ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置
【課題】ドロップレットターゲットの位置安定性を改善する。
【解決手段】ターゲット供給装置は、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部に相当するリザーバ４１と、前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔であるノズル４３が形成され、その貫通孔（ノズル４３）が前記ターゲット貯蔵部（リザーバ４１）の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔（ノズル４３）の前記ターゲット貯蔵部と（リザーバ４１）は反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、を備えてもよい。
【解決手段】ターゲット供給装置は、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部に相当するリザーバ４１と、前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔であるノズル４３が形成され、その貫通孔（ノズル４３）が前記ターゲット貯蔵部（リザーバ４１）の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔（ノズル４３）の前記ターゲット貯蔵部と（リザーバ４１）は反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、を備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するために、レーザ光が照射されるターゲットを供給する装置に関する。さらに、本開示は、そのようなターゲット供給装置を用いて極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔が形成され、その貫通孔が前記ターゲット貯蔵部の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔の前記ターゲット貯蔵部とは反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、第１〜第４の実施形態に係るターゲット供給装置を含む静電引出型ドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図６】図６は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図７】図７は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す表である。
【図８Ａ】図８Ａは、第５の実施形態に係るターゲット供給装置を含むドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、第５の実施形態に係るターゲット供給装置を含むドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図９】図９は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。
【図１０】図１０は、第７の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。
【図１１】図１１は、第８の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．静電引出型ドロップレット生成システム
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題の発見
４．４ ノズルの構造
５．溶融スズに対する各種材料の濡れ性
６．溶融スズとの反応性
７．その他のターゲット供給装置
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置は、ターゲット供給装置から液体ターゲット物質を放出させ、液体ターゲット物質のドロップレットがプラズマ生成領域に到達した時にパルスレーザ光をドロップレットに照射し、液体ターゲット物質をプラズマ化することによってＥＵＶ光を生成する。
【００１０】
ＥＵＶ光生成装置において、ドロップレットターゲットがプラズマ生成領域に到達する際にドロップレットターゲットの安定性が悪いと、ＥＵＶ光のパルスエネルギー及び発生位置安定性が悪化する可能性がある。この問題に関し、本願発明者らは、ターゲット供給装置のノズル部の濡れ性によって、プラズマ生成領域又はその付近に到達するドロップレットターゲットの安定性が変化すると推定した。
【００１１】
例えば、ノズルを含むターゲット供給装置において、少なくともノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質で構成されるようにしてもよい。その場合には、ノズルのオリフィスから放出された液体ターゲット物質がオリフィスの出口側の周囲の領域に接触しても、オリフィスの出口側の周囲の領域は液体ターゲット物質に対する濡れ性が低いので、液体ターゲット物質の放出方向が安定する可能性が高い。
【００１２】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をチャンバ内に供給する装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に供給されたターゲット物質のうちプラズマ化されなかった中性粒子及びプラズマから放出されるイオン粒子を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。
【００１３】
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３と共に用いることができる（以下、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、且つ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含むことができる。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えば、ドロップレット生成器２６）をさらに含むことができる。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含むことができるが、これらに限定されない。
【００１４】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられていてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ発生位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が、外部装置（例えば露光装置６）の仕様によって規定される所定の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。
【００１５】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５をさらに含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含むことができる。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１７】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレットターゲット２７用のターゲット回収器２８なども含むことができる。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、該光学素子の位置又は姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えることができる。
【００１８】
３．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。
【００１９】
ドロップレット生成器２６は、ドロップレットターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて放出してもよい。ドロップレットターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれている少なくとも１つのパルスが照射される。レーザ光が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が生成される。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光され反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３に反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレットターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれている複数のパルスが照射されてもよい。
【００２０】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括することができる。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレットターゲット２７のイメージデータ等を処理することができる。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレットターゲット２７を放出するタイミングの制御及びドロップレットターゲット２７の放出方向の制御の少なくともいずれかを行うことができる。さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザシステム３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行うことができる。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００２１】
４．静電引出型ドロップレット生成システム
４．１ 構成
次に、ターゲット供給装置（例えば、図１に示すドロップレット生成器２６）及びＥＵＶ光生成制御システム５によって構成される静電引出型ドロップレット生成システムについて説明する。
【００２２】
図２Ａは、第１〜第４の実施形態に係るターゲット供給装置を含み、静電気を利用してドロップレットターゲットを生成する静電引出型ドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。図２Ｂは、図２Ａに示す静電引出型ドロップレット生成システムの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００２３】
図２Ａに示すように、この静電引出型ドロップレット生成システムは、リザーバ４１と、ヒータ４２と、ノズル４３と、ヒータ４４と、引出電極４５と、絶縁材料４６と、ＥＵＶ光生成制御システム５と、不活性ガスボンベ６とを含む。リザーバ４１及びノズル４３は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。ここで、少なくともリザーバ４１及びノズル４３が、ターゲット供給装置を構成している。ターゲット供給装置は、ヒータ４２と、ヒータ４４と、引出電極４５と、絶縁材料４６との内の１つ以上をさらに含んでもよい。
【００２４】
ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、各実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を一例として説明する。リザーバ４１は、溶融したスズ（液体ターゲット物質）を貯蔵してノズル４３に供給するターゲット貯蔵部に相当する。ヒータ４２及び４４は、リザーバ４１の周りに取り付けられて、ターゲット物質であるスズが溶融状態を維持するようリザーバ４１を加熱してもよい。また、ヒータ４２及び４４の少なくともいずれかは、リザーバ４１の温度を検出するための図示しない温度センサを含んでもよい。
【００２５】
ノズル４３は、チャンバ２（図１）内の所定の領域に向けて液体ターゲット物質を放出するターゲット放出部に相当する。図２Ｂに示すように、ノズル４３には、液体ターゲット物質を放出するための貫通孔（オリフィス）が形成されている。また図２Ｂに示すように、ノズル４３は、液体ターゲット物質に電界を集中させるために、出口側の面から突き出た先端部を有してもよい。
【００２６】
引出電極４５は、ノズル４３のオリフィスから液体ターゲット物質を引き出すために、ノズル４３の出口側の面に対向して配置され、ターゲット物質を通過させるために中心に貫通孔が形成されている。また、ノズル４３と引出電極４５との間には、両者を電気的に絶縁するために絶縁材料４６が設けられている。絶縁材料４６はターゲット物質を通過させるために中心に貫通孔が形成されている。
【００２７】
再び図２Ａを参照すると、ＥＵＶ光生成制御システム５は、パルス電圧生成器５１と、圧力調節器５２と、ドロップレットコントローラ５３とを含んでいる。パルス電圧生成器５１の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ４１に形成された気密端子（フィードスルー）を介して液体ターゲット物質に接触している。また、パルス電圧生成器５１の他方の出力端子に接続された配線は、引出電極４５に接続されている。これにより、パルス電圧生成器５１は、液体ターゲット物質と引出電極４５と間にパルス電圧を印加することができる。ノズル４３が金属製である場合には、パルス電圧生成器５１は、ノズル４３と引出電極４５と間にパルス電圧を印加してもよい。
【００２８】
圧力調節器５２は、不活性ガスボンベ６から供給される不活性ガスの圧力を利用して、液体ターゲット物質をノズル４３の先端まで押し出すように構成されてもよい。ドロップレットコントローラ５３は、与えられたタイミングでドロップレットターゲット２７が生成されるように、パルス電圧生成器５１及び圧力調節器５２を制御してもよい。
【００２９】
４．２ 動作
この静電引出型ドロップレット生成システムは、オンデマンドでドロップレット生成するシステムである。ドロップレットコントローラ５３は、リザーバ４１が、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度２３２℃以上の所定の温度となるように、ヒータ４２及び４４を制御する。これにより、リザーバ４１の中にスズが溶融状態に維持される。
【００３０】
ドロップレットコントローラ５３は、ドロップレット生成信号をパルス電圧生成器５１に出力する。パルス電圧生成器５１は、ドロップレット生成信号に応答して、溶融スズと引出電極４５との間にパルス状の高電圧を印加する。この時、ノズル４３の出口側の面から突き出た先端部から高電圧によるクーロン力で溶融スズが引き出され、先端部から引き離され、ドロップレットが生成される。ここで、必要な場合には、ドロップレットコントローラ５３の制御の下で、圧力調節器５２が、スズと反応しないガスを用いて溶融スズに対して圧力をかけることにより、溶融スズをノズル４３の先端部から突出するように押し出してもよい。
【００３１】
４．３ 課題の発見
このような静電引出型ドロップレット生成システムにおいて、液体ターゲット物質に電界を集中させるために、ノズルの先端部の形状をテーパー状に突き出させてもよい。また、直径が１０μｍ〜３０μｍであるドロップレットターゲットを生成するために、ノズルの先端部におけるオリフィスの直径が数μｍ以下であるとよい。
【００３２】
このノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質によって濡れてしまうと、液体ターゲット物質に所定の電界が集中しなくなる場合がある。結果としてドロップレットターゲットの生成確率が低下することがある。また、ドロップレットターゲットが生成されたとしてもドロップレットターゲットが放出される方向が不安定となり、ドロップレットターゲットの位置安定性が悪化する場合がある。つまり、ノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い状態であると、所望のドロップレットターゲットが生成できない場合がある。
【００３３】
そこで、本開示の実施形態においては、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で構成されている。また、この物質は、ターゲット物質との反応性が低いことが望ましい。本願において、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質とは、具体的には、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質のことをいう。また、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い物質とは、具体的には、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度以下の物質のことをいう。
【００３４】
４．４ ノズルの構造
図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。第１の実施形態においては、ノズル４３の材料そのものが、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で構成されている。
【００３５】
図４は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。ノズルの材料として、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料を使用する場合には、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。従って、ノズルは、ノズル本体４３ａと、コーティング部４３ｂとを含むことになる。あるいは、ノズル本体４３ａの全ての表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。
【００３６】
ノズルは、電気的に絶縁性を有する材料又は半導体材料で作製されてもよい。ノズルの材料が絶縁材料又は半導体材料である場合には、ノズルの出口側の面から突き出た先端部を設けなくても、液体ターゲット物質に電界を集中させることができる。この場合においても、少なくともノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面を、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い状態とすればよい。
【００３７】
図５は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。第３の実施形態においては、ノズル４３ｃの材料は絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い材料であってよい。従って、ノズル４３ｃが、図２Ａに示す絶縁材料４６を兼ねることができる。
【００３８】
図６は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。第４の実施形態においては、ノズルの材料には絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料を使用してもよい。さらに、ノズルの少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。従って、ノズルは、ノズル本体４３ｄと、コーティング部４３ｅとを含むことになる。あるいは、ノズル本体４３ｄの全ての表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。コーティングされる物質も、絶縁材料又は半導体材料であることが望ましい。本実施形態においては、ノズル本体４３ｄ又はコーティング部４３ｅが、図２Ａに示す絶縁材料４６を兼ねることができる。
【００３９】
以上のように、少なくともノズルのオリフィスの出口側の周囲の領域の表面を、液体ターゲット物質に対する濡れ性が悪く、且つ、好ましくはターゲット物質との反応性が低い物質で構成することによって、ドロップレットターゲットの生成確率を向上させ、ドロップレットターゲットの位置安定性を改善することができる。
【００４０】
５．溶融スズに対する各種材料の濡れ性
図７は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す表である。この資料は、「ぬれ性ハンドブック〜基礎・測定評価・データ〜」（監修：石井淑夫、小石眞純、角田光雄、発行所：株式会社テクノシステム）に基づいている。一般に、接触角θが０°＜θ≦９０°の範囲にある状態は浸漬濡れと呼ばれ、液体は固体に浸漬してやがて浸み込む。一方、接触角θが１８０°≧θ＞９０°の範囲にある状態は付着濡れと呼ばれ、濡れが進行しにくい。
【００４１】
図７に示すように、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、黒鉛、ダイアモンド、酸化珪素、酸化モリブデン（予備熱処理しないモリブデンの酸化物層）等は、１８０°≧θ＞９０°の範囲にある接触角θを有し、溶融スズに対する濡れ性が低い。この他に、酸化タングステン及び酸化タンタルも、酸化モリブデン等と同様に、１８０°≧θ＞９０°の範囲にある接触角θを有し、溶融スズに対する濡れ性が低いと考えられる。
【００４２】
一方、アルミニウム、銅、シリコン、ニッケル、チタン、モリブデン（真空中予備熱処理）等の金属材料又は半導体単体材料は、０°＜θ≦９０°の範囲にある接触角θを有し、溶融スズに対して濡れ易い。タングステン及びタンタルは、真空中予備熱処理することによって、モリブデンと同様に濡れ性が良くなると考えられる。
【００４３】
６．溶融スズとの反応性
次に、溶融スズと各種材料との反応性を以下に説明する。高融点材料であるタングステン、タンタル、モリブデンは、溶融スズとの反応性が低い。また、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、黒鉛、ダイアモンド、酸化珪素、酸化モリブデンも、溶融スズとの反応性が低い。同様に、酸化タングステン及び酸化タンタルも、溶融スズとの反応性が低いと考えられる。
【００４４】
従って、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、黒鉛、ダイアモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、又は、酸化タンタルを、ノズルの材料として使用してもよい。あるいは、上記材料を、少なくともノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面にコーティングしてもよいし、ノズルの外側表面全面にコーティングしてもよい。
【００４５】
１つの例としては、各実施形態におけるノズルの材料として、モリブデンを使用する。そして、ノズルを高温中で酸素と反応させて酸化させることによって、ノズルの表面に酸化物（酸化モリブデン）の層を形成する。これによりノズルの表面を酸化物でコーティングしてもよい。さらに好ましくは、オリフィスの内側を除くノズルの外表面のみを酸化物でコーティングして、オリフィスの内側の溶融スズが直接接触する部分にはモリブデン金属を露出させるようにしてもよい。真空中で熱処理されたモリブデン金属表面の接触角は３０°〜７０°であるので、モリブデン金属の表面は濡れ性が高い。すなわち、オリフィスの内側は濡れ性が高いので、溶融スズがノズルに到達しやすくなる。あるいは、モリブデンと同様の高融点材料であるタングステン又はタンタルをノズルの材料として、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面を酸化処理してもよい。
【００４６】
別の例として、ノズルの材料は、溶融スズとほとんど反応しない非金属材料、例えば、炭化珪素、窒化珪素、酸化珪素（石英ガラス等）、酸化アルミニウム（サファイア）、黒鉛、ダイアモンド等でもよい。特に、静電引出型ドロップレット生成システムにおいては、誘電率が低い材料である石英ガラスや炭化珪素が好ましい。
【００４７】
さらに別の例として、プラズマ生成時に発生するイオンによるスパッタ率が低いという観点からは、ノズルの材料としてダイアモンドが好ましい。さらに、オリフィスの内側の溶融スズが直接接触する部分には、溶融スズに対する濡れ性が高くて溶融スズとほとんど反応しない物質（例えば、モリブデン、タンタル、又は、タングステン）をコーティングしてもよい。そして、これらの金属の表面に付着している酸化物層を取り除く処理をすればよい。
【００４８】
７．その他のターゲット供給装置
図８Ａ及び図８Ｂは、第５の実施形態に係るターゲット供給装置を含むドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。第５の実施形態においては、ターゲット供給装置のノズル本体に、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等の圧電体とその両端に形成された電極とを含むアクチュエータが配置されている。
【００４９】
ノズルの材料は、金属材料、半導体材料、絶縁材料のいずれでもよいが、図８Ａ及び図８Ｂには、絶縁材料又は半導体材料で作製されたノズルを用いる例が示されている。ノズルの先端部には、オリフィス４３ｇが形成されている。ノズルの材料としては、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料が使用され、少なくともオリフィス４３ｇの出口側の周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質がコーティングされているとよい。コーティングされる物質は、絶縁材料又は半導体材料であることが望ましい。つまり、第５の実施形態に係るノズルは、ノズル本体４３ｄと、コーティング部４３ｅと、アクチュエータ４３ｆとを含んでいると言うことができる。
【００５０】
また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ドロップレットコントローラ５３と、アクチュエータ用電源部５４とを含んでいる。ドロップレットコントローラ５３は、ドロップレット生成信号をアクチュエータ用電源部５４に出力する。アクチュエータ用電源部５４は、ドロップレット生成信号に応答して、アクチュエータ４３ｆの電極にパルス状又は連続波の電圧を印加する。これにより、アクチュエータ４３ｆの圧電体が収縮又は伸張する。
【００５１】
図８Ａに示すように、アクチュエータ４３ｆに電圧を印加して、ノズル本体４３ｄを外側から内側に向けて圧迫する。これにより、ノズル４３ｄ内の液体ターゲット物質にかかる圧力が一時的に上昇し、ノズルから液体ターゲット物質が放出されてドロップレットターゲット２７が生成される。従って、本実施形態においては、図２Ａに示す引出電極４５、絶縁材料４６及びパルス電圧生成器５１は不要としてもよい。圧電体を用いたアクチュエータに限らず、高速でノズル内の液体ターゲット物質を加圧する機構を設けることによって、オンデマンドでドロップレットターゲット２７を生成することが可能となる。
【００５２】
図８Ｂにおいては、溶融スズと反応しない不活性ガス等で液体ターゲット物質を加圧することによって、ノズルから液体ターゲット物質のジェットを放出するようにしている。液体ターゲット物質を加圧する構成は図２Ａに示したものと同様であってよい。図８Ｂにおいてはさらに、アクチュエータ４３ｆを用いて、ノズルに振動を与える。このように、いわゆるコンティニュアスジェット法によってドロップレットを生成する。コンティニュアスジェット法とは、ノズルから放出されたジェットの分断周期を振動によって制御することで、略均一なドロップレットを得るドロップレット生成方法である。
【００５３】
図９は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、プラズマ生成領域（図１に示すプラズマ生成領域２５に相当）で発生するデブリがノズルに到達する可能性が高い。そこで、第６の実施形態においては、デブリ防御プレート４７を配置して、ノズル４３に到達するデブリの量を低減させてもよい。図９に示すように、デブリ防御プレート４７はノズル４３とプラズマ生成領域との間のドロップレットターゲット２７の軌道上に配置されるとよい。デブリ防御プレート４７は、引出電極４５と共に、絶縁材料４６ａによって支持され、ドロップレットが通過する部分に貫通孔が形成されている。このデブリ防御プレート４７は、耐スパッタ性の高い材料で構成されることが望ましい。ノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質で構成されるようにしているので、ドロップレットターゲットの位置安定性が向上する。結果として、デブリ防御プレートの貫通孔を小さくでき、ノズルに到達するデブリをさらに低減できる。
【００５４】
図１０は、第７の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。第７の実施形態においては、チャンバ２（図１）内の所定の領域に向けて液体ターゲット物質を放出するターゲット放出部として、ノズルの替わりにプレート４８が用いられる。プレート４８の材料としては、絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い材料が使用される。図１０に示すように、プレート４８の出口側の面には、凹部が形成されており、凹部の中央部には、液体ターゲット物質を放出するための貫通孔（オリフィス）が形成されている。プレート４８をこのような形状にしてオリフィス部を流れの方向に薄く形成すると、オリフィス部の溶融スズに接する面積が小さくなる。オリフィス部の接液面積が少ない方が流体に対する擾乱が少なく、ドロップレットの放出方向が安定すると推測される。
【００５５】
図１１は、第８の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。プレートの材料として、絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料を使用してもよい。この場合には、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。従って、プレートは、プレート本体４８ａと、コーティング部４８ｂとを含むことになる。あるいは、プレート本体４８ａの全ての外側表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。コーティングされる物質は、絶縁材料又は半導体材料であることが望ましい。
【００５６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００５７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５８】
１…ＥＵＶ光生成装置、 １１…ＥＵＶ光生成システム、 ２…チャンバ、 ２１…ウインドウ、 ２２…レーザ光集光ミラー、 ２３…ＥＵＶ集光ミラー、 ２４…貫通孔、 ２５…プラズマ生成領域、 ２５１、２５２…ＥＵＶ光、 ２６…ドロップレット生成器、 ２７…ドロップレットターゲット、 ２８…ターゲット回収器、 ２９…接続部、 ２９１…壁、 ２９２…中間焦点、 ３…レーザシステム、 ３１〜３３…パルスレーザ光、 ３４…レーザ光進行方向制御装置、 ４…ターゲットセンサ、 ４１…リザーバ、 ４２、４４…ヒータ、 ４３、４３ｃ…ノズル、 ４３ａ、４３ｄ…ノズル本体、 ４３ｂ、４３ｅ…コーティング部、 ４３ｆ…アクチュエータ、 ４３ｇ…オリフィス、 ４５…引出電極、 ４６、４６ａ…絶縁材料、 ４７…デブリ防御プレート、 ４８…プレート、 ４８ａ…プレート本体、 ４８ｂ…コーティング部、 ５…ＥＵＶ光生成制御システム、 ５１…パルス電圧生成器、 ５２…圧力調節器、 ５３…ドロップレットコントローラ、 ５４…アクチュエータ用電源部、 ６…不活性ガスボンベ、 ６…露光装置
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するために、レーザ光が照射されるターゲットを供給する装置に関する。さらに、本開示は、そのようなターゲット供給装置を用いて極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成する極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔が形成され、その貫通孔が前記ターゲット貯蔵部の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔の前記ターゲット貯蔵部とは反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、第１〜第４の実施形態に係るターゲット供給装置を含む静電引出型ドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図６】図６は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。
【図７】図７は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す表である。
【図８Ａ】図８Ａは、第５の実施形態に係るターゲット供給装置を含むドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、第５の実施形態に係るターゲット供給装置を含むドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図９】図９は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。
【図１０】図１０は、第７の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。
【図１１】図１１は、第８の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。
【実施形態】
【０００７】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．静電引出型ドロップレット生成システム
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 課題の発見
４．４ ノズルの構造
５．溶融スズに対する各種材料の濡れ性
６．溶融スズとの反応性
７．その他のターゲット供給装置
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【０００９】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置は、ターゲット供給装置から液体ターゲット物質を放出させ、液体ターゲット物質のドロップレットがプラズマ生成領域に到達した時にパルスレーザ光をドロップレットに照射し、液体ターゲット物質をプラズマ化することによってＥＵＶ光を生成する。
【００１０】
ＥＵＶ光生成装置において、ドロップレットターゲットがプラズマ生成領域に到達する際にドロップレットターゲットの安定性が悪いと、ＥＵＶ光のパルスエネルギー及び発生位置安定性が悪化する可能性がある。この問題に関し、本願発明者らは、ターゲット供給装置のノズル部の濡れ性によって、プラズマ生成領域又はその付近に到達するドロップレットターゲットの安定性が変化すると推定した。
【００１１】
例えば、ノズルを含むターゲット供給装置において、少なくともノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質で構成されるようにしてもよい。その場合には、ノズルのオリフィスから放出された液体ターゲット物質がオリフィスの出口側の周囲の領域に接触しても、オリフィスの出口側の周囲の領域は液体ターゲット物質に対する濡れ性が低いので、液体ターゲット物質の放出方向が安定する可能性が高い。
【００１２】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。「チャンバ」は、ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置において、プラズマの生成が行われる空間を外部から隔絶するための容器である。「ターゲット供給装置」は、ＥＵＶ光を生成するために用いられる溶融スズ等のターゲット物質をチャンバ内に供給する装置である。「ＥＵＶ集光ミラー」は、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射してチャンバ外に出力するためのミラーである。「デブリ」は、チャンバ内に供給されたターゲット物質のうちプラズマ化されなかった中性粒子及びプラズマから放出されるイオン粒子を含み、ＥＵＶ集光ミラー等の光学素子を汚染又は損傷する原因となる物質である。
【００１３】
３．極端紫外光生成装置の全体説明
３．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置１の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザシステム３と共に用いることができる（以下、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、且つ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含むことができる。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えば、ドロップレット生成器２６）をさらに含むことができる。ターゲット供給装置は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含むことができるが、これらに限定されない。
【００１４】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられていてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点が、プラズマ発生位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が、外部装置（例えば露光装置６）の仕様によって規定される所定の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。
【００１５】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５をさらに含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４をさらに含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１６】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含むことができる。接続部２９内部には、アパーチャ（aperture）が形成された壁２９１を設けてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１７】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御装置３４、レーザ光集光ミラー２２、ドロップレットターゲット２７用のターゲット回収器２８なども含むことができる。レーザ光進行方向制御装置３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定する光学素子と、該光学素子の位置又は姿勢を調整するためのアクチュエータとを備えることができる。
【００１８】
３．２ 動作
図１を参照すると、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御装置３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。
【００１９】
ドロップレット生成器２６は、ドロップレットターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて放出してもよい。ドロップレットターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれている少なくとも１つのパルスが照射される。レーザ光が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が生成される。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光され反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３に反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレットターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれている複数のパルスが照射されてもよい。
【００２０】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括することができる。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレットターゲット２７のイメージデータ等を処理することができる。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレットターゲット２７を放出するタイミングの制御及びドロップレットターゲット２７の放出方向の制御の少なくともいずれかを行うことができる。さらに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザシステム３のレーザ発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御の内の少なくとも１つを行うことができる。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００２１】
４．静電引出型ドロップレット生成システム
４．１ 構成
次に、ターゲット供給装置（例えば、図１に示すドロップレット生成器２６）及びＥＵＶ光生成制御システム５によって構成される静電引出型ドロップレット生成システムについて説明する。
【００２２】
図２Ａは、第１〜第４の実施形態に係るターゲット供給装置を含み、静電気を利用してドロップレットターゲットを生成する静電引出型ドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。図２Ｂは、図２Ａに示す静電引出型ドロップレット生成システムの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００２３】
図２Ａに示すように、この静電引出型ドロップレット生成システムは、リザーバ４１と、ヒータ４２と、ノズル４３と、ヒータ４４と、引出電極４５と、絶縁材料４６と、ＥＵＶ光生成制御システム５と、不活性ガスボンベ６とを含む。リザーバ４１及びノズル４３は、一体的に形成されてもよいし、別個に形成されてもよい。ここで、少なくともリザーバ４１及びノズル４３が、ターゲット供給装置を構成している。ターゲット供給装置は、ヒータ４２と、ヒータ４４と、引出電極４５と、絶縁材料４６との内の１つ以上をさらに含んでもよい。
【００２４】
ターゲット物質としては、導電性を有する液体金属等が用いられてもよいが、各実施形態においては、融点が２３２℃であるスズ（Ｓｎ）が用いられる場合を一例として説明する。リザーバ４１は、溶融したスズ（液体ターゲット物質）を貯蔵してノズル４３に供給するターゲット貯蔵部に相当する。ヒータ４２及び４４は、リザーバ４１の周りに取り付けられて、ターゲット物質であるスズが溶融状態を維持するようリザーバ４１を加熱してもよい。また、ヒータ４２及び４４の少なくともいずれかは、リザーバ４１の温度を検出するための図示しない温度センサを含んでもよい。
【００２５】
ノズル４３は、チャンバ２（図１）内の所定の領域に向けて液体ターゲット物質を放出するターゲット放出部に相当する。図２Ｂに示すように、ノズル４３には、液体ターゲット物質を放出するための貫通孔（オリフィス）が形成されている。また図２Ｂに示すように、ノズル４３は、液体ターゲット物質に電界を集中させるために、出口側の面から突き出た先端部を有してもよい。
【００２６】
引出電極４５は、ノズル４３のオリフィスから液体ターゲット物質を引き出すために、ノズル４３の出口側の面に対向して配置され、ターゲット物質を通過させるために中心に貫通孔が形成されている。また、ノズル４３と引出電極４５との間には、両者を電気的に絶縁するために絶縁材料４６が設けられている。絶縁材料４６はターゲット物質を通過させるために中心に貫通孔が形成されている。
【００２７】
再び図２Ａを参照すると、ＥＵＶ光生成制御システム５は、パルス電圧生成器５１と、圧力調節器５２と、ドロップレットコントローラ５３とを含んでいる。パルス電圧生成器５１の一方の出力端子に接続された配線は、リザーバ４１に形成された気密端子（フィードスルー）を介して液体ターゲット物質に接触している。また、パルス電圧生成器５１の他方の出力端子に接続された配線は、引出電極４５に接続されている。これにより、パルス電圧生成器５１は、液体ターゲット物質と引出電極４５と間にパルス電圧を印加することができる。ノズル４３が金属製である場合には、パルス電圧生成器５１は、ノズル４３と引出電極４５と間にパルス電圧を印加してもよい。
【００２８】
圧力調節器５２は、不活性ガスボンベ６から供給される不活性ガスの圧力を利用して、液体ターゲット物質をノズル４３の先端まで押し出すように構成されてもよい。ドロップレットコントローラ５３は、与えられたタイミングでドロップレットターゲット２７が生成されるように、パルス電圧生成器５１及び圧力調節器５２を制御してもよい。
【００２９】
４．２ 動作
この静電引出型ドロップレット生成システムは、オンデマンドでドロップレット生成するシステムである。ドロップレットコントローラ５３は、リザーバ４１が、スズ（Ｓｎ）が溶融する温度２３２℃以上の所定の温度となるように、ヒータ４２及び４４を制御する。これにより、リザーバ４１の中にスズが溶融状態に維持される。
【００３０】
ドロップレットコントローラ５３は、ドロップレット生成信号をパルス電圧生成器５１に出力する。パルス電圧生成器５１は、ドロップレット生成信号に応答して、溶融スズと引出電極４５との間にパルス状の高電圧を印加する。この時、ノズル４３の出口側の面から突き出た先端部から高電圧によるクーロン力で溶融スズが引き出され、先端部から引き離され、ドロップレットが生成される。ここで、必要な場合には、ドロップレットコントローラ５３の制御の下で、圧力調節器５２が、スズと反応しないガスを用いて溶融スズに対して圧力をかけることにより、溶融スズをノズル４３の先端部から突出するように押し出してもよい。
【００３１】
４．３ 課題の発見
このような静電引出型ドロップレット生成システムにおいて、液体ターゲット物質に電界を集中させるために、ノズルの先端部の形状をテーパー状に突き出させてもよい。また、直径が１０μｍ〜３０μｍであるドロップレットターゲットを生成するために、ノズルの先端部におけるオリフィスの直径が数μｍ以下であるとよい。
【００３２】
このノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質によって濡れてしまうと、液体ターゲット物質に所定の電界が集中しなくなる場合がある。結果としてドロップレットターゲットの生成確率が低下することがある。また、ドロップレットターゲットが生成されたとしてもドロップレットターゲットが放出される方向が不安定となり、ドロップレットターゲットの位置安定性が悪化する場合がある。つまり、ノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い状態であると、所望のドロップレットターゲットが生成できない場合がある。
【００３３】
そこで、本開示の実施形態においては、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で構成されている。また、この物質は、ターゲット物質との反応性が低いことが望ましい。本願において、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質とは、具体的には、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質のことをいう。また、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い物質とは、具体的には、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度以下の物質のことをいう。
【００３４】
４．４ ノズルの構造
図３は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。第１の実施形態においては、ノズル４３の材料そのものが、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質で構成されている。
【００３５】
図４は、第２の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。ノズルの材料として、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料を使用する場合には、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。従って、ノズルは、ノズル本体４３ａと、コーティング部４３ｂとを含むことになる。あるいは、ノズル本体４３ａの全ての表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。
【００３６】
ノズルは、電気的に絶縁性を有する材料又は半導体材料で作製されてもよい。ノズルの材料が絶縁材料又は半導体材料である場合には、ノズルの出口側の面から突き出た先端部を設けなくても、液体ターゲット物質に電界を集中させることができる。この場合においても、少なくともノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面を、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い状態とすればよい。
【００３７】
図５は、第３の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。第３の実施形態においては、ノズル４３ｃの材料は絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い材料であってよい。従って、ノズル４３ｃが、図２Ａに示す絶縁材料４６を兼ねることができる。
【００３８】
図６は、第４の実施形態に係るターゲット供給装置のノズルの一部を示す断面図である。第４の実施形態においては、ノズルの材料には絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料を使用してもよい。さらに、ノズルの少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。従って、ノズルは、ノズル本体４３ｄと、コーティング部４３ｅとを含むことになる。あるいは、ノズル本体４３ｄの全ての表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。コーティングされる物質も、絶縁材料又は半導体材料であることが望ましい。本実施形態においては、ノズル本体４３ｄ又はコーティング部４３ｅが、図２Ａに示す絶縁材料４６を兼ねることができる。
【００３９】
以上のように、少なくともノズルのオリフィスの出口側の周囲の領域の表面を、液体ターゲット物質に対する濡れ性が悪く、且つ、好ましくはターゲット物質との反応性が低い物質で構成することによって、ドロップレットターゲットの生成確率を向上させ、ドロップレットターゲットの位置安定性を改善することができる。
【００４０】
５．溶融スズに対する各種材料の濡れ性
図７は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す表である。この資料は、「ぬれ性ハンドブック〜基礎・測定評価・データ〜」（監修：石井淑夫、小石眞純、角田光雄、発行所：株式会社テクノシステム）に基づいている。一般に、接触角θが０°＜θ≦９０°の範囲にある状態は浸漬濡れと呼ばれ、液体は固体に浸漬してやがて浸み込む。一方、接触角θが１８０°≧θ＞９０°の範囲にある状態は付着濡れと呼ばれ、濡れが進行しにくい。
【００４１】
図７に示すように、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、黒鉛、ダイアモンド、酸化珪素、酸化モリブデン（予備熱処理しないモリブデンの酸化物層）等は、１８０°≧θ＞９０°の範囲にある接触角θを有し、溶融スズに対する濡れ性が低い。この他に、酸化タングステン及び酸化タンタルも、酸化モリブデン等と同様に、１８０°≧θ＞９０°の範囲にある接触角θを有し、溶融スズに対する濡れ性が低いと考えられる。
【００４２】
一方、アルミニウム、銅、シリコン、ニッケル、チタン、モリブデン（真空中予備熱処理）等の金属材料又は半導体単体材料は、０°＜θ≦９０°の範囲にある接触角θを有し、溶融スズに対して濡れ易い。タングステン及びタンタルは、真空中予備熱処理することによって、モリブデンと同様に濡れ性が良くなると考えられる。
【００４３】
６．溶融スズとの反応性
次に、溶融スズと各種材料との反応性を以下に説明する。高融点材料であるタングステン、タンタル、モリブデンは、溶融スズとの反応性が低い。また、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、黒鉛、ダイアモンド、酸化珪素、酸化モリブデンも、溶融スズとの反応性が低い。同様に、酸化タングステン及び酸化タンタルも、溶融スズとの反応性が低いと考えられる。
【００４４】
従って、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、黒鉛、ダイアモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、又は、酸化タンタルを、ノズルの材料として使用してもよい。あるいは、上記材料を、少なくともノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面にコーティングしてもよいし、ノズルの外側表面全面にコーティングしてもよい。
【００４５】
１つの例としては、各実施形態におけるノズルの材料として、モリブデンを使用する。そして、ノズルを高温中で酸素と反応させて酸化させることによって、ノズルの表面に酸化物（酸化モリブデン）の層を形成する。これによりノズルの表面を酸化物でコーティングしてもよい。さらに好ましくは、オリフィスの内側を除くノズルの外表面のみを酸化物でコーティングして、オリフィスの内側の溶融スズが直接接触する部分にはモリブデン金属を露出させるようにしてもよい。真空中で熱処理されたモリブデン金属表面の接触角は３０°〜７０°であるので、モリブデン金属の表面は濡れ性が高い。すなわち、オリフィスの内側は濡れ性が高いので、溶融スズがノズルに到達しやすくなる。あるいは、モリブデンと同様の高融点材料であるタングステン又はタンタルをノズルの材料として、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面を酸化処理してもよい。
【００４６】
別の例として、ノズルの材料は、溶融スズとほとんど反応しない非金属材料、例えば、炭化珪素、窒化珪素、酸化珪素（石英ガラス等）、酸化アルミニウム（サファイア）、黒鉛、ダイアモンド等でもよい。特に、静電引出型ドロップレット生成システムにおいては、誘電率が低い材料である石英ガラスや炭化珪素が好ましい。
【００４７】
さらに別の例として、プラズマ生成時に発生するイオンによるスパッタ率が低いという観点からは、ノズルの材料としてダイアモンドが好ましい。さらに、オリフィスの内側の溶融スズが直接接触する部分には、溶融スズに対する濡れ性が高くて溶融スズとほとんど反応しない物質（例えば、モリブデン、タンタル、又は、タングステン）をコーティングしてもよい。そして、これらの金属の表面に付着している酸化物層を取り除く処理をすればよい。
【００４８】
７．その他のターゲット供給装置
図８Ａ及び図８Ｂは、第５の実施形態に係るターゲット供給装置を含むドロップレット生成システムの構成を示す一部断面図である。第５の実施形態においては、ターゲット供給装置のノズル本体に、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）等の圧電体とその両端に形成された電極とを含むアクチュエータが配置されている。
【００４９】
ノズルの材料は、金属材料、半導体材料、絶縁材料のいずれでもよいが、図８Ａ及び図８Ｂには、絶縁材料又は半導体材料で作製されたノズルを用いる例が示されている。ノズルの先端部には、オリフィス４３ｇが形成されている。ノズルの材料としては、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料が使用され、少なくともオリフィス４３ｇの出口側の周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質がコーティングされているとよい。コーティングされる物質は、絶縁材料又は半導体材料であることが望ましい。つまり、第５の実施形態に係るノズルは、ノズル本体４３ｄと、コーティング部４３ｅと、アクチュエータ４３ｆとを含んでいると言うことができる。
【００５０】
また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ドロップレットコントローラ５３と、アクチュエータ用電源部５４とを含んでいる。ドロップレットコントローラ５３は、ドロップレット生成信号をアクチュエータ用電源部５４に出力する。アクチュエータ用電源部５４は、ドロップレット生成信号に応答して、アクチュエータ４３ｆの電極にパルス状又は連続波の電圧を印加する。これにより、アクチュエータ４３ｆの圧電体が収縮又は伸張する。
【００５１】
図８Ａに示すように、アクチュエータ４３ｆに電圧を印加して、ノズル本体４３ｄを外側から内側に向けて圧迫する。これにより、ノズル４３ｄ内の液体ターゲット物質にかかる圧力が一時的に上昇し、ノズルから液体ターゲット物質が放出されてドロップレットターゲット２７が生成される。従って、本実施形態においては、図２Ａに示す引出電極４５、絶縁材料４６及びパルス電圧生成器５１は不要としてもよい。圧電体を用いたアクチュエータに限らず、高速でノズル内の液体ターゲット物質を加圧する機構を設けることによって、オンデマンドでドロップレットターゲット２７を生成することが可能となる。
【００５２】
図８Ｂにおいては、溶融スズと反応しない不活性ガス等で液体ターゲット物質を加圧することによって、ノズルから液体ターゲット物質のジェットを放出するようにしている。液体ターゲット物質を加圧する構成は図２Ａに示したものと同様であってよい。図８Ｂにおいてはさらに、アクチュエータ４３ｆを用いて、ノズルに振動を与える。このように、いわゆるコンティニュアスジェット法によってドロップレットを生成する。コンティニュアスジェット法とは、ノズルから放出されたジェットの分断周期を振動によって制御することで、略均一なドロップレットを得るドロップレット生成方法である。
【００５３】
図９は、第６の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、プラズマ生成領域（図１に示すプラズマ生成領域２５に相当）で発生するデブリがノズルに到達する可能性が高い。そこで、第６の実施形態においては、デブリ防御プレート４７を配置して、ノズル４３に到達するデブリの量を低減させてもよい。図９に示すように、デブリ防御プレート４７はノズル４３とプラズマ生成領域との間のドロップレットターゲット２７の軌道上に配置されるとよい。デブリ防御プレート４７は、引出電極４５と共に、絶縁材料４６ａによって支持され、ドロップレットが通過する部分に貫通孔が形成されている。このデブリ防御プレート４７は、耐スパッタ性の高い材料で構成されることが望ましい。ノズルのオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面が、液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質で構成されるようにしているので、ドロップレットターゲットの位置安定性が向上する。結果として、デブリ防御プレートの貫通孔を小さくでき、ノズルに到達するデブリをさらに低減できる。
【００５４】
図１０は、第７の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。第７の実施形態においては、チャンバ２（図１）内の所定の領域に向けて液体ターゲット物質を放出するターゲット放出部として、ノズルの替わりにプレート４８が用いられる。プレート４８の材料としては、絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い材料が使用される。図１０に示すように、プレート４８の出口側の面には、凹部が形成されており、凹部の中央部には、液体ターゲット物質を放出するための貫通孔（オリフィス）が形成されている。プレート４８をこのような形状にしてオリフィス部を流れの方向に薄く形成すると、オリフィス部の溶融スズに接する面積が小さくなる。オリフィス部の接液面積が少ない方が流体に対する擾乱が少なく、ドロップレットの放出方向が安定すると推測される。
【００５５】
図１１は、第８の実施形態に係るターゲット供給装置の一部を示す断面図である。プレートの材料として、絶縁材料又は半導体材料であって、液体ターゲット物質に対する濡れ性が高い材料を使用してもよい。この場合には、少なくともオリフィスの出口側且つオリフィス周囲の領域の表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。従って、プレートは、プレート本体４８ａと、コーティング部４８ｂとを含むことになる。あるいは、プレート本体４８ａの全ての外側表面に、液体ターゲット物質に対する濡れ性が低い物質をコーティングしてもよい。コーティングされる物質は、絶縁材料又は半導体材料であることが望ましい。
【００５６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００５７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００５８】
１…ＥＵＶ光生成装置、 １１…ＥＵＶ光生成システム、 ２…チャンバ、 ２１…ウインドウ、 ２２…レーザ光集光ミラー、 ２３…ＥＵＶ集光ミラー、 ２４…貫通孔、 ２５…プラズマ生成領域、 ２５１、２５２…ＥＵＶ光、 ２６…ドロップレット生成器、 ２７…ドロップレットターゲット、 ２８…ターゲット回収器、 ２９…接続部、 ２９１…壁、 ２９２…中間焦点、 ３…レーザシステム、 ３１〜３３…パルスレーザ光、 ３４…レーザ光進行方向制御装置、 ４…ターゲットセンサ、 ４１…リザーバ、 ４２、４４…ヒータ、 ４３、４３ｃ…ノズル、 ４３ａ、４３ｄ…ノズル本体、 ４３ｂ、４３ｅ…コーティング部、 ４３ｆ…アクチュエータ、 ４３ｇ…オリフィス、 ４５…引出電極、 ４６、４６ａ…絶縁材料、 ４７…デブリ防御プレート、 ４８…プレート、 ４８ａ…プレート本体、 ４８ｂ…コーティング部、 ５…ＥＵＶ光生成制御システム、 ５１…パルス電圧生成器、 ５２…圧力調節器、 ５３…ドロップレットコントローラ、 ５４…アクチュエータ用電源部、 ６…不活性ガスボンベ、 ６…露光装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔が形成され、その貫通孔が前記ターゲット貯蔵部の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔の前記ターゲット貯蔵部とは反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい前記物質が、少なくとも前記貫通孔の出口側且つ貫通孔周囲の領域の表面にコーティングされた物質を含む、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項３】
前記液体ターゲットが溶融スズを含み、
前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい前記物質が、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、黒鉛、ダイアモンド、酸化タングステン、及び、酸化タンタルの内のいずれか１つを含む、
請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記液体ターゲットが溶融スズを含み、
前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい前記物質が、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、黒鉛、ダイアモンド、酸化タングステン、及び、酸化タンタルの内のいずれか１つを含む、
請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
前記液体ターゲット物質に接触する前記ターゲット放出部の前記貫通孔の内表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角をθとして、０度＜θ≦９０度を満たす、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項６】
前記液体ターゲット物質に接触する前記ターゲット放出部の前記貫通孔の内表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角をθとして、０度＜θ≦９０度を満たす、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項７】
前記液体ターゲット物質が溶融スズを含み、
前記貫通孔の内表面が、モリブデン、タングステン、及び、タンタルの内のいずれか１つを含む物質からなる、
請求項５記載のターゲット供給装置。
【請求項８】
前記液体ターゲット物質が溶融スズを含み、
前記貫通孔の内表面が、モリブデン、タングステン、及び、タンタルの内のいずれか１つを含む物質からなる、
請求項６記載のターゲット供給装置。
【請求項９】
請求項１記載のターゲット供給装置を具備する極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
請求項２記載のターゲット供給装置を具備する極端紫外光生成装置。
【請求項１】
少なくとも液体ターゲット物質を内部に貯蔵するターゲット貯蔵部と、
前記液体ターゲット物質が通過するための貫通孔が形成され、その貫通孔が前記ターゲット貯蔵部の内部と連通し、且つ、少なくとも前記貫通孔の前記ターゲット貯蔵部とは反対側且つその貫通孔周囲の領域のターゲット放出部表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい物質からなるターゲット放出部と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい前記物質が、少なくとも前記貫通孔の出口側且つ貫通孔周囲の領域の表面にコーティングされた物質を含む、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項３】
前記液体ターゲットが溶融スズを含み、
前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい前記物質が、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、黒鉛、ダイアモンド、酸化タングステン、及び、酸化タンタルの内のいずれか１つを含む、
請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
前記液体ターゲットが溶融スズを含み、
前記液体ターゲット物質に対する接触角が９０度よりも大きい前記物質が、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、黒鉛、ダイアモンド、酸化タングステン、及び、酸化タンタルの内のいずれか１つを含む、
請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項５】
前記液体ターゲット物質に接触する前記ターゲット放出部の前記貫通孔の内表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角をθとして、０度＜θ≦９０度を満たす、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項６】
前記液体ターゲット物質に接触する前記ターゲット放出部の前記貫通孔の内表面が、前記液体ターゲット物質に対する接触角をθとして、０度＜θ≦９０度を満たす、請求項２記載のターゲット供給装置。
【請求項７】
前記液体ターゲット物質が溶融スズを含み、
前記貫通孔の内表面が、モリブデン、タングステン、及び、タンタルの内のいずれか１つを含む物質からなる、
請求項５記載のターゲット供給装置。
【請求項８】
前記液体ターゲット物質が溶融スズを含み、
前記貫通孔の内表面が、モリブデン、タングステン、及び、タンタルの内のいずれか１つを含む物質からなる、
請求項６記載のターゲット供給装置。
【請求項９】
請求項１記載のターゲット供給装置を具備する極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
請求項２記載のターゲット供給装置を具備する極端紫外光生成装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１６９３５９（Ｐ２０１２−１６９３５９Ａ）
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２７５７６（Ｐ２０１１−２７５７６）
【出願日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発）」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００１２３６）株式会社小松製作所 (1,686)
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発）」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００１２３６）株式会社小松製作所 (1,686)
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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