ミラー装置
【課題】ＥＵＶ集光ミラーを再現性よく位置決めするとともに、ＥＵＶ集光ミラーにおける歪みの発生を抑制する。
【解決手段】基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の突起部とを含むミラーと、複数の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された複数の支持部と、複数の突起部を、複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。
【解決手段】基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の突起部とを含むミラーと、複数の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された複数の支持部と、複数の突起部を、複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ミラー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４１０２６５号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るミラー装置は、基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の突起部とを含むミラーと、複数の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された複数の支持部と、複数の突起部を、複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。
【０００６】
また、本開示の他の観点に係るミラー装置は、基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられ、複数の溝がそれぞれ形成された複数のベース部材とを含むミラーと、複数のベース部材をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数のベース部材の溝によってガイドされる複数の突起部をそれぞれ含む複数の支持部と、上記複数のベース部材を、複数の突起部に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の各実施形態に係るミラー装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、第１の実施形態に係る、第１の支持基板に固定されたミラー支持機構に支持されたＥＵＶ集光ミラーを示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すミラー支持機構のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図３Ａに示す矢印ＩＩＩＣ方向から見たミラー支持機構の側面図である。
【図４】図４Ａは、第２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示すミラー支持機構のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。
【図５】図５Ａは、第３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図５Ｂは、図５Ａに示すミラー支持機構のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。
【図６】図６Ａは、第４の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図６Ｂは、図６Ａに示すミラー支持機構のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図であり、図６Ｃは、第４の実施形態におけるクランプの斜視図である。
【図７】図７Ａは、第５の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図７Ｂは、図７Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。
【図８】図８Ａは、第６の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。
【図９】図９Ａは、第７の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図９Ｂは、図９Ａに示すミラー支持機構のＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。
【図１０】図１０Ａは、第８の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａに示すミラー支持機構のＸＢ−ＸＢ線における断面図であり、図１０Ｃは、第８の実施形態におけるクランプの斜視図である。
【図１１】図１１Ａは、第９の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａに示すミラー支持機構のＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面図である。
【図１２】図１２Ａは、第１０の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１２Ｂは、図１２Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面図である。
【図１３】図１３Ａは、第１１の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１３Ｂは、図１３Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。
【図１４】図１４は、第１２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。
【図１５】図１５は、第１３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。
【実施形態】
【０００８】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．支持部及びクランプ部を備えたミラー装置
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ミラー支持機構の実施形態
４．１ 第１の実施形態
４．２ 第２の実施形態
４．３ 第３の実施形態
４．４ 第４の実施形態
４．５ 第５の実施形態
４．６ 第６の実施形態
４．７ 第７の実施形態
４．８ 第８の実施形態
４．９ 第９の実施形態
４．１０ 第１０の実施形態
４．１１ 第１１の実施形態
４．１２ 第１２の実施形態
４．１３ 第１３の実施形態
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．概要
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラーの反射面の反対側の面に、突起部又は溝部が形成され、当該突起部又は溝部に対応するように、ＥＵＶ集光ミラーを支持する支持部にそれぞれ溝部又は突起部が形成され得る。このような突起部と溝部とがそれぞれ嵌められることにより、ＥＵＶ集光ミラーを再現性よく位置決めすることが可能となる。また、ＥＵＶ集光ミラーが熱膨張した場合には、突起部が溝部に沿って滑動することができるので、ＥＵＶ集光ミラーにおける不均一な歪みの発生を抑制することが可能となる。
【００１１】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えばドロップレット生成器２６）を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。或いは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１３】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５に接続されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１４】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１５】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレットターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１６】
２．２ 動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。
【００１７】
ドロップレット生成器２６からは、ドロップレットターゲット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレットターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレットターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５はターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレットターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレットターゲット２７を出力するタイミングやドロップレットターゲット２７の出力方向等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００１９】
３．支持部及びクランプ部を備えたミラー装置
３．１ 構成
図２は本開示の実施形態に係るミラー装置が適用されたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置において、ＥＵＶ集光ミラー２３は、ミラー支持機構７によってチャンバ２内で支持されてもよい。このミラー支持機構７は、第１の支持基板８１によってチャンバ２内で支持されてもよい。第１の支持基板８１には、貫通孔８４が形成されてもよい。
【００２０】
チャンバ２内において、レーザ光集光光学系２２を構成するミラー２２ａ及び２２ｂが、それぞれミラーホルダ８２ａ及び８２ｂによって支持されてもよい。ミラーホルダ８２ａ及び８２ｂは、いずれも第２の支持基板８３に固定されてもよい。第２の支持基板８３は、第１の支持基板８１によってチャンバ２内に固定されてもよい。
【００２１】
３．２ 動作
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光は、レーザ光進行方向制御部を構成する光学素子である高反射ミラー３４ａ及び３４ｂによって、チャンバ２のウィンドウ２１入射するように導かれ得る。ウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射したパルスレーザ光は、ミラー２２ａ及び２２ｂで反射されて、プラズマ生成領域２５で集光され得る。
【００２２】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマからの輻射熱、及び、パルスレーザ光のうちターゲット物質によって散乱された散乱光等によって加熱され、熱膨張することがある。しかし、本開示のミラー支持機構７によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３を再現性よく位置決めでき、また熱膨張により起こりうるＥＵＶ集光ミラー２３の変形を低減させることができる。
【００２３】
４．ミラー支持機構の実施形態
４．１ 第１の実施形態
図３Ａは、第１の実施形態に係る、第１の支持基板に固定されたミラー支持機構に支持されたＥＵＶ集光ミラーを示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すミラー支持機構のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。図３Ｃは、図３Ａに示す矢印ＩＩＩＣ方向から見たミラー支持機構の側面図である。図示するように、第１の支持基板８１に固定された、たとえば３つのミラー支持機構７が、１つのＥＵＶ集光ミラー２３を支持してもよい。３つのミラー支持機構７は、たとえばＥＵＶ集光ミラー２３の周縁部に、円周方向に略等間隔に離間した位置に設けられてもよい。ミラー支持機構７は、支持部７０と、クランプ７４とを備えてもよい。
【００２４】
支持部７０は、支持部材７１と、溝が形成されたベース部材７２とから構成されてもよい。支持部材７１は、第１の支持基板８１の所定位置に位置決めされて固定されてもよい。ベース部材７２は、支持部材７１の所定位置に位置決めされて固定されてもよい。図３Ｃに示すように、ベース部材７２のＥＵＶ集光ミラー２３側の面には、例えばＶ字状の溝７２１が形成されてもよい。３つのベース部材７２に形成された３つの溝７２１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸を中心として放射状に形成されてもよい。
【００２５】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、基板材としてのミラー基板２３０によって構成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、多層膜（多層反射膜）２３１が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の裏面、すなわち、多層膜２３１が形成された面とは反対側の面には、複数の突起部７３が形成されてもよい。突起部７３の数は、上述の溝７２１の数に相当する数であり、例えば３つである。図３Ｂに示すように、突起部７３は、たとえばミラー基板２３０に一部が埋め込まれた球体によって構成されてもよい。
【００２６】
クランプ７４は、例えばＬ字形状の部材によって構成されてもよい。クランプ７４の第１の端部（支持部側の端部）はボルト７４１によって支持部材７１に固定されてもよい。
【００２７】
クランプ７４の第２の端部（ミラー側の端部）は、ミラー基板２３０を介して突起部７３を溝７２１に押し付けてもよい。これにより、ミラー基板２３０が支持部７０によって支持されてもよい。より具体的には、ミラー基板２３０の側面には３つの穴７５が形成され、これらの穴７５に３つのクランプ７４それぞれの第２の端部が挿入されてもよい。穴７５内の突起部７３側の面には、たとえば球状の窪み７５１が形成されてもよい。クランプ７４の第２の端部には、たとえば窪み７５１の直径より小さな直径を有するボール７４２が固定され、このボール７４２は窪み７５１内面に点接触していてもよい。
【００２８】
これにより、第１の支持基板に垂直な面であって、溝７２１の内面に突起部７３が接触する２点と突起部７３を構成する球体の中心点とを通る面上に、クランプ７４のボール７４２が窪み７５１内面に接触する点が位置するように構成可能となる。この構成により、突起部７３を構成する球体が溝７２１の方向に摺動した場合でも、クランプ７４が撓むため、ボール７４２と窪み７５１との接触点の変動が少ない。結果として、クランプ７４がミラー基板２３０を保持する力の向きは略一定方向に維持され得る。
【００２９】
以上の構成において、３つの放射状に配置される溝７２１に３つの突起部７３がそれぞれ嵌まるようにミラー基板２３０を配置すれば、溝７２１はＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸を中心として放射状に形成されているため、ミラー基板２３０の位置が一意に定まり得る。一般に略円盤状の物体が熱膨張した場合、径方向への変形量が大きい。ミラー基板２３０が加熱されて熱膨張する場合、これらの突起部７３が放射状に配置された溝７２１に沿ってＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸に対して外周方向に滑りながら移動し得る。このように熱膨張に伴って発生する応力を外周方向に逃がすことができる。ミラー基板２３０が冷却されて収縮した場合には、これらの突起部７３が放射状に配置された溝７２１に沿ってＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸に向かう方向に滑りながら移動し得る。この結果、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、ミラー基板２３０の回転対称軸の空間的な位置が変動してしまうことが抑制され得る。
【００３０】
上述のように、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、クランプ７４がミラー基板２３０を保持するための力の向きは略一定方向に維持され得る。また、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、窪み７５１と一緒にクランプ７４のボール７４２が移動し得る。従って、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、ミラー基板２３０に加わる力の変動が少なく、ミラー基板２３０の歪みの発生が抑制され得る。ミラー基板２３０は、ボルト７４１を外してクランプ７４を取り外せば、容易に取り外すことができる。
【００３１】
４．２ 第２の実施形態
図４Ａは、第２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図４Ｂは、図４Ａに示すミラー支持機構のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。図４Ａ及び図４Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ａを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ａ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー支持機構７及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３２】
第２の実施形態に係るミラー支持機構７Ａは、クランプ７４ａのミラー側の端部にボール７４２に代わりにプランジャー７４４が形成されている点で第１の実施形態に係るミラー支持機構７と異なり得る。プランジャー７４４は、ばねが内蔵された突起であり、ミラー基板２３０の窪み７５１内面に点接触することにより、クランプ７４ａのミラー側の端部をミラー基板２３０に位置決めしてもよい。
【００３３】
さらに、ミラー支持機構７Ａは、クランプ７４ａの一部が板ばね７４３によって構成されている点でミラー支持機構７と異なり得る。クランプ７４ａの、第１の支持基板に垂直な方向に延在する部分の少なくとも一部が、板ばね７４３によって構成されてもよい。この構成によれば、プランジャー７４４は、板ばね７４３が撓むことにより、ミラー基板２３０の回転対称軸に対して外周側方向に容易に移動できる。従って、プランジャー７４４は、ミラー基板２３０の温度による膨張又は収縮に容易に追従することができる。
【００３４】
４．３ 第３の実施形態
図５Ａは、第３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図５Ｂは、図５Ａに示すミラー支持機構のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。図５Ａ及び図５Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｂを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ｂ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー支持機構７及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３５】
第３の実施形態に係るミラー支持機構７Ｂでは、クランプ７４ｂにおける板ばね７４５の位置が第２の実施形態に係るミラー支持機構７Ａにおけるものと異なってもよい。第３の実施形態においては、クランプ７４ｂの、第１の支持基板８１に平行な部分の少なくとも一部が、板ばね７４５によって構成されてもよい。この構成によれば、プランジャー７４４は、板ばね７４５が撓むことにより、第１の支持基板８１に垂直な方向に移動できる。従って、ミラー基板２３０の厚み方向に発生する膨張または収縮に伴う応力を逃がすことが可能となる。
【００３６】
４．４ 第４の実施形態
図６Ａは、第４の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図６Ｂは、図６Ａに示すミラー支持機構のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。図６Ｃは、第４の実施形態におけるクランプの斜視図である。図６Ａ及び図６Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｃを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ｃ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー支持機構７及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３７】
第４の実施形態に係るミラー支持機構７Ｃでは、クランプ７４ｃの形状が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第４の実施形態におけるクランプ７４ｃは、支持部側の端部が二股に分かれていてもよい。クランプ７４ｃの支持部側の端部は、溝が形成されたベース部材７２の上面に、ボルト７４１によってそれぞれ固定されてもよい。以上の構成において、第１の支持基板８１に垂直な面であって、クランプ７４ｃを固定する２つのボルト７４１のそれぞれの中心点と、プランジャー７４４がミラー基板２３０と接触する点とを含む面内に、突起部７３を構成する球体の中心が位置しているのが好ましい。これにより、クランプ７４ｃがミラー基板２３０を保持する力の向きが略一定方向に維持され得る。
【００３８】
４．５ 第５の実施形態
図７Ａは、第５の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図７Ｂは、図７Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。図７Ａ及び図７Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｄを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３９】
第５の実施形態に係るミラー支持機構７Ｄでは、クランプ７４ｄの形状が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第５の実施形態におけるクランプ７４ｄは、支持部側の端部が二股に分かれている。クランプ７４ｄの支持部側の端部は、溝が形成されたベース部材７２の側面に、ピン７４５によって位置決めされてもよい。クランプ７４ｄは、ベース部材７２の側面に、ボルト７４１によって固定されてもよい。以上の構成において、第１の支持基板８１に垂直な面であって、ピン７４５によってクランプ７４ｄが位置決めされる２つの点と、プランジャー７４４がミラー基板２３０に接触する点とを含む面内に、突起部７３を構成する球体の中心が位置しているのが好ましい。これにより、クランプ７４ｄがミラー基板２３０を保持する力の向きが略一定方向に維持され得る。
【００４０】
４．６ 第６の実施形態
図８Ａは、第６の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図８Ｂは、図８Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｅを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００４１】
第６の実施形態に係るミラー支持機構７Ｅでは、クランプ７４ｅの構造及び機能が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第６の実施形態におけるクランプ７４ｅは、支持部側の端部に、傾斜面７４８が形成されたクランプ本体７４６と、傾斜面７４８に対向する傾斜面７４９が形成された押込み部７４７（図８Ｂ参照）とを含んでもよい。ボルト７４１は、クランプ７４ｅの押込み部７４７に形成された貫通孔と、クランプ本体７４６に形成された貫通孔とを貫通して、支持部材７１にねじ込まれてもよい。クランプ本体７４６の貫通孔は、その長手方向が図８における紙面上下方向となるよう形成され、クランプ本体７４６の図面上下方向の動きを許容してもよい。
【００４２】
以上の構成において、ボルト７４１が支持部材７１にねじ込まれると、傾斜面７４８と傾斜面７４９とによってクランプ本体７４６が図面下方に押され得る。これにより、クランプ７４ｅのプランジャー７４４がミラー基板２３０を保持する力の向きを略一定方向に維持しつつ保持力を増加することができる。
【００４３】
４．７ 第７の実施形態
図９Ａは、第７の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すミラー支持機構のＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。図９Ａ及び図９Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｆを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。
【００４４】
第７の実施形態によるミラー支持機構７Ｆでは、突起部７３ｆの構成が上述の実施形態における突起部７３の構成と異なってもよい。第７の実施形態における突起部７３ｆは、台座部７３２と球体７３３とを含んでもよい。台座部７３２は、ミラー基板２３０の裏面側に固定されてもよい。台座部７３２には、球体７３３の一部が嵌合されているとともに、穴７５ｆが形成されてもよい。第７の実施形態では、ミラー基板２３０に穴７５ｆは形成されなくてもよい。台座部７３２に形成された穴７５ｆには、プランジャー７４４を含むクランプ７４ｆのミラー側の端部が挿入され、プランジャー７４４によって、突起部７３ｆの球体７３３が溝７２１に向かって押し付けられてもよい。なお、クランプ７４ｆは上述のクランプ７４ｂと同様に構成されてもよい。球体７３３は台座部７３２とは別部品で構成されているので、球体７３３が溝７２１内を転がることができる。この結果、ミラー基板２３０が膨張または収縮する際に、球体７３３が溝７２１内面から受ける摩擦力を低減できる。
【００４５】
４．８ 第８の実施形態
図１０Ａは、第８の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示すミラー支持機構のＸＢ−ＸＢ線における断面図である。図１０Ｃは、第８の実施形態におけるクランプの斜視図である。図１０Ａ及び図１０Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｇを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第７の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００４６】
第８の実施形態によるミラー支持機構７Ｇでは、クランプ７４ｇの形状が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第８の実施形態においては、クランプ７４ｇの両端が、溝が形成されたベース部材７２の上面にボルト７４１によって固定されてもよい。また、クランプ７４ｇの中央部は、板ばね７４８によって構成されてもよい。クランプ７４ｇの中央部は、台座部７３２の切れ込み７５ｇに差し込まれ、クランプ７４ｇの中央部に形成されたプランジャー７４４が、切れ込み７５ｇ内の窪み７５１に嵌合され得る。以上の構成において、第１の支持基板８１に垂直な面であって、２つのボルト７４１によってクランプ７４ｇがベース部材７２に固定される個所のそれぞれの中心点と、プランジャー７４４がミラー基板２３０と接触する点とを含む面内に、突起部７３ｇを構成する球体７３３の中心が位置しているのが好ましい。これにより、クランプ７４ｇがミラー基板２３０を保持する力の向きが略一定方向に維持され得る。
【００４７】
４．９ 第９の実施形態
図１１Ａは、第９の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示すミラー支持機構のＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面図である。図１１Ａ及び図１１Ｂには、簡略化のためミラー支持機構７Ｈを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第７の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００４８】
第９の実施形態に係るミラー支持機構７Ｈは、溝７２１が形成されたベース部材７２ｈがミラー基板２３０の裏面側に固定され、突起部７３が形成されたベース部材７６ｈが支持部材７１に固定されている点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。溝７２１は、ベース部材７２ｈの支持部材７１側の面に形成されてもよい。突起部７３は、ベース部材７６ｈのミラー基板２３０側の面に形成されてもよい。
【００４９】
クランプ７４ｈのプランジャー７４４は、ベース部材７２ｈに形成された穴７５ｈ内において、溝７２１の内面が突起部７３の中心に向かって押し付けられるようにベース部材７２ｈを付勢してもよい。穴７５ｈ内には、プランジャー７４４に対応する窪みは形成されておらず、プランジャー７４４は穴７５ｈ内面に対して摺動することができる。
【００５０】
このような構成において、ミラー基板２３０が温度変化に応じて膨張又は収縮した場合でも、ベース部材７２ｈが溝７２１内面に沿って、突起部７３に対して移動できる。また、ミラー基板２３０の膨張又は収縮に伴って、穴７５ｈが形成されたベース部材７２ｈが移動しても、プランジャー７４４は穴７５ｈ内面に対して摺動することができる。従って、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、クランプ７４ｈがミラー基板２３０を保持する力の向きは略一定方向に維持され得る。これにより、ミラー基板２３０の不均一な歪みの発生が抑制され得る。
【００５１】
４．１０ 第１０の実施形態
図１２Ａは、第１０の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂにおいては、簡略化のためミラー支持機構７Ｉを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。
【００５２】
第１０の実施形態に係るミラー支持機構７Ｉは、クランプを備えていない代わりに、突起部７３ｉと、溝が形成されたベース部材７２ｉとが互いに引き合うように磁性体を含んでよい点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。例えば、突起部７３ｉが鉄等の磁性を有する金属等の強磁性材料で構成され、ベース部材７２ｉがフェライト磁石やネオジム磁石等の永久磁石で構成されてもよい。これにより、強磁性材料と磁石とが磁力によって引き合うので、突起部７３ｉがベース部材７２ｉに押し付けられ得る。
【００５３】
以上の構成において、ミラー基板２３０が温度変化に応じて膨張又は収縮しても、突起部７３ｉが溝７２１に押し付けられた状態で溝７２１に沿って滑りながら移動し得る。これにより、ミラー基板２３０の不均一な歪みの発生が抑制され得る。
【００５４】
４．１１ 第１１の実施形態
図１３Ａは、第１１の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｊを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ｊ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１０の実施形態におけるミラー支持機構７Ｉ及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００５５】
第１１の実施形態に係るミラー支持機構７Ｊは、クランプを備えていない代わりに、溝が形成されたベース部材７２ｊと突起部７３ｊとが互いに引き合うように磁性体を含んでもよい点で、第１〜第９の実施形態とは異なってもよい。例えば、ベース部材７２ｊがフェライト磁石やネオジム磁石等の永久磁石で構成され、突起部７３ｊが鉄等の磁性を有する金属等の強磁性材料で構成されてもよい。強磁性材料と磁石とが磁力によって引き合うことで、ベース部材７２ｊが突起部７３ｊに押し付けられ得る。
【００５６】
以上の構成において、ミラー基板２３０が温度変化に応じて膨張又は収縮しても、溝７２１が突起部７３ｊ対して滑りながら移動し得る。これにより、ミラー基板２３０の不均一な歪みの発生が抑制され得る。
【００５７】
４．１２ 第１２の実施形態
図１４は、第１２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１４は、簡略化のため、ミラー支持機構７Ｋを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。また、図１４は、図面の簡略化のため、ミラー支持機構７Ｋの内の支持部材７１、ベース部材７２ｋ及び突起部７３のみを示している。
【００５８】
第１２の実施形態に係るミラー支持機構７Ｋは、ベース部材７２ｋに形成された溝７２２の断面がＶ字状ではなく、平らな底面７２３を有している点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。このように、溝７２２は、突起部７３によって加圧される方向に向かって収束する一対の斜面を有していればよく、断面がＶ字状でなくてもよい。
【００５９】
４．１３ 第１３の実施形態
図１５は、第１３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１５は、簡略化のためミラー支持機構７Ｌを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。また、図１５は、図面の簡略化のためミラー支持機構７Ｌの内の支持部材７１、ベース部材７２及び突起部７３１のみを示している。
【００６０】
第１３の実施形態に係るミラー支持機構７Ｌは、突起部７３１が球体ではなく、先端に球面部を有する棒状である点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。なお、突起部７３１は、溝７２１の一対の斜面に対してそれぞれ点接触する形状を有していればよく、球体でなくてもよい。
【００６１】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００６２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００６３】
１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御システム、６…露光装置、７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ、７Ｆ、７Ｇ、７Ｈ、７Ｉ、７Ｊ、７Ｋ、７Ｌ…ミラー支持機構、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウィンドウ、２２…レーザ光集光光学系、２２ａ、２２ｂ…ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ドロップレット生成器、２７…ドロップレットターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３４ａ、３４ｂ…高反射ミラー、７０…支持部、７１…支持部材、７２、７２ｈ、７２ｉ、７２ｊ、７２ｋ…ベース部材、７３、７３ｆ、７３ｇ、７３ｉ、７３ｊ…突起部、７４、７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、７４ｆ、７４ｇ、７４ｈ…クランプ、７５、７５ｆ、７５ｇ、７５ｈ…穴、７５ｂ…切れ込み、７６ｈ、７６ｊ…ベース部材、８１…第１の支持基板、８２ａ、８２ｂ…ミラーホルダ、８３…第２の支持基板、８４…貫通孔、２３０…ミラー基板、２３１…多層膜、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間焦点、７２１、７２２…溝、７２３…底面、７３１…突起部、７３２…台座部、７３３…球体、７４１…ボルト、７４２…ボール、７４４…プランジャー、７４５…ピン、７４６…クランプ本体、７４７…押込み部
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ミラー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４１０２６５号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るミラー装置は、基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の突起部とを含むミラーと、複数の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された複数の支持部と、複数の突起部を、複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。
【０００６】
また、本開示の他の観点に係るミラー装置は、基板材と、基板材の第１の面に設けられた反射膜と、基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられ、複数の溝がそれぞれ形成された複数のベース部材とを含むミラーと、複数のベース部材をそれぞれ支持する複数の支持部であって、複数のベース部材の溝によってガイドされる複数の突起部をそれぞれ含む複数の支持部と、上記複数のベース部材を、複数の突起部に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、を備えていても良い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の各実施形態に係るミラー装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、第１の実施形態に係る、第１の支持基板に固定されたミラー支持機構に支持されたＥＵＶ集光ミラーを示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示すミラー支持機構のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図３Ａに示す矢印ＩＩＩＣ方向から見たミラー支持機構の側面図である。
【図４】図４Ａは、第２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示すミラー支持機構のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。
【図５】図５Ａは、第３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図５Ｂは、図５Ａに示すミラー支持機構のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。
【図６】図６Ａは、第４の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図６Ｂは、図６Ａに示すミラー支持機構のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図であり、図６Ｃは、第４の実施形態におけるクランプの斜視図である。
【図７】図７Ａは、第５の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図７Ｂは、図７Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。
【図８】図８Ａは、第６の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。
【図９】図９Ａは、第７の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図９Ｂは、図９Ａに示すミラー支持機構のＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。
【図１０】図１０Ａは、第８の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａに示すミラー支持機構のＸＢ−ＸＢ線における断面図であり、図１０Ｃは、第８の実施形態におけるクランプの斜視図である。
【図１１】図１１Ａは、第９の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａに示すミラー支持機構のＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面図である。
【図１２】図１２Ａは、第１０の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１２Ｂは、図１２Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面図である。
【図１３】図１３Ａは、第１１の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図であり、図１３Ｂは、図１３Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。
【図１４】図１４は、第１２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。
【図１５】図１５は、第１３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。
【実施形態】
【０００８】
内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．支持部及びクランプ部を備えたミラー装置
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ミラー支持機構の実施形態
４．１ 第１の実施形態
４．２ 第２の実施形態
４．３ 第３の実施形態
４．４ 第４の実施形態
４．５ 第５の実施形態
４．６ 第６の実施形態
４．７ 第７の実施形態
４．８ 第８の実施形態
４．９ 第９の実施形態
４．１０ 第１０の実施形態
４．１１ 第１１の実施形態
４．１２ 第１２の実施形態
４．１３ 第１３の実施形態
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
１．概要
本開示の実施形態においては、ＥＵＶ集光ミラーの反射面の反対側の面に、突起部又は溝部が形成され、当該突起部又は溝部に対応するように、ＥＵＶ集光ミラーを支持する支持部にそれぞれ溝部又は突起部が形成され得る。このような突起部と溝部とがそれぞれ嵌められることにより、ＥＵＶ集光ミラーを再現性よく位置決めすることが可能となる。また、ＥＵＶ集光ミラーが熱膨張した場合には、突起部が溝部に沿って滑動することができるので、ＥＵＶ集光ミラーにおける不均一な歪みの発生を抑制することが可能となる。
【００１１】
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えばドロップレット生成器２６）を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。或いは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置又はその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１３】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５に接続されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。
【００１４】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１５】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレットターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１６】
２．２ 動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレットターゲット２７に照射されてもよい。
【００１７】
ドロップレット生成器２６からは、ドロップレットターゲット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレットターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光が照射されたドロップレットターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレットターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５はターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレットターゲット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレットターゲット２７を出力するタイミングやドロップレットターゲット２７の出力方向等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加することもできる。
【００１９】
３．支持部及びクランプ部を備えたミラー装置
３．１ 構成
図２は本開示の実施形態に係るミラー装置が適用されたＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置において、ＥＵＶ集光ミラー２３は、ミラー支持機構７によってチャンバ２内で支持されてもよい。このミラー支持機構７は、第１の支持基板８１によってチャンバ２内で支持されてもよい。第１の支持基板８１には、貫通孔８４が形成されてもよい。
【００２０】
チャンバ２内において、レーザ光集光光学系２２を構成するミラー２２ａ及び２２ｂが、それぞれミラーホルダ８２ａ及び８２ｂによって支持されてもよい。ミラーホルダ８２ａ及び８２ｂは、いずれも第２の支持基板８３に固定されてもよい。第２の支持基板８３は、第１の支持基板８１によってチャンバ２内に固定されてもよい。
【００２１】
３．２ 動作
レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光は、レーザ光進行方向制御部を構成する光学素子である高反射ミラー３４ａ及び３４ｂによって、チャンバ２のウィンドウ２１入射するように導かれ得る。ウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射したパルスレーザ光は、ミラー２２ａ及び２２ｂで反射されて、プラズマ生成領域２５で集光され得る。
【００２２】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、プラズマからの輻射熱、及び、パルスレーザ光のうちターゲット物質によって散乱された散乱光等によって加熱され、熱膨張することがある。しかし、本開示のミラー支持機構７によれば、ＥＵＶ集光ミラー２３を再現性よく位置決めでき、また熱膨張により起こりうるＥＵＶ集光ミラー２３の変形を低減させることができる。
【００２３】
４．ミラー支持機構の実施形態
４．１ 第１の実施形態
図３Ａは、第１の実施形態に係る、第１の支持基板に固定されたミラー支持機構に支持されたＥＵＶ集光ミラーを示す平面図である。図３Ｂは、図３Ａに示すミラー支持機構のＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。図３Ｃは、図３Ａに示す矢印ＩＩＩＣ方向から見たミラー支持機構の側面図である。図示するように、第１の支持基板８１に固定された、たとえば３つのミラー支持機構７が、１つのＥＵＶ集光ミラー２３を支持してもよい。３つのミラー支持機構７は、たとえばＥＵＶ集光ミラー２３の周縁部に、円周方向に略等間隔に離間した位置に設けられてもよい。ミラー支持機構７は、支持部７０と、クランプ７４とを備えてもよい。
【００２４】
支持部７０は、支持部材７１と、溝が形成されたベース部材７２とから構成されてもよい。支持部材７１は、第１の支持基板８１の所定位置に位置決めされて固定されてもよい。ベース部材７２は、支持部材７１の所定位置に位置決めされて固定されてもよい。図３Ｃに示すように、ベース部材７２のＥＵＶ集光ミラー２３側の面には、例えばＶ字状の溝７２１が形成されてもよい。３つのベース部材７２に形成された３つの溝７２１は、ＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸を中心として放射状に形成されてもよい。
【００２５】
ＥＵＶ集光ミラー２３は、基板材としてのミラー基板２３０によって構成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、多層膜（多層反射膜）２３１が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の裏面、すなわち、多層膜２３１が形成された面とは反対側の面には、複数の突起部７３が形成されてもよい。突起部７３の数は、上述の溝７２１の数に相当する数であり、例えば３つである。図３Ｂに示すように、突起部７３は、たとえばミラー基板２３０に一部が埋め込まれた球体によって構成されてもよい。
【００２６】
クランプ７４は、例えばＬ字形状の部材によって構成されてもよい。クランプ７４の第１の端部（支持部側の端部）はボルト７４１によって支持部材７１に固定されてもよい。
【００２７】
クランプ７４の第２の端部（ミラー側の端部）は、ミラー基板２３０を介して突起部７３を溝７２１に押し付けてもよい。これにより、ミラー基板２３０が支持部７０によって支持されてもよい。より具体的には、ミラー基板２３０の側面には３つの穴７５が形成され、これらの穴７５に３つのクランプ７４それぞれの第２の端部が挿入されてもよい。穴７５内の突起部７３側の面には、たとえば球状の窪み７５１が形成されてもよい。クランプ７４の第２の端部には、たとえば窪み７５１の直径より小さな直径を有するボール７４２が固定され、このボール７４２は窪み７５１内面に点接触していてもよい。
【００２８】
これにより、第１の支持基板に垂直な面であって、溝７２１の内面に突起部７３が接触する２点と突起部７３を構成する球体の中心点とを通る面上に、クランプ７４のボール７４２が窪み７５１内面に接触する点が位置するように構成可能となる。この構成により、突起部７３を構成する球体が溝７２１の方向に摺動した場合でも、クランプ７４が撓むため、ボール７４２と窪み７５１との接触点の変動が少ない。結果として、クランプ７４がミラー基板２３０を保持する力の向きは略一定方向に維持され得る。
【００２９】
以上の構成において、３つの放射状に配置される溝７２１に３つの突起部７３がそれぞれ嵌まるようにミラー基板２３０を配置すれば、溝７２１はＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸を中心として放射状に形成されているため、ミラー基板２３０の位置が一意に定まり得る。一般に略円盤状の物体が熱膨張した場合、径方向への変形量が大きい。ミラー基板２３０が加熱されて熱膨張する場合、これらの突起部７３が放射状に配置された溝７２１に沿ってＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸に対して外周方向に滑りながら移動し得る。このように熱膨張に伴って発生する応力を外周方向に逃がすことができる。ミラー基板２３０が冷却されて収縮した場合には、これらの突起部７３が放射状に配置された溝７２１に沿ってＥＵＶ集光ミラー２３の回転対称軸に向かう方向に滑りながら移動し得る。この結果、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、ミラー基板２３０の回転対称軸の空間的な位置が変動してしまうことが抑制され得る。
【００３０】
上述のように、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、クランプ７４がミラー基板２３０を保持するための力の向きは略一定方向に維持され得る。また、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、窪み７５１と一緒にクランプ７４のボール７４２が移動し得る。従って、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、ミラー基板２３０に加わる力の変動が少なく、ミラー基板２３０の歪みの発生が抑制され得る。ミラー基板２３０は、ボルト７４１を外してクランプ７４を取り外せば、容易に取り外すことができる。
【００３１】
４．２ 第２の実施形態
図４Ａは、第２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図４Ｂは、図４Ａに示すミラー支持機構のＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。図４Ａ及び図４Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ａを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ａ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー支持機構７及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３２】
第２の実施形態に係るミラー支持機構７Ａは、クランプ７４ａのミラー側の端部にボール７４２に代わりにプランジャー７４４が形成されている点で第１の実施形態に係るミラー支持機構７と異なり得る。プランジャー７４４は、ばねが内蔵された突起であり、ミラー基板２３０の窪み７５１内面に点接触することにより、クランプ７４ａのミラー側の端部をミラー基板２３０に位置決めしてもよい。
【００３３】
さらに、ミラー支持機構７Ａは、クランプ７４ａの一部が板ばね７４３によって構成されている点でミラー支持機構７と異なり得る。クランプ７４ａの、第１の支持基板に垂直な方向に延在する部分の少なくとも一部が、板ばね７４３によって構成されてもよい。この構成によれば、プランジャー７４４は、板ばね７４３が撓むことにより、ミラー基板２３０の回転対称軸に対して外周側方向に容易に移動できる。従って、プランジャー７４４は、ミラー基板２３０の温度による膨張又は収縮に容易に追従することができる。
【００３４】
４．３ 第３の実施形態
図５Ａは、第３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図５Ｂは、図５Ａに示すミラー支持機構のＶＢ−ＶＢ線における断面図である。図５Ａ及び図５Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｂを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ｂ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー支持機構７及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３５】
第３の実施形態に係るミラー支持機構７Ｂでは、クランプ７４ｂにおける板ばね７４５の位置が第２の実施形態に係るミラー支持機構７Ａにおけるものと異なってもよい。第３の実施形態においては、クランプ７４ｂの、第１の支持基板８１に平行な部分の少なくとも一部が、板ばね７４５によって構成されてもよい。この構成によれば、プランジャー７４４は、板ばね７４５が撓むことにより、第１の支持基板８１に垂直な方向に移動できる。従って、ミラー基板２３０の厚み方向に発生する膨張または収縮に伴う応力を逃がすことが可能となる。
【００３６】
４．４ 第４の実施形態
図６Ａは、第４の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図６Ｂは、図６Ａに示すミラー支持機構のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。図６Ｃは、第４の実施形態におけるクランプの斜視図である。図６Ａ及び図６Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｃを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ｃ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー支持機構７及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３７】
第４の実施形態に係るミラー支持機構７Ｃでは、クランプ７４ｃの形状が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第４の実施形態におけるクランプ７４ｃは、支持部側の端部が二股に分かれていてもよい。クランプ７４ｃの支持部側の端部は、溝が形成されたベース部材７２の上面に、ボルト７４１によってそれぞれ固定されてもよい。以上の構成において、第１の支持基板８１に垂直な面であって、クランプ７４ｃを固定する２つのボルト７４１のそれぞれの中心点と、プランジャー７４４がミラー基板２３０と接触する点とを含む面内に、突起部７３を構成する球体の中心が位置しているのが好ましい。これにより、クランプ７４ｃがミラー基板２３０を保持する力の向きが略一定方向に維持され得る。
【００３８】
４．５ 第５の実施形態
図７Ａは、第５の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図７Ｂは、図７Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。図７Ａ及び図７Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｄを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００３９】
第５の実施形態に係るミラー支持機構７Ｄでは、クランプ７４ｄの形状が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第５の実施形態におけるクランプ７４ｄは、支持部側の端部が二股に分かれている。クランプ７４ｄの支持部側の端部は、溝が形成されたベース部材７２の側面に、ピン７４５によって位置決めされてもよい。クランプ７４ｄは、ベース部材７２の側面に、ボルト７４１によって固定されてもよい。以上の構成において、第１の支持基板８１に垂直な面であって、ピン７４５によってクランプ７４ｄが位置決めされる２つの点と、プランジャー７４４がミラー基板２３０に接触する点とを含む面内に、突起部７３を構成する球体の中心が位置しているのが好ましい。これにより、クランプ７４ｄがミラー基板２３０を保持する力の向きが略一定方向に維持され得る。
【００４０】
４．６ 第６の実施形態
図８Ａは、第６の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図８Ｂは、図８Ａに示すミラー支持機構のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面図である。図８Ａ及び図８Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｅを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第１の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００４１】
第６の実施形態に係るミラー支持機構７Ｅでは、クランプ７４ｅの構造及び機能が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第６の実施形態におけるクランプ７４ｅは、支持部側の端部に、傾斜面７４８が形成されたクランプ本体７４６と、傾斜面７４８に対向する傾斜面７４９が形成された押込み部７４７（図８Ｂ参照）とを含んでもよい。ボルト７４１は、クランプ７４ｅの押込み部７４７に形成された貫通孔と、クランプ本体７４６に形成された貫通孔とを貫通して、支持部材７１にねじ込まれてもよい。クランプ本体７４６の貫通孔は、その長手方向が図８における紙面上下方向となるよう形成され、クランプ本体７４６の図面上下方向の動きを許容してもよい。
【００４２】
以上の構成において、ボルト７４１が支持部材７１にねじ込まれると、傾斜面７４８と傾斜面７４９とによってクランプ本体７４６が図面下方に押され得る。これにより、クランプ７４ｅのプランジャー７４４がミラー基板２３０を保持する力の向きを略一定方向に維持しつつ保持力を増加することができる。
【００４３】
４．７ 第７の実施形態
図９Ａは、第７の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図９Ｂは、図９Ａに示すミラー支持機構のＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面図である。図９Ａ及び図９Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｆを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。
【００４４】
第７の実施形態によるミラー支持機構７Ｆでは、突起部７３ｆの構成が上述の実施形態における突起部７３の構成と異なってもよい。第７の実施形態における突起部７３ｆは、台座部７３２と球体７３３とを含んでもよい。台座部７３２は、ミラー基板２３０の裏面側に固定されてもよい。台座部７３２には、球体７３３の一部が嵌合されているとともに、穴７５ｆが形成されてもよい。第７の実施形態では、ミラー基板２３０に穴７５ｆは形成されなくてもよい。台座部７３２に形成された穴７５ｆには、プランジャー７４４を含むクランプ７４ｆのミラー側の端部が挿入され、プランジャー７４４によって、突起部７３ｆの球体７３３が溝７２１に向かって押し付けられてもよい。なお、クランプ７４ｆは上述のクランプ７４ｂと同様に構成されてもよい。球体７３３は台座部７３２とは別部品で構成されているので、球体７３３が溝７２１内を転がることができる。この結果、ミラー基板２３０が膨張または収縮する際に、球体７３３が溝７２１内面から受ける摩擦力を低減できる。
【００４５】
４．８ 第８の実施形態
図１０Ａは、第８の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示すミラー支持機構のＸＢ−ＸＢ線における断面図である。図１０Ｃは、第８の実施形態におけるクランプの斜視図である。図１０Ａ及び図１０Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｇを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第７の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００４６】
第８の実施形態によるミラー支持機構７Ｇでは、クランプ７４ｇの形状が上述の実施形態におけるものと異なってもよい。第８の実施形態においては、クランプ７４ｇの両端が、溝が形成されたベース部材７２の上面にボルト７４１によって固定されてもよい。また、クランプ７４ｇの中央部は、板ばね７４８によって構成されてもよい。クランプ７４ｇの中央部は、台座部７３２の切れ込み７５ｇに差し込まれ、クランプ７４ｇの中央部に形成されたプランジャー７４４が、切れ込み７５ｇ内の窪み７５１に嵌合され得る。以上の構成において、第１の支持基板８１に垂直な面であって、２つのボルト７４１によってクランプ７４ｇがベース部材７２に固定される個所のそれぞれの中心点と、プランジャー７４４がミラー基板２３０と接触する点とを含む面内に、突起部７３ｇを構成する球体７３３の中心が位置しているのが好ましい。これにより、クランプ７４ｇがミラー基板２３０を保持する力の向きが略一定方向に維持され得る。
【００４７】
４．９ 第９の実施形態
図１１Ａは、第９の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示すミラー支持機構のＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面図である。図１１Ａ及び図１１Ｂには、簡略化のためミラー支持機構７Ｈを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー基板２３０の全体的な構成は第７の実施形態におけるミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００４８】
第９の実施形態に係るミラー支持機構７Ｈは、溝７２１が形成されたベース部材７２ｈがミラー基板２３０の裏面側に固定され、突起部７３が形成されたベース部材７６ｈが支持部材７１に固定されている点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。溝７２１は、ベース部材７２ｈの支持部材７１側の面に形成されてもよい。突起部７３は、ベース部材７６ｈのミラー基板２３０側の面に形成されてもよい。
【００４９】
クランプ７４ｈのプランジャー７４４は、ベース部材７２ｈに形成された穴７５ｈ内において、溝７２１の内面が突起部７３の中心に向かって押し付けられるようにベース部材７２ｈを付勢してもよい。穴７５ｈ内には、プランジャー７４４に対応する窪みは形成されておらず、プランジャー７４４は穴７５ｈ内面に対して摺動することができる。
【００５０】
このような構成において、ミラー基板２３０が温度変化に応じて膨張又は収縮した場合でも、ベース部材７２ｈが溝７２１内面に沿って、突起部７３に対して移動できる。また、ミラー基板２３０の膨張又は収縮に伴って、穴７５ｈが形成されたベース部材７２ｈが移動しても、プランジャー７４４は穴７５ｈ内面に対して摺動することができる。従って、ミラー基板２３０が膨張又は収縮しても、クランプ７４ｈがミラー基板２３０を保持する力の向きは略一定方向に維持され得る。これにより、ミラー基板２３０の不均一な歪みの発生が抑制され得る。
【００５１】
４．１０ 第１０の実施形態
図１２Ａは、第１０の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面図である。図１２Ａ及び図１２Ｂにおいては、簡略化のためミラー支持機構７Ｉを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。
【００５２】
第１０の実施形態に係るミラー支持機構７Ｉは、クランプを備えていない代わりに、突起部７３ｉと、溝が形成されたベース部材７２ｉとが互いに引き合うように磁性体を含んでよい点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。例えば、突起部７３ｉが鉄等の磁性を有する金属等の強磁性材料で構成され、ベース部材７２ｉがフェライト磁石やネオジム磁石等の永久磁石で構成されてもよい。これにより、強磁性材料と磁石とが磁力によって引き合うので、突起部７３ｉがベース部材７２ｉに押し付けられ得る。
【００５３】
以上の構成において、ミラー基板２３０が温度変化に応じて膨張又は収縮しても、突起部７３ｉが溝７２１に押し付けられた状態で溝７２１に沿って滑りながら移動し得る。これにより、ミラー基板２３０の不均一な歪みの発生が抑制され得る。
【００５４】
４．１１ 第１１の実施形態
図１３Ａは、第１１の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示すミラー支持機構のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。図１３Ａ及び図１３Ｂは、簡略化のためミラー支持機構７Ｊを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。ミラー支持機構７Ｊ及びミラー基板２３０の全体的な構成は第１０の実施形態におけるミラー支持機構７Ｉ及びミラー基板２３０の構成と同様でよい。
【００５５】
第１１の実施形態に係るミラー支持機構７Ｊは、クランプを備えていない代わりに、溝が形成されたベース部材７２ｊと突起部７３ｊとが互いに引き合うように磁性体を含んでもよい点で、第１〜第９の実施形態とは異なってもよい。例えば、ベース部材７２ｊがフェライト磁石やネオジム磁石等の永久磁石で構成され、突起部７３ｊが鉄等の磁性を有する金属等の強磁性材料で構成されてもよい。強磁性材料と磁石とが磁力によって引き合うことで、ベース部材７２ｊが突起部７３ｊに押し付けられ得る。
【００５６】
以上の構成において、ミラー基板２３０が温度変化に応じて膨張又は収縮しても、溝７２１が突起部７３ｊ対して滑りながら移動し得る。これにより、ミラー基板２３０の不均一な歪みの発生が抑制され得る。
【００５７】
４．１２ 第１２の実施形態
図１４は、第１２の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１４は、簡略化のため、ミラー支持機構７Ｋを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。また、図１４は、図面の簡略化のため、ミラー支持機構７Ｋの内の支持部材７１、ベース部材７２ｋ及び突起部７３のみを示している。
【００５８】
第１２の実施形態に係るミラー支持機構７Ｋは、ベース部材７２ｋに形成された溝７２２の断面がＶ字状ではなく、平らな底面７２３を有している点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。このように、溝７２２は、突起部７３によって加圧される方向に向かって収束する一対の斜面を有していればよく、断面がＶ字状でなくてもよい。
【００５９】
４．１３ 第１３の実施形態
図１５は、第１３の実施形態に係るミラー支持機構を示す側面図である。図１５は、簡略化のためミラー支持機構７Ｌを１つのみ示しており、また、ミラー基板２３０の一部のみを示している。また、図１５は、図面の簡略化のためミラー支持機構７Ｌの内の支持部材７１、ベース部材７２及び突起部７３１のみを示している。
【００６０】
第１３の実施形態に係るミラー支持機構７Ｌは、突起部７３１が球体ではなく、先端に球面部を有する棒状である点で、上述の実施形態に係るミラー支持機構とは異なってもよい。なお、突起部７３１は、溝７２１の一対の斜面に対してそれぞれ点接触する形状を有していればよく、球体でなくてもよい。
【００６１】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００６２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００６３】
１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御システム、６…露光装置、７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ、７Ｆ、７Ｇ、７Ｈ、７Ｉ、７Ｊ、７Ｋ、７Ｌ…ミラー支持機構、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウィンドウ、２２…レーザ光集光光学系、２２ａ、２２ｂ…ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ドロップレット生成器、２７…ドロップレットターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３４ａ、３４ｂ…高反射ミラー、７０…支持部、７１…支持部材、７２、７２ｈ、７２ｉ、７２ｊ、７２ｋ…ベース部材、７３、７３ｆ、７３ｇ、７３ｉ、７３ｊ…突起部、７４、７４ａ、７４ｂ、７４ｃ、７４ｄ、７４ｅ、７４ｆ、７４ｇ、７４ｈ…クランプ、７５、７５ｆ、７５ｇ、７５ｈ…穴、７５ｂ…切れ込み、７６ｈ、７６ｊ…ベース部材、８１…第１の支持基板、８２ａ、８２ｂ…ミラーホルダ、８３…第２の支持基板、８４…貫通孔、２３０…ミラー基板、２３１…多層膜、２５１、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間焦点、７２１、７２２…溝、７２３…底面、７３１…突起部、７３２…台座部、７３３…球体、７４１…ボルト、７４２…ボール、７４４…プランジャー、７４５…ピン、７４６…クランプ本体、７４７…押込み部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板材と、
前記基板材の第１の面に設けられた反射膜と、
前記基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の第１の突起部と
を含むミラーと、
前記複数の第１の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、前記複数の第１の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された前記複数の支持部と、
前記複数の第１の突起部を、前記複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、
を備えるミラー装置。
【請求項２】
前記ミラーに設けられた３つの第１の突起部をそれぞれ支持する３つの支持部を備える、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項３】
前記ミラーは皿状もしくは円盤状の形状であり、
前記複数の溝は、前記ミラーの回転対称軸に対して放射状に形成されている、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項４】
前記複数の溝の各々は、互いに逆向きの傾斜を有する一対の斜面を有し、
前記複数の第１の突起部の各々は、前記一対の斜面に対してそれぞれ点接触する球面部を有する、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項５】
前記複数の第１の突起部の各々は、前記ミラーの前記第２の面に一部を嵌合された球体によって構成される、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項６】
前記複数の溝の各々は、互いに逆向きの傾斜を有する一対の斜面を有し、
前記複数の第１の突起部の各々は、前記ミラーの前記第２の面に一部を嵌合された球体によって構成され、
前記複数のクランプ部は、前記複数の突起部をそれぞれ前記複数の溝に向かって押し付ける複数の第２の突起部を備え、
前記第２の突起部が前記第１の突起部を押し付ける力点は、前記一対の斜面が前記球体に接触する２点と、且つ前記球体の中心を通る面上に位置する、請求項１記載のミラー装置。
【請求項７】
前記ミラーの前記第２の面は前記第１の面の反対の面であり、
前記ミラーの前記第２の面に交差する第３の面に、前記複数の第２の突起部が配置される複数の穴が形成されている、
請求項６記載のミラー装置。
【請求項８】
前記複数の穴の中面に、前記複数の第２の突起部をそれぞれ位置決めする複数の窪みが形成され、
前記窪みの内面と前記第２の突起部が接触する点は、前記一対の斜面が前記球体に接触する２点と、前記球体の中心とを通る面上に位置する、
請求項７記載のミラー装置。
【請求項９】
基板材と、
前記基板材の第１の面に設けられた反射膜と、
前記基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられ、複数の溝がそれぞれ形成された複数のベース部材と
を含むミラーと、
前記複数のベース部材をそれぞれ支持する複数の支持部であって、前記複数のベース部材の溝によってガイドされる複数の突起部をそれぞれ含む前記複数の支持部と、
前記複数のベース部材を、前記複数の突起部に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、
を備えるミラー装置。
【請求項１０】
前記ミラーに設けられた３つのベース部材をそれぞれ支持する３つの支持部を備える、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１１】
前記ミラーは皿状もしくは円盤状の形状であり、
前記複数の溝は、前記ミラーの回転対称軸に対して放射状に形成されている、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１２】
前記複数の溝の各々は、互いに逆向きの傾斜を有する一対の斜面を有し、
前記複数の突起部の各々は、前記一対の斜面に対してそれぞれ点接触する球面を有する、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１３】
前記複数の突起部は、前記複数の支持部にそれぞれ一部を埋め込まれた複数の球体によって構成される、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１】
基板材と、
前記基板材の第１の面に設けられた反射膜と、
前記基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられた複数の第１の突起部と
を含むミラーと、
前記複数の第１の突起部をそれぞれ支持する複数の支持部であって、前記複数の第１の突起部をガイドするための複数の溝がそれぞれ形成された前記複数の支持部と、
前記複数の第１の突起部を、前記複数の支持部の溝に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、
を備えるミラー装置。
【請求項２】
前記ミラーに設けられた３つの第１の突起部をそれぞれ支持する３つの支持部を備える、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項３】
前記ミラーは皿状もしくは円盤状の形状であり、
前記複数の溝は、前記ミラーの回転対称軸に対して放射状に形成されている、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項４】
前記複数の溝の各々は、互いに逆向きの傾斜を有する一対の斜面を有し、
前記複数の第１の突起部の各々は、前記一対の斜面に対してそれぞれ点接触する球面部を有する、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項５】
前記複数の第１の突起部の各々は、前記ミラーの前記第２の面に一部を嵌合された球体によって構成される、
請求項１記載のミラー装置。
【請求項６】
前記複数の溝の各々は、互いに逆向きの傾斜を有する一対の斜面を有し、
前記複数の第１の突起部の各々は、前記ミラーの前記第２の面に一部を嵌合された球体によって構成され、
前記複数のクランプ部は、前記複数の突起部をそれぞれ前記複数の溝に向かって押し付ける複数の第２の突起部を備え、
前記第２の突起部が前記第１の突起部を押し付ける力点は、前記一対の斜面が前記球体に接触する２点と、且つ前記球体の中心を通る面上に位置する、請求項１記載のミラー装置。
【請求項７】
前記ミラーの前記第２の面は前記第１の面の反対の面であり、
前記ミラーの前記第２の面に交差する第３の面に、前記複数の第２の突起部が配置される複数の穴が形成されている、
請求項６記載のミラー装置。
【請求項８】
前記複数の穴の中面に、前記複数の第２の突起部をそれぞれ位置決めする複数の窪みが形成され、
前記窪みの内面と前記第２の突起部が接触する点は、前記一対の斜面が前記球体に接触する２点と、前記球体の中心とを通る面上に位置する、
請求項７記載のミラー装置。
【請求項９】
基板材と、
前記基板材の第１の面に設けられた反射膜と、
前記基板材の第１の面と異なる第２の面に設けられ、複数の溝がそれぞれ形成された複数のベース部材と
を含むミラーと、
前記複数のベース部材をそれぞれ支持する複数の支持部であって、前記複数のベース部材の溝によってガイドされる複数の突起部をそれぞれ含む前記複数の支持部と、
前記複数のベース部材を、前記複数の突起部に向けてそれぞれ押し付ける複数のクランプ部と、
を備えるミラー装置。
【請求項１０】
前記ミラーに設けられた３つのベース部材をそれぞれ支持する３つの支持部を備える、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１１】
前記ミラーは皿状もしくは円盤状の形状であり、
前記複数の溝は、前記ミラーの回転対称軸に対して放射状に形成されている、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１２】
前記複数の溝の各々は、互いに逆向きの傾斜を有する一対の斜面を有し、
前記複数の突起部の各々は、前記一対の斜面に対してそれぞれ点接触する球面を有する、
請求項９記載のミラー装置。
【請求項１３】
前記複数の突起部は、前記複数の支持部にそれぞれ一部を埋め込まれた複数の球体によって構成される、
請求項９記載のミラー装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−１８６４３２（Ｐ２０１２−１８６４３２Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６０８９９（Ｐ２０１１−６０８９９）
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１８日（２０１１．３．１８）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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