集光鏡により反射されても、反射したＥＵＶ光の全てが、ＥＵＶ光源装置の中間集光点に集光するわけではない。中間集光点に集光しない光は、中間集光点の周囲に照射され、露光機内に導かれることはない。
しかし、中間集光点に集光し露光機内に入射する光の照度分布と、中間集光点に集光しない光の照度分布には、強い相関がある。したがって、中間集光点に集光されないＥＵＶ光を受光し、その照度分布を検知することにより、中間集光点に集光し露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を知ることができる。
また、中間集光点に集光しないＥＵＶ光により検知した照度分布に基づき、集光光学手段の位置調整を行なうことで、悪化した照度分布を修正することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）中間集光点に集光しないＥＵＶ光の照度分布を検知しているので、ＥＵＶ光の光路中に検知手段を設ける必要がない。このため、種々の要因によって極端紫外光の照度分布特性が変動した場合であっても、露光中に露光機の動作を止めることなくリアルタイムで、中間集光点に集光し露光機に入射する当該極端紫外光の照度分布特性の変動を知ることができる。
（２）極端紫外光の照度分布特性が変動した場合、露光中にリアルタイムで集光光学手段の位置調整を行い、最適な極端紫外光の照度分布特性になるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す図である。
【図２】中間集光点に集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段の構成例を示す図である。
【図３】中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布と、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布の相関を示す図である。
【図４】集光鏡で反射された光のうち、集光点に集光しない光を説明する図である。
【図５】放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した場合の概略構成を示す図である。
【図６】ＥＵＶ光源装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す図である。
ＥＵＶ光源装置の構成は、前記図６に示したものと同様であり、放電電極２ａ，２ｂを収容する放電部１ａと、ホイルトラップ５と集光鏡（集光光学手段）６とを収容するＥＵＶ集光部１ｂとにより構成されるチャンバ１を備える。
チャンバ１には、放電部１ａと、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット１ｃが設けられている。
一対の円板状の放電電極２ａ、２ｂは、絶縁部材２ｃを挟んで対向するよう配置され、各々の中心が同軸上に配置されている。
紙面において下方側に位置する放電電極２ｂには、モータ２ｊの回転軸２ｅが取付けられている。回転軸２ｅは、放電電極２ａの中心と、放電電極２ｂの中心とが回転軸２ｅの同軸上に位置している。回転軸２ｅは、メカニカルシール２ｆを介してチャンバ１内に導入される。
メカニカルシール２ｆは、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２ｅの回転を許容する。
【００１１】
放電電極２ｂの下方側には、例えばカーボンブラシ等で構成される摺動子２ｇおよび２ｈが設けられている。摺動子２ｇは、放電電極２ｂに設けられた貫通孔を介して放電電極２ａと電気的に接続される。摺動子２ｈは、放電電極２ｂと電気的に接続されている。
パルス電力供給部３は、摺動子２ｇ、２ｈを介して、それぞれ放電電極２ａ、２ｂにパルス電力を飯給する。
円板状の放電電極２ａ，２ｂの周辺部は、エッジ形状に形成されている。
放電電極２ｂの溝部２ｄには、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍが配置されている。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
パルス電力供給部３より放電電極２ａ、２ｂに電力が供給されると、両電極２ａ，２ｂのエッジ部分間で放電が発生する。
放電が発生すると、放電電極２ａ，２ｂの周辺部は放電により高温となるので、放電電極２ａ，２ｂは、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属からなる。
絶縁部材２ｃは、放電電極２ａと２ｂの間の絶縁を確保するため、窒化珪素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
【００１２】
チャンバ１には、原料Ｍに対してエネルギービームを照射して、原料Ｍを気化するためのエネルギービーム照射機４が設けられている。エネルギービーム照射機４から照射されるエネルギービームは、例えばレーザビームである。
放電電極２ｂの溝部２ｄに配置された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、エネルギービーム照射機４からレーザ入射窓４ａを介してレーザビームが照射される。これによって、固体の原料Ｍが放電電極２ａと２ｂとの間で気化する。この状態で、放電電極２ａと２ｂの間にパルス電力供給部３からパルス電力が供給されると、放電電極２ａのエッジ部分と放電電極２ｂのエッジ部分との間で放電が発生し、高温プラズマ原料ＭによるプラズマＰが形成され、放電時に流れる大電流により加熱励起され高温化し、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
ＥＵＶ集光部１ｂに配置されたホイルトラップ５は、放電電極を構成する物質や高温プラズマ発生用の原料Ｍを基にして発生するデブリが、集光鏡６に向けて飛散することを抑制するために設けられている。
ホイルトラップ５は、放射状に伸びる複数の薄板により仕切られる複数の狭い空間が形成されている。
【００１３】
ＥＵＶ集光部１ｂに配置された集光鏡６は、高温プラズマから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面６ａが形成されている。
集光反射鏡６は、互いに接触することなく入れ子状に配置された複数の光反射面６ａにより構成されている。
各光反射面６ａは、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０〜２５°の射入射角度の極端紫外光を良好に反射するように形成されている。各光反射面６ａは、集光点ｆが一致するように構成される。
【００１４】
本発明のＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶ光源装置の集光点（中間集光点）ｆ以降におけるＥＵＶ光の照度分布変動を得ることを目的としている。
すなわち、中間集光点ｆを通過した光がＥＵＶ光源装置に接続される露光機４０内に入射されるため、中間集光点ｆ以降におけるＥＵＶ光の照度の照度分布変動を知ることによって、露光機４０で露光処理する被処理体に露光ムラが発生することを防止するためである。
ここで、上記したＥＵＶ光源装置は、一対の放電電極間に形成されるプラズマが空間的広がりを有するため、図４に示すように、プラズマから放射され集光鏡６の反射面６ａにより反射されても、反射されたＥＵＶ光の全てが中間集光点ｆに集光する訳ではなく、中間集光点ｆに集光されない、中間集光点ｆの周囲に照射される成分もある。
そこで、本発明においては、中間集光点ｆに集光し、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布変動を検知するために、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光ではなく、中間集光点ｆに集光しない、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光の照度分布特性を測定することを考えた。
【００１５】
以下、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段について、図１と図２を用いて説明する。
中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段２０は、図１に示すように、集光鏡６と集光鏡６の集光点（中間集光点）ｆとの間であって、集光鏡６の光軸の周りに配置される。
そして、検知手段２０は、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光を受光しその照度分布画像を得るための受光部を備えると共に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光が通過する開口２１ａ，２２ａを有する円筒形状をしている。
即ち、中間集光点ｆに集光され露光機に入射するＥＵＶ光は、この開口２１ａ，２２ａを通過するので、露光処理の最中（露光機の動作中）であっても、検知手段２０は、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知することができる。
【００１６】
図２は、検知手段２０を集光鏡側から見た斜視図である。検知手段２０は、集光点ｆに集光しないＥＵＶ光が照射される受光部２１と、受光部２１からの光の強さを検出する検出手段２２とを備える。
受光部２１はシンチレ一タであり、照射されたＥＵＶ光を可視光に変換する。受光部２１は、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光を受光する面を備えると共に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光が通過する開口２１ａを有する。
検出手段２２は例えばＣＣＤであり、受光部２１により可視光に変換された光を入射し、受光した照度データを電気信号として画像処理部１０に送信する。検出手段２２は、受光部２１により変換された可視光を受光する面を備えると共に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光が通過する開口２２ａを有する。
なお、検知手段２０としては、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光を受光して、照度分布を求めることができるものであればよく、例えば中間集光点ｆの周囲に複数の受光手段を配置したものであってもよい。
【００１７】
画像処理部１０は、検出手段２０から受信した照度分布データに基づいて画像処理を行うことにより、ＥＵＶ光源装置の中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布を求める。
画像処理部１０により得た中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は例えばモニタ１１に表示される。また、集光鏡６には集光鏡６を移動させるための集光鏡位置移動手段１３が設けられ、集光鏡位置移動手段１３は位置調整手段１２により駆動される。
上記のようにして求めた、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、前記したように集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布と相関しているので、上記検知手段２０により得られたＥＵＶ光の照度分布の悪化から、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができる。
そこで、モニタ１１に表示される照度分布が、あらかじめ測定した初期の照度分布に比べて悪化していれば、集光鏡位置調整手段１３により集光鏡移動手段１４を駆動して集光鏡６の位置を補正することができる。
すなわち、ＥＵＶ光源装置の中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡位置調整手段１３により集光鏡移動手段１４を駆動して集光鏡６を移動させ、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を改善する。
【００１８】
上記したように、検知手段２０は、露光処理中（露光機４０の動作中）であっても、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光を検知することができ、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光を遮らないので、リアルタイムで、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができ、また、それに応じて、リアルタイムで集光鏡６を移動させ、ＥＵＶ光の照度分布変動を補正することができる。
【００１９】
図３は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布と、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布の相関を示す図である。
同図（ａ）に示すように、ＥＵＶ光の中間集光点ｆにアパーチャ３０を配置し、アパーチャ３０が配置された中間集光点ｆの集光鏡６側に、前記図２に示した中央に開口を有する照度分布を測定するための検知手段２０を配置し、また、中間集光点ｆ以降（中間集光点に対して集光鏡６の反対側）の予め設定された位置に、ＥＵＶ光の照度分布を測定するための検知手段３１を配置して、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布と、中間集光点に集光されるＥＵＶ光の照度分布を測定した。
【００２０】
図３（ｂ）が中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布であり、（ｃ）が中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布である。白の部分がＥＵＶ光の強度が強い部分であり、灰色から黒の部分がＥＵＶ光の強度が弱い部分である。
図３（ｂ）の（ア）は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布が最適な場合であり、白い部分が全体に均一に広がっている。
これに対応する中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布も、図３（ｃ）の（ア）に示すように、白の部分が全体に均一に広がっている（全体を６分割している黒の部分は、集光鏡６の各反射面６ａを支持する支持部材の影である）。
図３（ｂ）の（イ）（ウ）は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布が、図中上側のＥＵＶ強度が強い場合である。これに対応する、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布も、図３（ｃ）の（イ）（ウ）に示すように、図中上側のＥＵＶ強度が強くなっている。
【００２１】
図３（ｂ）の（エ）（オ）は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布が、図中右側のＥＵＶ強度が強い場合である。これに対応する、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布も、図３（ｃ）の（エ）（オ）に示すように、図中右側のＥＵＶ強度が強くなっている。
このように、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布と同様に振舞い相関性があることが分かる。
したがって、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布を検知手段２０で検知することで、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布を知ることができ、また、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布が均一になるように、集光鏡６の位置を調整すれば、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布を均一にすることができる。
【００２２】
なお、集光鏡６を移動させると、ホイルトラップ５との相対位置関係が異なり、両者の位置関係の違いが照度分布に影響する場合も考えられる。そのため、反射集光鏡６を移動させる場合は、ホイルトラップ５も共に移動させるようにすることが望ましい。そのためには、反射集光鏡６とホイルトラップ５とを互いに接続固定して構成してもよい。
また、この中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布を検知することによる集光鏡６の位置の調整は、集光鏡６を新しいものに交換した際の、集光鏡６の位置調整においても使用することができる。
なお、プラズマからは、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光よりも波長の長い帯域外光も放射され、受光部２１に入射する。帯域外光の照度分布はＥＵＶ光の照度分布と異なる場合がある。そのため、受光部２１に多くの帯域外光が照射されると、ＥＵＶ光の正確な照度分布が得られないことがある。
そのため、受光部２１の光入射側に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光のみを透過する波長選択素子を配置して、ＥＵＶ光のみが受光部２１に照射されるようにしても良い。これにより、帯域外光のＥＵＶ光の照度分布への影響を低減することができる。
【００２３】
上記実施例においては、放電電極間に生じる放電によりＥＵＶ光を放射するＥＵＶ光源装置を例にして説明を行ったが、ＥＵＶ光源装置には放電電極を備えないものもあり、そのような装置にも、本発明の集光反射鏡の位置調整方法を適用することができる。
図５に、放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した構成の概略を示す。
ＥＵＶ光源装置は、集光光学手段である集光鏡６１を収容するチャンバ１を備える。集光鏡６１は、高温プラズマから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射し、その光を集光点ｆに集光するための光反射面６１ａが形成されている。
チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット１ｃが設けられている。
ＥＵＶ光源装置は、集光鏡６１の光反射面６１ａ側に、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍを落下（滴下）して供給する原料供給手段６２を備える。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
ＥＵＶ光源装置は、原料供給手段６２により供給された原料Ｍに対して、非常に高いエネルギーのレーザビームを照射する高出力のレーザ装置６３を備える。
原料供給手段６２により、集光鏡６１の光反射面６１ａ側に供給された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、高出力のレーザ装置６３からレーザ入射窓６３ａを介して非常に高いエネルギーを有するレーザビームが照射される。これによって、原料Ｍが高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光鏡６１の光反射面６１ａにより反射され、中間集光点ｆに集光する。
しかし、上記したように、生成されたプラズマは空間的広がりを有するため、プラズマから放射され集光鏡６１により反射されても、反射されたＥＵＶ光の全てが中間集光点ｆに集光する訳ではなく、中間集光点ｆに集光されない、中間集光点ｆの周囲に照射される成分が生じる。
そこで、上記実施例と同様に、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段２０を、集光鏡６１と集光鏡６１の集光点（中間集光点）ｆとの間であって、集光鏡６１の光軸上に配置し、中間集光点ｆに集光せずその周囲に照射されるＥＵＶ光の照度分布を測定する。
そして、測定した中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光の照度分布に基づいて、集光鏡６１の位置を移動させ、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布変動を補正する。
【符号の説明】
【００２４】
１ チャンバ
１ａ 放電部
１ｂ ＥＵＶ集光部
２ａ，２ｂ 放電電極
２ｃ 絶縁部材
３ パルス電力供給部
４ エネルギービーム照射機
５ ホイルトラップ
６ 集光鏡
１０ 画像処理部
１１ モニタ
１３ 位置調整手段
１４ 集光鏡移動手段
２０ 検知手段
２１ シンチレータ
２２ ＣＣＤ
３０ アパーチャ
３１ 検知手段
４０ 露光機
６１ 集光鏡
６２ 原料供給手段
６３ 高出力レーザ装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光を出射する極端紫外光光源装置における照度分布の検出方法およびＥＵＶ光源装置に用いられている集光光学手段の位置調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められ、次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）を放出する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）が開発されている（例えば特許文献１参照）。
図６は、特許文献１に示されるＥＵＶ光源装置を簡易的に説明するための図である。
同図に示すように、ＥＵＶ光源装置は、放電容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５と集光鏡６とを収容するＥＵＶ集光部１ｂが設けられる。
一対の円盤状の電極２ａ，２ｂは、絶縁材２ｃを挟んで図６の紙面において上下に配置されている。紙面の下方に位置する放電電極２ｂには、モータ２ｊの回転軸２ｅが取付けられている。放電電極２ａ、２ｂは、摺動子２ｇ、２ｈを介してパルス電力供給部３に接続されている。
放電電極２ｂの周辺部には溝部２ｄが設けられ、この溝部２ｄに高温プラズマＰを発生させるための固体の原料Ｍ（ＬｉまたはＳｎ）が配置されている。
１ｃは、放電部１ａ、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニットである。
【０００３】
上記のＥＵＶ光源装置においては、放電電極２ｂの溝部に配置された高温プラズマ用の原料に対し、エネルギービーム照射機４から、エネルギービームを照射する。エネルギービームは、例えばレーザビームであり、レーザ入射窓４ａを介して照射され、固体の原料が放電電極２ａと２ｂとの間で気化する。
この状態で、放電電極２ａと２ｂの間にパルス電力供給部３からパルス電力が供給されると、放電電極２ａのエッジ部分と放電電極２ｂのエッジ部分との間で放電が発生し、高温プラズマ原料ＭによるプラズマＰが形成され、放電時に流れる大電流により加熱励起され高温化し、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、ホイルトラップ５を介してＥＵＶ集光部１ｂに入射し、集光鏡６によって、集光鏡６の中間集光点ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置に接続された点線で示した露光機４０に入射する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００５／１０１９２４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなＥＵＶ光源装置においては、以下に説明するような実用上の問題があった。
すなわち、極端紫外光光源装置を長時間にわたって点灯駆動した場合、プラズマＰと集光鏡６とのアライメントのズレが生じ、中間集光点ｆ以降の照度分布特性が悪化し、分布が非対称になるという問題がある。照度分布特性が悪化して非対称になる原因は、例えば、以下の２つの原因が考えられる。
（１）点灯駆動時間の経過とともに放電電極が磨耗していくことにより、放電電極間に形成されるプラズマの位置が、点灯初期の状態と比べて変動する。
（２）集光鏡６が、放電電極２ａ，２ｂやプラズマＰから発せられる熱により高温状態になって、熱歪みを生じて変形する。
このように、中間集光点以降における極端紫外光の照度分布特性が悪化して非対称になった場合は、露光機４０が処理する被処理体に露光ムラが生じることがある。
【０００６】
ところが、従来の極端紫外光光源装置においては、このような中間集光点以降における極端紫外光の照度分布特性が悪化して非対称になったことを、露光中にリアルタイムで検知することは、実施されていなかった。
本発明は、上記事情によりなされたものであって、本発明の目的は、極端紫外光光源装置の中間集光点以降における照度分布特性が悪化して非対称になったことをリアルタイムで検知すると共に、悪化した照度分布を修正できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を放射するプラズマが空間的広がりを有するため、当該プラズマから放射されて集光鏡により反射されても、反射したＥＵＶ光の全てが、ＥＵＶ光源装置の中間集光点に集光するわけではない。中間集光点に集光しない光は、中間集光点の周囲に照射され、露光機内に導かれることはない。
しかし、中間集光点に集光し露光機内に入射する光の照度分布と、中間集光点に集光しない光の照度分布には、強い相関がある。したがって、中間集光点に集光されないＥＵＶ光を受光し、その照度分布を検知することにより、中間集光点に集光し露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を知ることができる。
また、中間集光点に集光しないＥＵＶ光により検知した照度分布に基づき、集光光学手段の位置調整を行なうことで、悪化した照度分布を修正することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）中間集光点に集光しないＥＵＶ光の照度分布を検知しているので、ＥＵＶ光の光路中に検知手段を設ける必要がない。このため、種々の要因によって極端紫外光の照度分布特性が変動した場合であっても、露光中に露光機の動作を止めることなくリアルタイムで、中間集光点に集光し露光機に入射する当該極端紫外光の照度分布特性の変動を知ることができる。
（２）極端紫外光の照度分布特性が変動した場合、露光中にリアルタイムで集光光学手段の位置調整を行い、最適な極端紫外光の照度分布特性になるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す図である。
【図２】中間集光点に集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段の構成例を示す図である。
【図３】中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布と、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布の相関を示す図である。
【図４】集光鏡で反射された光のうち、集光点に集光しない光を説明する図である。
【図５】放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した場合の概略構成を示す図である。
【図６】ＥＵＶ光源装置を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す図である。
ＥＵＶ光源装置の構成は、前記図６に示したものと同様であり、放電電極２ａ，２ｂを収容する放電部１ａと、ホイルトラップ５と集光鏡（集光光学手段）６とを収容するＥＵＶ集光部１ｂとにより構成されるチャンバ１を備える。
チャンバ１には、放電部１ａと、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット１ｃが設けられている。
一対の円板状の放電電極２ａ、２ｂは、絶縁部材２ｃを挟んで対向するよう配置され、各々の中心が同軸上に配置されている。
紙面において下方側に位置する放電電極２ｂには、モータ２ｊの回転軸２ｅが取付けられている。回転軸２ｅは、放電電極２ａの中心と、放電電極２ｂの中心とが回転軸２ｅの同軸上に位置している。回転軸２ｅは、メカニカルシール２ｆを介してチャンバ１内に導入される。
メカニカルシール２ｆは、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２ｅの回転を許容する。
【００１１】
放電電極２ｂの下方側には、例えばカーボンブラシ等で構成される摺動子２ｇおよび２ｈが設けられている。摺動子２ｇは、放電電極２ｂに設けられた貫通孔を介して放電電極２ａと電気的に接続される。摺動子２ｈは、放電電極２ｂと電気的に接続されている。
パルス電力供給部３は、摺動子２ｇ、２ｈを介して、それぞれ放電電極２ａ、２ｂにパルス電力を飯給する。
円板状の放電電極２ａ，２ｂの周辺部は、エッジ形状に形成されている。
放電電極２ｂの溝部２ｄには、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍが配置されている。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
パルス電力供給部３より放電電極２ａ、２ｂに電力が供給されると、両電極２ａ，２ｂのエッジ部分間で放電が発生する。
放電が発生すると、放電電極２ａ，２ｂの周辺部は放電により高温となるので、放電電極２ａ，２ｂは、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属からなる。
絶縁部材２ｃは、放電電極２ａと２ｂの間の絶縁を確保するため、窒化珪素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
【００１２】
チャンバ１には、原料Ｍに対してエネルギービームを照射して、原料Ｍを気化するためのエネルギービーム照射機４が設けられている。エネルギービーム照射機４から照射されるエネルギービームは、例えばレーザビームである。
放電電極２ｂの溝部２ｄに配置された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、エネルギービーム照射機４からレーザ入射窓４ａを介してレーザビームが照射される。これによって、固体の原料Ｍが放電電極２ａと２ｂとの間で気化する。この状態で、放電電極２ａと２ｂの間にパルス電力供給部３からパルス電力が供給されると、放電電極２ａのエッジ部分と放電電極２ｂのエッジ部分との間で放電が発生し、高温プラズマ原料ＭによるプラズマＰが形成され、放電時に流れる大電流により加熱励起され高温化し、この高温プラズマＰからＥＵＶ光が放射される。
ＥＵＶ集光部１ｂに配置されたホイルトラップ５は、放電電極を構成する物質や高温プラズマ発生用の原料Ｍを基にして発生するデブリが、集光鏡６に向けて飛散することを抑制するために設けられている。
ホイルトラップ５は、放射状に伸びる複数の薄板により仕切られる複数の狭い空間が形成されている。
【００１３】
ＥＵＶ集光部１ｂに配置された集光鏡６は、高温プラズマから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面６ａが形成されている。
集光反射鏡６は、互いに接触することなく入れ子状に配置された複数の光反射面６ａにより構成されている。
各光反射面６ａは、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０〜２５°の射入射角度の極端紫外光を良好に反射するように形成されている。各光反射面６ａは、集光点ｆが一致するように構成される。
【００１４】
本発明のＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶ光源装置の集光点（中間集光点）ｆ以降におけるＥＵＶ光の照度分布変動を得ることを目的としている。
すなわち、中間集光点ｆを通過した光がＥＵＶ光源装置に接続される露光機４０内に入射されるため、中間集光点ｆ以降におけるＥＵＶ光の照度の照度分布変動を知ることによって、露光機４０で露光処理する被処理体に露光ムラが発生することを防止するためである。
ここで、上記したＥＵＶ光源装置は、一対の放電電極間に形成されるプラズマが空間的広がりを有するため、図４に示すように、プラズマから放射され集光鏡６の反射面６ａにより反射されても、反射されたＥＵＶ光の全てが中間集光点ｆに集光する訳ではなく、中間集光点ｆに集光されない、中間集光点ｆの周囲に照射される成分もある。
そこで、本発明においては、中間集光点ｆに集光し、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布変動を検知するために、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光ではなく、中間集光点ｆに集光しない、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光の照度分布特性を測定することを考えた。
【００１５】
以下、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段について、図１と図２を用いて説明する。
中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段２０は、図１に示すように、集光鏡６と集光鏡６の集光点（中間集光点）ｆとの間であって、集光鏡６の光軸の周りに配置される。
そして、検知手段２０は、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光を受光しその照度分布画像を得るための受光部を備えると共に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光が通過する開口２１ａ，２２ａを有する円筒形状をしている。
即ち、中間集光点ｆに集光され露光機に入射するＥＵＶ光は、この開口２１ａ，２２ａを通過するので、露光処理の最中（露光機の動作中）であっても、検知手段２０は、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知することができる。
【００１６】
図２は、検知手段２０を集光鏡側から見た斜視図である。検知手段２０は、集光点ｆに集光しないＥＵＶ光が照射される受光部２１と、受光部２１からの光の強さを検出する検出手段２２とを備える。
受光部２１はシンチレ一タであり、照射されたＥＵＶ光を可視光に変換する。受光部２１は、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光を受光する面を備えると共に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光が通過する開口２１ａを有する。
検出手段２２は例えばＣＣＤであり、受光部２１により可視光に変換された光を入射し、受光した照度データを電気信号として画像処理部１０に送信する。検出手段２２は、受光部２１により変換された可視光を受光する面を備えると共に、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光が通過する開口２２ａを有する。
なお、検知手段２０としては、中間集光点ｆの周囲に照射されるＥＵＶ光を受光して、照度分布を求めることができるものであればよく、例えば中間集光点ｆの周囲に複数の受光手段を配置したものであってもよい。
【００１７】
画像処理部１０は、検出手段２０から受信した照度分布データに基づいて画像処理を行うことにより、ＥＵＶ光源装置の中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布を求める。
画像処理部１０により得た中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は例えばモニタ１１に表示される。また、集光鏡６には集光鏡６を移動させるための集光鏡位置移動手段１３が設けられ、集光鏡位置移動手段１３は位置調整手段１２により駆動される。
上記のようにして求めた、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、前記したように集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布と相関しているので、上記検知手段２０により得られたＥＵＶ光の照度分布の悪化から、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができる。
そこで、モニタ１１に表示される照度分布が、あらかじめ測定した初期の照度分布に比べて悪化していれば、集光鏡位置調整手段１３により集光鏡移動手段１４を駆動して集光鏡６の位置を補正することができる。
すなわち、ＥＵＶ光源装置の中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布が良くなるように、集光鏡位置調整手段１３により集光鏡移動手段１４を駆動して集光鏡６を移動させ、集光点ｆに集光して露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布を改善する。
【００１８】
上記したように、検知手段２０は、露光処理中（露光機４０の動作中）であっても、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光を検知することができ、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光を遮らないので、リアルタイムで、露光機内に入射するＥＵＶ光の照度分布の悪化を知ることができ、また、それに応じて、リアルタイムで集光鏡６を移動させ、ＥＵＶ光の照度分布変動を補正することができる。
【００１９】
図３は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布と、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布の相関を示す図である。
同図（ａ）に示すように、ＥＵＶ光の中間集光点ｆにアパーチャ３０を配置し、アパーチャ３０が配置された中間集光点ｆの集光鏡６側に、前記図２に示した中央に開口を有する照度分布を測定するための検知手段２０を配置し、また、中間集光点ｆ以降（中間集光点に対して集光鏡６の反対側）の予め設定された位置に、ＥＵＶ光の照度分布を測定するための検知手段３１を配置して、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布と、中間集光点に集光されるＥＵＶ光の照度分布を測定した。
【００２０】
図３（ｂ）が中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布であり、（ｃ）が中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布である。白の部分がＥＵＶ光の強度が強い部分であり、灰色から黒の部分がＥＵＶ光の強度が弱い部分である。
図３（ｂ）の（ア）は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布が最適な場合であり、白い部分が全体に均一に広がっている。
これに対応する中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布も、図３（ｃ）の（ア）に示すように、白の部分が全体に均一に広がっている（全体を６分割している黒の部分は、集光鏡６の各反射面６ａを支持する支持部材の影である）。
図３（ｂ）の（イ）（ウ）は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布が、図中上側のＥＵＶ強度が強い場合である。これに対応する、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布も、図３（ｃ）の（イ）（ウ）に示すように、図中上側のＥＵＶ強度が強くなっている。
【００２１】
図３（ｂ）の（エ）（オ）は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布が、図中右側のＥＵＶ強度が強い場合である。これに対応する、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布も、図３（ｃ）の（エ）（オ）に示すように、図中右側のＥＵＶ強度が強くなっている。
このように、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布は、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布と同様に振舞い相関性があることが分かる。
したがって、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布を検知手段２０で検知することで、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布を知ることができ、また、中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布が均一になるように、集光鏡６の位置を調整すれば、中間集光点ｆに集光されるＥＵＶ光の照度分布を均一にすることができる。
【００２２】
なお、集光鏡６を移動させると、ホイルトラップ５との相対位置関係が異なり、両者の位置関係の違いが照度分布に影響する場合も考えられる。そのため、反射集光鏡６を移動させる場合は、ホイルトラップ５も共に移動させるようにすることが望ましい。そのためには、反射集光鏡６とホイルトラップ５とを互いに接続固定して構成してもよい。
また、この中間集光点ｆに集光されないＥＵＶ光の照度分布を検知することによる集光鏡６の位置の調整は、集光鏡６を新しいものに交換した際の、集光鏡６の位置調整においても使用することができる。
なお、プラズマからは、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光よりも波長の長い帯域外光も放射され、受光部２１に入射する。帯域外光の照度分布はＥＵＶ光の照度分布と異なる場合がある。そのため、受光部２１に多くの帯域外光が照射されると、ＥＵＶ光の正確な照度分布が得られないことがある。
そのため、受光部２１の光入射側に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光のみを透過する波長選択素子を配置して、ＥＵＶ光のみが受光部２１に照射されるようにしても良い。これにより、帯域外光のＥＵＶ光の照度分布への影響を低減することができる。
【００２３】
上記実施例においては、放電電極間に生じる放電によりＥＵＶ光を放射するＥＵＶ光源装置を例にして説明を行ったが、ＥＵＶ光源装置には放電電極を備えないものもあり、そのような装置にも、本発明の集光反射鏡の位置調整方法を適用することができる。
図５に、放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した構成の概略を示す。
ＥＵＶ光源装置は、集光光学手段である集光鏡６１を収容するチャンバ１を備える。集光鏡６１は、高温プラズマから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射し、その光を集光点ｆに集光するための光反射面６１ａが形成されている。
チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット１ｃが設けられている。
ＥＵＶ光源装置は、集光鏡６１の光反射面６１ａ側に、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍを落下（滴下）して供給する原料供給手段６２を備える。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
ＥＵＶ光源装置は、原料供給手段６２により供給された原料Ｍに対して、非常に高いエネルギーのレーザビームを照射する高出力のレーザ装置６３を備える。
原料供給手段６２により、集光鏡６１の光反射面６１ａ側に供給された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、高出力のレーザ装置６３からレーザ入射窓６３ａを介して非常に高いエネルギーを有するレーザビームが照射される。これによって、原料Ｍが高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光鏡６１の光反射面６１ａにより反射され、中間集光点ｆに集光する。
しかし、上記したように、生成されたプラズマは空間的広がりを有するため、プラズマから放射され集光鏡６１により反射されても、反射されたＥＵＶ光の全てが中間集光点ｆに集光する訳ではなく、中間集光点ｆに集光されない、中間集光点ｆの周囲に照射される成分が生じる。
そこで、上記実施例と同様に、中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光を検知するための検知手段２０を、集光鏡６１と集光鏡６１の集光点（中間集光点）ｆとの間であって、集光鏡６１の光軸上に配置し、中間集光点ｆに集光せずその周囲に照射されるＥＵＶ光の照度分布を測定する。
そして、測定した中間集光点ｆに集光しないＥＵＶ光の照度分布に基づいて、集光鏡６１の位置を移動させ、中間集光点ｆに集光するＥＵＶ光の照度分布変動を補正する。
【符号の説明】
【００２４】
１ チャンバ
１ａ 放電部
１ｂ ＥＵＶ集光部
２ａ，２ｂ 放電電極
２ｃ 絶縁部材
３ パルス電力供給部
４ エネルギービーム照射機
５ ホイルトラップ
６ 集光鏡
１０ 画像処理部
１１ モニタ
１３ 位置調整手段
１４ 集光鏡移動手段
２０ 検知手段
２１ シンチレータ
２２ ＣＣＤ
３０ アパーチャ
３１ 検知手段
４０ 露光機
６１ 集光鏡
６２ 原料供給手段
６３ 高出力レーザ装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光を反射して集光する集光光学手段を備えた極端紫外光光源装置における照度分布の検出方法であって、
上記集光光学手段により集光される光を通過させ、集光しない光であって光軸の周りの複数個所の光を受光し、該光の照度分布から、上記集光光学手段の集光位置における照度分布を求める
ことを特徴とする極端紫外光光源装置における照度分布の検出方法。
【請求項２】
極端紫外光を集光する集光光学手段を備えた極端紫外光光源装置における集光光学手段の位置調整方法であって、
上記集光反射鏡と該集光反射鏡の集光点との間に配置され、上記集光光学手段により集光される光を通過させ、集光しない光であって光軸の周りの複数個所の光を受光して照度分布を測定する第１の工程と、
上記第１の工程により測定された照度分布が、均一になるように上記集光光学手段を移動させる第２の工程からなる
ことを特徴とする極端紫外光光源装置おける集光光学手段の位置調整方法。
【請求項１】
極端紫外光を反射して集光する集光光学手段を備えた極端紫外光光源装置における照度分布の検出方法であって、
上記集光光学手段により集光される光を通過させ、集光しない光であって光軸の周りの複数個所の光を受光し、該光の照度分布から、上記集光光学手段の集光位置における照度分布を求める
ことを特徴とする極端紫外光光源装置における照度分布の検出方法。
【請求項２】
極端紫外光を集光する集光光学手段を備えた極端紫外光光源装置における集光光学手段の位置調整方法であって、
上記集光反射鏡と該集光反射鏡の集光点との間に配置され、上記集光光学手段により集光される光を通過させ、集光しない光であって光軸の周りの複数個所の光を受光して照度分布を測定する第１の工程と、
上記第１の工程により測定された照度分布が、均一になるように上記集光光学手段を移動させる第２の工程からなる
ことを特徴とする極端紫外光光源装置おける集光光学手段の位置調整方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１９８６０９（Ｐ２０１１−１９８６０９Ａ）
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−６４０１６（Ｐ２０１０−６４０１６）
【出願日】平成２２年３月１９日（２０１０．３．１９）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２１年度新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発）」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００１０２２１２）ウシオ電機株式会社 (1,414)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月６日（２０１１．１０．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１９日（２０１０．３．１９）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２１年度新エネルギー・産業技術総合開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発）」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００１０２２１２）ウシオ電機株式会社 (1,414)
【Ｆターム（参考）】
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