【課題】ピックアップ性の向上を図り、半導体素子に対する不具合の発生を防止しつつ、信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体用フィルム、およびかかる半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体用フィルム１０は、接着層３上に半導体ウエハー７を積層させ、ダイシングする際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化により形成された個片をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が剥離する。半導体用フィルム１０は、支持フィルム４と第２粘着層２と第１粘着層１と接着層３とがこの順で積層されたものであり、個片の２３℃におけるピール強度をＦ_２３（ｃＮ／２５ｍｍ）とし、個片の６０℃におけるピール強度をＦ_６０（ｃＮ／２５ｍｍ）としたとき、Ｆ_２３が１０〜８０であり、かつＦ_６０／Ｆ_２３が０．３〜５．５であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整し、高精度かつ信頼性の高い半導体チップ積層体の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板又は他の半導体チップ１にスペーサー粒子を含む半導体部品用接着剤３を塗布する工程（１）と、半導体チップ２を積層する工程（２）と、接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、半接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、塗布工程（１）において、接着剤を塗布する領域は、半導体チップを接合させる領域の４０〜９０％であり、半導体チップ積層工程（２）の直後、接着剤の濡れ広がった領域は、半導体チップを接合させる領域の６０％以上１００％未満であり、接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）において、接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が１〜３０Ｐａ・ｓであり、かつチップ間距離とスペーサー粒子の粒子径の差を１０μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】部品を基板に実装する際に、基板を加熱せずに熱硬化性接着剤を局所的に加熱して硬化させる手段を提供する。
【解決手段】ステージ装置１０上に搭載基板８及び部品６が載置される。ステージ装置の垂直上方に、垂直移動可能な吸着ヘッド４０が設けられる。吸着ヘッドに吸着された部品の電極に接触子が接触する。吸着ヘッドの垂直上方に、垂直移動可能なカメラ１６が配置される。ステージ装置の動作、吸着ヘッドの動作、接触子への通電、及びカメラの動作を制御コンピュータ３０が制御する。 （もっと読む）

本発明は、電子器機、集積回路、半導体素子、太陽電池および／またはソーラーモジュールの製造において、導電性物質として使用するのに適した接着剤に関する。この接着剤は、少なくとも１種の樹脂成分、少なくとも１種の窒素含有硬化剤、少なくとも１種の低融点金属フィラー、および必要に応じて、金属フィラーとは異なる少なくとも１種の導電性フィラーを含有する。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド工程において、接着シートの接着剤層がチップ上面に付着せずチップを汚染することがないウェハ加工用シートを提供する。
【解決手段】ウェハ加工用シート１００は、基材１０２上に接着剤層１０４が積層された接着シート１０６と、リング状のウェハ汚染防止用粘着シート１１２とからなり、前記接着シート１０６の接着剤層１０４上に前記ウェハ汚染防止用粘着シート１１２が積層されたウェハ加工用シート１００であって、前記ウェハ汚染防止用粘着シート１１２がリングフレーム３００に固定可能な大きさを有し、前記ウェハ汚染防止用粘着シート１１２の内径が、ウェハ２００の直径より０〜２０ｍｍ小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの形状に対応する形状にプリカット加工されたウエハ加工用テープを作製する際の接着剤層の巻き取り工程において、巻き取られる接着剤層の破断を防止するとともに、プリカット加工されたウエハ加工用テープの生産性を向上させることが可能な接着フィルム及びその接着フィルムを使用して作製したウエハ加工用テープを提供する。
【解決手段】接着剤層１２の離型フィルム１１からの単位当たりの剥離力に対して、接着剤層１２の同一単位当たりの破断強度が８７．５倍以上、好ましくは１００倍以上である。 （もっと読む）

【課題】厚さ５０μｍ以下というような極薄の半導体チップであっても破損することなく高い成功率でスムーズにピックアップでき、しかもダイアタッチにおける実装効率を低下させることがなく、高い生産性で半導体装置を製造できるダイアタッチフィルム付きダイシングテープを提供する。
【解決手段】本発明のダイアタッチフィルム付きダイシングテープは、半導体ウエハのダイシングに用いるダイアタッチフィルム付きダイシングテープであって、ダイシングテープ／支持テープ／ダイアタッチフィルムの層構成を有し、且つ前記支持テープが自己巻回剥離性を有するテープであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（Ａ１）と前記工程（Ａ１）により接着された支持体と半導体素子とを封止用樹脂により封止する工程（Ａ２）と前記工程（Ａ２）で封止後、所定の加熱条件Ｂにより熱処理する工程（Ａ３）とを有する半導体装置の製造方法であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験における反り量が所定の条件式を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのダイボンドの際に作業時間の大幅な短縮を図ることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム及び該熱硬化型ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明に係る熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、該フィルム中の有機成分１００重量部に対し含有量が０．２〜１重量部の範囲内の熱硬化触媒が、非結晶状態で含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化物の柔軟性が高く、かつ、吸水性が低く耐リフロー性に優れた半導体用接着剤を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるブタジエン骨格を有するエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する半導体用接着剤。［化１］


式（１）中、Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは、ブタジエン骨格の繰り返し単位を表し、１５０〜１７５の整数である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板又は他の電子部品上に接着するのに用いられ、半導体チップ上の保護膜の収縮による半導体チップの反りを抑制でき、かつ外周面にひけと呼ばれる凹部が形成され難い接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の接着シート３を介して半導体チップ５を基板２上に接着したり、又は硬化後の接着シート４を介して半導体チップ６を他の半導体チップ５上に接着したりするのに用いられる接着シートであって、硬化性樹脂と、接着性を表面に有する粒子３１とを含有する接着シート。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを基板又は他の電子部品上に積層し、接着した後、半導体チップを樹脂モールド層により被覆したときに、半導体チップにクラックが生じ難い接着シートを提供する。
【解決手段】硬化後の接着シート３を介して半導体チップ８を基板２上に接着したり、又は硬化後の接着シート４〜７を介して半導体チップ９〜１２を他の半導体チップ８〜１１上に接着したりするのに用いられる接着シートであって、硬化性樹脂と、弾性粒子とを含有し、弾性粒子３ａ〜７ａの硬化後の接着シート３〜７の厚み方向に沿う寸法が、硬化後の接着シート３〜７の厚みと同等である接着シート。 （もっと読む）

【課題】硬化温度を低くしても（１２５℃以下）接着強度に優れ、粘度安定性にも優れる樹脂ペースト組成物、及びそれを用いて製造される低反り性の半導体装置を提供すること。
【解決手段】アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、下記一般式（Ｉ）で表され、且つ１０時間半減期温度が６０〜８０℃ある過酸化物、可とう化材、及び充填材を含む樹脂ペースト組成物。


（Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基又はアシル基を有する有機基を、Ｒ^１は炭素数３〜１０のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】エキスパンド状態を保持するための部品を設ける必要を無くし、製造コストおよび工数の低減を図ったウエハ加工用テープ及びウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１とその上に形成された粘着剤層１２とからなる粘着フィルム１３と、粘着フィルム１３上に積層された接着剤層１４とを有する。粘着剤層１２は、上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂとが積層された２層構造の粘着剤層である。上層粘着剤層１２ａは、放射線重合性化合物と、第１の波長λ１の光に反応する第１の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂは放射線重合性化合物と、第２の波長λ２の光に反応する第２の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０〜２７０℃という高温設定での半田リフロー処理を行ったとしても半導体装置クラック発生等の問題を大幅に低減することができる熱硬化性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】銅からなるリードフレームと、半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（１）と前記工程（１）により接着された前記銅からなるリードフレームと前記半導体素子とを封止用樹脂を用いて、前記封止用樹脂で封止された部分の平均厚みが１．９ｍｍ以上４．０ｍｍ以下となるように封止する工程（２）と前記工程（２）により封止された後、所定の加熱条件Ｂにて熱処理する工程（３）とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、所定の評価試験で測定した２６０℃における弾性率が２５０ＭＰａ以上６００ＭＰａ以下である熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
金属製支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程（Ａ１）と前記工程（Ａ１）により接着された支持体と半導体素子とを封止用樹脂により封止する工程（Ａ２）と前記工程（Ａ２）で封止後、所定の加熱条件Ｂにより熱処理する工程（Ａ３）とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、所定の反り評価試験における反り量が所定の条件式を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面での剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る接着剤組成物は、エネルギー線硬化型粘着成分と、光重合開始剤と、熱硬化型接着成分とを含み、
該光重合開始剤の１６０℃での重量減少率が７．０％以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 熱硬化後においても被着体との密着性に優れた熱硬化型ダイボンドフィルム及びそれを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造の際に用いる熱硬化型ダイボンドフィルムであって、１５重量％を超えて２５重量％以下の熱可塑性樹脂成分と、３５重量％以上４５重量％未満の熱硬化性樹脂成分とを主成分として含有し、熱硬化前の１２０℃に於ける溶融粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で半導体素子を貼り付ける必要がある基板を含む様々な基板に対して、印刷法によって容易に塗布して供給でき、かつ半導体素子貼付け前のプリベーク工程を省いても後硬化時にクラックやボイドが発生しないダイボンディング用樹脂ペースト、当該ダイボンディング用樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基を有するブタジエンのポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）フィラーと、（Ｄ）シリコーンゴム粒子をシリコーン樹脂で被覆したシリコーン複合パウダと、（Ｅ）印刷用溶剤とを含むダイボンディング用樹脂ペーストであって、成分（Ｄ）の含有量が、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｄ）を含む樹脂成分の全重量を基準として、３０重量％以上であることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペーストを調製し、使用する。 （もっと読む）

【課題】高圧で半導体素子の封止を行った場合でも封止材が接着シートと被着体の界面に侵入せず、かつ圧着時に充填できなかった空隙を消失させることが可能で耐熱性・耐湿性に優れた接着シート及びこれを用いた半導体素子を提供する。
【解決手段】樹脂組成物から構成され、１４０℃で１分間加熱することで２００℃以下では発泡しなくなる接着シートであって、１４０℃で１分間、続いて２００℃で１分間加熱することによりＳｉＮをコートしたＳｉ基材への接着力が向上し、１８０℃で測定した接着力が１．０ＭＰａ以上となる接着シートとする。また、これを用いた半導体素子とする。 （もっと読む）