【課題】半導体シリコンチップを積層する際に、同一面積の上部チップ及び下部チップの配線間隔を維持するためにスペーサを別途投入する必要なしにチップを積層すること、を可能にするチップ積層用接着フィルムを提供する。
【解決手段】接着フィルムは、紫外線硬化型低分子化合物を含む熱可塑性フェノキシ樹脂接着層５を中心に、その接着層の両面に熱硬化性エポキシ樹脂接着層６を備える３層構造を含む多層型接着フィルムであって、熱硬化性エポキシ樹脂及び熱可塑性フェノキシ樹脂の界面に相溶性を付与した後、紫外線硬化により高弾性率のフェノキシフィルムを内部に直接形成することを含む方法により製造される接着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】長期高温耐性に優れた接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート、半導体接続用基板を提供すること。
【解決手段】熱可塑性樹脂（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）およびシリコーンパウダー（Ｃ）を含有することを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 ダイシング工程の際の接着性と、ピックアップ工程の際の剥離性との双方が良好となる様に制御したダイシング・ダイボンドフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層を有し、該粘着剤層上にダイボンド層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイボンド層に於ける粘着剤層側の算術平均粗さＸ（μｍ）が０．０１５μｍ〜１μｍであり、前記粘着剤層に於けるダイボンド層側の算術平均粗さＹ（μｍ）が０．０３μｍ〜１μｍであり、前記ＸとＹの差の絶対値が０．０１５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも歩留まりの向上が可能な半導体装置の製造方法、及び当該方法に使用する接着シートを提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、接着シートを介して、半導体素子を被着体上に仮固着する仮固着工程と、前記接着シートを所定条件で加熱することにより、前記被着体に対するせん断接着力が０．５ＭＰａ以上の半硬化状態にする半硬化工程と、前記接着シートが半硬化された状態で、半導体素子をワイヤーボンディングするワイヤーボンディング工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気回路基板の集積度を高めること。
【解決手段】信号線（２ｂ）と、前記信号線（２ｂ）の端部に形成された基板側端子（２ｄ）と、ベアチップ配置部（２ｃ）と、を有する基板本体（２）と、集積された複数の電子素子と、前記各電子素子を接続する配線と、前記配線の端部に形成されたチップ側端子（６ａ）とを有し、前記ベアチップ配置部（２ｃ）に固定されたベアチップ（６）と、前記ベアチップ（６）のチップ側端子（６ａ）と前記基板本体（２）の基板側端子（２ｄ）とを接続するボンディングワイヤー（７）と、を備えた電子回路基板（１）。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを被接合面へ接合する際に、半導体チップの外縁から流出したダイアタッチフィルムが半導体チップの上面に這い上がって圧着ヘッドや半導体チップ上のワイヤボンディング用電極を汚損することのない半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ１にダイアタッチフィルム５及びその外面を保護するＵＶテープ６から成るフィルム層７を貼付するフィルム層貼付工程Ｓ３と、フィルム層７が貼付された半導体ウエハ１からダイシングライン２に沿った所定幅の切り代領域２ａを除去して半導体ウエハ１を複数の半導体チップ１′に切り分けるダイシング工程Ｓ８との間に、切り代領域２ａの外側でダイシング工程Ｓ８後の個々の半導体チップ１′が備えるダイアタッチフィルム５の周辺部に相当する切り代両側部領域２ｂの熱硬化を進行させる熱硬化進行工程Ｓ５を実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが備えるダイアタッチフィルムの周辺部に熱硬化が進行した部分を形成した場合において、その半導体チップを被接合面に強固に接合することのできる半導体チップのボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】周辺部の熱硬化が進行したダイアタッチフィルム５を備えた半導体チップ１′をそのダイアタッチフィルム５により被接合面６０ａに接合するにおいて、ダイアタッチフィルム５を被接合面６０ａに接触させて半導体チップ１′を被接合面６０ａに押圧するとき、ダイアタッチフィルム５の周辺部の熱硬化が進行した部分（熱硬化進行部分５ａ）が半導体チップ１′の外縁から外方に押し出されるようにする。 （もっと読む）

【課題】低温で半導体素子または支持部材に貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、１２０℃で硬化し、十分な接着力を発現でき、そりが少ない接着シートを提供する。
【解決手段】薄型半導体素子と支持部材との接着に使用される接着シート（熱硬化性接着シート）であって、接着シートの６０℃のタック強度が６０〜１０００ｇｆであり、１２０℃１ｈ硬化後のＤＳＣ発熱量Ａ（Ｊ／ｇ）、Ｂステージ状態のフィルムのＤＳＣ発熱量Ｂ（Ｊ／ｇ）の比、Ａ／Ｂが０．７〜１である接着シート。 （もっと読む）

【課題】エキスパンドによる個片化が可能であり、且つモールド時に基板凹凸への埋込性が優れる半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】高分子量成分を少なくとも含有する半導体用接着シートであって、０℃で９００Ｈｚにおける動的粘弾性測定によるＢステージ状態の弾性率が４０００〜１０００００ＭＰａとなり、２００℃で１０Ｈｚにおける動的粘弾性測定による硬化後の弾性率が１〜１０ＭＰａとなることを特徴とする半導体用接着シート。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、不飽和炭化水素基を有するエポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）および熱硬化剤（Ｄ）を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 低溶融粘度であるとともに接着強度に優れ、半導体装置の接続信頼性の向上を可能とする半導体用接着剤組成物、半導体用接着シート、及び、これらを用いて得られる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体用接着剤組成物は、熱硬化性樹脂及びフィラーを含有する接着剤組成物であって、フィラーの配合割合が、熱硬化性樹脂１００質量部に対して３０〜１００質量部であり、且つ、熱硬化性樹脂として、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜６０万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝１５〜４０：５〜１５：３５〜５５の割合で含む。 （もっと読む）

【課題】支持体に低温で搭載可能かつ室温でべたつきのない接着剤層付き半導体素子の接着剤層に用いられる液状樹脂組成物を提供し、該液状樹脂組成物から構成される接着剤を用いた接着剤層付き半導体ウエハおよび接着剤層付き半導体素子、さらには該接着剤層付き半導体素子を用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】グリシジル基を有する化合物（Ａ）、フェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）、化合物（Ａ）と化合物（Ｂ）の反応を促進する化合物（Ｃ）、および溶剤（Ｄ）を含む液状樹脂組成物であって、化合物（Ｃ）が溶剤（Ｄ）に溶解することを特徴とする液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】支持体への接着剤層付き半導体素子の搭載を低温で行うことが可能で、搭載時にボイドの発生が少なく、かつ室温ではべたつきのない接着剤層付き半導体素子の接着剤層に用いられる液状樹脂組成物を提供し、該液状樹脂組成物から構成される接着剤を用いた接着剤層付き半導体ウエハおよび接着剤層付き半導体素子、さらには該接着剤層付き半導体素子を用いた半導体パッケージを提供するものである。
【解決手段】グリシジル基を有する化合物（Ａ）とフェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）と溶剤（Ｃ）とを含む液状樹脂組成物であって、前記グリシジル基を有する化合物（Ａ）が一般式（１）で示される化合物（Ａ１）を含むことを特徴とする液状樹脂組成物。
【化１】


Ｇはグリシジル基、ｎは０〜５である。 （もっと読む）

【課題】硬化速度が速く、かつ、硬化物に含まれるイオン不純物を充分に低減させることができる電子部品用エポキシ組成物、及び、該電子部品用エポキシ組成物を用いた電子部品の接合方法を提供する。
【解決手段】電子部品の接着又は封止を行うためのエポキシ組成物であって、エポキシ化合物と、熱カチオン重合触媒と、前記熱カチオン重合触媒の活性温度よりも高い活性温度を有する熱潜在性アミン化合物とを含有することを特徴とする電子部品用エポキシ組成物。 （もっと読む）

【課題】支持体に低温で搭載可能であり、かつ室温でべたつきのない樹脂組成物および該樹脂組成物を用いて作製した半導体パッケージを提供する。
【解決手段】支持体に半導体素子を接着させる樹脂組成物であって、加熱処理した後の２５℃でのタック力を０．０５Ｎ以下とし、かつ８０℃でのタック力を１Ｎ以上とする樹脂組成物である。特に、加熱処理した後の樹脂組成物の揮発分が１重量％以下であることが好ましい。さらに該樹脂組成物を用いて作製した半導体パッケージである。 （もっと読む）

【課題】 比較的低い温度で半導体チップを貼り付ける必要がある基板に対して、印刷法によって容易に供給・塗布でき、且つ、半導体チップを貼り付けた後の樹脂ペーストの硬化工程を省いても、以降の工程が可能である、すなわち、Ｂステージ状態で十分な耐熱性とチップ接着性を持ち得るとともに、後硬化後においても十分な耐熱性とチップ接着性を持ち得る、ダイボンディング用樹脂ペーストを提供すること。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラン変性樹脂と、熱硬化性樹脂と、フィラーと、印刷用溶剤と、を含有するダイボンディング用樹脂ペースト。



［式中、Ｒは、−ＣＨ_３又は−ＯＣＨ_３を示し、Ｘは樹脂部分を示し、ｎは１〜７の整数を示す。なお、複数存在するＲは同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】支持体に低温で搭載可能かつ室温でべたつきのない接着剤層付き半導体素子の接着剤層に用いられる液状樹脂組成物であり、該液状樹脂組成物から構成される接着剤を用いた接着剤層付き半導体ウエハおよび接着剤層付き半導体素子を提供し、さらには該接着剤層付き半導体素子を用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】グリシジル基を有する化合物（Ａ）とフェノール性水酸基を有する化合物（Ｂ）を含む液状樹脂組成物であって、化合物（Ｂ）が分子量１０００以下である化合物（Ｂ１）と分子量１５００以上５０００以下である化合物（Ｂ２）とを含むことを特徴とする液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 良好な熱伝導性を示すと共に高温での良好な接着性を示す液状樹脂組成物を提供すること。また、上述の液状樹脂組成物を用い、耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の液状樹脂組成物の製造方法は、銀粉（Ａ）と、熱硬化性樹脂（Ｂ）と、特定の化合物（Ｃ）と、を含む液状樹脂組成物の製造方法であって、前記銀粉（Ａ）および前記熱硬化性樹脂の一部（Ｂ１）を予め混合して第１の混合物（Ｄ１）を得る第１混合工程と、前記化合物（Ｃ）および前記熱硬化性樹脂の残部（Ｂ２）を予め混合して第２の混合物（Ｄ２）を得る第２混合工程と、さらに、前記第１の混合物（Ｄ１）および前記第２の混合物（Ｄ２）を混合する第３混合工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板デザインに依存せず簡便にボイドを消滅でき、また、この際に接着剤の巻き上がりも起こらない半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、チップと未硬化の接着剤層とが積層された配線基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法であって、前記硬化前に、前記チップと未硬化の接着剤層とが積層された配線基板を常圧に対し０．０５ＭＰａ以上の静圧により加圧する静圧加圧工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性を有すると共に、露光後の十分な再接着性を有する感光性接着剤組成物、及びそれを用いた接着フィルム、接着シート、接着剤パターン、並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】現像によるパターン形成が可能な感光性接着剤組成物であって、パターン形成後の１００℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下である感光性接着剤組成物。 （もっと読む）