【課題】半導体素子と一対の電極とを１回の接合で、一対の電極に対する半導体素子の厚さ方向の位置を適切に規定した状態で互いに接合することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電極４上に、位置決め部材２１を含有する第１のはんだ２を介して、半導体素子１を配置する工程と、半導体素子１の第１の電極４に対向する面と反対側の面上に、第２のはんだ３を介して、第２の電極５を配置する工程と、第１のはんだ２および第２のはんだ３を溶融させて、半導体素子１と第１のはんだ２および第２のはんだ３とをそれぞれ接合させるリフロー工程とを有し、リフロー工程において、第１のはんだ２が溶融することで、位置決め部材２１により第１の電極４に対する半導体素子１の厚み方向の位置が決定され、第２のはんだ３が溶融することで、第２の電極５に対する半導体素子１の厚み方向の位置が決定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と半導体素子５がはんだ層３を介して接合されている半導体装置１０の製造方法であって、少なくとも基板１のはんだ層側となる表面１ａにスパッタリング等のドライプロセスにてＮｉ金属、Ｓｎ金属、Ａｕ金属もしくはそれらの合金のいずれか一種からなる薄膜２を形成するステップ、基板１の表面に形成された薄層２の上にはんだペースト３’を塗工し、はんだペースト３’の上に半導体素子５を載置して加熱炉内の高温雰囲気下ではんだ層３を形成し、はんだ層３を介して基板１と半導体素子５を接合して半導体装置１０を製造するステップからなる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣデバイスの動作温度は高温となるので、その裏面にヒートシンクをハンダ接合すると動作時にハンダが溶ける。
【解決手段】ヒートシンク３４ａはその前面を半導体チップ３２の裏面の金属電極膜４２に向けて配置される。ヒートシンク３４ａを構成する熱伝導板５０ａの裏面に厚みの途中まで達した開口部５２ａを設ける。開口部５２ａの底部の熱伝導板５０ａを被溶接部５４ａとし、ヒートシンク３４ａの裏面側から開口部５２ａに入射させるレーザビーム５６により、被溶接部５４ａと金属電極膜４２とを溶融・合金化してヒートシンク３４ａを半導体チップ３２に接合する。 （もっと読む）

【課題】取付板を厚くせずとも、被接着物と取付板の接着強度を向上させることである。
【解決手段】イメージセンサ取付構造１が、開口部２１を有した取付板２０と、開口部２１内に配置されたイメージセンサ１０と、開口部２１の縁２６とイメージセンサ１０との間に挟まれて、開口部２１の縁２６と前記イメージセンサ１０を接着した接着剤３０と、を備え、開口部２１の縁２６であって取付板２０の裏側の角部に面取り部２７が形成され、接着剤３０の一部３２が面取り部２７に固着していることを特徴とする （もっと読む）

【課題】
環境負荷が小さく低コストで、２００℃以上の高温で長時間使用しても接続信頼性を維持できる半導体素子の接続材料を提供することが課題である。
【解決手段】
半導体素子と、半導体素子の第一の面と第一の接続部材を介して接続された支持電極体と、
前記支持電極体に支持された前記半導体素子の第二の面と第二の接続部材を介して接続されたリード電極体と、を有する半導体装置であって、前記支持電極体と前記第一の接続部材の界面には、Ｎｉ系めっき層、および、Ｃｕ６Ｓｎ５化合物と（Ｃｕ、Ｎｉ）６Ｓｎ５化合物の少なくとも１つを含む金属間化合物層を有し、前記リード電極体と前記第二の接続部材の界面には、Ｎｉ系めっき層、および、Ｃｕ６Ｓｎ５化合物と（Ｃｕ、Ｎｉ）６Ｓｎ５化合物の少なくとも１つを含む金属間化合物層を有することを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明はマイクロ電子デバイスのための接着剤組成物に関し、金属基板上に１０．１６mm（４００mil ）×１０．１６mm（４００mil ）以上のダイを有意な離層なしに接着できる接着組成物を得ることを目的とする。
【解決手段】少なくとも１種の有機重合体樹脂、無機充填剤及び消散性液体から調製された接着剤組成物であって、前記液体と有機重合体樹脂は、互いに他に対して不溶である接着剤組成物であって、前記少なくとも１種の有機重合体樹脂が２５μ以下の粒度の粒状形態で存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半田に生じるひずみを低減し且つ半導体モジュールに生じる反りを抑制する。
【解決手段】半導体装置１において、金属電極板２の半導体素子実装面２ａに、この金属電極板２に用いられる金属材料のヤング率よりも小さい金属材料を金属部５として設け、その金属部５の上に半田４にて半導体素子３を実装させた。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温でさらに無加圧において接合強度の向上を実現可能な接合用材料、接合方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）銀粒子、（Ｂ）酸化銀、（Ｃ）炭素数３０以下で構成される有機物からなる分散剤を必須成分とする全導電性接合材料中において、（Ａ）銀粉と（Ｂ）酸化銀粉と（Ｃ）炭素数３０以下で構成される有機物からなる分散剤の合計が９９.０〜１００重量％となっている。即ち、バインダーとして樹脂が含有されていないことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 これまで、高耐熱性が要求される半導体装置、特に車載用交流発電機に用いられる半導体装置の接続部材には高Ｐｂはんだが使用されてきているが、環境負荷低減のためＰｂフリーの接続部材とすることが必要となってきた。これに対し、既存のPbフリーはんだによる接続では、高温下で使用すると、界面反応によるボイドの発生を招き、接続不良の問題を回避できない。
【解決手段】 耐熱性２００℃の接続方法として、室温から200℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだとNi系めっきを組合せることで界面反応を抑制させ、２００℃以上の耐熱性をもつ半導体装置の提供を実現する。 （もっと読む）

【課題】パワー素子を金属板に半田付け後、温度変化にさらされても線膨張係数の違いからパワー素子が破壊されない手段を提供する。
【解決手段】パワー半導体素子１０を金属電極２０に半田付した電力用半導体装置であって、パワー半導体素子は金属電極に対向するパワー半導体素子の基板対向面１２において、パワー半導体素子の端縁部に位置しマイクロクラックを有する領域１２ａと、損傷領域を含まない健全領域１２ｂとを有し、健全領域に対応した裏面電極１３を介して半田付けされている。 （もっと読む）

【課題】光出力を精度良く制御することが可能なマウント部材を提供する。
【解決手段】このヒートシンク（マウント部材）Ａ１は、半導体レーザチップ２０が設置される搭載部１１が設けられたシリコン基板１０と、シリコン基板１０に一体的に形成され、搭載部１１に設置された半導体レーザチップ２０からの光を検出するモニタ用の受光素子１２とを備えている。このモニタ用の受光素子１２は、半導体レーザチップ２０からの光を受光する受光面１２ａを含んでいる。また、シリコン基板１０の上面には、段差部１３が形成されている。そして、上記搭載部１１が段差部１３の底面１３ａに設けられるとともに、受光素子１２の受光面１２ａが段差部１３の上面１３ｂに形成されることによって、受光素子１２の受光面１２ａが、搭載部１１よりも高い位置に配されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル抵抗を大幅に低減した電界効果トランジスタ実装体を実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタ実装体の製造方法は、トランジスタ１００を形成する工程（ａ）と、形成基板１０１を研磨する工程（ｂ）と、形成基板１０１を研磨したトランジスタ１００を保持基板２００に固定する工程（ｃ）とを備えている。工程（ａ）は、形成基板１０１の主面上に第１の半導体層及び該第１の半導体層よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層を順次形成する。工程（ｂ）は、形成基板１０１における主面と反対側の面を研磨する。工程（ｃ）は、形成基板１０１の反りが小さくなる方向の応力を形成基板１０１に印加した状態でトランジスタ１００を保持基板２００の上に固定する。 （もっと読む）

【課題】位置決め治具と絶縁回路基板との密着度を高めることで、製造歩留まりを向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板１の表面側には、位置決め用のカーボン治具２０と、その開口部２１に半田板３０および半導体チップ４０が配置され、その後、加熱炉に挿入される。加熱炉内では、全体が３００℃程度まで加熱され、半田板３０が溶融されることによって、絶縁回路基板１上へ半導体チップ４０が実装される。このとき、絶縁回路基板１が加熱されると、一時的に裏面側に凸形状となるように湾曲する「正反り」状態になるが、カーボン治具２０の本体裏面形状として、その開口部２１から離れる方向で薄くなるように、段差部２２が形成されているので、カーボン治具２０と絶縁回路基板１との密着度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】高電気伝導性、高熱伝導性を維持したまま高温で動作させても、熱衝撃による接合部のクラックの進展が生じにくい接合材、および該接合材を用いた半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】接合材４は、放熱板６と放熱板６上に積層される半導体チップ１との接合部に設けられる接合材であって、半導体チップ１に対向する第１の主表面（上面）と、放熱板６に対向する第２の主表面（下面）とを備える。そして、上面および下面が延びる方向に沿って二次元網目構造が形成されるように、上面から下面に向かう方向（上下方向）に延びる孔部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 熱疲労寿命を向上させることができる半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】 矩形板形状の半導体素子３の広い側の面と基板体２をはんだ４で接合した半導体モジュール１において、半導体素子３の四隅部と重なる基板体位置に、はんだ４の厚さを基板体２の接合面より大きくする隅溝部２１を設け、隅溝部２１は、一部を半導体素子３の四隅部と重なるようにし、半導体素子３の外周側の基板位置のはんだ４の厚さを基板体２の接合面より大きくした。 （もっと読む）

【課題】亜鉛を主成分とするはんだ材料を用いたときの濡れ性の向上によって、被接合部材が均一に接合された接合体、パワー半導体モジュール及びこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体３００は、第１部材１０１と第２部材１０２を有する。第１部材１０１と第２部材１０２の間は、亜鉛を主成分とするはんだ材料５０によって接合される。第１部材１０１と第２部材１０２の被接合面には、各々ニッケル層１１１，１１２を備え、更に、前記ニッケル層１１１，１１２の表面は、亜鉛との反応性が高く亜鉛と合金を生成する金属表面層１２１，１２２を備える。接合後の接合面では、前記金属表面層１２１，１２２が消失している。接合部材がパワー半導体モジュールの場合には、第１部材１０１と第２部材１０２が、パワー半導体素子と絶縁基板、又は絶縁基板と放熱板に相当する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性を有する基板上に複数個のチップを実装するにあたって、基板やチップの特性を劣化させることなく実装することが可能な実装方法を提供する。
【解決手段】ダイボンド装置のステージ１１０の表面側に基板たるウェハ２００を載置する基板載置工程を行い、その後、チップたるＬＥＤチップ１とステージ１１０の表面側に載置されたウェハ２００との互いの接合面を接触させＬＥＤチップ１側から加熱することによりＬＥＤチップ１とウェハ２００との互いの接合面を加熱して両者を接合させる接合工程を行う。基板載置工程においては、ウェハ２００におけるＬＥＤチップ１の接合予定領域とステージ１１０との間に断熱層１１３が介在する形でウェハ２００をステージ１１０の表面側に載置する。 （もっと読む）

【課題】セラミックス回路基板の金属板部分に半導体素子が確実に接合され、熱抵抗不良や剥離等の発生が抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムからなる金属板と、前記金属板上に接合された半導体素子とを具備する半導体装置において、前記金属板の主面における前記半導体素子が接合される部分に、複数の溝が設けられているもの。 （もっと読む）