【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ内における半導体素子の位置ずれを抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置１０は、凸部２３が形成されたパッケージ基板１１、導電性の接着剤２５、およびパッケージ基板１１上に実装された半導体素子１４、を具備する。パッケージ基板１１は、少なくとも２箇所に凸部２３が形成された基板である。導電性の接着剤２５は、凸部２３を含むパッケージ基板１１上に形成される。パッケージ基板１１上に実装される半導体素子１４は、各凸部２３に係合する複数のバイアホール２４を有している。さらに、半導体素子１４は、少なくとも２箇所のバイアホール２４が、各凸部２３に接着剤２５を介して係合するようにパッケージ基板１１上に実装される。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および接着性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基材２と、半導体素子３と、基材２および半導体素子３の間に介在し、両者を接着する接着層１と、を備えている。この半導体装置１０は、接着層１中に、金属からなる中空粒子が分散している。接着層１は、金属からなる中空粒子を含有するペースト状の樹脂組成物を、半導体素子３と基材２とで圧着することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを含有する熱伝導性接着剤において、熱伝導性接着剤が固化する前に、低融点金属を液化させて高融点金属粉間を互いに十分に結びつけることができるようにし、且つ熱伝導性接着剤自体の接着力を良好なレベルに維持できるようにする。
【解決手段】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを有する熱伝導性接着剤は、金属フィラーとして、銀粉及びハンダ粉を使用する。ハンダ粉は、熱伝導性接着剤の熱硬化処理温度よりも低い溶融温度を示し、且つ該熱硬化性接着剤の熱硬化処理条件下で銀粉と反応して、当該ハンダ粉の溶融温度より高い融点を示す高融点ハンダ合金を生成するものを使用する。硬化剤としては、金属フィラーに対してフラックス活性を有する硬化剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】
第１の基板１と接合する第２の基板４の一部が湾曲していても接合部の厚さを制御でき、高信頼な半導体装置を提供する。
【解決手段】
第１及び第２の基板を接合する接合材は、多孔質金属とはんだで構成し、この多孔質金属は、周辺部では厚さ方向の両端まで存在して両基板間の間隔を調整するとともに、、中心部では、厚さ方向全般にわたっては存在せず、基板の湾曲による設計誤差を中心部のはんだで吸収できるようにした。 （もっと読む）

【課題】櫛形タイプの冷却フィンを備えた熱交換器であっても、パワーモジュールに使用して、Ｘ線検査によりボイドを正確に検出すること。
【解決手段】パワーモジュール２の熱交換器１は、ケース３と、ケース３に収容された櫛形タイプの冷却フィン４と、ケース３の上面に接合剤１０により接合されたヒートスプレッダとを備える。ＩＧＢＴ６は、ヒートスプレッダの上面に接合剤１０により固定される。冷却フィン４は、平板状のベース部４ａの下面から複数のフィン部４ｄが互いに隙間９を置いて平行かつ斜めに突き出している。冷却フィン４は、複数のフィン部４ｄにつき、隣り合う一方のフィン部４ｄ１の先端４ｅと他方のフィン部４ｄ２の基端４ｆとが同じ幅Ｗ２を有すると共に、ベース部４ａの上面及び下面と直交する方向に重なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】半田付け時に治具と電極と素子の間の「囓り合い」を抑止し、樹脂モールド時に樹脂の流動性及び電極との密着性向上を図る半田付け方法を提供する。
【解決手段】電極1は、その長手方向と交差する方向に延びる切欠き1aにより複数の部分1A〜1Cに区分される。治具2は、電極1の複数の部分1A〜1Cに合わせて、複数の治具片2A〜2Cに分割して構成され、各治具片2A〜2Cに開口2aが設けられる。素子3の半田付けに際し、複数の治具片2A〜2Cを互いに隙間５を介して電極1の各部分1A〜1Cの上に配置すると共に、隣り合う治具片2A〜2Cの境界を切欠き1aに沿って配置し、電極1の各部分1A〜1Cに対して各治具片2A〜2Cを位置決めする。その後、各治具片2A〜2Cの開口2aを通じて電極1の各部分1A〜1Cの上に半田を介して素子3を載置する。その後、熱処理により各素子3を電極1の各部分1A〜1Cの上に半田付けする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの汚染及び損傷を抑制しつつ、半導体レーザをステムにダイボンディングする際の精度を高めるダイボンディング装置を提供する。
【解決手段】ダイボンディング装置は、ヒートシンク１７と、ヒートシンク１７上に搭載された半導体レーザ１８と、を有するペレット４０を保持するペレット保持部（コレット１６）を有する。更に、ステム４１に対する位置関係が所定の位置関係にある所定の基準面４２に突き当てられる第１面５１と、ペレット４０のヒートシンク１７が突き当てられる第２面５２と、を含む位置決め用部材２０を有する。制御部７０は、基準面４２に第１面５１が突き当てられた状態にて、ヒートシンク１７の第３面５８を第２面５２に突き当てさせることにより、ペレット４０を位置決めする制御と、位置決めがなされたペレット４０をステム４１上にダイボンディングさせる制御と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】１５０℃より高温にて省エネ、耐熱性のあるＳｉＣチップと回路配線基板との良好な実装接合を実現できるパワーエレクトロニクスに特に有用な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、回路配線基板のＮｉ保護層上にＴａ／ＴａＮまたはＴａ／ＴａＮ／Ｔａのはんだ拡散バリア層を持つ。また、ＡｕＧｅ，ＡｕＳｉ等の高温はんだを介してＳｉＣチップを前記拡散バリア層を設けた配線基板と接合する。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（Ａ１）と前記工程（Ａ１）により接着された支持体と半導体素子とを封止用樹脂により封止する工程（Ａ２）と前記工程（Ａ２）で封止後、所定の加熱条件Ｂにより熱処理する工程（Ａ３）とを有する半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験における反り量が所定の条件式を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】半田流れを防止するためのダム材の作成が容易であり、しかも信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース１３上にダム材１５を溶射してダム部を形成することにより、複数の回路基板１１を金属ベース１３上へ接合する際に用いる半田１４の流動を制限する。このようなダム部を金属ベース１３上に形成することで、半田の流動を制限でき、エポキシ樹脂などの有機物からなるソルダレジストとして用いた場合のように、半田付け時のアウトガスを発生させることがない。これにより、半田付け時において、半田付け性が阻害させることがなく、装置汚染も回避できる。 （もっと読む）

【課題】はみ出した接合材の量が多くてもフレームのボンディング部に接合材が到達するのを防ぐことができる半導体装置を得る。
【解決手段】フレーム１０は、接合部１０ａとボンディング部１０ｂを有する。半導体チップ１２は、フレーム１０の接合部１０ａに接合材２０により接合されている。フレーム１０のボンディング部１０ｂと半導体チップ１２は金線１４により接続されている。そして、ボンディング部１０ｂは接合部１０ａよりも突出している。 （もっと読む）

【課題】ボイド率を小さく抑えることができ、且つ生産性及び接合耐久品質の向上を図ることが可能なベアチップのダイボンド方法を提供する。
【解決手段】底面が長方形を成したベアチップ１４を接合材１５を用いて、被接合物１３に接合するベアチップのダイボンド方法において、被接合物１３を加熱し、被接合物１３の上面のうちベアチップ１４が接合される部分に接合材１５を塗布し、吸着ノズル１６で吸着したベアチップ１４を、接合材１５が塗布された被接合物１３の上に、ベアチップ１４の底面と被接合物１３の上面との間に隙間Ｇを確保し載置して、隙間Ｇに接合材１５が満たされている状態を維持し、吸着ノズル１６を超音波発振器１７で超音波振動させ、ベアチップ１４をその長辺方向にスクラブさせ、ベアチップ１４をその短辺方向にスクラブさせる。最後に、ベアチップ１４をその長辺方向及び短辺方向に所定時間微振動させた後、接合材１５を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】被搭載素子と被搭載基板との加圧力を、直接測定することなく、簡易かつ高精度に制御する。
【解決手段】被搭載素子と被搭載基板との加圧工程において、搭載ヘッドの位置とＶＣＭ電流との関係を示すデータを取得し、搭載ヘッドが上限位置で保持される第１の区間と、ＶＣＭ電流の変化に伴って位置が変化する第２の区間と、第２の区間よりも位置の変化が小さい第３の区間の各々で取得したデータを直線近似し、第２の区間の近似直線と第３の区間の近似直線との交点から被搭載素子と被搭載基板とが接触した状態における搭載ヘッドの基準位置を特定し、第３の区間の近似直線に基づいて所望の加圧力に対する基準位置からの搭載ヘッドの変位量を求め、第２の区間の近似直線に基づいて搭載ヘッドの変位量から計算できる弾性案内の復元力を補償するようにＶＣＭ電流を規定することによって加圧力を制御する。 （もっと読む）

【課題】Zn-Al合金はんを用いた場合の、Alの濡れ性の低下、濡れ性の低下を抑える酸化防止材料使用時のコスト高、材料作製のプロセスの増加、及び接続後冷却時あるいは温度サイクル時の熱応力による半導体素子破壊を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４と、被接続部材５と、半導体素子と被接続部材とを接続する第一の接続層とを有して構成される半導体装置であって、第一の接続層は、Al層１の両面にZn-Al合金層３１a、３１bが設けられた構成であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置とバスバーとをはんだ付け接合するにあたって、はんだ接合厚さを最適化し、はんだ継手構造の信頼性を向上させた半導体モジュールを得る半導体モジュール製造装置および半導体モジュール製造方法を提供する。
【解決手段】半導体モジュール製造装置Ｓは、第１のバスバーＶ１と第２のバスバーＶ２との間に第１のはんだ部材ｈ１および第２のはんだ部材ｈ２を挟持し、これらはんだ部材間に半導体装置１を挟持して積み上げ体Ｔを構成し、この積み上げ体を支持棚３上に載置し、積み上げ体の一側面を加熱ブロック６に接触させてヒーター７，７で積み上げ体を加熱し、弾性押え部材１０を積み上げ体反対側の側面に接触させ、半導体装置と第２のバスバーが自重で加熱ブロックに対して摺動可能となるように積み上げ体を加熱ブロックに弾性的に押し付け付勢する。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐光性、及び、ハウジング材への密着性に優れ、高輝度が要求される用途に用いた場合にも光半導体の輝度低下を効果的に防止することができる光半導体用熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、下記一般式で表されるフェノール化合物とを含有する光半導体用熱硬化性組成物。


Ｒ^ａは炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ^ｂは任意の置換基、Ｒ^ｃは水素又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いる必要がなく且つチップの耐熱温度以下の加熱によりチップと被搭載部材との接合強度を高めることが可能なチップの実装方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１の実装面側にＡｕ層からなる下地層１１、ＡｕＳｎ層からなるはんだ層１２ａを順次形成してベース基板２０のダイパッド部２５ａａに形成された導体パターン２０１と対向させてから、ＬＥＤチップ１側から加熱してはんだ層１２ｂを形成し、続いて、ＬＥＤチップ１の加熱状態を維持したままＬＥＤチップ１のはんだ層１２ｂとベース基板２０の導体パターン２０１とを接触させて適宜荷重を印加することでＬＥＤチップ１とベース基板２０とがはんだ層１２ｃを介して接合される。はんだ層１２ａを形成するはんだ層形成工程では、はんだ層１２ａとして、共晶温度の組成比とは異なり且つＬＥＤチップ１の耐熱温度以下で溶融する組成比のＡｕＳｎ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子に受光素子を近づけることができて、受光素子にて受光する半導体発光素子からの光量を多くできるボンディング装置を提供する。
【解決手段】受光素子供給部１０と、受光素子認識部２０と、ステム認識部３０と、ペースト塗布部４０と、受光素子搬送部５０とを備える。受光素子認識部２０は、受光素子１の一端面の位置を認識する。ステム認識部３０は、ステム５の境界の位置を認識する。受光素子搬送部５０は、受光素子１の一端面をステム３の発光素子搭載面に接近するように、受光素子１をステム３の受光素子ボンディング面にボンディングする。 （もっと読む）