【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜２の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜３ｂを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜４ｂを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】多層レジストマスクを用いたシリコン酸化膜等のプラズマエッチング後にパターンの倒壊等により発生するラインウィグリングやストライエーションを防止，抑制することを課題とする。
【解決手段】本発明は、多層レジストマスクを用いて、被エッチング膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、前記多層レジストマスクは、上層レジストと無機膜系中間膜と下層レジストを含み、前記下層レジストの側壁に側壁保護膜を形成する側壁保護膜形成工程を有することを特徴とするプラズマエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、（Ａ）熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有率の高い中間層における従来技術の課題を解決することを目的とする。
【解決手段】本発明の多層レジストのパターン形成方法は、基板上の一方の表面に被加工膜を備えた多層レジストの被加工膜の表面に下層膜を形成する工程と、下層膜の表面に中間層を形成する工程と、中間層を形成した多層レジストを加熱する工程と、中間層の表面に、アルコキシシラン、シランカップリング剤、シリル化剤、酸発生剤または塩基発生剤を塗布する工程と、中間層の表面にレジストを塗布する工程と、レジストをパターニングする工程と、中間層と、下層膜と、被加工膜とをパターニングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【課題】エッチング耐性が維持され、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）芳香族環を有する重合体と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）有機溶媒と、を含有するレジスト下層膜形成用組成物。


（一般式（１）中、Ｒはそれぞれ独立に水素原子などであり、Ｒのうち、１又は２つがアダマンチル基、１又は２つがグリシジルエーテル基である。ｎは０〜３の整数である） （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、ラクトンがフェノールにおけるＯＨ基の水素と置換された基と酸脱離基とを含むポリマーを有する化学増幅型レジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】マスクとして用いる層に形成された開口部の幅を縮小する基板処理方法を提供する。
【解決手段】サセプタにウエハＷを載置した後、上部フォトレジスト層４０に形成された開口部４１の幅を縮小する際に、サセプタへプラズマ生成用の高周波電力のみを印加してＣＦ_４ガス及びＣＨ_４ガスからプラズマを生じさせ、幅が縮小された開口部４１を介してハードマスク層３９に開口部４２を形成しつつ、該開口部４２の幅を縮小する際に、サセプタ１２へイオン引き込み用及びプラズマ生成用の高周波電力を印加してＣＦ_４ガス、ＣＨ_４ガス及びＯ_２ガスからプラズマを生じさせ、さらに、下部フォトレジスト層３８に形成された開口部４３の幅を縮小する際に、サセプタ１２へプラズマ生成用の高周波電力のみを印加してＣ_４Ｆ_８ガス及びＯ_２ガスからプラズマを生じさせる。 （もっと読む）

【課題】露光可能限界寸法よりも小さい間隔のパターンを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された被加工膜１１上にレジスト膜２３を形成する工程と、前記レジスト膜を露光、現像し、第１の方向に伸長し、前記第１の方向に垂直な第２の方向にくびれ部を有する開口パターン３１Ａを形成する工程と、ガス存在雰囲気下で前記レジスト膜上に前記ガスを構成する元素を含む堆積物２４を堆積し、前記くびれ部における前記開口パターンの底部を前記第２の方向に前記堆積物で接続した膜パターン２５を形成する工程と、前記膜パターンが転写されるように、ドライエッチング法によって前記被加工膜をエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク層又は中間層に形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン基材５０上にアモルファスカーボン膜５１、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２、フォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３は、Ｓｉ−ＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷにおいて、ＣＨＦ_３ガスとＣＦ_３Ｉガスとの混合ガスから生成されたプラズマによって、フォトレジスト膜５３の開口部５４の開口幅を縮小させる開口幅縮小ステップと、開口部５４の底部のＳｉ−ＡＲＣ膜５２をエッチングするエッチングステップを１ステップとして行う。 （もっと読む）

【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜３の形成方法であって、少なくとも、ビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板１上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層レジスト法（特には２層レジスト法及び３層レジスト法）において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層膜材料であって、耐ポイゾニング効果が高く、環境への負荷の少ないレジスト下層膜を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、レジスト上層膜であるフォトレジスト層より下層を形成するために用いられ、該下層の形成後はアルカリ現像液に不溶又は難溶となるレジスト下層材料であって、該レジスト下層材料は、少なくとも、熱酸発生剤を含み、該熱酸発生剤は、１００℃以上の加熱により下記一般式（１）で示される酸を発生するものであることを特徴とするレジスト下層材料。
ＲＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＦ_２ＳＯ_３⁻Ｈ^＋ （１） （もっと読む）

【課題】液浸露光の際にフォーカス精度の悪化を抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】被加工膜１２上にフッ素含有ポリマーを添加した下層膜１３を形成し、この下層膜をベークし、上記下層膜上に中間膜１４を形成し、この中間膜１４上にレジスト膜１５を形成する。上記レジスト膜をベークし、レジスト保護膜１６を形成し、このレジスト膜を液浸露光した後、上記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用金属酸化物含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能な金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜される金属酸化物含有膜を形成するための熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）加水分解性ケイ素化合物と、加水分解性金属化合物とを加水分解縮合することにより得られる金属酸化物含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤とを含むことを特徴とする熱硬化性金属酸化物含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ露光を行うことなくリソグラフィ・プロセスを用いて、露光装置の解像限界を超えるような微細パターンを形成する。
【解決手段】パターン形成方法は、ウエハＷ上にネガレジスト３及びより高感度のポジレジスト４を塗布することと、ウエハＷのポジレジスト４及びネガレジスト３をライン・アンド・スペースパターンの像で露光することと、ポジレジスト４及びネガレジスト３をウエハＷの表面の法線に平行な方向に現像することとを有する。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルによりパターン形状の明暗分布を指定して、それをレチクルやマスクの代替として露光するとき、波長２００〜４１０ｎｍの遠紫外光〜短波長可視光の範囲に主たる感光波長帯を有するレジストは感光させることができなかった。
【解決手段】波長２００〜４１０ｎｍの遠紫外光〜短波長可視光の範囲に主たる感光波長帯を有する下層レジスト上にアルカリに溶解する金属膜、その上に液晶パネルを透過して明暗差が大きくとれる波長４２０ｎｍ〜５３０ｎｍの青色可視光を用いて感光させることができる上層レジストを積層する。上層レジストを液晶パネルに指定したパターン形状に感光させてアルカリ現像すると、金属膜もパターン化され、波長２００〜４１０ｎｍの遠紫外光〜短波長可視光を当てると、該金属膜パターンが遮光マスクとして働き、下層レジストに該パターンを転写できる。 （もっと読む）

【課題】製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、絶縁層１２のダイシング領域に溝部１２０を形成し、内部回路形成領域にビアホール１２６を形成する工程、絶縁層１２上に第一のレジスト膜１３を設ける工程、第一のレジスト膜１３を覆う第二のレジスト膜１４を設ける工程、第二のレジスト膜１４の内部回路形成領域を覆う領域に配線用開口１４１を形成し第二のレジスト膜１４のダイシング領域を覆う領域に位置合わせ用開口１４２を形成する工程、溝部１２０と位置合わせ用開口１４２との位置関係を検出し第二のレジスト膜１４の配線用開口１４１が絶縁層１２のビアホール１２６に対し所定の位置にあるかどうか検出する工程を含む。第二のレジスト膜１４を選択的に除去する工程では、位置合わせ用開口１４２の領域が絶縁層１２中の溝部１２０を覆うように位置合わせ用開口１４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面に反射防止膜が形成された支持体上に、第一のレジスト組成物としてポジ型レジスト組成物を用いるダブルパターニングプロセスにより良好なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】表面に反射防止膜が形成された支持体１の前記反射防止膜１ｂ上に、ポジ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、該第一のレジスト膜を選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン３を形成する第一のパターニング工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体表面の疎水化処理を行う疎水化処理工程と、前記疎水化処理工程後の前記支持体上に、第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜６を形成し、前記第二のレジスト膜を選択的に露光し、現像してレジストパターン７を形成する第二のパターニング工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）