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Fターム[5F046GC03]の内容

半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | X線源 (525) | プラズマX線源 (486)

Fターム[5F046GC03]に分類される特許

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【課題】極端紫外光の生成において変換効率を向上させる。
【解決手段】極端紫外光生成方法は、チャンバ内にターゲット物質を供給するステップ(a)と、ターゲット物質にレーザビームを照射することにより、プラズマを生成して極端紫外光を生成するステップ(b)と、を備える。レーザビームの空間的な光強度分布は、ビーム軸の中心から所定距離の位置における光強度よりも低い光強度を有する低強度領域が前記ビーム軸の中心から前記所定距離の範囲内に存在する空間的な光強度分布を有してもよい。 (もっと読む)


【課題】電極部との接触部分において隙間を生じさせない電極間絶縁体を有するプラズマ光源及びプラズマ光源の製造方法を提供する。
【解決手段】各同軸状電極11は、単一の軸線上に延びる棒状の中心電極12と、中心電極12を一定の間隔で隔てて囲む管状のガイド電極14と、中心電極12とガイド電極14の間に位置しその間を絶縁するリング状の絶縁体16とからなり、絶縁体16は、ホットプレス18によって加圧されており、中心電極12及びガイド電極14を密着するように成形されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】EUV集光ミラーを再現性よく位置決めするとともに、EUV集光ミラーにおける歪みの発生を抑制する。
【解決手段】基板材と、基板材の第1の面に設けられた反射膜と、基板材の第1の面と異なる第2の面に設けられた複数の突起部とを含むミラーと、複数の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された複数の支持部と、複数の突起部を、複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。 (もっと読む)


【課題】安定したレーザ光を得る。
【解決手段】レーザ装置3と共に用いられる光学システムは、少なくとも1つの焦点を有し、前記レーザ装置3から出力されるレーザ光を集光する集光光学系と、前記集光光学系と該集光光学系の少なくとも1つの焦点との間に配置されるビームスプリッタ100と、前記ビームスプリッタ100によって分岐されたレーザ光の光路上に配置される光センサ110と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の安定性を向上する。
【解決手段】光学装置は、レーザ光のビーム伝播経路上に配置された光学モジュールと、前記ビーム伝播経路上に配置され、前記レーザ光のビーム伝播経路を調節するアクチュエータ部と、前記ビーム伝播経路上に配置され、前記ビーム伝播経路を検出する計測部と、 前記計測部によって検出された前記レーザ光のビーム伝播経路の検出結果に基づいて、前記アクチュエータ部を制御する制御部と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】ドロップレットターゲットの位置安定性を改善する。
【解決手段】ターゲット供給装置は、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部に相当するリザーバ41と、前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔であるノズル43が形成され、その貫通孔(ノズル43)が前記ターゲット貯蔵部(リザーバ41)の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔(ノズル43)の前記ターゲット貯蔵部と(リザーバ41)は反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が90度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも1つの入射口を有するチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも1つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも1つの光学要素と、前記少なくとも1つの光学要素の温度を制御する少なくとも1つの温度調節機構と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】極端紫外光生成装置に用いた場合生成される極端紫外光の強度を安定化させる。
【解決手段】チャンバ装置は、少なくとも1つのレーザビーム生成装置と共に用いられるチャンバ装置であって、前記少なくとも1つのレーザビーム生成装置から出力される少なくとも1つのレーザビームを内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記少なくとも1つのレーザビームを前記所定の領域で集光させるレーザ集光光学系と、前記少なくとも1つのレーザビームの前記所定の領域におけるビーム断面の光強度分布を補正する光学素子と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】レーザ光の安定性と制御性とを向上する。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ装置3と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ装置3から出力されるレーザ光31を内部に導入するための少なくとも1の入射口が設けられたチャンバ2と、前記レーザ装置3から出力される前記レーザ光31のビーム断面を拡大する拡大光学系50と、ビーム断面が拡大された前記レーザ光31を集光する集光光学系22と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に配置された要素の特性や性能が劣化することを抑制する。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザシステムおよび前記レーザシステムから出力されるレーザ光を集光する集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を内部へ導入するための入射口を有するチャンバと、前記チャンバに取り付けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給システムと、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内で前記ターゲット物質に前記レーザ光が照射されて発生した帯電粒子を回収するための回収部と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】簡便にEUVマスクの汚染を防止することができる汚染防止装置、汚染防止方法、並びにそれを用いた露光装置、パターン付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる汚染防止装置は、波長166nm以下の真空紫外光を発生する光源と、光源からの真空紫外光のビームをEUV露光装置101内に収容されたEUVマスク108に対して照射させる光学系(ミラー104a、104b等)と、を備えるものである。光源としては、フッ素分子レーザを出射するレーザ発振器110や、アルゴンダイマー、クリプトンダイマー、あるいはフッ素分子からの自然放出増幅光を出射するVUV−ASE発生装置210を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】EUV光生成装置のCEを向上させる。
【解決手段】極端紫外光源装置は、レーザビーム生成システムと、前記レーザビーム生成システムから出力される少なくとも1つのレーザビームの光強度および出力タイミングの少なくともいずれか一方を制御するレーザ制御システムと、前記レーザビーム生成システムから出力される前記少なくとも1つのレーザビームを内部に導入するための少なくとも1つの入射口が設けられたチャンバ1と、前記チャンバ1に設けられ、前記チャンバ1内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部2と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】本発明は、所定の原子のプラズマ励起によりEUV光を生じさせる発光部(10)と、発光部から照射されたEUV光を集光させる集光部(20)と、集光部により集光したEUV光をマスクを介して基板上に照射する露光部(30)と、発光部内のEUV光の発光点の位置を検出する第1プラズマ位置モニタ(11a)と、発光部の位置を調整する発光部駆動装置(13)と、を有する露光装置を用いる。そして、プラズマ位置モニタにより検出された発光点と発光基準位置との第1ズレ量を判断し、第1ズレ量に基づいて、発光部駆動装置を駆動する。さらに、集光部により集光したEUV光の集光点の位置を検出する第1集光位置モニタ(21a)と、集光部の位置を調整する集光部駆動装置(23)と、を有する露光装置を用いる。そして、集光点と基準集光点の位置との第2ズレ量を算出し、第2ズレ量の算出結果に基づいて集光部駆動装置(23)を駆動する。 (もっと読む)


【課題】露光特性を向上させる。
【解決手段】(a)露光装置を準備する工程であって、(a1)陰極101および陽極102を有し、EUV光を生じさせる発光部と、(a2)陰極101および陽極102を加熱する加熱用光源100と、(a3)EUV光をマスクを介して基板上に照射する露光部と、を有する露光装置を準備する工程を有するように半導体装置を製造する。さらに、(b)加熱用光源100により、陰極101および陽極102を加熱する工程と、(c)上記(b)工程の後、陰極101および陽極102間に電圧を印加し、陰極101と陽極102との間において、所定の原子をプラズマ励起させることによりEUV光を生じさせる工程と、(d)EUV光を、露光部に導き、露光部内において基板の上方に形成された感光膜を露光する工程と、を有するように半導体装置を製造する。 (もっと読む)


【課題】EUV放射のためのプラズマ光を長時間(μsecオーダーで)安定して発生させることができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】対向配置された1対の同軸状電極11を有しその中間位置11aにプラズマ3を軸方向に閉じ込める複数の同軸電極対10と、各同軸電極対10にプラズマ媒体を供給しかつプラズマ発生に適した温度及び圧力に各同軸電極対内を保持する放電環境保持装置20と、各同軸電極対の各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置30とを備える。複数の同軸電極対10は、中間位置11aで互いに交差して配置されており、電圧印加装置30は、各同軸電極対10の同軸状電極11に位相がずれた放電電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】照射可能領域を拡大する。
【解決手段】光学装置は、入射する第1のレーザ光をビーム断面が円環状の第2のレーザ光に変換する第1のビーム整形部と、前記第2のレーザ光を第1の所定の位置に集光して、ベッセルビームを形成させる第1の集光光学素子と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】2つプラズマ源から進展する面状放電(電流シート)を、プラズマ源間の中央部で衝突させ、かつ電流路の繋ぎ変えにより、プラズマの封じ込めを行うことができ、かつ電流路の繋ぎ変えを安定して行うことができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】1対の同軸状電極10に極性を反転させた放電電圧を印加して、各同軸状電極にそれぞれ面状放電2を発生させ、面状放電により各同軸状電極の対向する中間位置であって中心電極先端の中点以外の位置に単一のプラズマ3を形成し、次いで面状放電2を1対の同軸状電極間の管状放電4に繋ぎ換えてプラズマ3を封じ込めるプラズマ封込み磁場5を形成するプラズマ制御装置30を備える。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内において構成部品の位置又は傾きを調整するための姿勢制御機構を最適化する。
【解決手段】極端紫外光を生成するチャンバ装置は、壁部に第1の貫通孔が設けられ、内部でEUV光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内に配置されるEUV集光ミラーと、チャンバ外に配置され、EUV集光ミラーの姿勢を制御する姿勢制御機構と、第1の貫通孔を介してEUV集光ミラーと姿勢制御機構とを接続する支持部と、第1の貫通孔を覆うように設けられ、少なくとも1つの第2の貫通孔を有するフランジと、少なくとも1つの第2の貫通孔の周囲に固定された一端と、支持部に固定された他端とを有し、支持部の側面の少なくとも一部を囲んでチャンバ内の密閉を維持する伸縮管と、を備えても良い。 (もっと読む)


【課題】エネルギー変換効率をさらに向上する。
【解決手段】EUV光生成装置は、レーザ装置と、内部の所定のサイトにターゲット物質が供給されるチャンバと、前記光軸が実質的に一致している前記第2レーザ光と前記第3レーザ光とを前記所定のサイト付近に集光する集光光学系と、前記所定のサイト付近から放射された光のうち所定の帯域の光を選択的に反射する集光ミラーと、を備えてもよい。レーザ装置は、ビーム整形装置と、前記第1レーザ光を出力するメインレーザ装置と、前記第3レーザ光を出力するサブレーザ装置と、を備えてもよい。ビーム整形装置は、第1レーザ光を内部に暗い柱状の空間が存在する筒状の第2レーザ光に変換するビーム整形部と、第3レーザ光の光軸を前記第2レーザ光の光軸と実質的に一致させる光学素子と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】レーザ光を効率的に増幅する。
【解決手段】EUV光源装置は、レーザ装置と、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を入力して所定のターゲット物質に集光し、該レーザ光の集光によって励起した前記所定のターゲット物質から放射した極端紫外光を集光しつつ出力するチャンバと、を備える。レーザ装置は、スラブ型増幅装置と、前記光を出力するマスタオシレータと、前記スラブ型増幅装置から出力された光を増幅する増幅器と、を備える。スラブ型増幅装置は、自由空間軸と導波軸とを有する第1スラブ型増幅器と、前記第1スラブ型増幅器の入力段に配置され、該第1スラブ型増幅器に入力する光の偏光方向および断面形状の少なくとも一方を変換する第1ビーム調節部と、を備える。 (もっと読む)


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