極端紫外光生成装置
【課題】チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口を有するチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御する少なくとも１つの温度調節機構と、を備えてもよい。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口を有するチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御する少なくとも１つの温度調節機構と、を備えてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成する極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ励起プラズマ）式装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式装置との３種類がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００５】
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口を有するチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御する少なくとも１つの温度調節機構と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、水素ガスが水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスになる反応と、スタナンガスが分解して、固体Ｓｎが析出する反応を示す模式図である。
【図３】図３は、Ｓｎのエッチング反応速度、Ｓｎの析出反応速度、Ｓｎエッチング反応速度とＳｎ析出反応速度の差で表されるトータルのエッチングレート、それぞれの速度と温度との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、本開示の実施の形態１におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。
【図５】図５は、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。
【図７】図７は、本開示の実施の形態３においてＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。
【図８】図８は、本開示の実施の形態３においてゲートバルブの近傍に配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。
【図９】図９は、本開示の実施の形態３においてチャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。
【図１０】図１０は、本開示の実施の形態３においてチャンバ内のいずれかの位置に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるスタナントラップおよび回収器の概略構成を示す模式図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本開示による実施の形態の変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本開示による実施の形態の変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示による実施の形態の変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本開示による実施の形態の変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本開示による実施の形態の変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本開示による実施の形態の変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示による実施の形態の変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示による実施の形態の変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、本開示による実施の形態の変形例８によるガス導入管の先端部分の概略形状を示す斜視図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本開示による実施の形態の変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、本開示による実施の形態の変形例１０によるラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図２１Ａに示すラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、本開示による実施の形態の変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、図２２Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図２３】図２３は、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、図２４Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【実施の形態】
【０００７】
以下、本開示を実施するための形態を図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００８】
（実施の形態１）
まず、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。
【０００９】
図１に示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成用の空間を画定する気密性の高いチャンバ１１と、チャンバ１１と不図示の露光装置とを光学的に接続する露光装置接続部１３と、チャンバ１１内にＥＵＶ光の生成材料となる錫（Ｓｎ）などのターゲット物質を液滴状のドロップレットＤとして供給するドロップレットコントローラ１４ａおよびドロップレット生成器１４ｂと、ドロップレットＤをプラズマ化するためのパルス状のレーザ光（プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を出力するプリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬと、プリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬならびにドロップレットコントローラ１４ａ等を適宜制御するＥＵＶ光生成コントローラ１０と、を備える。チャンバ１１内には、ドロップレット生成器１４ｂに設けられた不図示のノズル先端からドロップレットＤが供給される。
【００１０】
チャンバ１１には、プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂを透過させるためのウィンドウＷ１およびＷ２が設けられる。また、チャンバ１１内部には、ウィンドウＷ１およびＷ２を介して入射したプリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂをそれぞれチャンバ１１内の所定の位置（プラズマ生成サイトＰ１）に集光するための放物面ミラーＭ２およびＭ３と、プラズマ生成サイトＰ１で生成されたＥＵＶ光Ｌ２を露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦに集光するように反射するＥＵＶ集光ミラーＭ１と、が設けられる。
【００１１】
この構成において、ＥＵＶ光生成コントローラ１０は、ドロップレットコントローラ１４ａを制御することで、ドロップレット生成器１４ｂがドロップレットＤを出力するタイミングを制御する。ドロップレット生成器１４ｂから出力されたドロップレットＤは、プラズマ生成サイトＰ１に到着する。ドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に到着するタイミングで、ドロップレットＤには、プリパルスレーザＰＬから出力されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａがウィンドウＷ１および放物面ミラーＭ２を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の側面側から集光される（１段目のレーザ照射）。これにより、ドロップレットＤが拡散して、液滴状のターゲット物質が弱いプラズマ、中性粒子、クラスターやフラグメント等の混在した状態になる。以下の説明では、この混在した状態を拡散したターゲットと定義する。
【００１２】
プラズマ生成サイトＰ１で生成された拡散したターゲットには、メインパルスレーザＭＬから出力されたメインパルスレーザ光Ｌ１ｂがウィンドウＷ２および放物面ミラーＭ３を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面（反射面と反対側）側から集光される（２段目のレーザ照射）。これにより、拡散したターゲットがプラズマ化して、プラズマが生成される。ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射される。なお、ＥＵＶ集光ミラーＭ１には、メインパルスレーザ光Ｌ１ｂが通過するための貫通孔Ｍ１ａが形成されている。また、プリパルスレーザＰＬがプリパルスレーザ光Ｌ１ａを出力するタイミングおよびメインパルスレーザＭＬがメインパルスレーザ光Ｌ１ｂを出力するタイミングは、ＥＵＶ光生成コントローラ１０によって制御される。これにより、ドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に到着するタイミングでこれにプリパルスレーザ光Ｌ１ａが照射され、この結果としてプラズマ生成サイトＰ１で生成された拡散したターゲットにメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが照射される。
【００１３】
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラーＭ１によって反射されることで、露光装置接続部１３へ向けて反射される。この際、反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、上述したように、露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦに集光される。その後、ＥＵＶ光Ｌ２は、不図示の導波路（たとえば管）を介して露光装置へ導波される。
【００１４】
また、本実施の形態１では、レーザ光の２段階照射によってターゲット物質（ドロップレットＤ）をプラズマ化するが、これに限らず、１段階または３段階以上のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化してもよい。さらに、本実施の形態１では、ターゲット物質を液滴状にして供給する場合を例に挙げたが、これに限らず、予めチャンバ１１内に配置されたローテーション可能な固体ターゲット物質を用いてもよい。
【００１５】
また、プラズマ生成サイトＰ１で生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光Ｌ２の放射後、イオンや原子や帯電した粒子や中性の粒子など、ターゲット物質であるＳｎの粒子（以下、Ｓｎデブリという）が発生する。このＳｎデブリは、プラズマ生成サイトＰ１から放出された後、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素に付着し、堆積し得る。
【００１６】
そこで、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１内に水素ラジカル（以下、ＨラジカルまたはＨ＊と記す）を供給するラジカル発生器１５ａ〜１５ｃと、チャンバ１１内のガスを排気する排気ポンプ１２と、を備えてもよい。ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃから放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内にまで延在するガス導入管１６ａ〜１６ｃを介してチャンバ１１内に供給される。すなわち、ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃおよびガス導入管１６ａ〜１６ｃは、チャンバ１１内に配置された光学要素へ向けて光学要素に付着したＳｎデブリをエッチングするエッチングガス（Ｈラジカルおよびラジカル化されなかったＨ２ガス）を光学要素の表面に沿って流してもよい。
【００１７】
各ガス導入管１６ａ〜１６ｃのガス放出口は、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素にそれぞれ向けられている。すなわち、Ｓｎデブリが付着した光学要素表面に沿って、Ｈラジカルが流れる。この際、Ｈラジカルが光学要素表面のＳｎデブリと反応し、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが生成される。このスタナンガスは、約−５２℃以上で気体である。したがって、ＳｎとＨラジカルとを反応させ、スタナンガスを生成させることによって、光学要素表面のＳｎデブリをエッチングすることが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化が防止される。
【００１８】
なお、Ｈラジカルを光学要素表面に沿って流すことによって生成されたスタナンガスは、排気ポンプ１２によってチャンバ１１外へ排気される。また、本実施の形態１では、付着したＳｎデブリに対して高効率のエッチング反応を得るために、水素をラジカルの状態で供給する。ただし、これに限らず、水素分子（Ｈ２）の状態で供給してもよい。この場合には、水素分子がプラズマ生成サイトＰ１で放射される紫外光、真空紫外光およびＥＵＶ光等によってＨラジカルを生成させれば、光学要素に付着したＳｎデブリと上記光により生成されたＨラジカルとが反応してスタナン（ＳｎＨ４）が生成される。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリがエッチングされて光学要素の性能劣化が防止される。この場合、ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃは必須ではない。ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃの代わりに水素ガス供給源が必要である。水素ガス供給源は露光装置が設置される工場設備にあってもよいし、ＥＵＶ光生成装置および縮小投影反射光学系のいずれかに備えられていてもよい。
【００１９】
また、チャンバ１１内には、たとえば板状のパーティション１１ａ〜１１ｃが配置されている。このパーティション１１ａ〜１１ｃによって、チャンバ１１内でのガス、すなわちＨラジカル（または水素ガス）およびスタナンガスの流れがコントロールされる。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリを効果的にエッチングしつつ、生成されたスタナンガスを効率よく排出することが可能となる。パーティション１１ｂと１１ｃで形成される開口部Ａ１は、エッチングガスの排出口の機能とメインパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能を果たす。パーティション１１ａと１１ｂで形成される開口部Ａ２は、エッチングガスの排出口の機能とプリパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能を果たす。
【００２０】
さらに、各光学要素（たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１ならびに放物面ミラーＭ２およびＭ３）からデブリの発生サイトであるプラズマ生成サイトＰ１へ向けてガスが流れるように、パーティション１１ａ〜１１ｃを用いてガスの流れを制御することで、各光学要素へのＳｎデブリの入射を抑制することが可能となる。これにより、各光学要素へのＳｎデブリの付着自体を低減することが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化をより確実に防止することが可能となる。
【００２１】
図２に、水素ガスがフィラメントにより水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスになるエッチング反応と、スタナンガスが分解して、固体Ｓｎが析出する反応を示す模式図を示す。ＳｎとＨラジカルの反応は、以下の化学反応式（１）および（２）で表される。
エッチング反応：Ｓｎ（ｓ）＋４Ｈ＊（ｇ）→ＳｎＨ４（ｇ） （１）
析出反応：ＳｎＨ４→Ｓｎ（ｓ）＋２Ｈ２ （２）
【００２２】
ここで（ｓ）および（ｇ）はそれぞれ、固体状態とガス状態とを示している。化学反応式（１）および（２）が示す反応は、同時に起こる。トータルのエッチングレートＶａｌは、以下の式（３）に示すように、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２との差で表現される。
Ｖａｌ＝Ｖ１−Ｖ２ （３）
【００２３】
そして、エッチングレートＶ１、析出速度Ｖ２およびトータルのエッチングレートＶａｌは各Ｈラジカル、Ｈ２、およびＳｎＨ４の濃度が一定の場合は光学要素の温度によって変化する。
【００２４】
図２は、光学要素を温度調節する構成（温度調節機構）の概略を示す模式図である。温度調節機構は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１などの光学要素Ｍに設けられた温度調節素子２０ｂと、温度調節素子２０ｂに電流を流す電源２０ａと、光学要素Ｍに設けられた温度センサ２０ｃと、温度センサ２０ｃで検出された温度に基づいて電源２０ａが温度調節素子２０ｂに流す電流を制御する温度コントローラ２０と、を備える。この温度調節素子２０ｂの例としては、ヒータを使用し、温度センサ２０ｃの検出結果に基づいて、ヒータへ供給される電流を制御することによって、温度を所定の温度に安定化させている。
【００２５】
各設定温度（常温から加熱温調できる範囲で）に対する、トータルのエッチングレートＶａｌを計測した。図３は、ＳｎのエッチングレートＶ１、Ｓｎの析出速度Ｖ２およびＳｎエッチングレートＶ１とＳｎ析出速度Ｖ２の差で表されるトータルのエッチングレートＶａｌそれぞれの速度と、光学要素表面温度との関係を示すグラフである。図３において、破線はエッチングレートＶ１の温度依存性を示し、一点破線は析出速度Ｖ２の温度依存性を示す。実線は、トータルのエッチングレートＶａｌ（＝Ｖ１−Ｖ２）を示す。ここで、トータルのエッチングレートが０の場合は、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２が等しい時であり、光学要素の表面に付着したＳｎは除去できない。トータルのエッチングレートＶａｌが正の場合は、光学要素の表面に付着したＳｎをエッチングすることができる。逆にエッチングレートＶａｌが負の場合は、光学要素の表面にさらにＳｎが析出することを意味している。したがって、各光学要素Ｍの温度は、目的の温度範囲（たとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下）内となるように、実測された温度に基づいて温度コントローラ２０が電源２０ａが温度調節素子２０ｂへ供給する電流を制御することで、トータルのエッチングレートＶａｌを必要なエッチングレートとして光学要素に付着したＳｎを取り除くことができる。
【００２６】
図３に示すように、光学要素に付着しているＳｎのトータルのエッチングレートＶａｌは、温度が０℃から６０℃程度までは、温度上昇につれて上昇する。一方、温度が１００℃程度を超えると、トータルのエッチングレートＶａｌが低下し始める。そこで本実施の形態１では、チャンバ１１内に配置した各光学要素の温度をたとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下の温度範囲内に制御する。これにより、スタナンガスが分解して光学要素表面にＳｎが析出するのを防止する。この結果、光学要素表面へのＳｎの再析出が防止される。図４は、本実施の形態１におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。なお、図４では、温度制御対象の光学要素として、ウィンドウＷ１およびＷ２、ＥＵＶ集光ミラーＭ１、ならびに放物面ミラーＭ２およびＭ３（以下、単に光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３という）を例に挙げる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００２７】
図４に示すように、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１外に配置されたチラー１７を備える。チラー１７は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を温度制御するための熱媒体（たとえば温度調節された水や油などの動作温度で安定な液）を主送配管Ｃｉｎへ送出する。主送配管Ｃｉｎから光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、それぞれ副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎが分岐されている。したがって、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、主送配管Ｃｉｎへ送り出された温度調節された熱媒体が副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎを介して供給される。
【００２８】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３は、送り込まれた熱媒体を内部で循環させる熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を備える。したがって、各副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎに分岐された熱媒体は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に流れ込み、その後、各光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３内を循環する。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的とする温度範囲内に調節される。
【００２９】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を循環した熱媒体は、その後、熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に連結された副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込む。この副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔは、チラー１７に繋がる主排配管Ｃｏｕｔに連結されている。したがって、副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込んだ熱媒体は、その後、主排配管Ｃｏｕｔを介してチラー１７に戻る。なお、チラー１７に戻された熱媒体は、温度調節された後、再度、主送配管Ｃｉｎへ送り出されてもよい。
【００３０】
なお、副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎおよび副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、それぞれの配管に流れる熱媒体の温度を検出するための温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔが設けられる。この温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔは、たとえばＥＵＶ光生成コントローラ１０または図示しない循環ポンプが内蔵されたチラー１７によってトータルの流量と温度が制御される。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へ滞りなく熱媒体が供給される。
【００３１】
また、たとえば、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、流量調節バルブＶ１〜Ｖ５が設けられる。たとえば、ＥＵＶ光生成コントローラ１０またはチラー１７は、各光学要素に流れる流量を制御するために、これらの流量調節バルブＶ１〜Ｖ５を制御する。これにより、各副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れる熱媒体の流量が制御される。この結果、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３に流れる熱媒体の流量が制御され、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的とする温度範囲内に調節される。
【００３２】
以上のように、本実施の形態１によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３３】
（実施の形態２）
つぎに、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図５は、本実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。なお、本実施の形態２では、上述の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１に冷却水とヒータとを組み合わせた温度調節機構を適用する。この構成によれば、大容量の温度調節が可能なチラー１７を用いた温度調節機構に、加熱および冷却が可能なヒータ２０ｂを用いた温度調節を併用することが可能となる。これにより、より高精度の温度調節が可能となるため、各光学要素へのＳｎの付着をさらに低減することが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化をさらに防止することが可能となる。
【００３５】
図５に示すように、本実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図４に示す構成と同様の構成に加え、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３に、ヒータ２１ｂ〜２５ｂと温度センサ２１ｃ〜２５ｃとが設けられている。ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａに接続されている。また、温度センサ２１ｃ〜２５ｃで検出された温度は、温度コントローラ２１〜２５にそれぞれ入力される。温度コントローラ２１〜２５は、温度センサ２１ｃ〜２５ｃから入力された温度が目的の温度範囲内に入るように、電源２１ａ〜２５ａがヒータ２１ｂ〜２５ｂに流す電流を制御する。各ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａから供給された電流に応じて、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を加熱する。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の温度範囲内に入るように、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３が温度調節される。さらに、温度が設定温度に対して上昇しすぎる場合は、チラー１７の冷却水によって冷却し、ヒータによって加熱することによって光学要素の温度を高精度に制御することが可能となる。
【００３６】
以上のように、本実施の形態２によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３７】
他の構成および効果は、上述した実施の形態と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３８】
（実施の形態３）
つぎに、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図６は、本実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置３の概略構成を示す模式図である。なお、本実施の形態３においても、図３または図５に示す温度調節機構がＥＵＶ光生成装置３に設けられる。
【００３９】
図６に示すように、ＥＵＶ光生成装置３は、図１に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成に加え、ＳｎとＨラジカル（またはＨ２）とが反応することで発生したスタナンガスを分解して析出したＳｎをトラップするためのスタナントラップ３１〜３６が、チャンバ１１内に設けられた構成を備える。スタナントラップ３１は、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に近接して配置され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に付着したＳｎから発生したスタナンをトラップする。スタナントラップ３２は、チャンバ１１内であって、ゲートバルブＷ３近傍に配置され、ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３側へ流れ込もうとするＳｎをトラップする。スタナントラップ３３は、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置され、チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込むＳｎをトラップする。スタナントラップ３４〜３６は、チャンバ１１内の適切な位置、たとえばＳｎデブリが付着しやすい位置に配置され、チャンバ１１内に存在するＳｎをトラップする。
【００４０】
このスタナントラップ３１〜３６は、たとえばスタナンが分解してＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に温度調節される。これにより、本実施の形態３では、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減することが可能となる。結果、光学要素の表面に付着したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度も低減されるため、付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、スタナントラップ３１〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）未満とすることで、スタナンガスから析出したＳｎを固体の状態でスタナントラップの表面に定着させることが可能となる。なお、スタナントラップ３１〜３６の材料には、Ｓｎとの反応性が低い物質、たとえばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはアルミナ等を用いるのが好ましい。
【００４１】
つづいて、本実施の形態３によるスタナントラップの例について、図面を参照して詳細に説明する。
【００４２】
・スタナントラップ３１
図７は、本実施の形態３においてＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。図７に示すように、スタナントラップ３１は、両端面が開口された円柱状の形状をしている。具体的には、スタナントラップ３１は、両端が開口された筒状の外周リング３１Ａと、外周リング３１Ａ内の中央に配置され、両端が開口された筒状のレーザ光通過リング３１Ｂと、の２重リングの構造を備える。外周リング３１Ａの中心軸とレーザ光通過リング３１Ｂの中心軸とは、略一致するよう構成される。レーザ光通過リング３１Ｂに開口された空間は、ＥＵＶ光集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介したレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を通過させるレーザ光通過穴３１ａとして機能する。また、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間の空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を通過させるＥＵＶ光通過穴３１ｂとして機能する。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３１ｂ以外の外周リング３１Ａの外側やレーザ光通過リング３１Ｂの内側を通過してもよい。
【００４３】
また、レーザ光通過リング３１Ｂの外側面から外周リング３１Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３１Ｃが放射状に延在する。このトラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａに対してレーザ光通過リング３１Ｂを固定する機能を有するほか、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを通過するスタナンガスをトラップするブレードとしても機能する。なお、トラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを複数の領域に仕切る。
【００４４】
以上のような構成を備えるスタナントラップ３１は、レーザ光通過リング３１Ｂの中心軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介してプラズマ生成サイトＰ１に集光されるレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）のビーム軸と略一致し、外周リング３１Ａの中心軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の中心軸と略一致するように、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側にＥＵＶ集光ミラーＭ１に近接して配置される。これにより、スタナントラップ３１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介するレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を遮蔽することなく通過させるとともに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーのロスをできるだけ小さくして通過させる。
【００４５】
また、ＥＵＶ集光ミラーＭ１をＨラジカル（またはＨ２ガス）でブローすることで生成されたスタナンガスは、主に、レーザ光通過穴３１ａ内またはＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を流れる。そこで、スタナントラップ３１を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。このスタナントラップ３１には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３１には、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３１が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから発生したスタナンガスが、レーザ光通過穴３１ａ内またはＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出する。この析出したＳｎは、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかの表面に析出する。すなわち、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎからスタナンガスの状態で発生したＳｎの一部は、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかによって回収される。これにより、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減させることが可能となる。この結果、光学要素の表面に析出したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度が低減されるため、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、スタナントラップ３１の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３１に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００４６】
・スタナントラップ３２
図８は、本実施の形態３においてゲートバルブの近傍に配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。図８に示すように、スタナントラップ３２は、両端面が開口された円錐台の形状をしている。具体的には、スタナントラップ３２は、両端が開口された円錐台状の外周リング３２Ａと、外周リング３２Ａ内の中心に配置された棒状の芯３２Ｂと、芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面に放射状に延びる複数のトラッピングブレード３２Ｃと、を備える。芯３２Ｂは、複数のトラッピングブレード３２Ｃを束ねる機能を果たす。この芯３２Ｂは、省略することもできる。外周リング３２Ａに開口された空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２が通過するＥＵＶ光通過穴３２ｂとして機能する。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３２ｂ以外の外周リング３２Ａの外側を通過してもよい。
【００４７】
また、芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３２Ｃが放射状に延在する。このトラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２ＡのＥＵＶ光通過穴３２ｂを通過するスタナンガスをトラップするブレードとして機能する。なお、トラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２Ａ内のＥＵＶ光通過穴３２ｂを複数の領域に仕切る。
【００４８】
以上のような構成を備えるスタナントラップ３２は、外周リング３２Ａの中心軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の中心軸と略一致するように、ゲートバルブＷ３に近接して配置される。これにより、スタナントラップ３２は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーのロスをできる限り小さくして通過させる。
【００４９】
また、ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３内へ流れ込もうとするスタナンは、主に、ＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を流れる。そこで、スタナントラップ３２を、上述したように、たとえばスタナンが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。このスタナントラップ３２には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３２には、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３２が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから発生したスタナンガスが、レーザ光通過穴３１ａ内またはＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出する。この析出したＳｎは、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかの表面に付着する。すなわち、ゲートバルブＷ３を介して露光装置側へスタナンガスの状態で流れ込もうとするＳｎは、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかによって回収される。これにより、露光装置へのスタナンガスの流入を防止または低減することが可能となる。また、スタナントラップ３２の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３２に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５０】
・スタナントラップ３３
図９は、本実施の形態３においてチャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。図９に示すように、スタナントラップ３３は、たとえばチャンバ１１から排気ポンプ１２へのガスの流れに対して平行に配置された板状のブレード３３Ｂを格子状に組み合わせた構成を備える。したがって、チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込もうとするスタナンガスは、ブレード３３Ｂによって格子状に仕切られた空間内を流れる。そこで、スタナントラップ３３を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。このスタナントラップ３３には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３３には、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３３が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、排気ポンプ１２に流れ込もうとするスタナンガスが、格子状の空間を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出する。この析出したＳｎは、ブレード３３Ｂの表面に付着する。すなわち、排気ポンプ１２にスタナンガスの状態で流れ込もうとするＳｎは、ブレード３３Ｂによって回収される。これにより、排気ポンプ１２へのスタナンガスの流入を防止または低減することが可能となる。また、スタナントラップ３３の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３３に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５１】
・スタナントラップ３４〜３６
図１０は、本実施の形態３においてチャンバ内のいずれかの位置に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。図１０に示すように、スタナントラップ３４〜３６は、ワイヤやリボンが３次元の網目（または格子）状に組み合わされた構成を備える。したがって、チャンバ１１内を飛び交うスタナンガスは、スタナントラップ３４〜３６の表面付近を通過する。そこで、スタナントラップ３４〜３６を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。これらのスタナントラップ３４〜３６には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂがそれぞれ設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３４〜３６には、温度センサ４０ｃがそれぞれ設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３４〜３６が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、チャンバ１１内を飛び交うスタナンガスが、スタナントラップ３４〜３６の表面付近を通過する際に加熱されて分解され、ワイヤやリボンの表面にＳｎが析出する。この析出したＳｎは、スタナントラップ３４〜３６の表面に付着する。これにより、チャンバ１１内にスタナンの状態で存在するＳｎを、スタナントラップ３４〜３６によって回収することができる。また、スタナントラップ３４〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３４〜３６の内部に固体の状態で定着させることが可能となる。なお、スタナントラップ３４〜３６には、スポンジのような多孔質なものを用いてもよい。
【００５２】
以上のように構成することで、本実施の形態３によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００５３】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５４】
（実施の形態４）
つぎに、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態３では、スタナントラップ３１〜３６をスタナンが分解してＳｎを析出させる温度（１２０℃程度）以上であってＳｎが固体の状態を保つ温度融点（２３２℃）未満に温度調節することで、スタナントラップ３１〜３６にトラップされたＳｎを、これに固体の状態で定着させた。これに対し、本実施の形態４では、スタナントラップ３１〜３６をＳｎが溶融する温度以上に加熱することで、スタナントラップ３１〜３６にトラップされたＳｎを液化してスタナントラップ３１〜３６から流出させる。流出した溶融Ｓｎは、たとえばバケットなどの回収器で回収する。
【００５５】
図１１は、本実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるスタナントラップおよび回収器の概略構成を示す模式図である。なお、図１１では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されたスタナントラップを例に挙げて説明する。
【００５６】
図１１に示すように、本実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置では、チャンバ１１から排気ポンプ１２までの接続部が、Ｌ字型に屈曲している。チャンバ１１との接続部は、重力方向に延伸する。排気ポンプ１２との接続部は、チャンバ１１との接続部から分岐する形で水平方向に延伸する。チャンバ１１から排気ポンプ１２に流れ込むスタナンガスをトラップするスタナントラップ３３は、チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の途中に配置される。このスタナントラップ３３の各ブレード３３Ｂには、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、少なくとも１つのブレード３３Ｂには、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３３が、Ｓｎが溶融する温度（２３２℃）程度以上に加熱される。この結果、スタナントラップ３３から溶融ＳｎＤＤが流れ出す。
【００５７】
チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の下部には、スタナントラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを回収する回収部４０Ａが設けられる。これにより、スタナントラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤが光学要素等を汚染することを防止できる。なお、チャンバ１１から延伸する接続部と回収部４０Ａとの連結部分を円錐台形状にしておくことで、スタナントラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを確実に回収部４０Ａで回収することが可能となる。
【００５８】
なお、本実施の形態４では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されたスタナントラップ３３を例に挙げて説明した。しかし、これに限定されず、たとえば実施の形態３で例示したスタナントラップ３１〜３６のいずれに対しても同様の構成を適用することが可能である。すなわち、スタナントラップを加熱するヒータおよび電源と、スタナントラップの温度を検出する温度センサと、温度センサで検出された温度に基づいて電源を駆動することでスタナントラップの温度を調節する温度コントローラと、スタナントラップに対して重力方向下方に配置されることでスタナントラップから流れ出した溶融Ｓｎを回収する回収部とを、各スタナントラップに配置することで、各スタナントラップでトラップされたＳｎを液化して回収することが可能となる。
【００５９】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６０】
・変形例１
つぎに、上述した各実施の形態におけるガス導入管の変形例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下の説明では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのガス導入管の変形例を例に挙げて説明する。
【００６１】
まず、上記した実施の形態の変形例１によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１２Ａは、本変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１２Ａは図１２Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００６２】
図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、本変形例１では、ラジカル発生器１５から延出したガス導入管１６−１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように延在する。ガス導入管１６−１の途中には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口した穴が略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−１内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−１途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射表面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００６３】
なお、ガス導入管１６−１は、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されたドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられる。
【００６４】
・変形例２
つぎに、上記した実施の形態の変形例２によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１３Ａは、本変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１３Ａは図１３Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００６５】
図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、本変形例２では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル発生器１５Ａおよび１５Ｂが設けられている。このラジカル発生器１５Ａおよび１５Ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、軸対称に配置されている。ラジカル発生器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ａが延在する。同様に、ラジカル発生器１５Ｂからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ｂが延在する。この２つの半弧状のガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれる。なお、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂの途中には、それぞれＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口した穴が略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５Ａおよび１５Ｂからガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂの途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射表面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００６６】
なお、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されたドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成サイトＰ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間がそれぞれ設けられる。
【００６７】
・変形例３
つぎに、上記した実施の形態の変形例３によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１４Ａは、本変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１４Ｂは、図１４Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１４Ａは図１４Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００６８】
図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、本変形例３では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば４つ）のラジカル発生器１５Ａ〜１５Ｄが設けられている。このラジカル発生器１５Ａ〜１５Ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、軸対称に略等間隔に配置されている。ラジカル発生器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ａが延在する。同様に、ラジカル発生器１５Ｂ〜１５Ｄからは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ｂ〜１６−３ｄが延在する。この４つの１／４円弧状のガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれる。なお、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄの途中には、それぞれＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口した穴が略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５Ａ〜１５Ｄからガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄ途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射表面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００６９】
なお、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されたドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成サイトＰ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間がそれぞれ設けられる。
【００７０】
また、プラズマ生成サイトＰ１を通る磁場Ｂを生成して、プラズマ生成サイトＰ１付近に発生したイオンなどのＳｎのデブリをミチゲーションしてイオン回収部１８ａおよび１８ｂで回収する場合、この磁場によってトラップされたデブリが通過する部分には、この通過を妨げないように、その一部に隙間がそれぞれ設けられる。
【００７１】
・変形例４
つぎに、上記した実施の形態の変形例４によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１５Ａは、本変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１５Ａは図１５Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００７２】
図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、本変形例４によるガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１５Ｂ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲する形状を備える（図１５Ａ参照）。また、ガス導入管１６−４の略中央のＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、この貫通孔Ｍ１ａを避けるように半弧状に歪曲した歪曲部１６−４ａが設けられる（図１５Ｂ参照）。
【００７３】
このような形状を有するガス導入管１６−４は、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置される。オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ集光ミラーによって集光されるＥＵＶ光のうちが露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に対応する領域のことをいう。すなわち、オブスキュレーション領域は、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に含まれる３次元的な領域である。
【００７４】
ガス導入管１６−４の途中には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口した穴が両側に略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−４内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−４途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａを通る中心線付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００７５】
なお、ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲している。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されたドロップレットＤのプラズマ生成サイトＰ１への進行を妨げることがない。
【００７６】
・変形例５
つぎに、上記した実施の形態の変形例５によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１６Ａは、本変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１６Ｂは、図１６Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１６Ａは図１６Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００７７】
図１６Ａおよび図１６Ｂに示すように、本変形例５によるガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１６Ｂ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端から中央の貫通孔Ｍ１ａにかけて反射面に沿って弓状に歪曲する形状を備える（図１６Ａ参照）。また、ガス導入管１６−５の先端部であってＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、この貫通孔Ｍ１ａを囲む円部１６−５ａが設けられる（図１６Ｂ参照）。なお、本変形例５によるガス導入管１６−５も、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置される。
【００７８】
ガス導入管１６−５先端の円部１６−５ａには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口した穴が外側に向けて略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−５内に送られたＨラジカルは、円部１６−５ａに設けられた穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００７９】
なお、ガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲している。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されたドロップレットＤのプラズマ生成サイトＰ１への進行を妨げることがない。
【００８０】
・変形例６
つぎに、上記した実施の形態の変形例６によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１７Ａは、本変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１７Ａは図１７Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００８１】
図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、本変形例６によるガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有する。ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て軸対称に配置される。
【００８２】
ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄにおける貫通孔Ｍ１ａから突出した先端部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられる。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って同心円状に流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００８３】
・変形例７
つぎに、上記した実施の形態の変形例７によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１８Ａは、本変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１８Ａは図１８Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００８４】
図１８Ａおよび図１８Ｂに示すように、本変形例７によるガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有する。また、ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄの貫通孔Ｍ１ａから突出した部分は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端に向かって延伸するとともに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲している。なお、ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て軸対称に配置される。
【００８５】
ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄにおける貫通孔Ｍ１ａから突出した部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられる。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って同心円状に広がって流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００８６】
・変形例８
つぎに、上記した実施の形態の変形例８によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１９Ａは、本変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。図１９Ｃは、本変形例８によるガス導入管の先端部分の概略形状を示す斜視図である。
【００８７】
図１９Ａ〜図１９Ｃに示すように、本変形例８によるガス導入管１６−８は、開口する先端がドーム状に拡がった円錐状の外板１６−８ａと、同様に開口する先端がドーム状に拡がり且つこの先端が外板１６−８ａの開口部から隙間を持ちつつ突出する円錐状の内板１６−８ｂと、を備える。すなわち、ガス導入管１６−８は、外板１６−８ａと内板１６−８ｂとの間に隙間が設けられた二重構造の構成をしている。ガス導入管１６−８の先端部は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側より貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出している。したがって、ガス導入管１６−８の先端側に形成されたドーム状に拡がる部分の隙間１６−８１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を向く。Ｈラジカルは、ガス導入管１６−８におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側の隙間からガス導入管１６−８内に流入し、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に突出した先端部分の隙間から吹き出される。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って同心円状に広がって流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００８８】
・変形例９
つぎに、上記した実施の形態の変形例９について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、Ｈ２をラジカル化し、Ｈラジカルの状態で各種光学要素の表面に沿って流していた。これに対し、本変形例９では、チャンバ１１内の光学要素、特にＥＵＶ光Ｌ２を強く浴びるＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して、Ｈラジカルではなく、Ｈ２ガスを吹きつける。図２０Ａは、本変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図２０Ｂは、図２０Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図２０Ａは図２０Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００８９】
図２０Ａおよび図２０Ｂに示すように、本変形例９によるガス導入管１６−９は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿ってＨ２ガスを流す。なお、ガス導入管１６−９の形状は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を略遮蔽しないものであれば、如何様にも変形できる。
【００９０】
ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流されたＨ２ガスは、プラズマ生成サイトＰ１で発生した紫外光、真空紫外光およびＥＵＶ光Ｌ２等の短波長の光に照射されることで、ラジカル化する。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面を、水素がＨラジカルの状態で流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９１】
・変形例１０
つぎに、上記した実施の形態の変形例１０について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスをチャンバ１１内の光学要素の表面に沿って流した。ただし、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素の表面に直接ＨラジカルまたはＨ２ガスを流すラジカル発生器を配置してもよい。図２１Ａは、本変形例１０によるラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示すラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図２１Ａは図２１Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００９２】
図２１Ａおよび図２１Ｂに示すように、本変形例１０では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂが設けられている。このラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に軸対称に配置されている。ラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂのラジカル噴出口は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってラジカルが流れるように向いている。これにより、ラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂから噴出されたＨラジカルがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なくＨラジカルが流され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９３】
・変形例１１
つぎに、上記した実施の形態の変形例１１について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスをチャンバ１１内の光学要素に流した。しかし、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素に近接してＨ２ガスをラジカル化するフィラメントを配置するとともに、チャンバ１１内にＨ２ガスを充填しておいてもよい。図２２Ａは、本変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図２２Ａは図２２Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００９４】
図２２Ａおよび図２２Ｂに示すように、本変形例１１では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のフィラメント１６−１１が設けられている。このフィラメント１６−１１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に軸対称に配置されている。Ｈ２ガスは、フィラメント１６−１１近傍を通過する際にエネルギーを受けてラジカル化し、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に入射する。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９５】
（実施の形態５）
つぎに、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態および変形例では、ＥＵＶ光生成装置の稼働中に光学要素にＨラジカルまたはＨ２ガスを反射面に沿って流れるように吹きつけて光学要素に付着したＳｎをエッチングしていた。これに対し、本実施の形態５では、ＥＵＶ光生成装置の停止中に光学要素の反射面全体にＨラジカルまたはＨ２ガスを吹きつけて光学要素に付着したＳｎをエッチングする。図２３は、本実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【００９６】
図２３に示すように、本実施の形態５によるチャンバ１１Ａは、チャンバ１１Ａ内におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の前面に、外部からラジカル発生器１６−１２を導入するためのゲートＷ４ａが設けられている。このゲートＷ４ａは、シャッタＷ４によって密閉することが可能である。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動してゲートＷ４ａを開け、ラジカル発生器１６−１２をチャンバ１１Ａ内に導入する。その後、ラジカル発生器１６−１２から各光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けてＨラジカルまたはＨ２ガスを吹き付ける。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９７】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００９８】
（実施の形態６）
つぎに、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態５によるラジカル発生器１６−１２は、Ｈ２ガスを吹き出すガス導入管およびガス導入管より吹き出したＨ２ガスをラジカル化するフィラメントに、置き換えてもよい。図２４Ａは、本実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【００９９】
図２４Ａおよび図２４Ｂに示すように、本実施の形態６では、チャンバ１１Ａ内に、ラジカル発生器１６−１２に代え、不図示のＨ２ガスボンベに接続されたガス導入管１６−１３ａが導入される。ガス導入管１６−１３ａのガス放出口には、Ｈ２ガスをラジカル化するフィラメント１６−１３が設けられている。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動してゲートＷ５を開け、ガス導入管１６−１３ａをチャンバ１１Ａ内に導入する。その後、フィラメント１６−１３に電流を流すとともに、ガス導入管１６−１３ａへＨ２ガスを流入する。これにより、ガス導入管１６−１３ａから吹き出すＨ２ガスがラジカル化し、Ｈラジカルとなって各光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けて吹きつけられる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされる。
【０１００】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【０１０１】
また、上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【０１０２】
さらに、上述の実施の形態では、好ましい例として光学要素の表面に沿ってエッチングガスを流す実施の形態を示したが、この実施の形態に限定されることなく、光学要素の反射面に対してエッチングガスを吹き付けてもある程度のＳｎをエッチングすることができる。図２３および図２４の実施の形態のように光学要素表面全体に対してエッチングガスを吹きつけるのが好ましい。
【０１０３】
なお、光学要素を温度調節する装置として、温度制御された熱媒体を光学要素基板に流す例やヒータとチラーとを組み合わせた例を示したが、これらの例に限定されることなく、加熱と冷却ができるシステムであれば如何なるものも適用することができる。たとえば、温度調節素子としてペルチェ素子を使用して電流を制御することによって高精度に光学要素を温度制御してもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１、３ ＥＵＶ光生成装置
１０ ＥＵＶ光生成コントローラ
１１、１１Ａ チャンバ
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ パーティション
１２ 排気ポンプ
１３ 露光装置接続部
１４ａ ドロップレットコントローラ
１４ｂ ドロップレット生成器
１４ｃ ノズル
１４ｄ ドロップレット回収部
１５、１５ａ、１５Ａ〜１５Ｄ、１５−１０ａ、１５−１０ｂ、１６−１２ ラジカル発生器
１６ａ〜１６ｃ、１６−１、１６−２ａ、１６−２ｂ、１６−３ａ〜１６−３ｄ、１６−４、１６−５、１６−６ａ〜１６−６ｄ、１６−７ａ〜１６−７ｄ、１６−８、１６−９、１６−１３ａ ガス導入管
１６−４ａ 歪曲部
１６−５ａ 円部
１６−８ａ 外板
１６−８ｂ 内板
１６−１１、１６−１３ フィラメント
１６−８１ 隙間
１７ チラー
１８ａ、１８ｂ イオン回収部
Ｍ 光学要素
Ｍ１ ＥＵＶ集光ミラー
Ｍ２、Ｍ３ 放物面ミラー
２０ 温度コントローラ
２０ａ 電源
２０ｂ ヒータ
２０ｃ 温度センサ
２１〜２５、４０ 温度コントローラ
２１ａ〜２５ａ、４０ａ 電源
２１ｂ〜２５ｂ、４０ｂ ヒータ
２１ｃ〜２５ｃ、４０ｃ 温度センサ
３１、３２、３３、３４、３５、３６、 スタナントラップ
３１Ａ、３２Ａ 外周リング
３１Ｂ レーザ光通過リング
３１Ｃ、３２Ｃ トラッピングブレード
３１ａ レーザ光通過穴
３１ｂ、３２ｂ ＥＵＶ光通過穴
３２Ｂ 芯
３３Ｂ ブレード
４０Ａ 回収部
Ｃ１〜Ｃ５ 熱媒体流路
Ｃｉｎ 主送配管
Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎ 副送配管
Ｃｏｕｔ 主排配管
Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔ 副排配管
Ｄ ドロップレット
Ｅ オブスキュレーション領域
ＩＦ 中間集光点
Ｌ１ａ プリパルスレーザ光
Ｌ１ｂ メインパルスレーザ光
Ｌ２ ＥＵＶ光
Ｍ１ａ 貫通孔
ＭＬ メインパルスレーザ
ＰＬ プリパルスレーザ
Ｐ１ プラズマ生成サイト
Ｔ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎ、Ｔ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔ 温度センサ
Ｖ１〜Ｖ５ 流量調節バルブ
Ｗ１、Ｗ２ ウィンドウ
Ｗ３ ゲートバルブ
Ｗ４ シャッタ
Ｗ４ａ ゲート
【技術分野】
【０００１】
この開示は、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成する極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ励起プラズマ）式装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）式装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式装置との３種類がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００５】
本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口を有するチャンバと、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、前記チャンバに接続される排気ポンプと、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御する少なくとも１つの温度調節機構と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、水素ガスが水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスになる反応と、スタナンガスが分解して、固体Ｓｎが析出する反応を示す模式図である。
【図３】図３は、Ｓｎのエッチング反応速度、Ｓｎの析出反応速度、Ｓｎエッチング反応速度とＳｎ析出反応速度の差で表されるトータルのエッチングレート、それぞれの速度と温度との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、本開示の実施の形態１におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。
【図５】図５は、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。
【図７】図７は、本開示の実施の形態３においてＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。
【図８】図８は、本開示の実施の形態３においてゲートバルブの近傍に配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。
【図９】図９は、本開示の実施の形態３においてチャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。
【図１０】図１０は、本開示の実施の形態３においてチャンバ内のいずれかの位置に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるスタナントラップおよび回収器の概略構成を示す模式図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本開示による実施の形態の変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、図１２Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、本開示による実施の形態の変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示による実施の形態の変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、本開示による実施の形態の変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、図１５Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本開示による実施の形態の変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本開示による実施の形態の変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１７Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示による実施の形態の変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示による実施の形態の変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、本開示による実施の形態の変形例８によるガス導入管の先端部分の概略形状を示す斜視図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本開示による実施の形態の変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、本開示による実施の形態の変形例１０によるラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図２１Ａに示すラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、本開示による実施の形態の変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、図２２Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【図２３】図２３は、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、図２４Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【実施の形態】
【０００７】
以下、本開示を実施するための形態を図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図は本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係を概略的に示してあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係のみに限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示する数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００８】
（実施の形態１）
まず、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。
【０００９】
図１に示すように、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成用の空間を画定する気密性の高いチャンバ１１と、チャンバ１１と不図示の露光装置とを光学的に接続する露光装置接続部１３と、チャンバ１１内にＥＵＶ光の生成材料となる錫（Ｓｎ）などのターゲット物質を液滴状のドロップレットＤとして供給するドロップレットコントローラ１４ａおよびドロップレット生成器１４ｂと、ドロップレットＤをプラズマ化するためのパルス状のレーザ光（プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を出力するプリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬと、プリパルスレーザＰＬおよびメインパルスレーザＭＬならびにドロップレットコントローラ１４ａ等を適宜制御するＥＵＶ光生成コントローラ１０と、を備える。チャンバ１１内には、ドロップレット生成器１４ｂに設けられた不図示のノズル先端からドロップレットＤが供給される。
【００１０】
チャンバ１１には、プリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂを透過させるためのウィンドウＷ１およびＷ２が設けられる。また、チャンバ１１内部には、ウィンドウＷ１およびＷ２を介して入射したプリパルスレーザ光Ｌ１ａおよびメインパルスレーザ光Ｌ１ｂをそれぞれチャンバ１１内の所定の位置（プラズマ生成サイトＰ１）に集光するための放物面ミラーＭ２およびＭ３と、プラズマ生成サイトＰ１で生成されたＥＵＶ光Ｌ２を露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦに集光するように反射するＥＵＶ集光ミラーＭ１と、が設けられる。
【００１１】
この構成において、ＥＵＶ光生成コントローラ１０は、ドロップレットコントローラ１４ａを制御することで、ドロップレット生成器１４ｂがドロップレットＤを出力するタイミングを制御する。ドロップレット生成器１４ｂから出力されたドロップレットＤは、プラズマ生成サイトＰ１に到着する。ドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に到着するタイミングで、ドロップレットＤには、プリパルスレーザＰＬから出力されたプリパルスレーザ光Ｌ１ａがウィンドウＷ１および放物面ミラーＭ２を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の側面側から集光される（１段目のレーザ照射）。これにより、ドロップレットＤが拡散して、液滴状のターゲット物質が弱いプラズマ、中性粒子、クラスターやフラグメント等の混在した状態になる。以下の説明では、この混在した状態を拡散したターゲットと定義する。
【００１２】
プラズマ生成サイトＰ１で生成された拡散したターゲットには、メインパルスレーザＭＬから出力されたメインパルスレーザ光Ｌ１ｂがウィンドウＷ２および放物面ミラーＭ３を介してＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面（反射面と反対側）側から集光される（２段目のレーザ照射）。これにより、拡散したターゲットがプラズマ化して、プラズマが生成される。ＥＵＶ光Ｌ２は、このプラズマが脱励起する際に放射される。なお、ＥＵＶ集光ミラーＭ１には、メインパルスレーザ光Ｌ１ｂが通過するための貫通孔Ｍ１ａが形成されている。また、プリパルスレーザＰＬがプリパルスレーザ光Ｌ１ａを出力するタイミングおよびメインパルスレーザＭＬがメインパルスレーザ光Ｌ１ｂを出力するタイミングは、ＥＵＶ光生成コントローラ１０によって制御される。これにより、ドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に到着するタイミングでこれにプリパルスレーザ光Ｌ１ａが照射され、この結果としてプラズマ生成サイトＰ１で生成された拡散したターゲットにメインパルスレーザ光Ｌ１ｂが照射される。
【００１３】
プラズマから放射されたＥＵＶ光Ｌ２は、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラーＭ１によって反射されることで、露光装置接続部１３へ向けて反射される。この際、反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、上述したように、露光装置接続部１３内に設定された中間集光点ＩＦに集光される。その後、ＥＵＶ光Ｌ２は、不図示の導波路（たとえば管）を介して露光装置へ導波される。
【００１４】
また、本実施の形態１では、レーザ光の２段階照射によってターゲット物質（ドロップレットＤ）をプラズマ化するが、これに限らず、１段階または３段階以上のレーザ照射によってターゲット物質をプラズマ化してもよい。さらに、本実施の形態１では、ターゲット物質を液滴状にして供給する場合を例に挙げたが、これに限らず、予めチャンバ１１内に配置されたローテーション可能な固体ターゲット物質を用いてもよい。
【００１５】
また、プラズマ生成サイトＰ１で生成されたプラズマからは、ＥＵＶ光Ｌ２の放射後、イオンや原子や帯電した粒子や中性の粒子など、ターゲット物質であるＳｎの粒子（以下、Ｓｎデブリという）が発生する。このＳｎデブリは、プラズマ生成サイトＰ１から放出された後、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素に付着し、堆積し得る。
【００１６】
そこで、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１内に水素ラジカル（以下、ＨラジカルまたはＨ＊と記す）を供給するラジカル発生器１５ａ〜１５ｃと、チャンバ１１内のガスを排気する排気ポンプ１２と、を備えてもよい。ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃから放出されたＨラジカルは、チャンバ１１内にまで延在するガス導入管１６ａ〜１６ｃを介してチャンバ１１内に供給される。すなわち、ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃおよびガス導入管１６ａ〜１６ｃは、チャンバ１１内に配置された光学要素へ向けて光学要素に付着したＳｎデブリをエッチングするエッチングガス（Ｈラジカルおよびラジカル化されなかったＨ２ガス）を光学要素の表面に沿って流してもよい。
【００１７】
各ガス導入管１６ａ〜１６ｃのガス放出口は、チャンバ１１内に配置されたＥＵＶ集光ミラーＭ１や放物面ミラーＭ２およびＭ３などの光学要素にそれぞれ向けられている。すなわち、Ｓｎデブリが付着した光学要素表面に沿って、Ｈラジカルが流れる。この際、Ｈラジカルが光学要素表面のＳｎデブリと反応し、スタナン（ＳｎＨ４）ガスが生成される。このスタナンガスは、約−５２℃以上で気体である。したがって、ＳｎとＨラジカルとを反応させ、スタナンガスを生成させることによって、光学要素表面のＳｎデブリをエッチングすることが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化が防止される。
【００１８】
なお、Ｈラジカルを光学要素表面に沿って流すことによって生成されたスタナンガスは、排気ポンプ１２によってチャンバ１１外へ排気される。また、本実施の形態１では、付着したＳｎデブリに対して高効率のエッチング反応を得るために、水素をラジカルの状態で供給する。ただし、これに限らず、水素分子（Ｈ２）の状態で供給してもよい。この場合には、水素分子がプラズマ生成サイトＰ１で放射される紫外光、真空紫外光およびＥＵＶ光等によってＨラジカルを生成させれば、光学要素に付着したＳｎデブリと上記光により生成されたＨラジカルとが反応してスタナン（ＳｎＨ４）が生成される。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリがエッチングされて光学要素の性能劣化が防止される。この場合、ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃは必須ではない。ラジカル発生器１５ａ〜１５ｃの代わりに水素ガス供給源が必要である。水素ガス供給源は露光装置が設置される工場設備にあってもよいし、ＥＵＶ光生成装置および縮小投影反射光学系のいずれかに備えられていてもよい。
【００１９】
また、チャンバ１１内には、たとえば板状のパーティション１１ａ〜１１ｃが配置されている。このパーティション１１ａ〜１１ｃによって、チャンバ１１内でのガス、すなわちＨラジカル（または水素ガス）およびスタナンガスの流れがコントロールされる。この結果、光学要素に付着したＳｎデブリを効果的にエッチングしつつ、生成されたスタナンガスを効率よく排出することが可能となる。パーティション１１ｂと１１ｃで形成される開口部Ａ１は、エッチングガスの排出口の機能とメインパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能を果たす。パーティション１１ａと１１ｂで形成される開口部Ａ２は、エッチングガスの排出口の機能とプリパルスレーザ光Ｌ１ａの光路の機能を果たす。
【００２０】
さらに、各光学要素（たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１ならびに放物面ミラーＭ２およびＭ３）からデブリの発生サイトであるプラズマ生成サイトＰ１へ向けてガスが流れるように、パーティション１１ａ〜１１ｃを用いてガスの流れを制御することで、各光学要素へのＳｎデブリの入射を抑制することが可能となる。これにより、各光学要素へのＳｎデブリの付着自体を低減することが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化をより確実に防止することが可能となる。
【００２１】
図２に、水素ガスがフィラメントにより水素ラジカルに変化して、光学要素上の固体Ｓｎと反応してスタナンガスになるエッチング反応と、スタナンガスが分解して、固体Ｓｎが析出する反応を示す模式図を示す。ＳｎとＨラジカルの反応は、以下の化学反応式（１）および（２）で表される。
エッチング反応：Ｓｎ（ｓ）＋４Ｈ＊（ｇ）→ＳｎＨ４（ｇ） （１）
析出反応：ＳｎＨ４→Ｓｎ（ｓ）＋２Ｈ２ （２）
【００２２】
ここで（ｓ）および（ｇ）はそれぞれ、固体状態とガス状態とを示している。化学反応式（１）および（２）が示す反応は、同時に起こる。トータルのエッチングレートＶａｌは、以下の式（３）に示すように、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２との差で表現される。
Ｖａｌ＝Ｖ１−Ｖ２ （３）
【００２３】
そして、エッチングレートＶ１、析出速度Ｖ２およびトータルのエッチングレートＶａｌは各Ｈラジカル、Ｈ２、およびＳｎＨ４の濃度が一定の場合は光学要素の温度によって変化する。
【００２４】
図２は、光学要素を温度調節する構成（温度調節機構）の概略を示す模式図である。温度調節機構は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１などの光学要素Ｍに設けられた温度調節素子２０ｂと、温度調節素子２０ｂに電流を流す電源２０ａと、光学要素Ｍに設けられた温度センサ２０ｃと、温度センサ２０ｃで検出された温度に基づいて電源２０ａが温度調節素子２０ｂに流す電流を制御する温度コントローラ２０と、を備える。この温度調節素子２０ｂの例としては、ヒータを使用し、温度センサ２０ｃの検出結果に基づいて、ヒータへ供給される電流を制御することによって、温度を所定の温度に安定化させている。
【００２５】
各設定温度（常温から加熱温調できる範囲で）に対する、トータルのエッチングレートＶａｌを計測した。図３は、ＳｎのエッチングレートＶ１、Ｓｎの析出速度Ｖ２およびＳｎエッチングレートＶ１とＳｎ析出速度Ｖ２の差で表されるトータルのエッチングレートＶａｌそれぞれの速度と、光学要素表面温度との関係を示すグラフである。図３において、破線はエッチングレートＶ１の温度依存性を示し、一点破線は析出速度Ｖ２の温度依存性を示す。実線は、トータルのエッチングレートＶａｌ（＝Ｖ１−Ｖ２）を示す。ここで、トータルのエッチングレートが０の場合は、エッチングレートＶ１と析出速度Ｖ２が等しい時であり、光学要素の表面に付着したＳｎは除去できない。トータルのエッチングレートＶａｌが正の場合は、光学要素の表面に付着したＳｎをエッチングすることができる。逆にエッチングレートＶａｌが負の場合は、光学要素の表面にさらにＳｎが析出することを意味している。したがって、各光学要素Ｍの温度は、目的の温度範囲（たとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下）内となるように、実測された温度に基づいて温度コントローラ２０が電源２０ａが温度調節素子２０ｂへ供給する電流を制御することで、トータルのエッチングレートＶａｌを必要なエッチングレートとして光学要素に付着したＳｎを取り除くことができる。
【００２６】
図３に示すように、光学要素に付着しているＳｎのトータルのエッチングレートＶａｌは、温度が０℃から６０℃程度までは、温度上昇につれて上昇する。一方、温度が１００℃程度を超えると、トータルのエッチングレートＶａｌが低下し始める。そこで本実施の形態１では、チャンバ１１内に配置した各光学要素の温度をたとえば４０℃以上１２０℃以下、好ましくは６０℃以上１００℃以下の温度範囲内に制御する。これにより、スタナンガスが分解して光学要素表面にＳｎが析出するのを防止する。この結果、光学要素表面へのＳｎの再析出が防止される。図４は、本実施の形態１におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。なお、図４では、温度制御対象の光学要素として、ウィンドウＷ１およびＷ２、ＥＵＶ集光ミラーＭ１、ならびに放物面ミラーＭ２およびＭ３（以下、単に光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３という）を例に挙げる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００２７】
図４に示すように、本実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１１外に配置されたチラー１７を備える。チラー１７は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を温度制御するための熱媒体（たとえば温度調節された水や油などの動作温度で安定な液）を主送配管Ｃｉｎへ送出する。主送配管Ｃｉｎから光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、それぞれ副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎが分岐されている。したがって、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へは、主送配管Ｃｉｎへ送り出された温度調節された熱媒体が副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎを介して供給される。
【００２８】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３は、送り込まれた熱媒体を内部で循環させる熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を備える。したがって、各副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎに分岐された熱媒体は、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に流れ込み、その後、各光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３内を循環する。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的とする温度範囲内に調節される。
【００２９】
光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５を循環した熱媒体は、その後、熱媒体流路Ｃ１〜Ｃ５に連結された副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込む。この副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔは、チラー１７に繋がる主排配管Ｃｏｕｔに連結されている。したがって、副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れ込んだ熱媒体は、その後、主排配管Ｃｏｕｔを介してチラー１７に戻る。なお、チラー１７に戻された熱媒体は、温度調節された後、再度、主送配管Ｃｉｎへ送り出されてもよい。
【００３０】
なお、副送配管Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎおよび副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、それぞれの配管に流れる熱媒体の温度を検出するための温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔが設けられる。この温度センサＴ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎおよびＴ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔは、たとえばＥＵＶ光生成コントローラ１０または図示しない循環ポンプが内蔵されたチラー１７によってトータルの流量と温度が制御される。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３へ滞りなく熱媒体が供給される。
【００３１】
また、たとえば、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔには、流量調節バルブＶ１〜Ｖ５が設けられる。たとえば、ＥＵＶ光生成コントローラ１０またはチラー１７は、各光学要素に流れる流量を制御するために、これらの流量調節バルブＶ１〜Ｖ５を制御する。これにより、各副排配管Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔに流れる熱媒体の流量が制御される。この結果、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３に流れる熱媒体の流量が制御され、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的とする温度範囲内に調節される。
【００３２】
以上のように、本実施の形態１によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３３】
（実施の形態２）
つぎに、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図５は、本実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置におけるチャンバ内に配置された光学要素を温度制御するための構成を示す模式図である。なお、本実施の形態２では、上述の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置１に冷却水とヒータとを組み合わせた温度調節機構を適用する。この構成によれば、大容量の温度調節が可能なチラー１７を用いた温度調節機構に、加熱および冷却が可能なヒータ２０ｂを用いた温度調節を併用することが可能となる。これにより、より高精度の温度調節が可能となるため、各光学要素へのＳｎの付着をさらに低減することが可能となる。この結果、光学要素の性能劣化をさらに防止することが可能となる。
【００３５】
図５に示すように、本実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図４に示す構成と同様の構成に加え、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３に、ヒータ２１ｂ〜２５ｂと温度センサ２１ｃ〜２５ｃとが設けられている。ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａに接続されている。また、温度センサ２１ｃ〜２５ｃで検出された温度は、温度コントローラ２１〜２５にそれぞれ入力される。温度コントローラ２１〜２５は、温度センサ２１ｃ〜２５ｃから入力された温度が目的の温度範囲内に入るように、電源２１ａ〜２５ａがヒータ２１ｂ〜２５ｂに流す電流を制御する。各ヒータ２１ｂ〜２５ｂは、電源２１ａ〜２５ａから供給された電流に応じて、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３を加熱する。これにより、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３の温度が目的の温度範囲内に入るように、光学要素Ｗ１〜Ｗ２およびＭ１〜Ｍ３が温度調節される。さらに、温度が設定温度に対して上昇しすぎる場合は、チラー１７の冷却水によって冷却し、ヒータによって加熱することによって光学要素の温度を高精度に制御することが可能となる。
【００３６】
以上のように、本実施の形態２によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素表面に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００３７】
他の構成および効果は、上述した実施の形態と同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３８】
（実施の形態３）
つぎに、本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図６は、本実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置３の概略構成を示す模式図である。なお、本実施の形態３においても、図３または図５に示す温度調節機構がＥＵＶ光生成装置３に設けられる。
【００３９】
図６に示すように、ＥＵＶ光生成装置３は、図１に示すＥＵＶ光生成装置１と同様の構成に加え、ＳｎとＨラジカル（またはＨ２）とが反応することで発生したスタナンガスを分解して析出したＳｎをトラップするためのスタナントラップ３１〜３６が、チャンバ１１内に設けられた構成を備える。スタナントラップ３１は、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に近接して配置され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に付着したＳｎから発生したスタナンをトラップする。スタナントラップ３２は、チャンバ１１内であって、ゲートバルブＷ３近傍に配置され、ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３側へ流れ込もうとするＳｎをトラップする。スタナントラップ３３は、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置され、チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込むＳｎをトラップする。スタナントラップ３４〜３６は、チャンバ１１内の適切な位置、たとえばＳｎデブリが付着しやすい位置に配置され、チャンバ１１内に存在するＳｎをトラップする。
【００４０】
このスタナントラップ３１〜３６は、たとえばスタナンが分解してＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に温度調節される。これにより、本実施の形態３では、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減することが可能となる。結果、光学要素の表面に付着したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度も低減されるため、付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、スタナントラップ３１〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）未満とすることで、スタナンガスから析出したＳｎを固体の状態でスタナントラップの表面に定着させることが可能となる。なお、スタナントラップ３１〜３６の材料には、Ｓｎとの反応性が低い物質、たとえばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、またはアルミナ等を用いるのが好ましい。
【００４１】
つづいて、本実施の形態３によるスタナントラップの例について、図面を参照して詳細に説明する。
【００４２】
・スタナントラップ３１
図７は、本実施の形態３においてＥＵＶ集光ミラーの反射面側に近接して配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。図７に示すように、スタナントラップ３１は、両端面が開口された円柱状の形状をしている。具体的には、スタナントラップ３１は、両端が開口された筒状の外周リング３１Ａと、外周リング３１Ａ内の中央に配置され、両端が開口された筒状のレーザ光通過リング３１Ｂと、の２重リングの構造を備える。外周リング３１Ａの中心軸とレーザ光通過リング３１Ｂの中心軸とは、略一致するよう構成される。レーザ光通過リング３１Ｂに開口された空間は、ＥＵＶ光集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介したレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を通過させるレーザ光通過穴３１ａとして機能する。また、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間の空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を通過させるＥＵＶ光通過穴３１ｂとして機能する。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３１ｂ以外の外周リング３１Ａの外側やレーザ光通過リング３１Ｂの内側を通過してもよい。
【００４３】
また、レーザ光通過リング３１Ｂの外側面から外周リング３１Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３１Ｃが放射状に延在する。このトラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａに対してレーザ光通過リング３１Ｂを固定する機能を有するほか、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを通過するスタナンガスをトラップするブレードとしても機能する。なお、トラッピングブレード３１Ｃは、外周リング３１Ａとレーザ光通過リング３１Ｂとの間のＥＵＶ光通過穴３１ｂを複数の領域に仕切る。
【００４４】
以上のような構成を備えるスタナントラップ３１は、レーザ光通過リング３１Ｂの中心軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介してプラズマ生成サイトＰ１に集光されるレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）のビーム軸と略一致し、外周リング３１Ａの中心軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の中心軸と略一致するように、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側にＥＵＶ集光ミラーＭ１に近接して配置される。これにより、スタナントラップ３１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａを介するレーザ光（たとえばメインパルスレーザ光Ｌ１ｂ）を遮蔽することなく通過させるとともに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーのロスをできるだけ小さくして通過させる。
【００４５】
また、ＥＵＶ集光ミラーＭ１をＨラジカル（またはＨ２ガス）でブローすることで生成されたスタナンガスは、主に、レーザ光通過穴３１ａ内またはＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を流れる。そこで、スタナントラップ３１を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。このスタナントラップ３１には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３１には、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３１が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから発生したスタナンガスが、レーザ光通過穴３１ａ内またはＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出する。この析出したＳｎは、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかの表面に析出する。すなわち、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎからスタナンガスの状態で発生したＳｎの一部は、外周リング３１Ａ、レーザ光通過リング３１Ｂおよびトラッピングブレード３１Ｃの少なくともいずれかによって回収される。これにより、チャンバ１１内のスタナンガスの濃度を低減させることが可能となる。この結果、光学要素の表面に析出したＳｎ層表面付近のスタナンガスの濃度が低減されるため、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に付着したＳｎのトータルのエッチングレートを向上させることが可能となる。また、スタナントラップ３１の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３１に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００４６】
・スタナントラップ３２
図８は、本実施の形態３においてゲートバルブの近傍に配置されるスタナントラップの概略構成を示す斜視図である。図８に示すように、スタナントラップ３２は、両端面が開口された円錐台の形状をしている。具体的には、スタナントラップ３２は、両端が開口された円錐台状の外周リング３２Ａと、外周リング３２Ａ内の中心に配置された棒状の芯３２Ｂと、芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面に放射状に延びる複数のトラッピングブレード３２Ｃと、を備える。芯３２Ｂは、複数のトラッピングブレード３２Ｃを束ねる機能を果たす。この芯３２Ｂは、省略することもできる。外周リング３２Ａに開口された空間は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２が通過するＥＵＶ光通過穴３２ｂとして機能する。ただし、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光通過穴３２ｂ以外の外周リング３２Ａの外側を通過してもよい。
【００４７】
また、芯３２Ｂから外周リング３２Ａの内側面にかけては、板状のトラッピングブレード３２Ｃが放射状に延在する。このトラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２ＡのＥＵＶ光通過穴３２ｂを通過するスタナンガスをトラップするブレードとして機能する。なお、トラッピングブレード３２Ｃは、外周リング３２Ａ内のＥＵＶ光通過穴３２ｂを複数の領域に仕切る。
【００４８】
以上のような構成を備えるスタナントラップ３２は、外周リング３２Ａの中心軸がＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２の中心軸と略一致するように、ゲートバルブＷ３に近接して配置される。これにより、スタナントラップ３２は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２をそのエネルギーのロスをできる限り小さくして通過させる。
【００４９】
また、ゲートバルブＷ３を介して露光装置接続部１３内へ流れ込もうとするスタナンは、主に、ＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を流れる。そこで、スタナントラップ３２を、上述したように、たとえばスタナンが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。このスタナントラップ３２には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３２には、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３２が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、ＥＵＶ集光ミラーＭ１表面に付着したＳｎから発生したスタナンガスが、レーザ光通過穴３１ａ内またはＥＵＶ光通過穴３１ｂ内を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出する。この析出したＳｎは、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかの表面に付着する。すなわち、ゲートバルブＷ３を介して露光装置側へスタナンガスの状態で流れ込もうとするＳｎは、外周リング３２Ａ、芯３２Ｂおよびトラッピングブレード３２Ｃの少なくともいずれかによって回収される。これにより、露光装置へのスタナンガスの流入を防止または低減することが可能となる。また、スタナントラップ３２の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３２に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５０】
・スタナントラップ３３
図９は、本実施の形態３においてチャンバと排気ポンプとの接続部に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。図９に示すように、スタナントラップ３３は、たとえばチャンバ１１から排気ポンプ１２へのガスの流れに対して平行に配置された板状のブレード３３Ｂを格子状に組み合わせた構成を備える。したがって、チャンバ１１内から排気ポンプ１２へ流れ込もうとするスタナンガスは、ブレード３３Ｂによって格子状に仕切られた空間内を流れる。そこで、スタナントラップ３３を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。このスタナントラップ３３には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３３には、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３３が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、排気ポンプ１２に流れ込もうとするスタナンガスが、格子状の空間を通過する際に加熱されて分解され、Ｓｎが析出する。この析出したＳｎは、ブレード３３Ｂの表面に付着する。すなわち、排気ポンプ１２にスタナンガスの状態で流れ込もうとするＳｎは、ブレード３３Ｂによって回収される。これにより、排気ポンプ１２へのスタナンガスの流入を防止または低減することが可能となる。また、スタナントラップ３３の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３３に固体の状態で定着させることが可能となる。
【００５１】
・スタナントラップ３４〜３６
図１０は、本実施の形態３においてチャンバ内のいずれかの位置に配置されるスタナントラップの概略構成を示す模式図である。図１０に示すように、スタナントラップ３４〜３６は、ワイヤやリボンが３次元の網目（または格子）状に組み合わされた構成を備える。したがって、チャンバ１１内を飛び交うスタナンガスは、スタナントラップ３４〜３６の表面付近を通過する。そこで、スタナントラップ３４〜３６を、上述したように、たとえばスタナンガスが分解されてＳｎが析出する温度（たとえば１２０℃）以上に加熱しておく。これらのスタナントラップ３４〜３６には、電流によって加熱されるヒータ４０ｂがそれぞれ設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、スタナントラップ３４〜３６には、温度センサ４０ｃがそれぞれ設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３４〜３６が、Ｓｎが析出する温度程度以上に加熱される。これにより、チャンバ１１内を飛び交うスタナンガスが、スタナントラップ３４〜３６の表面付近を通過する際に加熱されて分解され、ワイヤやリボンの表面にＳｎが析出する。この析出したＳｎは、スタナントラップ３４〜３６の表面に付着する。これにより、チャンバ１１内にスタナンの状態で存在するＳｎを、スタナントラップ３４〜３６によって回収することができる。また、スタナントラップ３４〜３６の温度をＳｎの融点（２３２℃）程度未満とすることで、Ｓｎをスタナントラップ３４〜３６の内部に固体の状態で定着させることが可能となる。なお、スタナントラップ３４〜３６には、スポンジのような多孔質なものを用いてもよい。
【００５２】
以上のように構成することで、本実施の形態３によれば、エッチングガスによってエッチングされたターゲット物質が、再度、光学要素に析出しないように、光学要素の温度を制御することが可能となるため、チャンバ内に配置された光学要素の性能劣化を防止することが可能なＥＵＶ光生成装置を実現することが可能となる。
【００５３】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５４】
（実施の形態４）
つぎに、本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態３では、スタナントラップ３１〜３６をスタナンが分解してＳｎを析出させる温度（１２０℃程度）以上であってＳｎが固体の状態を保つ温度融点（２３２℃）未満に温度調節することで、スタナントラップ３１〜３６にトラップされたＳｎを、これに固体の状態で定着させた。これに対し、本実施の形態４では、スタナントラップ３１〜３６をＳｎが溶融する温度以上に加熱することで、スタナントラップ３１〜３６にトラップされたＳｎを液化してスタナントラップ３１〜３６から流出させる。流出した溶融Ｓｎは、たとえばバケットなどの回収器で回収する。
【００５５】
図１１は、本実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置におけるスタナントラップおよび回収器の概略構成を示す模式図である。なお、図１１では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されたスタナントラップを例に挙げて説明する。
【００５６】
図１１に示すように、本実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置では、チャンバ１１から排気ポンプ１２までの接続部が、Ｌ字型に屈曲している。チャンバ１１との接続部は、重力方向に延伸する。排気ポンプ１２との接続部は、チャンバ１１との接続部から分岐する形で水平方向に延伸する。チャンバ１１から排気ポンプ１２に流れ込むスタナンガスをトラップするスタナントラップ３３は、チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の途中に配置される。このスタナントラップ３３の各ブレード３３Ｂには、電流によって加熱されるヒータ４０ｂが設けられている。このヒータ４０ｂには、電流を供給する電源４０ａが接続される。また、少なくとも１つのブレード３３Ｂには、温度センサ４０ｃが設けられている。温度センサ４０ｃで検出された温度は、温度コントローラ４０に入力される。温度コントローラ４０は、温度センサ４０ｃで検出された温度に基づいて電源４０ａがヒータ４０ｂに流す電流を制御する。これにより、スタナントラップ３３が、Ｓｎが溶融する温度（２３２℃）程度以上に加熱される。この結果、スタナントラップ３３から溶融ＳｎＤＤが流れ出す。
【００５７】
チャンバ１１から重力方向に延伸する接続部の下部には、スタナントラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを回収する回収部４０Ａが設けられる。これにより、スタナントラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤが光学要素等を汚染することを防止できる。なお、チャンバ１１から延伸する接続部と回収部４０Ａとの連結部分を円錐台形状にしておくことで、スタナントラップ３３から流れ出した溶融ＳｎＤＤを確実に回収部４０Ａで回収することが可能となる。
【００５８】
なお、本実施の形態４では、チャンバ１１と排気ポンプ１２との接続部に配置されたスタナントラップ３３を例に挙げて説明した。しかし、これに限定されず、たとえば実施の形態３で例示したスタナントラップ３１〜３６のいずれに対しても同様の構成を適用することが可能である。すなわち、スタナントラップを加熱するヒータおよび電源と、スタナントラップの温度を検出する温度センサと、温度センサで検出された温度に基づいて電源を駆動することでスタナントラップの温度を調節する温度コントローラと、スタナントラップに対して重力方向下方に配置されることでスタナントラップから流れ出した溶融Ｓｎを回収する回収部とを、各スタナントラップに配置することで、各スタナントラップでトラップされたＳｎを液化して回収することが可能となる。
【００５９】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６０】
・変形例１
つぎに、上述した各実施の形態におけるガス導入管の変形例について、以下に図面を参照して詳細に説明する。ただし、以下の説明では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってＨラジカルまたはＨ２ガスを流すためのガス導入管の変形例を例に挙げて説明する。
【００６１】
まず、上記した実施の形態の変形例１によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１２Ａは、本変形例１によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１２Ａは図１２Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００６２】
図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように、本変形例１では、ラジカル発生器１５から延出したガス導入管１６−１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように延在する。ガス導入管１６−１の途中には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口した穴が略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−１内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−１途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射表面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００６３】
なお、ガス導入管１６−１は、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されたドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間が設けられる。
【００６４】
・変形例２
つぎに、上記した実施の形態の変形例２によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１３Ａは、本変形例２によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１３Ａは図１３Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００６５】
図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、本変形例２では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル発生器１５Ａおよび１５Ｂが設けられている。このラジカル発生器１５Ａおよび１５Ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、軸対称に配置されている。ラジカル発生器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ａが延在する。同様に、ラジカル発生器１５Ｂからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、半弧状のガス導入管１６−２ｂが延在する。この２つの半弧状のガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれる。なお、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂの途中には、それぞれＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口した穴が略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５Ａおよび１５Ｂからガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂの途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射表面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００６６】
なお、ガス導入管１６−２ａおよび１６−２ｂは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されたドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成サイトＰ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間がそれぞれ設けられる。
【００６７】
・変形例３
つぎに、上記した実施の形態の変形例３によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１４Ａは、本変形例３によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１４Ｂは、図１４Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１４Ａは図１４Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００６８】
図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、本変形例３では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば４つ）のラジカル発生器１５Ａ〜１５Ｄが設けられている。このラジカル発生器１５Ａ〜１５Ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、軸対称に略等間隔に配置されている。ラジカル発生器１５Ａからは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ａが延在する。同様に、ラジカル発生器１５Ｂ〜１５Ｄからは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を外側から囲むように、１／４円弧状のガス導入管１６−３ｂ〜１６−３ｄが延在する。この４つの１／４円弧状のガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄによって、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面が外側から囲まれる。なお、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄの途中には、それぞれＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に向けて開口した穴が略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５Ａ〜１５Ｄからガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄ内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄ途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射表面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００６９】
なお、ガス導入管１６−３ａ〜１６−３ｄは、たとえばドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端から出力されたドロップレットＤがプラズマ生成サイトＰ１に向けて進行すること、および、プラズマ生成サイトＰ１を通過したドロップレットＤまたはドロップレットＤの残骸がドロップレット回収部１４ｄに向けて進行することを妨げないように、その一部に隙間がそれぞれ設けられる。
【００７０】
また、プラズマ生成サイトＰ１を通る磁場Ｂを生成して、プラズマ生成サイトＰ１付近に発生したイオンなどのＳｎのデブリをミチゲーションしてイオン回収部１８ａおよび１８ｂで回収する場合、この磁場によってトラップされたデブリが通過する部分には、この通過を妨げないように、その一部に隙間がそれぞれ設けられる。
【００７１】
・変形例４
つぎに、上記した実施の形態の変形例４によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１５Ａは、本変形例４によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１５Ｂは、図１５Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１５Ａは図１５Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００７２】
図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、本変形例４によるガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１５Ｂ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って弓状に歪曲する形状を備える（図１５Ａ参照）。また、ガス導入管１６−４の略中央のＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、この貫通孔Ｍ１ａを避けるように半弧状に歪曲した歪曲部１６−４ａが設けられる（図１５Ｂ参照）。
【００７３】
このような形状を有するガス導入管１６−４は、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置される。オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ集光ミラーによって集光されるＥＵＶ光のうちが露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に対応する領域のことをいう。すなわち、オブスキュレーション領域は、露光装置において利用されないＥＵＶ光の角度範囲に含まれる３次元的な領域である。
【００７４】
ガス導入管１６−４の途中には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口した穴が両側に略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−４内に送られたＨラジカルは、ガス導入管１６−４途中の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａを通る中心線付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００７５】
なお、ガス導入管１６−４は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲している。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されたドロップレットＤのプラズマ生成サイトＰ１への進行を妨げることがない。
【００７６】
・変形例５
つぎに、上記した実施の形態の変形例５によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１６Ａは、本変形例５によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１６Ｂは、図１６Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１６Ａは図１６Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００７７】
図１６Ａおよび図１６Ｂに示すように、本変形例５によるガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見た形状が略直線であって（図１６Ｂ参照）、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端から中央の貫通孔Ｍ１ａにかけて反射面に沿って弓状に歪曲する形状を備える（図１６Ａ参照）。また、ガス導入管１６−５の先端部であってＥＵＶ集光ミラーＭ１の貫通孔Ｍ１ａに対応する位置には、この貫通孔Ｍ１ａを囲む円部１６−５ａが設けられる（図１６Ｂ参照）。なお、本変形例５によるガス導入管１６−５も、ＥＵＶ光Ｌ２のオブスキュレーション領域Ｅ内に配置される。
【００７８】
ガス導入管１６−５先端の円部１６−５ａには、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってエッチングガスが流れるように開口した穴が外側に向けて略等間隔に設けられている。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−５内に送られたＨラジカルは、円部１６−５ａに設けられた穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００７９】
なお、ガス導入管１６−５は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲している。この構成により、ドロップレット生成器１４ｂのノズル１４ｃ先端からオブスキュレーション領域Ｅ内に出力されたドロップレットＤのプラズマ生成サイトＰ１への進行を妨げることがない。
【００８０】
・変形例６
つぎに、上記した実施の形態の変形例６によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１７Ａは、本変形例６によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１７Ｂは、図１７Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１７Ａは図１７Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００８１】
図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、本変形例６によるガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有する。ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て軸対称に配置される。
【００８２】
ガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄにおける貫通孔Ｍ１ａから突出した先端部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられる。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−６ａ〜１６−６ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って同心円状に流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００８３】
・変形例７
つぎに、上記した実施の形態の変形例７によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１８Ａは、本変形例７によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図１８Ａは図１８Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００８４】
図１８Ａおよび図１８Ｂに示すように、本変形例７によるガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、それぞれ、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側から貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出する形状を有する。また、ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄの貫通孔Ｍ１ａから突出した部分は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の端に向かって延伸するとともに、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って歪曲している。なお、ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て軸対称に配置される。
【００８５】
ガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄにおける貫通孔Ｍ１ａから突出した部分には、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って開口する複数の穴が設けられる。したがって、ラジカル発生器１５からガス導入管１６−７ａ〜１６−７ｄ内に送られたＨラジカルは、先端部分の穴から吹き出す。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って同心円状に広がって流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００８６】
・変形例８
つぎに、上記した実施の形態の変形例８によるガス導入管について、図面を参照して詳細に説明する。図１９Ａは、本変形例８によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。図１９Ｃは、本変形例８によるガス導入管の先端部分の概略形状を示す斜視図である。
【００８７】
図１９Ａ〜図１９Ｃに示すように、本変形例８によるガス導入管１６−８は、開口する先端がドーム状に拡がった円錐状の外板１６−８ａと、同様に開口する先端がドーム状に拡がり且つこの先端が外板１６−８ａの開口部から隙間を持ちつつ突出する円錐状の内板１６−８ｂと、を備える。すなわち、ガス導入管１６−８は、外板１６−８ａと内板１６−８ｂとの間に隙間が設けられた二重構造の構成をしている。ガス導入管１６−８の先端部は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側より貫通孔Ｍ１ａを介して反射面側に突出している。したがって、ガス導入管１６−８の先端側に形成されたドーム状に拡がる部分の隙間１６−８１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面を向く。Ｈラジカルは、ガス導入管１６−８におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の背面側の隙間からガス導入管１６−８内に流入し、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側に突出した先端部分の隙間から吹き出される。これにより、Ｈラジカルガスが、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の中央の貫通孔Ｍ１ａ付近から満遍なく、ＥＵＶ集光ミラーの反射面に沿って同心円状に広がって流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００８８】
・変形例９
つぎに、上記した実施の形態の変形例９について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、Ｈ２をラジカル化し、Ｈラジカルの状態で各種光学要素の表面に沿って流していた。これに対し、本変形例９では、チャンバ１１内の光学要素、特にＥＵＶ光Ｌ２を強く浴びるＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して、Ｈラジカルではなく、Ｈ２ガスを吹きつける。図２０Ａは、本変形例９によるガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図２０Ｂは、図２０Ａに示すガス導入管およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図２０Ａは図２０Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００８９】
図２０Ａおよび図２０Ｂに示すように、本変形例９によるガス導入管１６−９は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿ってＨ２ガスを流す。なお、ガス導入管１６−９の形状は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１で反射されたＥＵＶ光Ｌ２を略遮蔽しないものであれば、如何様にも変形できる。
【００９０】
ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流されたＨ２ガスは、プラズマ生成サイトＰ１で発生した紫外光、真空紫外光およびＥＵＶ光Ｌ２等の短波長の光に照射されることで、ラジカル化する。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面を、水素がＨラジカルの状態で流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９１】
・変形例１０
つぎに、上記した実施の形態の変形例１０について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスをチャンバ１１内の光学要素の表面に沿って流した。ただし、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素の表面に直接ＨラジカルまたはＨ２ガスを流すラジカル発生器を配置してもよい。図２１Ａは、本変形例１０によるラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示すラジカル発生器およびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図２１Ａは図２１Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００９２】
図２１Ａおよび図２１Ｂに示すように、本変形例１０では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂが設けられている。このラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂは、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に軸対称に配置されている。ラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂのラジカル噴出口は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の表面に沿ってラジカルが流れるように向いている。これにより、ラジカル発生器１５−１０ａおよび１５−１０ｂから噴出されたＨラジカルがＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に沿って流れる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面の外周から満遍なくＨラジカルが流され、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９３】
・変形例１１
つぎに、上記した実施の形態の変形例１１について、図面を参照して詳細に説明する。上述した実施の形態および変形例では、ガス導入管を介してＨラジカルまたはＨ２ガスをチャンバ１１内の光学要素に流した。しかし、これに限定されず、チャンバ１１内の光学要素に近接してＨ２ガスをラジカル化するフィラメントを配置するとともに、チャンバ１１内にＨ２ガスを充填しておいてもよい。図２２Ａは、本変形例１１によるフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーの概略構成を示す断面図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。なお、図２２Ａは図２２Ｂに示すＡＡ断面図である。
【００９４】
図２２Ａおよび図２２Ｂに示すように、本変形例１１では、ＥＵＶ集光ミラーＭ１に対して複数（たとえば２つ）のフィラメント１６−１１が設けられている。このフィラメント１６−１１は、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面側から見て、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面上外に軸対称に配置されている。Ｈ２ガスは、フィラメント１６−１１近傍を通過する際にエネルギーを受けてラジカル化し、その後、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面に入射する。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１の特に反射面に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９５】
（実施の形態５）
つぎに、本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態および変形例では、ＥＵＶ光生成装置の稼働中に光学要素にＨラジカルまたはＨ２ガスを反射面に沿って流れるように吹きつけて光学要素に付着したＳｎをエッチングしていた。これに対し、本実施の形態５では、ＥＵＶ光生成装置の停止中に光学要素の反射面全体にＨラジカルまたはＨ２ガスを吹きつけて光学要素に付着したＳｎをエッチングする。図２３は、本実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。
【００９６】
図２３に示すように、本実施の形態５によるチャンバ１１Ａは、チャンバ１１Ａ内におけるＥＵＶ集光ミラーＭ１の前面に、外部からラジカル発生器１６−１２を導入するためのゲートＷ４ａが設けられている。このゲートＷ４ａは、シャッタＷ４によって密閉することが可能である。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動してゲートＷ４ａを開け、ラジカル発生器１６−１２をチャンバ１１Ａ内に導入する。その後、ラジカル発生器１６−１２から各光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けてＨラジカルまたはＨ２ガスを吹き付ける。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされる。
【００９７】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【００９８】
（実施の形態６）
つぎに、本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。上述の実施の形態５によるラジカル発生器１６−１２は、Ｈ２ガスを吹き出すガス導入管およびガス導入管より吹き出したＨ２ガスをラジカル化するフィラメントに、置き換えてもよい。図２４Ａは、本実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式断面図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示すフィラメントおよびＥＵＶ集光ミラーをＥＵＶ集光ミラーの反射面側から見た際の概略構成を示す模式図である。
【００９９】
図２４Ａおよび図２４Ｂに示すように、本実施の形態６では、チャンバ１１Ａ内に、ラジカル発生器１６−１２に代え、不図示のＨ２ガスボンベに接続されたガス導入管１６−１３ａが導入される。ガス導入管１６−１３ａのガス放出口には、Ｈ２ガスをラジカル化するフィラメント１６−１３が設けられている。ＥＵＶ光生成装置の停止時には、まず、シャッタＷ４を移動してゲートＷ５を開け、ガス導入管１６−１３ａをチャンバ１１Ａ内に導入する。その後、フィラメント１６−１３に電流を流すとともに、ガス導入管１６−１３ａへＨ２ガスを流入する。これにより、ガス導入管１６−１３ａから吹き出すＨ２ガスがラジカル化し、Ｈラジカルとなって各光学要素、たとえばＥＵＶ集光ミラーＭ１の反射面全体に向けて吹きつけられる。この結果、ＥＵＶ集光ミラーＭ１等の光学要素に付着したＳｎがエッチングされる。
【０１００】
他の構成および効果は、上述した実施の形態のいずれかと同様であるため、ここでは重複する説明を省略する。
【０１０１】
また、上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内であり、更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示した変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【０１０２】
さらに、上述の実施の形態では、好ましい例として光学要素の表面に沿ってエッチングガスを流す実施の形態を示したが、この実施の形態に限定されることなく、光学要素の反射面に対してエッチングガスを吹き付けてもある程度のＳｎをエッチングすることができる。図２３および図２４の実施の形態のように光学要素表面全体に対してエッチングガスを吹きつけるのが好ましい。
【０１０３】
なお、光学要素を温度調節する装置として、温度制御された熱媒体を光学要素基板に流す例やヒータとチラーとを組み合わせた例を示したが、これらの例に限定されることなく、加熱と冷却ができるシステムであれば如何なるものも適用することができる。たとえば、温度調節素子としてペルチェ素子を使用して電流を制御することによって高精度に光学要素を温度制御してもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１、３ ＥＵＶ光生成装置
１０ ＥＵＶ光生成コントローラ
１１、１１Ａ チャンバ
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ パーティション
１２ 排気ポンプ
１３ 露光装置接続部
１４ａ ドロップレットコントローラ
１４ｂ ドロップレット生成器
１４ｃ ノズル
１４ｄ ドロップレット回収部
１５、１５ａ、１５Ａ〜１５Ｄ、１５−１０ａ、１５−１０ｂ、１６−１２ ラジカル発生器
１６ａ〜１６ｃ、１６−１、１６−２ａ、１６−２ｂ、１６−３ａ〜１６−３ｄ、１６−４、１６−５、１６−６ａ〜１６−６ｄ、１６−７ａ〜１６−７ｄ、１６−８、１６−９、１６−１３ａ ガス導入管
１６−４ａ 歪曲部
１６−５ａ 円部
１６−８ａ 外板
１６−８ｂ 内板
１６−１１、１６−１３ フィラメント
１６−８１ 隙間
１７ チラー
１８ａ、１８ｂ イオン回収部
Ｍ 光学要素
Ｍ１ ＥＵＶ集光ミラー
Ｍ２、Ｍ３ 放物面ミラー
２０ 温度コントローラ
２０ａ 電源
２０ｂ ヒータ
２０ｃ 温度センサ
２１〜２５、４０ 温度コントローラ
２１ａ〜２５ａ、４０ａ 電源
２１ｂ〜２５ｂ、４０ｂ ヒータ
２１ｃ〜２５ｃ、４０ｃ 温度センサ
３１、３２、３３、３４、３５、３６、 スタナントラップ
３１Ａ、３２Ａ 外周リング
３１Ｂ レーザ光通過リング
３１Ｃ、３２Ｃ トラッピングブレード
３１ａ レーザ光通過穴
３１ｂ、３２ｂ ＥＵＶ光通過穴
３２Ｂ 芯
３３Ｂ ブレード
４０Ａ 回収部
Ｃ１〜Ｃ５ 熱媒体流路
Ｃｉｎ 主送配管
Ｃ１ｉｎ〜Ｃ５ｉｎ 副送配管
Ｃｏｕｔ 主排配管
Ｃ１ｏｕｔ〜Ｃ５ｏｕｔ 副排配管
Ｄ ドロップレット
Ｅ オブスキュレーション領域
ＩＦ 中間集光点
Ｌ１ａ プリパルスレーザ光
Ｌ１ｂ メインパルスレーザ光
Ｌ２ ＥＵＶ光
Ｍ１ａ 貫通孔
ＭＬ メインパルスレーザ
ＰＬ プリパルスレーザ
Ｐ１ プラズマ生成サイト
Ｔ１ｉｎ〜Ｔ５ｉｎ、Ｔ１ｏｕｔ〜Ｔ５ｏｕｔ 温度センサ
Ｖ１〜Ｖ５ 流量調節バルブ
Ｗ１、Ｗ２ ウィンドウ
Ｗ３ ゲートバルブ
Ｗ４ シャッタ
Ｗ４ａ ゲート
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口を有するチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、
前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御する少なくとも１つの温度調節機構と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記ターゲット物質は錫である、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記エッチングガスはＨ２ガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記エッチングガスはＨラジカルガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも１つの光学要素の表面に向けられた少なくとも１つの開口が設けられる、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素に接続される第１の温度調節機構を含み、
前記第１の温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素に設けられる温度調節素子と、該温度調節素子に接続され該温度調節素子に電流を供給する電源と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を検出する温度センサと、該温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記温度調節素子に供給される電流を制御することで前記光学要素の温度を制御する温度コントローラと、を含む、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記第１の温度調節機構は、熱媒体と、該熱媒体の温度を調節して流出させる温度調節部と、該温度調節部から流出した温度調節後の前記熱媒体を前記光学要素に導く流路と、をさらに含む、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記温度調節素子はペルチェ素子である、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項９】
前記第１の温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素の温度を第１の所定の温度範囲内に維持する、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
前記第１の所定の温度範囲は、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも大きくなる温度範囲である、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
前記チャンバ内に配置され、前記気体反応生成物から前記デブリを析出させてトラップするための少なくとも１つのトラップ部をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記チャンバ内の前記所定の領域で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射されて放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーを含み、
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の前記所定の領域と前記集光ミラーの反射面との間に配置される第１のトラップ部を含む、
請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第１のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第１のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記外部装置との接続部分近傍に配置される第２のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１７】
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第２のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第２のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１９】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記排気ポンプとの接続部分近傍に配置される第３のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２１】
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第３のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み
前記第３のトラップ部は、通気性を有するよう構成される、
請求項２０記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２２】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２３】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの第４のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２５】
前記第４のトラップ部は、該第４のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第４のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含む、請求項２４記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２６】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２７】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第４のトラップ部は、該第４のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１】
レーザ装置と共に用いられ、外部装置に極端紫外光を供給するよう接続される極端紫外光生成装置であって、
レーザ光を内部に入射させるための少なくとも１つの入射口を有するチャンバと、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するターゲット供給部と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバ内で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射される際に放出されて前記少なくとも１つの光学要素に付着した前記ターゲット物質のデブリをエッチングするために導入されるエッチングガスが通過するエッチングガス導入部と、
前記チャンバに接続される排気ポンプと、
前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの光学要素と、
前記少なくとも１つの光学要素の温度を制御する少なくとも１つの温度調節機構と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項２】
前記ターゲット物質は錫である、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項３】
前記エッチングガスはＨ２ガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項４】
前記エッチングガスはＨラジカルガスである、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項５】
前記エッチングガス導入部には、前記少なくとも１つの光学要素の表面に向けられた少なくとも１つの開口が設けられる、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素に接続される第１の温度調節機構を含み、
前記第１の温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素に設けられる温度調節素子と、該温度調節素子に接続され該温度調節素子に電流を供給する電源と、前記少なくとも１つの光学要素の温度を検出する温度センサと、該温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記温度調節素子に供給される電流を制御することで前記光学要素の温度を制御する温度コントローラと、を含む、
請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記第１の温度調節機構は、熱媒体と、該熱媒体の温度を調節して流出させる温度調節部と、該温度調節部から流出した温度調節後の前記熱媒体を前記光学要素に導く流路と、をさらに含む、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
前記温度調節素子はペルチェ素子である、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項９】
前記第１の温度調節機構は、前記少なくとも１つの光学要素の温度を第１の所定の温度範囲内に維持する、請求項６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
前記第１の所定の温度範囲は、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも大きくなる温度範囲である、請求項９記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１１】
前記チャンバ内に配置され、前記気体反応生成物から前記デブリを析出させてトラップするための少なくとも１つのトラップ部をさらに備える、請求項１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの光学要素は、前記チャンバ内の前記所定の領域で前記ターゲット物質が前記レーザ光に照射されて放射される極端紫外光を集光するための集光ミラーを含み、
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の前記所定の領域と前記集光ミラーの反射面との間に配置される第１のトラップ部を含む、
請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第１のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第１のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１２記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１４】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１５】
前記温度コントローラは、前記第１のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第１のトラップ部は、該第１のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１３記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記外部装置との接続部分近傍に配置される第２のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１７】
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第２のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み、
前記第２のトラップ部には、前記極端紫外光を通過させるための貫通孔が設けられる、
請求項１６記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１８】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項１９】
前記温度コントローラは、前記第２のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第２のトラップ部は、該第２のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項１７記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内の該チャンバと前記排気ポンプとの接続部分近傍に配置される第３のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２１】
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第３のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含み
前記第３のトラップ部は、通気性を有するよう構成される、
請求項２０記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２２】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２３】
前記温度コントローラは、前記第３のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第３のトラップ部は、該第３のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、
請求項２１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのトラップ部は、前記チャンバ内に配置される少なくとも１つの第４のトラップ部を含む、請求項１１記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２５】
前記第４のトラップ部は、該第４のトラップ部の温度を検出する温度センサと、該第４のトラップ部を加熱するヒータと、前記ヒータに電流を供給する電源と、前記温度センサが検出した温度に基づいて前記電源から前記ヒータに供給される電流を制御する温度コントローラと、を含む、請求項２４記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２６】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点未満の温度範囲内に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御する、請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項２７】
前記温度コントローラは、前記第４のトラップ部が、前記デブリと前記エッチングガスとが反応して前記気体反応生成物が発生する反応速度が、前記気体反応生成物が分解されて前記デブリが析出する反応速度よりも小さくなる温度範囲であって、前記デブリの融点以上沸点未満の温度範囲に維持されるように前記ヒータに供給される電流を制御し、
前記第４のトラップ部は、該第４のトラップ部表面で溶融した前記デブリを回収するための回収部をさらに備える、請求項２５記載の極端紫外光生成装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図１９Ｃ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６Ａ】
【図１６Ｂ】
【図１７Ａ】
【図１７Ｂ】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図１９Ｃ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２３】
【図２４Ａ】
【図２４Ｂ】
【公開番号】特開２０１２−１６９５８０（Ｐ２０１２−１６９５８０Ａ）
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４９６８７（Ｐ２０１１−４９６８７）
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計）／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度独立行政法人新エネルギー・産業技術開発機構「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト／次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト（石特会計）／ＥＵＶ光源高信頼化技術開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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