【課題】半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生が抑制される半導体用接着フィルムを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体用接着フィルムを、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得る電子部品接合体の製造方法の提供。
【解決手段】電子部品接合体を製造する方法で、基板又は他の電子部品３の表面絶縁層２上に、接着剤４を塗布する工程（１）と、電子部品３を積層する工程（２）と、フィレットを形成する工程（３）と、接着剤４を硬化する工程（４）とを有し、工程（４）の後の接着剤厚みをｄｔ、電子部品３の厚みをＤｅ、外周長さをＬ、接合する領域の面積をＡ、接合する領域から開口部までの距離の平均値をＤｄ、工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、工程（２）の直後に接着剤４が濡れ拡がる領域の面積をＳ、工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。（ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ），（ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ） （もっと読む）

【課題】塗布対象物に接着剤の塗布膜を所望する膜厚で形成する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１は、塗布対象物に接着剤を塗布する塗布部と、塗布対象物に塗布された接着剤を熱により乾燥させる乾燥部７とを備え、乾燥部７は、接着剤が塗布された塗布対象物が載置され、載置状態の塗布対象物を加熱する複数のヒータプレート１０１と、複数のヒータプレート１０１を離間させて積層状態に支持する支持部１０２とを具備している。 （もっと読む）

【課題】薄膜の接着剤層を安定して形成することができる接着剤層の形成方法を提供する。また、接着剤付き半導体チップを熱圧着する際に、空隙（ボイド）を発生しない、あるいは空隙（ボイド）が発生してもパッケージ化されるまでにボイドが消失又は微小化する熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】被接着面上に、熱硬化性組成物及び有機溶媒を含む接着剤組成物を非接触型の塗付装置を用いて選択的に塗布する塗布工程と、前記被接着面上に塗布された前記接着剤組成物の溶媒を除去する溶媒除去工程とを有する接着剤層形成方法であって、前記熱硬化性組成物が反応温度の異なる２種類の硬化性を有することを特徴とする接着剤層の形成方法であって、前記接着剤組成物は、エポシキ樹脂と、エポキシ硬化剤との反応からなり、１００〜１６０℃にＤＳＣピークを有する第１の硬化反応と、エポシキ樹脂の自己重合反応からなり、１４０〜２００℃にＤＳＣピークを有する第２の硬化反応とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンドフィルムが引張張力により好適に破断される熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成した後、半導体ウェハを改質領域にて破断することにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法、又は、半導体ウェハの表面に裏面まで達しない溝を形成した後、半導体ウェハの裏面研削を行い、裏面から溝を表出させることにより半導体ウェハから半導体素子を得る方法に使用される熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化前における２５℃での破断伸び率が４０％より大きく５００％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置の熱サイクル試験に対する信頼性を向上させる。
【解決手段】積層型半導体装置１は、回路基板２上に接着された第１の半導体素子５を具備する。第１の半導体素子５は第１のボンディングワイヤ７を介して回路基板２の電極部４と電気的に接続されている。第１の半導体素子５上には、厚さが５０μｍ以上の第２の接着剤層（絶縁性接着剤層）９を介して第２の半導体素子が接着されている。第２の接着剤層９はガラス転移温度が１３５℃以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が１００ｐｐｍ以下であると共に、常温弾性率が５００ＭＰａ以上２ＧＰａ以下である絶縁樹脂層で構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと、これを搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チップとを接続する接着フィルムであって、０．０１〜０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得る接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体チップと、これを搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チップとを接続する接着フィルムであって、ラミネート温度域である１００℃以下での溶融粘度が１×１０⁴ Pa・s以上、圧着温度での溶融粘度が５×１０〜１×１０⁵ Pa・sを有する接着フィルム、および圧着圧力、圧着時間と接着フィルムの圧着温度での溶融粘度とが、一定の関係にある接着フィルムおよび半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ、耐リフロー性に優れた半導体用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤及び（Ｄ）硬化促進剤を含有する樹脂組成物で構成され、室温から１０℃／分で昇温した際の最低溶融粘度が８０℃以上、２００℃以下の範囲にあり、かつ、該最低溶融粘度が１Ｐａ・ｓ以上、３００Ｐａ・ｓ以下の範囲であり、１７５℃、１時間加熱処理した後の１７５℃での弾性率が１０ＭＰａ以上である、ことを特徴とする半導体用接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ、チップに特別な処理を施すことなく、得られる半導体装置にゲッタリング機能を付与すること。
【解決手段】 本発明に係る接着シートは、基材と、該基材上に剥離可能に積層された接着剤層とからなり、該接着剤層が、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）およびゲッタリング剤（Ｄ）を含み、該接着剤層が、厚み方向に対してゲッタリング剤（Ｄ）の濃度勾配を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易にＢステージ化することができ、且、Ｂステージ化状態でダイシングテープの貼付性及びシリコンウエハーを個片化する際のダイシング性に優れる導電性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
（Ａ）軟化点４０℃以上９０℃以下のエポキシ樹脂
（Ｂ）軟化点４０℃以上９０℃以下の硬化剤 成分（Ａ）中のエポキシ基１当量に対し、該成分（Ｂ）中の、エポキシ基と反応性を有する基が０．８〜１．２５当量となる量
（Ｃ）硬化促進剤 成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して０．０５〜１０質量部
（Ｄ）質量平均粒径が０．１〜５μｍである導電性フィラー 成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して４００〜２０００質量部、および
（Ｅ）希釈剤 成分（Ａ）と成分（Ｂ）の合計１００質量部に対して５〜４００質量部
を含む導電性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化後の硬化物の接着性に優れている硬化性組成物、並びに該硬化性組成物を用いたダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】本発明に係る硬化性組成物は、極性基を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂用硬化剤と、エポキシ基含有アクリル樹脂とを含む。上記エポキシ基含有アクリル樹脂の重量平均分子量は１万〜４０万であり、かつ上記エポキシ基含有アクリル樹脂のガラス転移温度は６０℃以上である。ダイシング−ダイボンディングテープ１は、硬化性組成物により形成された粘接着剤層３と、粘接着剤層３の片面３ａに積層された基材層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイシング工程にてブレード（刃物）が保護フィルムを切断しないような厚みの粘着剤を持つダイボンドダイシングシートを提供する。
【解決手段】剥離性基材の片面に、所定平面視形状の接着剤と、前記接着剤を覆い、前記接着剤よりも一回り広く大きく、そして前記接着剤とは重なり合わない周縁部を有する粘着剤と、前記粘着剤に重なり合ってこれを保護する保護フィルムとを、この順に積層したダイボンドダイシングシートであって、粘着剤の厚みが１０〜７５μｍである、ダイボンドダイシングシート。 （もっと読む）

【課題】ペースト材の過剰な這い上がりを検出する技術を提供する。
【解決手段】チップ搭載装置１は、チップ２を吸着して保持するための吸着部１１０と、導電体から成るペースト這い上がり検出部１２０と、を有するコレット１００と、チップ２がペースト材３を介して搭載されるリードフレーム４と、コレット１００の上記ペースト這い上がり検出部１２０と、の間に所定電圧を印加可能な電源装置２００と、リードフレーム４と、コレット１００の上記ペースト這い上がり検出部１２０と、の間の電流を検出可能な電流検出器３００と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】薄型化しつつある半導体チップを狭ピッチの有機基板上に実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がなく、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）および硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体と半導体素子とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、所定の反り評価試験における前記熱硬化性接着剤組成物の反り量１が所定の条件式を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパットの汚染に起因してワイヤーボンディングができなくなるのを防止し、かつ、基板、リードフレーム又は半導体素子等の被着体に反りが発生するのを防止して、歩留まりを向上させつつ製造工程を簡略化した半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造に用いられる接着シートであって、硬化前の貯蔵弾性率が８０〜２５０℃の温度範囲で１ＭＰａ以上、又はその温度範囲内の任意の温度に於いて１ＭＰａ以上であり、架橋剤が添加されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材／接着剤層間の密着力が充分であり、かつ半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供する。
【解決手段】アクリルバインダ（Ａ）、エポキシ系熱硬化性化合物（Ｂ）およびエネルギー線硬化性化合物（Ｃ）を含有する接着剤組成物であって、前記アクリルバインダ（Ａ）として、質量平均分子量が300,000〜1,200,000であるアクリル重合体（Ａ１）と、質量平均分子量が10,000〜120,000であるアクリル重合体（Ａ２）とを含有することを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体搭載用基板に半導体素子を実装する場合に必要な応力緩和性、基板凹凸埋込性を有し、耐熱性、耐湿性に優れた半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 高分子量成分と、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含む半導体用接着シート。高分子量成分のＴｇが、−１０〜６０℃、重量平均分子量が２万〜１００万で、高分子量成分を樹脂成分中８０〜９５質量％、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂を樹脂成分中２〜２０重量％含有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】 プリカット加工が施されており、剥離基材からの接着層、粘着層及び基材フィルムの剥離不良を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】 剥離基材、接着層、粘着層及び基材フィルムが順次積層された構成を有する接着シートであって、前記接着層は、所定の第１の平面形状を有し、且つ、前記剥離基材上に部分的に形成されており、前記剥離基材には、前記第１の平面形状の周縁に沿って、前記接着層に接する側の面から第１の切り込み部が形成されており、前記第１の切り込み部の剥離基材の破断強度は、２５Ｎ以上であり、且つ１００Ｎ以下であることを特徴とする接着シート。 （もっと読む）

【課題】 工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルムとその製造方法、及びそれを用いた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体を有し、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成された半導体用途接着フィルム。 （もっと読む）