半導体用接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置、および接着剤組成物
【課題】半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生が抑制される半導体用接着フィルムを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体用接着フィルムを、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備えて構成する。
【解決手段】半導体用接着フィルムを、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備えて構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置、および接着剤組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップを接着して多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。スタックドＭＣＰは、携帯電話及び携帯オーディオ機器等に搭載されるメモリパッケージとして広く用いられている。近年では、携帯電話等の多機能化に伴い、かかるパッケージの更なる高密度化及び高集積化が推し進められている。これに伴い、スタックドＭＣＰにおける半導体チップの更なる多段化及びパッケージ自体の薄型化が要望されている。ところが、半導体チップの多段化は、接着工程及びワイヤボンディング工程など熱処理を必要とする工程を増加させ、結果として接着フィルムに含まれる接着剤成分の熱硬化を促進する。この硬化反応による収縮や半導体チップ、接着フィルム、レジスト基板の線膨張係数の差により接着フィルム起因の反りが発生することによるワイヤボンディング精度の低下や、耐リフロー性の悪化が懸念される。
【０００３】
反りの発生は接着フィルムの硬化反応による硬化収縮に起因する。この硬化収縮を低減する方法として、エポキシ樹脂自身の骨格の柔軟化が挙げられる。これに関連して、エポキシ基含有水添ポリブタジエン変性重合体からなる主剤と特殊ビニルエーテルでブロックしたカルボキシル基を有する化合物を硬化剤として含有する柔軟性熱硬化性組成物が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３０２８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に接着剤組成物層の硬化反応による硬化収縮を低減する方法として、接着剤組成物に含まれるエポキシ樹脂と硬化剤との架橋点を低減すること、及びエポキシ樹脂自身の骨格を柔軟化すること等が挙げられる。これらにより硬化後の応力緩和性が向上し、反りの発生を抑制することができると考えられる。しかし、架橋点の減少や骨格の柔軟化は耐熱性の低下につながる場合があるため、反りの発生抑制と耐熱性とを両立させることは困難であった。
例えば、特許文献１に記載の柔軟性熱硬化性組成物では、十分な耐熱性が得られない場合があった。
【０００６】
本発明は、耐熱性に優れ、半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生を抑制可能な半導体用接着フィルムおよび接着剤組成物、ならびに該半導体用接着フィルムを用いてなる半導体搭載用配線基板および半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
本発明の第１の態様は、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備える半導体用接着フィルムである。
【０００８】
前記接着剤組成物層における前記第１のエポキシ樹脂に対する前記第２のエポキシ樹脂の含有比率が３０質量％〜９０質量％であることが好ましい。
また、前記接着剤組成物層は、フィラーをさらに含むことが好ましく、前記フィラーは、シリカフィラーであることが好ましい。
さらに前記硬化剤は、フェノール樹脂であることが好ましい。
【０００９】
前記接着剤組成物層は、前記硬化剤の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であって、前記（メタ）アクリル共重合体の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂および前記硬化剤の合計含有量１００質量部に対して２０質量部〜５０質量部であることが好ましい。
【００１０】
また本発明の第２の態様は、配線基板と、前記配線基板上に設けられ、前記半導体用接着フィルムを用いてなる接着剤組成物層と、を備える半導体搭載用配線基板である。
【００１１】
また本発明の第３の態様は、前記半導体用接着フィルムを用いて被接着体に接着された半導体チップを有する半導体装置である。
【００１２】
さらに本発明の第４の態様は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、耐熱性に優れ、半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生を抑制可能な半導体用接着フィルムおよび接着剤組成物、ならびに該半導体用接着フィルムを用いてなる半導体搭載用配線基板および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態にかかる半導体用接着フィルムを示す模式断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる半導体装置を示す模式断面図である。
【図３】本発明の実施例にかかる反り量の測定方法を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜半導体用接着フィルム＞
本発明の半導体用接着フィルムは、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備えて構成される。
かかる構成であることで、耐熱性と半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生抑制とが高い次元で両立される。
【００１６】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「（メタ）アクリル酸」とは「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」を意味し、「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。
また、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。
【００１７】
図１は、本発明の好適な実施形態にかかる半導体用接着フィルムを示す模式断面図である。この半導体用接着フィルム１０は、支持フィルム１と、その表面上に形成された接着剤組成物層２とを備える。
【００１８】
本発明において接着剤組成物層は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリル共重合体とを含み、必要に応じて、フィラーやその他の成分を含んで構成される。
特定の異なる物性を示すエポキシ樹脂を少なくとも２種と、（メタ）アクリル共重合体を含むことで、硬化後の耐熱性と柔軟性とを高いレベルで両立可能な接着剤組成物層を構成することができる。
前記接着剤組成物層は、支持フィルム上に以下に詳細に説明する接着剤組成物を、層状となるように形成したものである。
【００１９】
［接着剤組成物］
（エポキシ樹脂）
本発明における接着剤組成物は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂の少なくとも１種と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂の少なくとも１種とを含む。
前記第１のエポキシ樹脂は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満であるが、反りの発生抑制の観点から、５ｇ／ｍｍ〜４０ｇ／ｍｍであることが好ましく、５ｇ／ｍｍ〜２０ｇ／ｍｍであることがより好ましい。
三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上であると、反りの発生を十分に抑制することができない場合がある。また、三点曲げ弾性率を５ｇ／ｍｍ以上とすることで接着性が向上し、例えば、耐リフロー性（ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２）等の信頼性が向上する。
【００２０】
また第２のエポキシ樹脂は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体であるが、耐熱性の観点から、エポキシ当量が１５０ｇ／ｅｑ〜２００ｇ／ｅｑであることが好ましい。さらに分子内に芳香環を含むこともまた好ましく、加熱硬化後のガラス転移温度Ｔｇが１２０℃以上であることもまた好ましい。
尚、エポキシ当量は、１モルのエポキシ樹脂の平均質量を、該エポキシ樹脂に含まれるエポキシ基数で除した数値である。
また一般に、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体であるエポキシ樹脂は、後述する本発明における加熱後の２０℃下での三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上となる。
【００２１】
本発明において、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率（以下、単に「弾性率」ということがある）は、以下のようにして測定される。
−加熱硬化条件−
エポキシ樹脂とＸＬＣ−ＬＬ（硬化剤）のシクロヘキサノン溶液を当量比１：１で配合し、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、１７０℃で５時間、加熱して、気泡が発生しないように熱硬化させる。
【００２２】
−弾性率測定条件−
三点曲げ弾性率は、３ｍｍ×１０ｍｍ×１００ｍｍの直方体状に試験サンプルをカットし、ＯＲＩＥＮＴＥＣ製ＲＴＭ−１００を用いて、常温（２０℃）環境下、速度１．５ｍｍ／ｍｉｎで三点曲げ試験を行った。
【００２３】
−加熱硬化条件−
各エポキシ樹脂とＸＬＣ−ＬＬのシクロヘキサノン溶液を当量比１：１で配合し、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、１７０℃で５時間、加熱し、気泡が発生しないように熱硬化させた。
【００２４】
前記第１のエポキシ樹脂としては、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満であれば、特に制限はないが、環構造の含有率が低いエポキシ樹脂、架橋点が少ないエポキシ樹脂、柔軟鎖の含有率が高いエポキシ樹脂等のいわゆる柔軟性エポキシ樹脂であることが好ましい。また、主鎖内にオキシラン環を含む柔軟性エポキシ樹脂であることもまた好ましい。
前記架橋点が少ないエポキシ樹脂としては、例えば、両末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂の場合、エポキシ当量が４００ｇ／ｅｑ以上であることが好ましく、４００ｇ／ｅｑ〜８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
【００２５】
前記第１のエポキシ樹脂として具体的には、反り発生抑制の観点から、カルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）変性エポキシ樹脂、およびエポキシ化ポリブタジエンから選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２６】
前記第１のエポキシ樹脂は、常法により合成したものを用いてもよく、また市販のエポキシ樹脂から適宜選択して用いることもできる。
市販のエポキシ樹脂として具体的には例えば、ＰＢ３６００（ダイセル化学工業（株）製、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率３０ｇ／ｍｍ）、ＴＳＲ−６０１（ＤＩＣ（株）製、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８ｇ／ｍｍ）、およびＲ−４５ＥＰＴ（ナガセケムテックス（株）製、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率１５ｇ／ｍｍ）等を挙げることができる。
これらは１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２７】
また前記第２のエポキシ樹脂としては、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上、かつ、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって、２０℃で固体であり、硬化して接着性を示す固形エポキシ樹脂であれば特に制限はなく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などを使用することができる。
中でも耐熱性の観点から、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、ノボラック型エポキシ樹脂であることがより好ましい。
尚、本発明において２０℃で固体であるとは、２０℃において流動性を示さないことを意味し、軟化点が４０℃以上あって、４０℃未満では流動性を示さないことが好ましい。
【００２８】
本発明において第２のエポキシ樹脂は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上である。
三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満であると接着性が低下し、例えば、耐リフロー性（ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２）を満足できない等の信頼性に問題が生じる場合がある。
【００２９】
さらに第２のエポキシ樹脂はエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであるが、反り発生抑制の観点から、１５０ｇ／ｅｑ〜２２０ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ〜２１０ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
【００３０】
前記第２のエポキシ樹脂は、常法により合成したものを用いてもよく、また市販のエポキシ樹脂から適宜選択して用いることもできる。
市販のエポキシ樹脂として具体的には例えば、ＹＤＣＮ−７００−１０（東都化成（株）製、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ）、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（東都化成（株）製、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）、およびＥＸＡ−４７００（エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ）等を挙げることができる。
これらは１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００３１】
本発明における接着剤組成物中の、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の含有比率としては、特に制限はないが、耐熱性と反りの発生抑制の観点から、前記第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率（第２のエポキシ樹脂／第１のエポキシ樹脂）が、３０質量％〜９０質量％であることが好ましく、３５質量％〜８０質量％であることがより好ましく、４０質量％〜７０質量％であることがさらに好ましい。
本発明において、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が２種以上からなる場合、前記第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率は、第１のエポキシ樹脂の総含有量に対する第２のエポキシ樹脂の総含有量の比率を意味する。
【００３２】
本発明においては、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂とを、第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率が３０質量％〜９０質量％となるように含むことが好ましく、
加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が０ｇ／ｍｍ〜３０ｇ／ｍｍである第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１５０ｇ／ｅｑ〜２２０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂とを、第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率が３５〜８０質量％となるように含むことがより好ましく、
加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が０ｇ／ｍｍ〜３０ｇ／ｍｍであって、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂およびエポキシ化ポリブタジエンから選ばれる少なくとも１種である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１５０ｇ／ｅｑ〜２２０ｇ／ｅｑであり２０℃で固形であって、ノボラック型エポキシ樹脂である第２のエポキシ樹脂とを、第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率が３５質量％〜８０質量％となるように含むことがさらに好ましい。
【００３３】
前記接着剤組成物中の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の総含有量としては、接着性と反り抑制の観点から、接着剤組成物の全質量に対して２０質量％〜３５質量％であることが好ましく、２５質量％〜３５質量％であることがより好ましい。
【００３４】
（硬化剤）
本発明における接着剤組成物層は、硬化剤の少なくとも１種を含む。前記硬化剤としては、通常用いられる公知のエポキシ樹脂の硬化剤を特に制限なく用いることができる。例えば、アミン類、ポリアミド類、酸無水物類、ポリスルフィド類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、およびビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂類、ならびに、三フッ化ホウ素等の無機化合物類などが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００３５】
本発明における硬化剤としては、耐熱性と反り抑制の観点から、フェノール樹脂であることが好ましい。
前記フェノール樹脂としては、市販のものを各種入手可能であり、また常法により合成することもできる。市販のフェノール樹脂としては、例えば、ミレックスＸＬＣシリーズ及びミレックスＸＬシリーズ（以上、三井化学社製、商品名）、ならびに、フェノライトＬＦシリーズ（大日本インキ社製、商品名）等が挙げられる。
【００３６】
本発明における接着剤組成物中の硬化剤の含有量としては、特に制限はないが、硬化性と粘度および吸湿性の官能基を残存させないという観点から、第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であることが好ましく、７０％〜９５％であることがより好ましく、７５％〜９０％であることがさらに好ましい。
前記比率が９５％以下であることで、半導体パッケージにおける基板段差の埋め込み性がより向上する。また３０％以上であることで、吸湿性の上昇を抑制し、加熱硬化持における発泡を抑制できる。
【００３７】
また本発明における接着剤組成物が硬化剤としてフェノール樹脂を含む場合、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の総量とフェノール樹脂の含有比としては、硬化性と粘度の観点から、フェノール樹脂における水酸基当量の、第１および第２のエポキシ樹脂におけるエポキシ当量の加重平均値に対する比率として、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であることが好ましく、５０％〜９５％であることがより好ましく、７５％〜９０％であることがさらに好ましい。
前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の総量とフェノール樹脂の含有比が上記範囲内であることにより、接着剤組成物の硬化性がより向上し、未硬化状態での粘度上昇が抑制され、好適な流動性を得ることができる。
【００３８】
さらに本発明における接着剤組成物は、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および後述する（メタ）アクリル共重合体の総含有量に対する、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、および硬化剤の総含有量が４０質量％〜６０質量％であることが好ましく、４５質量％〜５５質量％であることがより好ましい。
前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、および硬化剤の総含有量が４０質量％以上であることで、粘度の上昇が抑制され、基板の凹部への埋め込み性がより向上する傾向にある。また、この含有割合が６０質量％以下であることで、タック強度が上昇することを抑制し、実装基板の作製プロセスにおける作業性がより向上する傾向にある。
【００３９】
（（メタ）アクリル共重合体）
本発明における接着剤組成物は、（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種を含む。前記（メタ）アクリル共重合体としては、重量平均分子量が１０万〜１２０万、かつガラス転移温度（Ｔｇ）が−５０〜＋５０℃であって、分子内に架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。
【００４０】
（メタ）アクリル共重合体としては、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴム等を挙げることができ、アクリルゴムであることがより好ましい。アクリルゴムとしては、アクリル酸エステルを主成分とする共重合体であれば特に制限はないが、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるアクリロニトリルゴムや、前記アクリロニトリルゴムにおけるアクリロニトリルをメチルメタクリレートに置換したアクリロニトリルフリーゴム等を好適に挙げることができる。
【００４１】
本発明における（メタ）アクリル共重合体は、架橋性官能基の少なくとも１種を含むことが好ましく、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、およびカルボキシル基から選ばれる架橋性官能基の少なくとも１種を含むことがより好ましく、エポキシ基を含むことがさらに好ましい。また、前記エポキシ基を含む（メタ）アクリル共重合体は、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの、エポキシ基を含むアクリルモノマーに由来する構造単位を有することが好ましい。
【００４２】
前記（メタ）アクリル共重合体における架橋性官能基の含有量としては、特に制限はないが、耐熱性と硬化性の観点から、０．５質量％〜５．０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜２．０質量％であることがより好ましい。
【００４３】
本発明における（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、好ましくは１０万以上１００万以下であり、より好ましくは１０万〜９０万であり、さらに好ましくは、２０万〜８５万である。重量平均分子量が１０万以上であることで接着剤組成物層の硬化後の耐熱性及び接着力がより向上する傾向がある。また重量平均分子量が１２０万以下であることで接着層の流動性がより向上する傾向がある。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００４４】
また前記（メタ）アクリル共重合体は、重量平均分子量が互いに異なる２種類以上を併せて用いることが好ましい。さらに、重量平均分子量が１０万〜３０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種と、重量平均分子量が５０万〜１２０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種とを併用することが好ましく、重量平均分子量が１０万〜３０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種と、互いに異なる重量平均分子量が５０万〜１２０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも２種とを併用することがより好ましい。これにより、一層高い接着強度を有する接着剤組成物を構成することができる。この接着剤組成物は、粘度が低くても、硬化後の耐熱性及び耐湿性により優れたものとなる
なお、接着剤組成物が、（メタ）アクリル共重合体を２種類以上含む場合、それらは別個に重合して得られるものである。
【００４５】
前記（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は−５０〜＋５０℃であることが好ましく、−２０℃〜＋４０℃であることがより好ましく、−１０℃〜＋４０℃であることがさらに好ましい。Ｔｇが−５０℃以上であることで接着剤組成物の柔軟性が高くなりすぎることを抑制し、ウエハダイシング時における接着剤組成物層の切断がより容易になり、その結果バリの発生を抑制できダイシング性がより向上する傾向にある。またＴｇが＋５０℃以下であることで、接着層の柔軟性がより向上する傾向にある。
【００４６】
さらに前記（メタ）アクリル共重合体は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−２０℃〜＋４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万であってエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましく、Ｔｇが−１０℃〜＋４０℃で重量分子量が２０万〜８５万であってエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体であることがより好ましい。これにより、特に、半導体ウエハダイシング時に接着フィルムの切断が一層容易になり、切断の際に樹脂くず（バリ）が更に発生し難くなり、また、耐熱性がより高くなる。
【００４７】
本発明における接着剤組成物中の（メタ）アクリル共重合体の含有量としては、特に制限はないが、耐熱性と硬化性の観点から、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、および硬化剤の総含有量に対して、１５質量％〜４０質量％であることが好ましく、１５質量％〜３０質量％であることがより好ましく、２０質量％〜３０質量％であることが更に好ましい。（メタ）アクリル共重合体の含有量が上記数値範囲内にあることで、１５質量％を下回る場合と比較して、フィルム成形性がより向上する。また（メタ）アクリル共重合体の含有量が上記数値範囲内にあることで、４０質量％を超える場合と比較して、接着剤組成物の更なる低粘度化が実現できる。
【００４８】
本発明においては、前記（メタ）アクリル共重合体に加えて、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する高分子量成分を含むことができる。前記高分子量成分としては、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、および変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００４９】
本発明における接着剤組成物層は、耐熱性と反りの発生抑制の観点から、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜５０質量部の（メタ）アクリル共重合体と、を含むことが好ましく、
前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂のエポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で７５％〜９０％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜３５質量部の（メタ）アクリル共重合体と、を含むことがより好ましい。
【００５０】
（フィラー）
本発明における接着剤組成物は、フィラーの少なくとも１種をさらに含むことがより好ましい。
フィラーは固体粒子であり、これを含むことにより、接着剤組成物の未硬化状態（以下、「Ｂステージ状態」ということがある）における接着フィルムのダイシング性がより向上したり、接着フィルムの取り扱い性がより向上したり、熱伝導性がより向上したりする。また、溶融粘度を好適な粘度に調整することができたり、チクソトロピック性が付与できたり、接着力がより向上したりする。かかる観点から、フィラーは無機フィラーであることがより好ましい。
【００５１】
前記無機フィラーは固体粒子状の無機化合物であれば特に限定されない。無機フィラーの材質の具体例としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。無機フィラーは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００５２】
熱伝導性向上の観点からは、無機フィラーの材質が、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ又は非晶性シリカであることが好ましい。また溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の観点からは、無機フィラーの材質が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ又は非晶性シリカであることが好ましい。また、ダイシング性向上の観点からは、無機フィラーの材質がアルミナ又はシリカであることが好ましい。
本発明におけるフィラーは上記観点から適宜選択することができるが、中でも接着性の観点から、シリカフィラーであることが好ましい。
【００５３】
前記フィラーの平均粒径としては特に制限はないが、更に高い接着力を得ると共に良好な成膜性を達成する観点から、０．００５μｍ〜２．０μｍであることが好ましく、０．００５μｍ〜１．５μｍであることがより好ましく、０．００５μｍ〜１．０μｍであることが更に好ましい。
【００５４】
本発明における接着剤組成物は、平均粒径が互いに異なる２種類以上のフィラーを含むことが好ましい。これにより、接着力が更に高まると共に、一層良好なフィルム成形性を示す接着剤組成物が得られる。
具体的には例えば、平均粒径が０．１μｍ以上１．０μｍ以下のフィラーと、平均粒径が０．０１μｍ以上０．１０μｍ未満のフィラーとを含むことが好ましく、平均粒径が０．３μｍ以上０．７μｍ以下のフィラーと、平均粒径が０．０１５μｍ以上０．０５０μｍ以下のフィラーとを含むことがより好ましい。
上記態様であることにより接着力が更に高まると共に、より一層良好なフィルム成形性が得られる。
【００５５】
また、平均粒径が互いに異なるフィラーの含有比としては、より大きい平均粒径のフィラーに対してより小さい平均粒径のフィラーを３０：１で含むことが好ましく、２５：１で含むことがさらに好ましい。
上記態様であることにより接着力が更に高まると共に、より一層良好なフィルム成形性が得られる。
【００５６】
本発明におけるフィラーの含有率は、第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂および硬化剤の総含有量に対して、４０質量％〜１８０質量％であることが好ましく、６０質量％〜１２０質量％であることがより好ましい。
このフィラーの含有率が４０質量％以上であることで、ダイシング時に樹脂のバリの発生をより抑制し、ダイシング性が向上すると共に接着力が高まり、ワイヤボンディング性が良好になる。またフィラーの含有率が１８０質量％以下であることで、未硬化の状態での流動性が高くなり、フィルム成形性が更に優れたものとなる。さらに、フィラーの含有率を上記数値範囲内に収めることにより、接着層が硬化した後の１７０℃における貯蔵弾性率を２０ＭＰａ〜１０００ＭＰａに調整しやすくなる。
【００５７】
前記接着剤組成物において、上記熱硬化性成分、アクリル共重合体及びフィラーの合計の含有量は、接着剤組成物の全量に対して９５質量％〜１００質量％であることが好ましく、９７質量％〜１００質量％であることがより好ましい。上述の各成分の含有量がこの数値範囲内にあると、接着剤組成物としてより十分有効に機能することができる。
【００５８】
さらに本発明における接着剤組成物層は、耐熱性と反りの発生抑制の観点から、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜５０質量部の（メタ）アクリル共重合体と、１００質量部〜２００質量部のフィラーとを含むことが好ましく、
前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が官能基当量基準で７０％〜９０％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜３５質量部の（メタ）アクリル共重合体と、１００質量部〜１５０質量部のフィラーとを含むことがより好ましい。
【００５９】
本発明における接着剤組成物は、１５０℃以上の温度で重合するモノマーをさらに含有してもよく、そのモノマーがエポキシ樹脂以外のモノマーであることが好ましい。これにより、接着剤組成物層２のようなフィルム形状にして用いた接着剤組成物の粘度の経時変化を一層抑制することができ、フィルム特性をより長く維持することができる。一方で、接着剤組成物層２を１５０℃以上に加熱して、このモノマーを高分子量化させて硬化することで、硬化後の接着剤組成物層２の耐熱性及び耐湿性を高い状態で保持することができる。なお、ここでの「モノマー」は、重合可能な化合物を意味する。
【００６０】
このようなモノマーとしては、例えば、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）等の多官能（メタ）アクリレートモノマーなどが挙げられる。その中でも、ＤＰＨＡが好ましい。１５０℃以上の温度で重合するモノマーは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００６１】
本発明における接着剤組成物は、上述の各成分の他、本発明の目的を達成する限りにおいて、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤、可塑剤、粘着性付与剤等、接着剤組成物に含まれ得る通常の成分をさらに含んでもよい。
【００６２】
以上、説明した接着剤組成物は、本発明の目的を達成する限りにおいて、上述の各成分のそれぞれにおいて例示されたもののいずれを組み合わせてもよい。
【００６３】
本発明における接着剤組成物の好適な実施形態は、熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑかつ２０℃で固体であって、前記第１のエポキシ樹脂に対する含有率が３０質量％〜９０質量％である第２のエポキシ樹脂と、第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が水酸基当量基準で７０％〜９５％となる含有量であるフェノール樹脂と、第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量１００質量部に対して、重量平均分子量が１０万〜１２０万、かつＴｇが−５０〜＋５０℃であって、分子内に架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の３０質量部〜５０質量部と、シリカフィラーの１００質量部〜２００質量部と、を含有するものである。
【００６４】
本発明における接着剤組成物層は、熱硬化性であって、硬化前（Ｂステージ状態）の８０℃における溶融粘度が８００Ｐａ・ｓ〜４００００Ｐａ・ｓであることが好ましく、８００Ｐａ・ｓ〜２８０００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。また、特定の基材（レジスト(太陽インキ社製、ＡＵＳ３０８）が１０〜３０μｍのレジスト厚で塗布された基板（日立化成工業社製、Ｅ−６９７ＦＧ））への接着強度が３ＭＰａ以上、かつ厚みが５μｍ〜２５０μｍであると好ましい。
【００６５】
前記溶融粘度が８００Ｐａ・ｓ以上であることで、半導体チップ側面からの接着剤組成物のはみ出しの発生がより抑制される。また、この溶融粘度が４００００Ｐａ・ｓ以下であることで、被着体表面における凹部への接着剤組成物層の埋め込み性がより向上する。
また前記溶融粘度は、ＴＡインスツルメンツ製ＡＲＥＳを用いて、ひずみ量１．０（％）、剪断速度０．１（ｓ−１）、昇温速度５℃/ｍｉｎの条件で３０〜２００℃の範囲で測定される。
【００６６】
また、上記特定の基材への接着強度が３ＭＰａ以上であることで、接着性がより向上する傾向がある。
前記特定の基材への接着強度は、Ｄａｇｅ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ製Ｄａｇｅ２４００を用い、２６０℃に設定したステージ上で３０ｓ保持した後、測定高さ１００（μｍ）、測定速度１００（μｍ／ｓ）の条件にて測定される。
【００６７】
さらに、接着剤組成物層の厚みが５μｍ以上であることで、被着体表面における凹部への接着剤組成物層の埋め込み性がより向上し、応力緩和効果や接着性がより向上する。一方、この厚みが２５０μｍ以下であることで、経済性が向上すると共に、半導体装置の小型化の要求により好適に適合できる。同様の観点から接着剤組成物層の厚みは１０μｍ〜２５０μｍであることがより好ましく、２０μｍ〜１００μｍであることが更に好ましく、４０μｍ〜８０μｍであることが特に好ましい。
【００６８】
接着剤組成物層の硬化前の８０℃における溶融粘度は、上述の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の種類の選定、（メタ）アクリル共重合体の分子量分布の調整、接着剤組成物における第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の含有割合の調整、（メタ）アクリル共重合体とフィラーとの配合比率の調整、並びに接着組成物層の形成条件の調整などにより、上記数値範囲内に収めることができる。
また、上述の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の選定、（メタ）アクリル共重合体の分子量分布の調整、並びに（メタ）アクリル共重合体とフィラーとの配合比率の調整などにより、接着強度を３ＭＰａ以上に制御することができる。
【００６９】
このような接着剤組成物層は、例えば、８０℃での圧着により基材表面への埋め込みが可能となる。
【００７０】
本発明の半導体用接着フィルム１０は、例えば、下記のようにして得ることができる。まず、上述の接着剤組成物を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。次いで、このワニスを支持フィルム１の表面上に塗布し、加熱により乾燥する。こうして、支持フィルム１と、その表面上に形成された接着剤組成物層２とを備える半導体用接着フィルム１０が得られる。
【００７１】
上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。乾燥のための加熱の条件は、使用した有機溶媒が十分に揮発する条件であれば特に制限はないが、通常６０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００７２】
上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。これらの中でも、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。これら有機溶剤の一部は、通常、半導体用接着フィルム中の接着剤組成物層に揮発分として残存する。
【００７３】
接着剤組成物層中に揮発分として残存する有機溶媒の含有量は、接着剤組成物層の全質量基準で３質量％以下であることが好ましい。耐熱信頼性及び作業効率向上の観点からは、この割合は１．５質量％以下であることがより好ましく、１．０質量％以下であることが更に好ましい。なお、この有機溶媒の含有量の下限は特に限定されないが、上述と同様の観点から０．０１質量％であることが好ましい。
【００７４】
ダイシング性に優れる点から、接着剤組成物層の硬化前（Ｂステージ状態）の２５℃における貯蔵弾性率は２００ＭＰａ〜６０００ＭＰａであることが好ましい。更に、ダイシング性に優れ、かつ半導体ウエハとの密着性が優れる点でこの貯蔵弾性率は２００ＭＰａ〜２０００ＭＰａであることがより好ましい。
【００７５】
また、硬化前（Ｂステージ状態）の接着剤組成物層の８０℃における貯蔵弾性率は０．０００１ＭＰａ〜１０ＭＰａであることが好ましい。これにより、８０℃程度の温度における半導体ウエハへの良好なラミネート性が得られる。特に半導体ウエハへの密着性が高い点で、８０℃における貯蔵弾性率は０．００１ＭＰａ〜５ＭＰａであることがより好ましい。
【００７６】
硬化後（Ｃステージ状態）の接着剤組成物層２の１７０℃における貯蔵弾性率は２０〜１０００ＭＰａであることが好ましい。これにより、接着剤組成物層は、更に良好なワイヤボンディング性を示すことができる。
【００７７】
接着剤組成物層の貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＵＢＭ社製商品名「Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００」等）を用いて測定することができる。測定条件は、サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲−６０（又は室温）〜＋２６０℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、変位１０ｐｐｍ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重とされる。
【００７８】
本発明の半導体用接着フィルムは、上述したように支持フィルム上に前記接着剤組成物層が設けられて構成される。
支持フィルムとしては特に制限はなく、通常用いられる支持フィルムを特に制限なく用いることができる。具体的には例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行ってもよい。
【００７９】
支持フィルムの膜厚は、特に制限はなく、接着剤組成物層の膜厚や半導体用接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取り扱い性が良い点で、好ましくは６０μｍ〜１５０μｍ、より好ましくは７０μｍ〜１３０μｍである。
【００８０】
また本発明における支持フィルムは、来公知のダイシングテープであってもよい。この場合、接着シート１０は、ダイシングテープ１と、その表面上に形成された接着剤組成物層２とを備えたダイシングテープ一体型の半導体用接着フィルムとなる。このダイシングテープ一体型の半導体用接着フィルムを用いると、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済むため、作業の更なる効率化が可能である。
【００８１】
上記ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。
【００８２】
ダイシングテープは粘着性を有することが好ましい。そのため、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いてもよいし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。粘着剤層は、液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整すること等によって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【００８３】
半導体用接着フィルムを、半導体装置を製造する際に用いる場合、接着剤組成物層は、ダイシングの際には半導体チップが飛散しない粘着力を有し、その後のピックアップの際にはダイシングテープから容易に剥離可能であることが望まれる。例えば、接着剤組成物層の粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着剤組成物層のタック強度を調節することが好ましい。
接着剤組成物層のタック強度の調整には、例えば、接着剤組成物層の室温におけるフローを上昇させることにより、粘着強度及びタック強度が上昇する傾向があり、フローを低下させることにより、粘着強度及びタック強度が低下する傾向があることを利用すればよい。
【００８４】
接着剤組成物層の室温におけるフローを上昇させるためには、例えば、可塑剤の含有量の増加、粘着性付与剤含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させるためには、上記化合物の含有量を減らせばよい。可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【００８５】
ダイシングテープ上に接着剤組成物層を積層する方法としては、印刷のほか、予め作成したフィルム状の接着剤組成物層をダイシングテープ上にプレスやホットロールによってラミネートする方法が挙げられる。特に、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールによってラミネートする方法が好ましい。
【００８６】
ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着剤組成物層の膜厚や半導体用接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取り扱い性が良い点で、好ましくは６０μｍ〜１５０μｍ、より好ましくは７０μｍ〜１３０μｍである。
【００８７】
本実施形態に係る半導体用接着フィルムは、耐熱性に優れ、熱履歴に起因する反りの発生が抑制可能である。さらに、配線回路等に起因して形成された凹凸表面の凹部充填性が良好である。したがって、半導体装置の製造における半導体チップと基材との間や半導体チップ同士の間を接着するための工程において、接着信頼性に優れる半導体用接着フィルムとして使用することができる。本実施形態に係る半導体用接着フィルムは、半導体素子搭載用の基材に半導体チップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性、絶縁性を有し、かつ作業性にも優れる。さらに半導体チップを実装する際の熱履歴による反りの発生が効果的に抑制される。
【００８８】
上記半導体チップにおける半導体ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体が挙げられる。
また、半導体搭載用の基材としては、例えば、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板、有機基板が挙げられる。これらは、基材の材質に制限されることなく用いられる。セラミック基板としては、例えば、アルミナ基板及び窒化アルミニウム基板が挙げられる。また、有機基板としては、例えば、ガラスクロスエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板、ポリイミドフィルムを用いたポリイミドフィルム基板が挙げられる。
【００８９】
有機基板と接着剤組成物層２との間の接着強度は、より十分な接着力を確保する観点から、２６５℃で３ＭＰａ以上であると好ましい。なお、ここでの「接着強度」は、上記「特定の基材への接着強度」における「特定の基材」を有機基板に代えて測定されるものである。
この接着強度は、上述の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の選定、（ｂ）アクリル共重合体の分子量分布の調整、並びに（ｂ）アクリル共重合体と（ｃ）フィラーの配合比の調整などにより３ＭＰａ以上に制御することができる。
【００９０】
＜半導体装置＞
図２は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図２に示す半導体装置１００は、同サイズの半導体チップを２つ以上備えるパッケージであって、いわゆるスタックドＣＳＰと称されるものである。半導体装置１００は、基材２０及び基材２０の一面側において積層された３個の半導体チップＡ１を備えている。そして、半導体チップＡ１と基材２０との間、及び半導体チップＡ１同士の間に、上記実施形態に係る半導体用接着フィルム１０から形成された硬化接着層２ａが介在している。硬化接着層２ａは、上記接着剤組成物層２の硬化体である。
【００９１】
基材２０は、基板３と、基板３の一面上に設けられた配線４と、配線４の下方において基板３を貫通する貫通孔を通って基板３の他方面側に導出された端子５とから主として構成される。基材２０の配線４側の面は、配線４が形成されているために凹凸表面が形成されている。各半導体チップＡ１は、ワイヤ６を介して配線４と接続されている。
【００９２】
このような構成を有する半導体装置１００の製造において、本実施形態では、基材２０の凹部を埋め込み、かつ上部の半導体チップＡ１との絶縁性を確保することが可能となる。さらに耐熱性に優れ、半導体装置１００の製造時における熱履歴による反りの発生が抑制される。
【００９３】
硬化接着層２ａを介して半導体チップＡ１を基材２０上に形成するには、例えば、下記のような工程を経る。まず、ダイシングテープである支持フィルム１及びその表面上に設けられた接着剤組成物層２からなる半導体用接着フィルム１０の接着剤組成物層２側に、更に半導体ウエハを０℃〜８０℃程度で貼り合わせる。次いで、回転刃又はレーザーを用いてそれらを所定の寸法及び形状になるように切断して、接着剤組成物層２と貼り合わされた半導体チップＡ１を得る。支持フィルム１を接着剤組成物層２から剥離除去した後、接着層２を、半導体チップＡ１とは反対側の面で、基材２０または基材２０上に硬化接着層２ａを介して接着された別の半導体チップＡ１に圧着し、更に加熱する。この加熱により、接着剤組成物層２は基材２０と半導体チップＡ１及び半導体チップＡ１同士を接着する硬化接着層２ａとなる。
【００９４】
この際の圧着荷重は、０．００１ＭＰａ〜１ＭＰａ程度であることが好ましく、０．０１ＭＰａ〜０．５ＭＰａであることがより好ましく、０．０１ＭＰａ〜０．３ＭＰａであることが更に好ましい。圧着荷重を０．００１ＭＰａ以上とすることで、ボイド（空隙）の発生を効果的に抑制でき、耐熱性が向上する。また、圧着荷重を１ＭＰａ以下とすることで、半導体チップＡ１が破壊されることを抑制できる。また、圧着時には加熱することが好ましく、圧着温度（加熱温度）としては８０℃〜１４０℃であることが好ましく、１００℃〜１２０℃であることがより好ましい。
【００９５】
また圧着後の加熱処理は、硬化すべき接着剤組成物層２と貼り合わされた半導体チップＡ１のみに施されることが好ましい。あるいはその半導体チップＡ１と、接着対象である基材２０又は別の半導体チップＡ１との両方が加熱されてもよい。加熱温度は６０℃〜２４０℃であることが好ましく、８０℃〜１８０℃であることがより好ましい。加熱温度を６０℃以上とすることで、凹部への埋め込み性がより向上する傾向にあり、２４０℃以下とすることで基材２０などの変形を抑制し、さらに反りの発生をより効果的に抑制できる傾向にある。加熱方法は、加熱対象をホットプレートに接触させる方法、加熱対象に赤外線又はマイクロ波を照射する方法、並びに加熱対象に熱風を吹き付ける方法などが挙げられる。
【００９６】
＜半導体搭載用配線基板＞
本発明の半導体搭載用配線基板は、配線基板と、前記配線基板上に設けられた上記接着剤組成物層とを備える。かかる構成であることにより、半導体装置を構成する際の熱履歴に起因する反りの発生が抑制され、また耐熱性に優れる。従って本発明の半導体搭載用配線基板は半導体装置の製造に好適に使用することができる。
前記配線基板としては、上記半導体装置における基材として説明した事項をそのまま適用することができる。また接着剤組成物層についても上述の通りである。
【００９７】
＜接着剤組成物＞
本発明の接着剤組成物は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑであり２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリル共重合体と、を含む。かかる構成であることで、半導体チップ等と接着した状態における熱履歴に起因する反りの発生が抑制され、さらに耐熱性に優れる。
前記接着剤組成物の具体的な構成は、上述の半導体用接着フィルムにおける接着剤組成物と同様であり、好ましい態様も同様である。
【００９８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００９９】
例えば、本発明の別の実施形態において、半導体用接着フィルムは接着剤組成物層のみから構成されてもよい。この場合、接着剤組成物を含む上記ワニスを被塗布用フィルムの表面上に塗布し、更にワニスを加熱により乾燥した後、被塗布用フィルムを剥離除去して接着剤組成物層からなる接着シートが得られる。
【０１００】
被塗布用フィルムとしては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム及びメチルペンテンフィルムが挙げられる。
【０１０１】
また、このようにして得られた接着剤組成物層を支持フィルム上に圧着等の手段により積層して、支持フィルムと、その表面上に形成された接着剤組成物層とを備える半導体用接着フィルムが作製されてもよい。
【０１０２】
半導体用接着フィルムが接着剤組成物層のみから構成される場合、まず半導体ウエハと接着剤組成物層とを貼り合わせた後に、ダイシングテープを、接着剤組成物層の半導体ウエハとは反対側の主面に貼り合わせてもよい。
【０１０３】
半導体用接着フィルムを半導体ウエハに貼り付ける際のラミネート温度は、０℃〜８０℃が好ましく、１５℃〜８０℃がより好ましく、２０℃〜７０℃が更に好ましい。ラミネート温度を８０℃以下とすることで、半導体用接着フィルムを貼り付けた後の半導体ウエハにおける反りの発生をより効果的に抑制できる。
【０１０４】
また、半導体用接着フィルムは、接着剤組成物層の支持フィルムとは反対側に保護フィルムを備えたものであってもよい。保護フィルムは、通常の半導体用接着フィルムに保護フィルムとして用いられるものであれば特に限定されず、例えばポリエチレン（ＰＥ）フィルムなどが挙げられる。
【０１０５】
さらに、接着剤組成物層自体がダイシングテープとしての役割を果たしてもよい。このような接着剤組成物層を有する半導体用接着フィルムは、ダイシングダイボンド一体型接着フィルムなどと呼ばれ、一つのフィルムでダイシングテープとしての役割と、接着フィルムとしての役割をともに果たす。半導体用接着フィルムにこのような機能を持たせるには、例えば、接着剤組成物層が、光硬化性高分子量成分、光硬化性モノマー、光開始剤等の光硬化性成分を含んでいればよい。
【０１０６】
さらに接着剤組成物層は１層のみでなくてもよく、２層以上が積層されていてもよい。
【０１０７】
また、上記半導体用接着フィルムから形成された硬化接着層を備えた半導体装置は、図２に示すものに限定されず、半導体チップと基材との間に上記硬化接着層を設けたものであればよい。したがって、例えば、いわゆるピラミッド型、逆ピラミッド型のスタックドＣＳＰであってもよい。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、下記の実施例における各操作は全て大気中で行われた。
【０１０９】
（実施例１〜５および比較例１〜３）
表１に商品名及び配合部数（質量基準）を示すエポキシ樹脂、硬化剤、およびフィラーをシクロヘキサノンに溶解、分散させた。これらに、表１に示す種類および配合部数の（メタ）アクリル共重合体を加えて攪拌した。更に表１に同様に示すカップリング剤および硬化促進剤を塗工直前に加えて各成分が均一になるまで攪拌してワニスをそれぞれ得た。
【０１１０】
次に、得られたワニスを真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、支持フィルムの主面上に塗布した。塗布したワニスを１２０℃で１５分間加熱乾燥した。こうして支持フィルムの主面上に、Ｂステージ状態にある厚み４０μｍの接着剤組成物層を備えた半導体用接着フィルムを得た。尚、支持フィルムとしては、主面上に離型処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポンフィルム（株）製Ａ−３１）を採用した。
【０１１１】
【表１】
【０１１２】
以下に、表１中の各成分の詳細を示す。尚、エポキシ樹脂の常温（２０℃）における三点曲げ弾性率は既述の方法に従って測定した。
−硬化剤−
ＸＬＣ−ＬＬ：ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名）、三井化学社製、フェノール樹脂、水酸基当量１７５
ＨＥ−２００Ｃ−１０： 、日本エアウォーター社製、フェノール樹脂、水酸基当量２００
【０１１３】
−エポキシ樹脂−
エポリードＰＢ３６００（商品名）：ダイセル化学社製、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ当量１９０（ｇ／ｅｑ）、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率３０ｇ／ｍｍ
エピクロンＴＳＲ−６０１（商品名）：ＤＩＣ社製、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、エポキシ当量４６８（ｇ／ｅｑ）、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８ｇ／ｍｍ
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名）：東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５９（ｇ／ｅｑ）、２０℃で液体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８８ｇ／ｍｍ
ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名）：東都化成社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率１２０ｇ／ｍｍ
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（商品名）：東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１９５（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率１０５ｇ／ｍｍ
６３０（商品名）：ＪＥＲ社製、３官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポキシ当量９６（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、２０℃における三点曲げ弾性率１３４ｇ／ｍｍ
ＹＤＦ−２００１（商品名）：東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量４８６（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８１ｇ／ｍｍ
【０１１４】
−フィラー−
ＳＣ−２０５０（商品名）：アドマテックス社製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５００μｍ
Ｒ９７２：アエロジルＲ９７２（商品名）、日本アエロジル社製、シリカフィラー、平均粒径０．０１６μｍ
【０１１５】
−カップリング剤−
Ａ−１８９：ＮＵＣ Ａ−１８９（商品名）、日本ユニカー社製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
Ａ−１１６０：ＮＵＣ Ａ−１１６０（商品名）、日本ユニカー社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
【０１１６】
−硬化促進剤−
２ＰＺ−ＣＮ：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、四国化成社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
−アクリル共重合体−
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量８０万
試作品９：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３試作品９（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量３０万
試作品２５：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３試作品２５（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量６０万
試作品４８：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３試作品４８（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量５１万
【０１１７】
＜評価＞
実施例１〜５および比較例１〜３で得られた半導体用接着フィルムを用いて、以下に示す評価項目について評価を行なった。評価結果を表２に示した。
【０１１８】
［反り量]
半導体用接着フィルムのエアー面（支持フィルムとは反対側の面）にポリイミドフィルム（宇部興産（株）製ユーピレックスＳ、５０ μｍ厚）を６０℃、ロール加圧（温度１００℃、線圧４ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍ／分）でラミネートした。これを３ｃｍ角に切断し、支持フィルムを剥がして試験片を作製した。得られた試験片を乾燥機に入れ、１２０℃で１時間、次いで１６０℃で３０分加熱した。その後乾燥機から取り出して室温に戻したときの反り量を測定した。
反り量測定には非接触形状測定装置ＹＰ−１０（ＳＯＮＹ（株）製）を用い、図３に模式図として示すように、最下点から反り方向に距離ａ（５ｍｍ）の位置における最大高さｂを測定した。最大高さｂからポリイミドフィルムと硬化後の接着剤組成物層の層厚を差し引いた値ｂ’を求め、次式（１）に従って反り量を算出し、下記評価基準に従って評価した。
反り量（％）＝１００×ｂ’／ａ （１）
〜評価基準〜
◎：反り量が４．０％以下（基板及びチップへ影響がないレベル）
○：反り量が４．０％を超え６．０％以下（基板またはチップ厚が数μｍだと反る可能性があるレベル）
△：反り量が６．０％を超え１０．０％以下（基板またはチップ厚が数十μｍだと反る可能性があり、実用上の限界レベル）
×：反り量が１０．０％を超えた（基板またはチップが剥がれるなど信頼性に悪影響があるレベル）
【０１１９】
［タック強度］
硬化前の半導体用接着フィルムの支持フィルムとは反対側の面（エアー面）におけるタック強度を、レスカ（株）製プローブタッキング試験機を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７−１９９１に準拠した方法（プローブ）直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１秒）により、４０℃で測定し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
−×：タック強度が０．２Ｎ未満であった。
○：タック強度が０．２Ｎ以上２．０Ｎ以下であった。
＋×：タック強度が２．０Ｎを超えていた。
【０１２０】
［フロー率］
硬化前の半導体用接着フィルムを５ｍｍ角に打ち抜き、支持フィルムを剥がした後、２枚のカバーガラス（アズワン株式会社製）で挟み込んで検体を作製した。
得られた検体における半導体用接着フィルムの対角線の長さＬ１を光学顕微鏡で測定した。次いでこの検体を、テスター産業（株）製の熱圧着試験装置を用いて熱板温度１２０℃、圧力０．４ＭＰａで３秒保持した後、対角線の長さＬ２を光学顕微鏡で測定した。得られた長さＬ１およびＬ２を、次式（２）に当てはめて、対角線の長さの変化率としてフロー率（％）を算出し、下記評価基準に従って評価した。
フロー率（％）＝（Ｌ２−Ｌ１）×１００／Ｌ１ （２）
〜評価基準〜
−×：フロー率が５％未満であった。
○：フロー率が５〜３０％であった。
＋×：フロー率が３０％を超えていた。
【０１２１】
［接着強度］
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層の接着強度（ダイシェア強度）を下記の方法により評価した。
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層を厚み４００μｍ、５．０ｍｍ角の半導体チップに６０℃、１ｋｇｆ、３秒で貼り付けた。次いで支持フィルムを剥がし、接着剤組成物層の半導体チップとは反対側の面を、レジスト（商品名「ＡＵＳ３０８」、太陽インキ社製）を塗布した基板（日立化成工業社製、商品名「Ｅ−６９７ＦＧ」）表面上に、１００℃、０．０１ＭＰａ、１秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着層を１１０℃で１時間、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、１７０℃で５時間の順でステップキュアにより硬化した。この試験片を８５℃相対湿度８５％の環境に４８時間放置した後、Ｄａｇｅ製接着力試験機Ｄａｇｅ−４０００を用いて、温度２６０℃の熱盤上で、測定速度：５０μｍ／秒、測定高さ：５０μｍの条件で、せん断方向の外力を加えたときの最大応力としてダイシェア強度を測定して、これを接着強度とし、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
◎：接着強度が３．０ＭＰa以上（耐リフロー性ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２を満足、かつ、基板上のレジストを凝集破壊した）
○：接着強度が２．０ＭＰａ以上３．０ＭＰａ未満（耐リフロー性ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２を満足、かつ、レジストとフィルムの界面で剥離した）
×：接着強度が２．０ＭＰａ未満（耐リフロー性ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２を不満足）
【０１２２】
［貯蔵弾性率］
以下のようにして硬化後の接着シートの貯蔵弾性率を評価した。
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層が対向するように硬化前の半導体用接着フィルムを二枚重ねにして、１１０℃で１時間、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、さらに１７０℃で５時間熱処理して硬化させた。硬化させた接着剤組成物層から長さが２０ｍｍ、幅が４ｍｍの検体を作製し、動的粘弾性の測定装置、ＴＡインスツルメンツ製ＲＳＡ ＩＩを用いて、ひずみ量０．０１（％）、一定周波数１０．０（ｓ−１）、昇温速度５℃／分の条件で−５０〜１５０℃の範囲で測定し、５０℃及び１００℃における貯蔵弾性率をそれぞれ求め、下記評価基準に従って評価した。
【０１２３】
〜評価基準５０℃〜
×：５０℃における貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ未満だった。
○：５０℃における貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ以上５０００ＭＰａ以下であった。
〜評価基準２００℃〜
×：２００℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａを超えた。
○：２００℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以下であった。
【０１２４】
［ずり粘度］
硬化前の半導体用接着フィルムのずり粘度を以下のようにして評価した。
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層が対向するように硬化前の半導体用接着フィルムを二枚重ねにした。支持フィルムを剥がした後、平行平板プレート法によるずり弾性率の測定装置、ＴＡインスツルメンツ製ＡＲＥＳを用いて、ひずみ量１．０（％）、剪断速度０．１（ｓ−１）、１２０℃一定の条件で２０分測定し、１２０℃２０分後のずり粘度を測定し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
−×：ずり粘度が１００００Ｐａ・ｓ未満であった。
○：ずり粘度が１００００Ｐａ・ｓ以上１０００００Ｐａ・ｓ以下であった。
＋×：ずり粘度が１０００００Ｐａ・ｓを超えた。
【０１２５】
［吸湿耐熱性］
半導体接着フィルムから支持フィルムを剥がし、接着剤組成物層の両面にポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、厚さ５０μｍ）を積層し、１７０℃で５時間の加熱処理により接着層を硬化した試験片を作製した。この試験片を８５℃相対湿度８５％の環境に４８時間放置した後、１０ｍｍ角に切断した後、２６０℃のホットプレート上に乗せて、膨れや発泡を目視により観察し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
×：ホットプレート上に乗せて１分以内に膨れや発泡が生じた。
○：ホットプレート上に乗せて１分を超えても膨れや発泡が生じなかった。
【０１２６】
【表２】
【０１２７】
表２から、本発明の半導体用接着フィルムは、加熱処理に起因する反りの発生が抑制され、さらに耐熱性に優れることが分かる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…半導体用接着フィルム、１…支持フィルム、２…接着剤組成物層、
１００…半導体装置、Ａ１…半導体チップ、３…基板、４…配線、５…端子、６…ワイヤ、２０…基材、
Ｂ１…硬化後の接着剤組成物層、Ｂ２…ポリイミドフィルム。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置、および接着剤組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップを接着して多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。スタックドＭＣＰは、携帯電話及び携帯オーディオ機器等に搭載されるメモリパッケージとして広く用いられている。近年では、携帯電話等の多機能化に伴い、かかるパッケージの更なる高密度化及び高集積化が推し進められている。これに伴い、スタックドＭＣＰにおける半導体チップの更なる多段化及びパッケージ自体の薄型化が要望されている。ところが、半導体チップの多段化は、接着工程及びワイヤボンディング工程など熱処理を必要とする工程を増加させ、結果として接着フィルムに含まれる接着剤成分の熱硬化を促進する。この硬化反応による収縮や半導体チップ、接着フィルム、レジスト基板の線膨張係数の差により接着フィルム起因の反りが発生することによるワイヤボンディング精度の低下や、耐リフロー性の悪化が懸念される。
【０００３】
反りの発生は接着フィルムの硬化反応による硬化収縮に起因する。この硬化収縮を低減する方法として、エポキシ樹脂自身の骨格の柔軟化が挙げられる。これに関連して、エポキシ基含有水添ポリブタジエン変性重合体からなる主剤と特殊ビニルエーテルでブロックしたカルボキシル基を有する化合物を硬化剤として含有する柔軟性熱硬化性組成物が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３０２８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に接着剤組成物層の硬化反応による硬化収縮を低減する方法として、接着剤組成物に含まれるエポキシ樹脂と硬化剤との架橋点を低減すること、及びエポキシ樹脂自身の骨格を柔軟化すること等が挙げられる。これらにより硬化後の応力緩和性が向上し、反りの発生を抑制することができると考えられる。しかし、架橋点の減少や骨格の柔軟化は耐熱性の低下につながる場合があるため、反りの発生抑制と耐熱性とを両立させることは困難であった。
例えば、特許文献１に記載の柔軟性熱硬化性組成物では、十分な耐熱性が得られない場合があった。
【０００６】
本発明は、耐熱性に優れ、半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生を抑制可能な半導体用接着フィルムおよび接着剤組成物、ならびに該半導体用接着フィルムを用いてなる半導体搭載用配線基板および半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
本発明の第１の態様は、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備える半導体用接着フィルムである。
【０００８】
前記接着剤組成物層における前記第１のエポキシ樹脂に対する前記第２のエポキシ樹脂の含有比率が３０質量％〜９０質量％であることが好ましい。
また、前記接着剤組成物層は、フィラーをさらに含むことが好ましく、前記フィラーは、シリカフィラーであることが好ましい。
さらに前記硬化剤は、フェノール樹脂であることが好ましい。
【０００９】
前記接着剤組成物層は、前記硬化剤の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であって、前記（メタ）アクリル共重合体の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂および前記硬化剤の合計含有量１００質量部に対して２０質量部〜５０質量部であることが好ましい。
【００１０】
また本発明の第２の態様は、配線基板と、前記配線基板上に設けられ、前記半導体用接着フィルムを用いてなる接着剤組成物層と、を備える半導体搭載用配線基板である。
【００１１】
また本発明の第３の態様は、前記半導体用接着フィルムを用いて被接着体に接着された半導体チップを有する半導体装置である。
【００１２】
さらに本発明の第４の態様は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、耐熱性に優れ、半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生を抑制可能な半導体用接着フィルムおよび接着剤組成物、ならびに該半導体用接着フィルムを用いてなる半導体搭載用配線基板および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態にかかる半導体用接着フィルムを示す模式断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる半導体装置を示す模式断面図である。
【図３】本発明の実施例にかかる反り量の測定方法を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜半導体用接着フィルム＞
本発明の半導体用接着フィルムは、支持フィルムと、前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、を備えて構成される。
かかる構成であることで、耐熱性と半導体装置製造時の熱履歴に起因する反りの発生抑制とが高い次元で両立される。
【００１６】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「（メタ）アクリル酸」とは「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」を意味し、「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。
また、本明細書において「〜」は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示すものとする。
【００１７】
図１は、本発明の好適な実施形態にかかる半導体用接着フィルムを示す模式断面図である。この半導体用接着フィルム１０は、支持フィルム１と、その表面上に形成された接着剤組成物層２とを備える。
【００１８】
本発明において接着剤組成物層は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリル共重合体とを含み、必要に応じて、フィラーやその他の成分を含んで構成される。
特定の異なる物性を示すエポキシ樹脂を少なくとも２種と、（メタ）アクリル共重合体を含むことで、硬化後の耐熱性と柔軟性とを高いレベルで両立可能な接着剤組成物層を構成することができる。
前記接着剤組成物層は、支持フィルム上に以下に詳細に説明する接着剤組成物を、層状となるように形成したものである。
【００１９】
［接着剤組成物］
（エポキシ樹脂）
本発明における接着剤組成物は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂の少なくとも１種と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂の少なくとも１種とを含む。
前記第１のエポキシ樹脂は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満であるが、反りの発生抑制の観点から、５ｇ／ｍｍ〜４０ｇ／ｍｍであることが好ましく、５ｇ／ｍｍ〜２０ｇ／ｍｍであることがより好ましい。
三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上であると、反りの発生を十分に抑制することができない場合がある。また、三点曲げ弾性率を５ｇ／ｍｍ以上とすることで接着性が向上し、例えば、耐リフロー性（ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２）等の信頼性が向上する。
【００２０】
また第２のエポキシ樹脂は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体であるが、耐熱性の観点から、エポキシ当量が１５０ｇ／ｅｑ〜２００ｇ／ｅｑであることが好ましい。さらに分子内に芳香環を含むこともまた好ましく、加熱硬化後のガラス転移温度Ｔｇが１２０℃以上であることもまた好ましい。
尚、エポキシ当量は、１モルのエポキシ樹脂の平均質量を、該エポキシ樹脂に含まれるエポキシ基数で除した数値である。
また一般に、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体であるエポキシ樹脂は、後述する本発明における加熱後の２０℃下での三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上となる。
【００２１】
本発明において、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率（以下、単に「弾性率」ということがある）は、以下のようにして測定される。
−加熱硬化条件−
エポキシ樹脂とＸＬＣ−ＬＬ（硬化剤）のシクロヘキサノン溶液を当量比１：１で配合し、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、１７０℃で５時間、加熱して、気泡が発生しないように熱硬化させる。
【００２２】
−弾性率測定条件−
三点曲げ弾性率は、３ｍｍ×１０ｍｍ×１００ｍｍの直方体状に試験サンプルをカットし、ＯＲＩＥＮＴＥＣ製ＲＴＭ−１００を用いて、常温（２０℃）環境下、速度１．５ｍｍ／ｍｉｎで三点曲げ試験を行った。
【００２３】
−加熱硬化条件−
各エポキシ樹脂とＸＬＣ−ＬＬのシクロヘキサノン溶液を当量比１：１で配合し、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、１７０℃で５時間、加熱し、気泡が発生しないように熱硬化させた。
【００２４】
前記第１のエポキシ樹脂としては、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満であれば、特に制限はないが、環構造の含有率が低いエポキシ樹脂、架橋点が少ないエポキシ樹脂、柔軟鎖の含有率が高いエポキシ樹脂等のいわゆる柔軟性エポキシ樹脂であることが好ましい。また、主鎖内にオキシラン環を含む柔軟性エポキシ樹脂であることもまた好ましい。
前記架橋点が少ないエポキシ樹脂としては、例えば、両末端にエポキシ基を有するエポキシ樹脂の場合、エポキシ当量が４００ｇ／ｅｑ以上であることが好ましく、４００ｇ／ｅｑ〜８００ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
【００２５】
前記第１のエポキシ樹脂として具体的には、反り発生抑制の観点から、カルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）変性エポキシ樹脂、およびエポキシ化ポリブタジエンから選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００２６】
前記第１のエポキシ樹脂は、常法により合成したものを用いてもよく、また市販のエポキシ樹脂から適宜選択して用いることもできる。
市販のエポキシ樹脂として具体的には例えば、ＰＢ３６００（ダイセル化学工業（株）製、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率３０ｇ／ｍｍ）、ＴＳＲ−６０１（ＤＩＣ（株）製、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８ｇ／ｍｍ）、およびＲ−４５ＥＰＴ（ナガセケムテックス（株）製、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率１５ｇ／ｍｍ）等を挙げることができる。
これらは１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００２７】
また前記第２のエポキシ樹脂としては、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上、かつ、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって、２０℃で固体であり、硬化して接着性を示す固形エポキシ樹脂であれば特に制限はなく、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などを使用することができる。
中でも耐熱性の観点から、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、ノボラック型エポキシ樹脂であることがより好ましい。
尚、本発明において２０℃で固体であるとは、２０℃において流動性を示さないことを意味し、軟化点が４０℃以上あって、４０℃未満では流動性を示さないことが好ましい。
【００２８】
本発明において第２のエポキシ樹脂は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上である。
三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満であると接着性が低下し、例えば、耐リフロー性（ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２）を満足できない等の信頼性に問題が生じる場合がある。
【００２９】
さらに第２のエポキシ樹脂はエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであるが、反り発生抑制の観点から、１５０ｇ／ｅｑ〜２２０ｇ／ｅｑであることが好ましく、１５０ｇ／ｅｑ〜２１０ｇ／ｅｑであることがより好ましい。
【００３０】
前記第２のエポキシ樹脂は、常法により合成したものを用いてもよく、また市販のエポキシ樹脂から適宜選択して用いることもできる。
市販のエポキシ樹脂として具体的には例えば、ＹＤＣＮ−７００−１０（東都化成（株）製、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ）、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（東都化成（株）製、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）、およびＥＸＡ−４７００（エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ）等を挙げることができる。
これらは１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００３１】
本発明における接着剤組成物中の、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の含有比率としては、特に制限はないが、耐熱性と反りの発生抑制の観点から、前記第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率（第２のエポキシ樹脂／第１のエポキシ樹脂）が、３０質量％〜９０質量％であることが好ましく、３５質量％〜８０質量％であることがより好ましく、４０質量％〜７０質量％であることがさらに好ましい。
本発明において、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が２種以上からなる場合、前記第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率は、第１のエポキシ樹脂の総含有量に対する第２のエポキシ樹脂の総含有量の比率を意味する。
【００３２】
本発明においては、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂とを、第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率が３０質量％〜９０質量％となるように含むことが好ましく、
加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が０ｇ／ｍｍ〜３０ｇ／ｍｍである第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１５０ｇ／ｅｑ〜２２０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂とを、第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率が３５〜８０質量％となるように含むことがより好ましく、
加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が０ｇ／ｍｍ〜３０ｇ／ｍｍであって、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂およびエポキシ化ポリブタジエンから選ばれる少なくとも１種である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１５０ｇ／ｅｑ〜２２０ｇ／ｅｑであり２０℃で固形であって、ノボラック型エポキシ樹脂である第２のエポキシ樹脂とを、第１のエポキシ樹脂に対する第２のエポキシ樹脂の含有比率が３５質量％〜８０質量％となるように含むことがさらに好ましい。
【００３３】
前記接着剤組成物中の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の総含有量としては、接着性と反り抑制の観点から、接着剤組成物の全質量に対して２０質量％〜３５質量％であることが好ましく、２５質量％〜３５質量％であることがより好ましい。
【００３４】
（硬化剤）
本発明における接着剤組成物層は、硬化剤の少なくとも１種を含む。前記硬化剤としては、通常用いられる公知のエポキシ樹脂の硬化剤を特に制限なく用いることができる。例えば、アミン類、ポリアミド類、酸無水物類、ポリスルフィド類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、およびビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂類、ならびに、三フッ化ホウ素等の無機化合物類などが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００３５】
本発明における硬化剤としては、耐熱性と反り抑制の観点から、フェノール樹脂であることが好ましい。
前記フェノール樹脂としては、市販のものを各種入手可能であり、また常法により合成することもできる。市販のフェノール樹脂としては、例えば、ミレックスＸＬＣシリーズ及びミレックスＸＬシリーズ（以上、三井化学社製、商品名）、ならびに、フェノライトＬＦシリーズ（大日本インキ社製、商品名）等が挙げられる。
【００３６】
本発明における接着剤組成物中の硬化剤の含有量としては、特に制限はないが、硬化性と粘度および吸湿性の官能基を残存させないという観点から、第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であることが好ましく、７０％〜９５％であることがより好ましく、７５％〜９０％であることがさらに好ましい。
前記比率が９５％以下であることで、半導体パッケージにおける基板段差の埋め込み性がより向上する。また３０％以上であることで、吸湿性の上昇を抑制し、加熱硬化持における発泡を抑制できる。
【００３７】
また本発明における接着剤組成物が硬化剤としてフェノール樹脂を含む場合、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の総量とフェノール樹脂の含有比としては、硬化性と粘度の観点から、フェノール樹脂における水酸基当量の、第１および第２のエポキシ樹脂におけるエポキシ当量の加重平均値に対する比率として、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であることが好ましく、５０％〜９５％であることがより好ましく、７５％〜９０％であることがさらに好ましい。
前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の総量とフェノール樹脂の含有比が上記範囲内であることにより、接着剤組成物の硬化性がより向上し、未硬化状態での粘度上昇が抑制され、好適な流動性を得ることができる。
【００３８】
さらに本発明における接着剤組成物は、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および後述する（メタ）アクリル共重合体の総含有量に対する、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、および硬化剤の総含有量が４０質量％〜６０質量％であることが好ましく、４５質量％〜５５質量％であることがより好ましい。
前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、および硬化剤の総含有量が４０質量％以上であることで、粘度の上昇が抑制され、基板の凹部への埋め込み性がより向上する傾向にある。また、この含有割合が６０質量％以下であることで、タック強度が上昇することを抑制し、実装基板の作製プロセスにおける作業性がより向上する傾向にある。
【００３９】
（（メタ）アクリル共重合体）
本発明における接着剤組成物は、（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種を含む。前記（メタ）アクリル共重合体としては、重量平均分子量が１０万〜１２０万、かつガラス転移温度（Ｔｇ）が−５０〜＋５０℃であって、分子内に架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。
【００４０】
（メタ）アクリル共重合体としては、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴム等を挙げることができ、アクリルゴムであることがより好ましい。アクリルゴムとしては、アクリル酸エステルを主成分とする共重合体であれば特に制限はないが、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるアクリロニトリルゴムや、前記アクリロニトリルゴムにおけるアクリロニトリルをメチルメタクリレートに置換したアクリロニトリルフリーゴム等を好適に挙げることができる。
【００４１】
本発明における（メタ）アクリル共重合体は、架橋性官能基の少なくとも１種を含むことが好ましく、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、およびカルボキシル基から選ばれる架橋性官能基の少なくとも１種を含むことがより好ましく、エポキシ基を含むことがさらに好ましい。また、前記エポキシ基を含む（メタ）アクリル共重合体は、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの、エポキシ基を含むアクリルモノマーに由来する構造単位を有することが好ましい。
【００４２】
前記（メタ）アクリル共重合体における架橋性官能基の含有量としては、特に制限はないが、耐熱性と硬化性の観点から、０．５質量％〜５．０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜２．０質量％であることがより好ましい。
【００４３】
本発明における（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、好ましくは１０万以上１００万以下であり、より好ましくは１０万〜９０万であり、さらに好ましくは、２０万〜８５万である。重量平均分子量が１０万以上であることで接着剤組成物層の硬化後の耐熱性及び接着力がより向上する傾向がある。また重量平均分子量が１２０万以下であることで接着層の流動性がより向上する傾向がある。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００４４】
また前記（メタ）アクリル共重合体は、重量平均分子量が互いに異なる２種類以上を併せて用いることが好ましい。さらに、重量平均分子量が１０万〜３０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種と、重量平均分子量が５０万〜１２０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種とを併用することが好ましく、重量平均分子量が１０万〜３０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも１種と、互いに異なる重量平均分子量が５０万〜１２０万である（メタ）アクリル共重合体の少なくとも２種とを併用することがより好ましい。これにより、一層高い接着強度を有する接着剤組成物を構成することができる。この接着剤組成物は、粘度が低くても、硬化後の耐熱性及び耐湿性により優れたものとなる
なお、接着剤組成物が、（メタ）アクリル共重合体を２種類以上含む場合、それらは別個に重合して得られるものである。
【００４５】
前記（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は−５０〜＋５０℃であることが好ましく、−２０℃〜＋４０℃であることがより好ましく、−１０℃〜＋４０℃であることがさらに好ましい。Ｔｇが−５０℃以上であることで接着剤組成物の柔軟性が高くなりすぎることを抑制し、ウエハダイシング時における接着剤組成物層の切断がより容易になり、その結果バリの発生を抑制できダイシング性がより向上する傾向にある。またＴｇが＋５０℃以下であることで、接着層の柔軟性がより向上する傾向にある。
【００４６】
さらに前記（メタ）アクリル共重合体は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−２０℃〜＋４０℃で重量平均分子量が１０万〜９０万であってエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体であることが好ましく、Ｔｇが−１０℃〜＋４０℃で重量分子量が２０万〜８５万であってエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体であることがより好ましい。これにより、特に、半導体ウエハダイシング時に接着フィルムの切断が一層容易になり、切断の際に樹脂くず（バリ）が更に発生し難くなり、また、耐熱性がより高くなる。
【００４７】
本発明における接着剤組成物中の（メタ）アクリル共重合体の含有量としては、特に制限はないが、耐熱性と硬化性の観点から、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂、および硬化剤の総含有量に対して、１５質量％〜４０質量％であることが好ましく、１５質量％〜３０質量％であることがより好ましく、２０質量％〜３０質量％であることが更に好ましい。（メタ）アクリル共重合体の含有量が上記数値範囲内にあることで、１５質量％を下回る場合と比較して、フィルム成形性がより向上する。また（メタ）アクリル共重合体の含有量が上記数値範囲内にあることで、４０質量％を超える場合と比較して、接着剤組成物の更なる低粘度化が実現できる。
【００４８】
本発明においては、前記（メタ）アクリル共重合体に加えて、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する高分子量成分を含むことができる。前記高分子量成分としては、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、および変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００４９】
本発明における接着剤組成物層は、耐熱性と反りの発生抑制の観点から、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜５０質量部の（メタ）アクリル共重合体と、を含むことが好ましく、
前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂のエポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で７５％〜９０％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜３５質量部の（メタ）アクリル共重合体と、を含むことがより好ましい。
【００５０】
（フィラー）
本発明における接着剤組成物は、フィラーの少なくとも１種をさらに含むことがより好ましい。
フィラーは固体粒子であり、これを含むことにより、接着剤組成物の未硬化状態（以下、「Ｂステージ状態」ということがある）における接着フィルムのダイシング性がより向上したり、接着フィルムの取り扱い性がより向上したり、熱伝導性がより向上したりする。また、溶融粘度を好適な粘度に調整することができたり、チクソトロピック性が付与できたり、接着力がより向上したりする。かかる観点から、フィラーは無機フィラーであることがより好ましい。
【００５１】
前記無機フィラーは固体粒子状の無機化合物であれば特に限定されない。無機フィラーの材質の具体例としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられる。無機フィラーは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００５２】
熱伝導性向上の観点からは、無機フィラーの材質が、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ又は非晶性シリカであることが好ましい。また溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の観点からは、無機フィラーの材質が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ又は非晶性シリカであることが好ましい。また、ダイシング性向上の観点からは、無機フィラーの材質がアルミナ又はシリカであることが好ましい。
本発明におけるフィラーは上記観点から適宜選択することができるが、中でも接着性の観点から、シリカフィラーであることが好ましい。
【００５３】
前記フィラーの平均粒径としては特に制限はないが、更に高い接着力を得ると共に良好な成膜性を達成する観点から、０．００５μｍ〜２．０μｍであることが好ましく、０．００５μｍ〜１．５μｍであることがより好ましく、０．００５μｍ〜１．０μｍであることが更に好ましい。
【００５４】
本発明における接着剤組成物は、平均粒径が互いに異なる２種類以上のフィラーを含むことが好ましい。これにより、接着力が更に高まると共に、一層良好なフィルム成形性を示す接着剤組成物が得られる。
具体的には例えば、平均粒径が０．１μｍ以上１．０μｍ以下のフィラーと、平均粒径が０．０１μｍ以上０．１０μｍ未満のフィラーとを含むことが好ましく、平均粒径が０．３μｍ以上０．７μｍ以下のフィラーと、平均粒径が０．０１５μｍ以上０．０５０μｍ以下のフィラーとを含むことがより好ましい。
上記態様であることにより接着力が更に高まると共に、より一層良好なフィルム成形性が得られる。
【００５５】
また、平均粒径が互いに異なるフィラーの含有比としては、より大きい平均粒径のフィラーに対してより小さい平均粒径のフィラーを３０：１で含むことが好ましく、２５：１で含むことがさらに好ましい。
上記態様であることにより接着力が更に高まると共に、より一層良好なフィルム成形性が得られる。
【００５６】
本発明におけるフィラーの含有率は、第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂および硬化剤の総含有量に対して、４０質量％〜１８０質量％であることが好ましく、６０質量％〜１２０質量％であることがより好ましい。
このフィラーの含有率が４０質量％以上であることで、ダイシング時に樹脂のバリの発生をより抑制し、ダイシング性が向上すると共に接着力が高まり、ワイヤボンディング性が良好になる。またフィラーの含有率が１８０質量％以下であることで、未硬化の状態での流動性が高くなり、フィルム成形性が更に優れたものとなる。さらに、フィラーの含有率を上記数値範囲内に収めることにより、接着層が硬化した後の１７０℃における貯蔵弾性率を２０ＭＰａ〜１０００ＭＰａに調整しやすくなる。
【００５７】
前記接着剤組成物において、上記熱硬化性成分、アクリル共重合体及びフィラーの合計の含有量は、接着剤組成物の全量に対して９５質量％〜１００質量％であることが好ましく、９７質量％〜１００質量％であることがより好ましい。上述の各成分の含有量がこの数値範囲内にあると、接着剤組成物としてより十分有効に機能することができる。
【００５８】
さらに本発明における接着剤組成物層は、耐熱性と反りの発生抑制の観点から、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜５０質量部の（メタ）アクリル共重合体と、１００質量部〜２００質量部のフィラーとを含むことが好ましく、
前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂と、前記第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が官能基当量基準で７０％〜９０％となる含有量である硬化剤と、第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂と硬化剤の合計含有量１００質量部に対して、２０質量部〜３５質量部の（メタ）アクリル共重合体と、１００質量部〜１５０質量部のフィラーとを含むことがより好ましい。
【００５９】
本発明における接着剤組成物は、１５０℃以上の温度で重合するモノマーをさらに含有してもよく、そのモノマーがエポキシ樹脂以外のモノマーであることが好ましい。これにより、接着剤組成物層２のようなフィルム形状にして用いた接着剤組成物の粘度の経時変化を一層抑制することができ、フィルム特性をより長く維持することができる。一方で、接着剤組成物層２を１５０℃以上に加熱して、このモノマーを高分子量化させて硬化することで、硬化後の接着剤組成物層２の耐熱性及び耐湿性を高い状態で保持することができる。なお、ここでの「モノマー」は、重合可能な化合物を意味する。
【００６０】
このようなモノマーとしては、例えば、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）等の多官能（メタ）アクリレートモノマーなどが挙げられる。その中でも、ＤＰＨＡが好ましい。１５０℃以上の温度で重合するモノマーは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００６１】
本発明における接着剤組成物は、上述の各成分の他、本発明の目的を達成する限りにおいて、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤、可塑剤、粘着性付与剤等、接着剤組成物に含まれ得る通常の成分をさらに含んでもよい。
【００６２】
以上、説明した接着剤組成物は、本発明の目的を達成する限りにおいて、上述の各成分のそれぞれにおいて例示されたもののいずれを組み合わせてもよい。
【００６３】
本発明における接着剤組成物の好適な実施形態は、熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、エポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑかつ２０℃で固体であって、前記第１のエポキシ樹脂に対する含有率が３０質量％〜９０質量％である第２のエポキシ樹脂と、第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の、エポキシ当量の加重平均値に対する比率が水酸基当量基準で７０％〜９５％となる含有量であるフェノール樹脂と、第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量１００質量部に対して、重量平均分子量が１０万〜１２０万、かつＴｇが−５０〜＋５０℃であって、分子内に架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体の３０質量部〜５０質量部と、シリカフィラーの１００質量部〜２００質量部と、を含有するものである。
【００６４】
本発明における接着剤組成物層は、熱硬化性であって、硬化前（Ｂステージ状態）の８０℃における溶融粘度が８００Ｐａ・ｓ〜４００００Ｐａ・ｓであることが好ましく、８００Ｐａ・ｓ〜２８０００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。また、特定の基材（レジスト(太陽インキ社製、ＡＵＳ３０８）が１０〜３０μｍのレジスト厚で塗布された基板（日立化成工業社製、Ｅ−６９７ＦＧ））への接着強度が３ＭＰａ以上、かつ厚みが５μｍ〜２５０μｍであると好ましい。
【００６５】
前記溶融粘度が８００Ｐａ・ｓ以上であることで、半導体チップ側面からの接着剤組成物のはみ出しの発生がより抑制される。また、この溶融粘度が４００００Ｐａ・ｓ以下であることで、被着体表面における凹部への接着剤組成物層の埋め込み性がより向上する。
また前記溶融粘度は、ＴＡインスツルメンツ製ＡＲＥＳを用いて、ひずみ量１．０（％）、剪断速度０．１（ｓ−１）、昇温速度５℃/ｍｉｎの条件で３０〜２００℃の範囲で測定される。
【００６６】
また、上記特定の基材への接着強度が３ＭＰａ以上であることで、接着性がより向上する傾向がある。
前記特定の基材への接着強度は、Ｄａｇｅ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ製Ｄａｇｅ２４００を用い、２６０℃に設定したステージ上で３０ｓ保持した後、測定高さ１００（μｍ）、測定速度１００（μｍ／ｓ）の条件にて測定される。
【００６７】
さらに、接着剤組成物層の厚みが５μｍ以上であることで、被着体表面における凹部への接着剤組成物層の埋め込み性がより向上し、応力緩和効果や接着性がより向上する。一方、この厚みが２５０μｍ以下であることで、経済性が向上すると共に、半導体装置の小型化の要求により好適に適合できる。同様の観点から接着剤組成物層の厚みは１０μｍ〜２５０μｍであることがより好ましく、２０μｍ〜１００μｍであることが更に好ましく、４０μｍ〜８０μｍであることが特に好ましい。
【００６８】
接着剤組成物層の硬化前の８０℃における溶融粘度は、上述の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の種類の選定、（メタ）アクリル共重合体の分子量分布の調整、接着剤組成物における第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の含有割合の調整、（メタ）アクリル共重合体とフィラーとの配合比率の調整、並びに接着組成物層の形成条件の調整などにより、上記数値範囲内に収めることができる。
また、上述の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の選定、（メタ）アクリル共重合体の分子量分布の調整、並びに（メタ）アクリル共重合体とフィラーとの配合比率の調整などにより、接着強度を３ＭＰａ以上に制御することができる。
【００６９】
このような接着剤組成物層は、例えば、８０℃での圧着により基材表面への埋め込みが可能となる。
【００７０】
本発明の半導体用接着フィルム１０は、例えば、下記のようにして得ることができる。まず、上述の接着剤組成物を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製する。次いで、このワニスを支持フィルム１の表面上に塗布し、加熱により乾燥する。こうして、支持フィルム１と、その表面上に形成された接着剤組成物層２とを備える半導体用接着フィルム１０が得られる。
【００７１】
上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。乾燥のための加熱の条件は、使用した有機溶媒が十分に揮発する条件であれば特に制限はないが、通常６０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００７２】
上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。これらの中でも、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。これら有機溶剤の一部は、通常、半導体用接着フィルム中の接着剤組成物層に揮発分として残存する。
【００７３】
接着剤組成物層中に揮発分として残存する有機溶媒の含有量は、接着剤組成物層の全質量基準で３質量％以下であることが好ましい。耐熱信頼性及び作業効率向上の観点からは、この割合は１．５質量％以下であることがより好ましく、１．０質量％以下であることが更に好ましい。なお、この有機溶媒の含有量の下限は特に限定されないが、上述と同様の観点から０．０１質量％であることが好ましい。
【００７４】
ダイシング性に優れる点から、接着剤組成物層の硬化前（Ｂステージ状態）の２５℃における貯蔵弾性率は２００ＭＰａ〜６０００ＭＰａであることが好ましい。更に、ダイシング性に優れ、かつ半導体ウエハとの密着性が優れる点でこの貯蔵弾性率は２００ＭＰａ〜２０００ＭＰａであることがより好ましい。
【００７５】
また、硬化前（Ｂステージ状態）の接着剤組成物層の８０℃における貯蔵弾性率は０．０００１ＭＰａ〜１０ＭＰａであることが好ましい。これにより、８０℃程度の温度における半導体ウエハへの良好なラミネート性が得られる。特に半導体ウエハへの密着性が高い点で、８０℃における貯蔵弾性率は０．００１ＭＰａ〜５ＭＰａであることがより好ましい。
【００７６】
硬化後（Ｃステージ状態）の接着剤組成物層２の１７０℃における貯蔵弾性率は２０〜１０００ＭＰａであることが好ましい。これにより、接着剤組成物層は、更に良好なワイヤボンディング性を示すことができる。
【００７７】
接着剤組成物層の貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＵＢＭ社製商品名「Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００」等）を用いて測定することができる。測定条件は、サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲−６０（又は室温）〜＋２６０℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、変位１０ｐｐｍ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重とされる。
【００７８】
本発明の半導体用接着フィルムは、上述したように支持フィルム上に前記接着剤組成物層が設けられて構成される。
支持フィルムとしては特に制限はなく、通常用いられる支持フィルムを特に制限なく用いることができる。具体的には例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行ってもよい。
【００７９】
支持フィルムの膜厚は、特に制限はなく、接着剤組成物層の膜厚や半導体用接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取り扱い性が良い点で、好ましくは６０μｍ〜１５０μｍ、より好ましくは７０μｍ〜１３０μｍである。
【００８０】
また本発明における支持フィルムは、来公知のダイシングテープであってもよい。この場合、接着シート１０は、ダイシングテープ１と、その表面上に形成された接着剤組成物層２とを備えたダイシングテープ一体型の半導体用接着フィルムとなる。このダイシングテープ一体型の半導体用接着フィルムを用いると、半導体ウエハへのラミネート工程が一回で済むため、作業の更なる効率化が可能である。
【００８１】
上記ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。これらのフィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。
【００８２】
ダイシングテープは粘着性を有することが好ましい。そのため、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いてもよいし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。粘着剤層は、液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整すること等によって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【００８３】
半導体用接着フィルムを、半導体装置を製造する際に用いる場合、接着剤組成物層は、ダイシングの際には半導体チップが飛散しない粘着力を有し、その後のピックアップの際にはダイシングテープから容易に剥離可能であることが望まれる。例えば、接着剤組成物層の粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着剤組成物層のタック強度を調節することが好ましい。
接着剤組成物層のタック強度の調整には、例えば、接着剤組成物層の室温におけるフローを上昇させることにより、粘着強度及びタック強度が上昇する傾向があり、フローを低下させることにより、粘着強度及びタック強度が低下する傾向があることを利用すればよい。
【００８４】
接着剤組成物層の室温におけるフローを上昇させるためには、例えば、可塑剤の含有量の増加、粘着性付与剤含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させるためには、上記化合物の含有量を減らせばよい。可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【００８５】
ダイシングテープ上に接着剤組成物層を積層する方法としては、印刷のほか、予め作成したフィルム状の接着剤組成物層をダイシングテープ上にプレスやホットロールによってラミネートする方法が挙げられる。特に、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールによってラミネートする方法が好ましい。
【００８６】
ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着剤組成物層の膜厚や半導体用接着フィルムの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取り扱い性が良い点で、好ましくは６０μｍ〜１５０μｍ、より好ましくは７０μｍ〜１３０μｍである。
【００８７】
本実施形態に係る半導体用接着フィルムは、耐熱性に優れ、熱履歴に起因する反りの発生が抑制可能である。さらに、配線回路等に起因して形成された凹凸表面の凹部充填性が良好である。したがって、半導体装置の製造における半導体チップと基材との間や半導体チップ同士の間を接着するための工程において、接着信頼性に優れる半導体用接着フィルムとして使用することができる。本実施形態に係る半導体用接着フィルムは、半導体素子搭載用の基材に半導体チップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性、絶縁性を有し、かつ作業性にも優れる。さらに半導体チップを実装する際の熱履歴による反りの発生が効果的に抑制される。
【００８８】
上記半導体チップにおける半導体ウエハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体が挙げられる。
また、半導体搭載用の基材としては、例えば、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板、有機基板が挙げられる。これらは、基材の材質に制限されることなく用いられる。セラミック基板としては、例えば、アルミナ基板及び窒化アルミニウム基板が挙げられる。また、有機基板としては、例えば、ガラスクロスエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板、ポリイミドフィルムを用いたポリイミドフィルム基板が挙げられる。
【００８９】
有機基板と接着剤組成物層２との間の接着強度は、より十分な接着力を確保する観点から、２６５℃で３ＭＰａ以上であると好ましい。なお、ここでの「接着強度」は、上記「特定の基材への接着強度」における「特定の基材」を有機基板に代えて測定されるものである。
この接着強度は、上述の第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂の選定、（ｂ）アクリル共重合体の分子量分布の調整、並びに（ｂ）アクリル共重合体と（ｃ）フィラーの配合比の調整などにより３ＭＰａ以上に制御することができる。
【００９０】
＜半導体装置＞
図２は、本発明に係る半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図２に示す半導体装置１００は、同サイズの半導体チップを２つ以上備えるパッケージであって、いわゆるスタックドＣＳＰと称されるものである。半導体装置１００は、基材２０及び基材２０の一面側において積層された３個の半導体チップＡ１を備えている。そして、半導体チップＡ１と基材２０との間、及び半導体チップＡ１同士の間に、上記実施形態に係る半導体用接着フィルム１０から形成された硬化接着層２ａが介在している。硬化接着層２ａは、上記接着剤組成物層２の硬化体である。
【００９１】
基材２０は、基板３と、基板３の一面上に設けられた配線４と、配線４の下方において基板３を貫通する貫通孔を通って基板３の他方面側に導出された端子５とから主として構成される。基材２０の配線４側の面は、配線４が形成されているために凹凸表面が形成されている。各半導体チップＡ１は、ワイヤ６を介して配線４と接続されている。
【００９２】
このような構成を有する半導体装置１００の製造において、本実施形態では、基材２０の凹部を埋め込み、かつ上部の半導体チップＡ１との絶縁性を確保することが可能となる。さらに耐熱性に優れ、半導体装置１００の製造時における熱履歴による反りの発生が抑制される。
【００９３】
硬化接着層２ａを介して半導体チップＡ１を基材２０上に形成するには、例えば、下記のような工程を経る。まず、ダイシングテープである支持フィルム１及びその表面上に設けられた接着剤組成物層２からなる半導体用接着フィルム１０の接着剤組成物層２側に、更に半導体ウエハを０℃〜８０℃程度で貼り合わせる。次いで、回転刃又はレーザーを用いてそれらを所定の寸法及び形状になるように切断して、接着剤組成物層２と貼り合わされた半導体チップＡ１を得る。支持フィルム１を接着剤組成物層２から剥離除去した後、接着層２を、半導体チップＡ１とは反対側の面で、基材２０または基材２０上に硬化接着層２ａを介して接着された別の半導体チップＡ１に圧着し、更に加熱する。この加熱により、接着剤組成物層２は基材２０と半導体チップＡ１及び半導体チップＡ１同士を接着する硬化接着層２ａとなる。
【００９４】
この際の圧着荷重は、０．００１ＭＰａ〜１ＭＰａ程度であることが好ましく、０．０１ＭＰａ〜０．５ＭＰａであることがより好ましく、０．０１ＭＰａ〜０．３ＭＰａであることが更に好ましい。圧着荷重を０．００１ＭＰａ以上とすることで、ボイド（空隙）の発生を効果的に抑制でき、耐熱性が向上する。また、圧着荷重を１ＭＰａ以下とすることで、半導体チップＡ１が破壊されることを抑制できる。また、圧着時には加熱することが好ましく、圧着温度（加熱温度）としては８０℃〜１４０℃であることが好ましく、１００℃〜１２０℃であることがより好ましい。
【００９５】
また圧着後の加熱処理は、硬化すべき接着剤組成物層２と貼り合わされた半導体チップＡ１のみに施されることが好ましい。あるいはその半導体チップＡ１と、接着対象である基材２０又は別の半導体チップＡ１との両方が加熱されてもよい。加熱温度は６０℃〜２４０℃であることが好ましく、８０℃〜１８０℃であることがより好ましい。加熱温度を６０℃以上とすることで、凹部への埋め込み性がより向上する傾向にあり、２４０℃以下とすることで基材２０などの変形を抑制し、さらに反りの発生をより効果的に抑制できる傾向にある。加熱方法は、加熱対象をホットプレートに接触させる方法、加熱対象に赤外線又はマイクロ波を照射する方法、並びに加熱対象に熱風を吹き付ける方法などが挙げられる。
【００９６】
＜半導体搭載用配線基板＞
本発明の半導体搭載用配線基板は、配線基板と、前記配線基板上に設けられた上記接着剤組成物層とを備える。かかる構成であることにより、半導体装置を構成する際の熱履歴に起因する反りの発生が抑制され、また耐熱性に優れる。従って本発明の半導体搭載用配線基板は半導体装置の製造に好適に使用することができる。
前記配線基板としては、上記半導体装置における基材として説明した事項をそのまま適用することができる。また接着剤組成物層についても上述の通りである。
【００９７】
＜接着剤組成物＞
本発明の接着剤組成物は、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００〜２５０ｇ／ｅｑであり２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリル共重合体と、を含む。かかる構成であることで、半導体チップ等と接着した状態における熱履歴に起因する反りの発生が抑制され、さらに耐熱性に優れる。
前記接着剤組成物の具体的な構成は、上述の半導体用接着フィルムにおける接着剤組成物と同様であり、好ましい態様も同様である。
【００９８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【００９９】
例えば、本発明の別の実施形態において、半導体用接着フィルムは接着剤組成物層のみから構成されてもよい。この場合、接着剤組成物を含む上記ワニスを被塗布用フィルムの表面上に塗布し、更にワニスを加熱により乾燥した後、被塗布用フィルムを剥離除去して接着剤組成物層からなる接着シートが得られる。
【０１００】
被塗布用フィルムとしては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム及びメチルペンテンフィルムが挙げられる。
【０１０１】
また、このようにして得られた接着剤組成物層を支持フィルム上に圧着等の手段により積層して、支持フィルムと、その表面上に形成された接着剤組成物層とを備える半導体用接着フィルムが作製されてもよい。
【０１０２】
半導体用接着フィルムが接着剤組成物層のみから構成される場合、まず半導体ウエハと接着剤組成物層とを貼り合わせた後に、ダイシングテープを、接着剤組成物層の半導体ウエハとは反対側の主面に貼り合わせてもよい。
【０１０３】
半導体用接着フィルムを半導体ウエハに貼り付ける際のラミネート温度は、０℃〜８０℃が好ましく、１５℃〜８０℃がより好ましく、２０℃〜７０℃が更に好ましい。ラミネート温度を８０℃以下とすることで、半導体用接着フィルムを貼り付けた後の半導体ウエハにおける反りの発生をより効果的に抑制できる。
【０１０４】
また、半導体用接着フィルムは、接着剤組成物層の支持フィルムとは反対側に保護フィルムを備えたものであってもよい。保護フィルムは、通常の半導体用接着フィルムに保護フィルムとして用いられるものであれば特に限定されず、例えばポリエチレン（ＰＥ）フィルムなどが挙げられる。
【０１０５】
さらに、接着剤組成物層自体がダイシングテープとしての役割を果たしてもよい。このような接着剤組成物層を有する半導体用接着フィルムは、ダイシングダイボンド一体型接着フィルムなどと呼ばれ、一つのフィルムでダイシングテープとしての役割と、接着フィルムとしての役割をともに果たす。半導体用接着フィルムにこのような機能を持たせるには、例えば、接着剤組成物層が、光硬化性高分子量成分、光硬化性モノマー、光開始剤等の光硬化性成分を含んでいればよい。
【０１０６】
さらに接着剤組成物層は１層のみでなくてもよく、２層以上が積層されていてもよい。
【０１０７】
また、上記半導体用接着フィルムから形成された硬化接着層を備えた半導体装置は、図２に示すものに限定されず、半導体チップと基材との間に上記硬化接着層を設けたものであればよい。したがって、例えば、いわゆるピラミッド型、逆ピラミッド型のスタックドＣＳＰであってもよい。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、下記の実施例における各操作は全て大気中で行われた。
【０１０９】
（実施例１〜５および比較例１〜３）
表１に商品名及び配合部数（質量基準）を示すエポキシ樹脂、硬化剤、およびフィラーをシクロヘキサノンに溶解、分散させた。これらに、表１に示す種類および配合部数の（メタ）アクリル共重合体を加えて攪拌した。更に表１に同様に示すカップリング剤および硬化促進剤を塗工直前に加えて各成分が均一になるまで攪拌してワニスをそれぞれ得た。
【０１１０】
次に、得られたワニスを真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、支持フィルムの主面上に塗布した。塗布したワニスを１２０℃で１５分間加熱乾燥した。こうして支持フィルムの主面上に、Ｂステージ状態にある厚み４０μｍの接着剤組成物層を備えた半導体用接着フィルムを得た。尚、支持フィルムとしては、主面上に離型処理を施した厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポンフィルム（株）製Ａ−３１）を採用した。
【０１１１】
【表１】
【０１１２】
以下に、表１中の各成分の詳細を示す。尚、エポキシ樹脂の常温（２０℃）における三点曲げ弾性率は既述の方法に従って測定した。
−硬化剤−
ＸＬＣ−ＬＬ：ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（商品名）、三井化学社製、フェノール樹脂、水酸基当量１７５
ＨＥ−２００Ｃ−１０： 、日本エアウォーター社製、フェノール樹脂、水酸基当量２００
【０１１３】
−エポキシ樹脂−
エポリードＰＢ３６００（商品名）：ダイセル化学社製、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ当量１９０（ｇ／ｅｑ）、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率３０ｇ／ｍｍ
エピクロンＴＳＲ−６０１（商品名）：ＤＩＣ社製、ＣＴＢＮ変性エポキシ樹脂、エポキシ当量４６８（ｇ／ｅｑ）、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８ｇ／ｍｍ
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名）：東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５９（ｇ／ｅｑ）、２０℃で液体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８８ｇ／ｍｍ
ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名）：東都化成社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率１２０ｇ／ｍｍ
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（商品名）：東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１９５（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率１０５ｇ／ｍｍ
６３０（商品名）：ＪＥＲ社製、３官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポキシ当量９６（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、２０℃における三点曲げ弾性率１３４ｇ／ｍｍ
ＹＤＦ−２００１（商品名）：東都化成社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量４８６（ｇ／ｅｑ）、２０℃で固体、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率８１ｇ／ｍｍ
【０１１４】
−フィラー−
ＳＣ−２０５０（商品名）：アドマテックス社製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５００μｍ
Ｒ９７２：アエロジルＲ９７２（商品名）、日本アエロジル社製、シリカフィラー、平均粒径０．０１６μｍ
【０１１５】
−カップリング剤−
Ａ−１８９：ＮＵＣ Ａ−１８９（商品名）、日本ユニカー社製、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
Ａ−１１６０：ＮＵＣ Ａ−１１６０（商品名）、日本ユニカー社製、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
【０１１６】
−硬化促進剤−
２ＰＺ−ＣＮ：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（商品名）、四国化成社製、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
−アクリル共重合体−
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量８０万
試作品９：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３試作品９（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量３０万
試作品２５：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３試作品２５（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量６０万
試作品４８：アクリルゴムＨＴＲ−８６０Ｐ−３試作品４８（商品名）、ナガセケムテックス社製、重量平均分子量５１万
【０１１７】
＜評価＞
実施例１〜５および比較例１〜３で得られた半導体用接着フィルムを用いて、以下に示す評価項目について評価を行なった。評価結果を表２に示した。
【０１１８】
［反り量]
半導体用接着フィルムのエアー面（支持フィルムとは反対側の面）にポリイミドフィルム（宇部興産（株）製ユーピレックスＳ、５０ μｍ厚）を６０℃、ロール加圧（温度１００℃、線圧４ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度０．５ｍ／分）でラミネートした。これを３ｃｍ角に切断し、支持フィルムを剥がして試験片を作製した。得られた試験片を乾燥機に入れ、１２０℃で１時間、次いで１６０℃で３０分加熱した。その後乾燥機から取り出して室温に戻したときの反り量を測定した。
反り量測定には非接触形状測定装置ＹＰ−１０（ＳＯＮＹ（株）製）を用い、図３に模式図として示すように、最下点から反り方向に距離ａ（５ｍｍ）の位置における最大高さｂを測定した。最大高さｂからポリイミドフィルムと硬化後の接着剤組成物層の層厚を差し引いた値ｂ’を求め、次式（１）に従って反り量を算出し、下記評価基準に従って評価した。
反り量（％）＝１００×ｂ’／ａ （１）
〜評価基準〜
◎：反り量が４．０％以下（基板及びチップへ影響がないレベル）
○：反り量が４．０％を超え６．０％以下（基板またはチップ厚が数μｍだと反る可能性があるレベル）
△：反り量が６．０％を超え１０．０％以下（基板またはチップ厚が数十μｍだと反る可能性があり、実用上の限界レベル）
×：反り量が１０．０％を超えた（基板またはチップが剥がれるなど信頼性に悪影響があるレベル）
【０１１９】
［タック強度］
硬化前の半導体用接着フィルムの支持フィルムとは反対側の面（エアー面）におけるタック強度を、レスカ（株）製プローブタッキング試験機を用いて、ＪＩＳ Ｚ０２３７−１９９１に準拠した方法（プローブ）直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重１００ｇｆ／ｃｍ２、接触時間１秒）により、４０℃で測定し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
−×：タック強度が０．２Ｎ未満であった。
○：タック強度が０．２Ｎ以上２．０Ｎ以下であった。
＋×：タック強度が２．０Ｎを超えていた。
【０１２０】
［フロー率］
硬化前の半導体用接着フィルムを５ｍｍ角に打ち抜き、支持フィルムを剥がした後、２枚のカバーガラス（アズワン株式会社製）で挟み込んで検体を作製した。
得られた検体における半導体用接着フィルムの対角線の長さＬ１を光学顕微鏡で測定した。次いでこの検体を、テスター産業（株）製の熱圧着試験装置を用いて熱板温度１２０℃、圧力０．４ＭＰａで３秒保持した後、対角線の長さＬ２を光学顕微鏡で測定した。得られた長さＬ１およびＬ２を、次式（２）に当てはめて、対角線の長さの変化率としてフロー率（％）を算出し、下記評価基準に従って評価した。
フロー率（％）＝（Ｌ２−Ｌ１）×１００／Ｌ１ （２）
〜評価基準〜
−×：フロー率が５％未満であった。
○：フロー率が５〜３０％であった。
＋×：フロー率が３０％を超えていた。
【０１２１】
［接着強度］
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層の接着強度（ダイシェア強度）を下記の方法により評価した。
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層を厚み４００μｍ、５．０ｍｍ角の半導体チップに６０℃、１ｋｇｆ、３秒で貼り付けた。次いで支持フィルムを剥がし、接着剤組成物層の半導体チップとは反対側の面を、レジスト（商品名「ＡＵＳ３０８」、太陽インキ社製）を塗布した基板（日立化成工業社製、商品名「Ｅ−６９７ＦＧ」）表面上に、１００℃、０．０１ＭＰａ、１秒間の条件で熱圧着してサンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着層を１１０℃で１時間、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、１７０℃で５時間の順でステップキュアにより硬化した。この試験片を８５℃相対湿度８５％の環境に４８時間放置した後、Ｄａｇｅ製接着力試験機Ｄａｇｅ−４０００を用いて、温度２６０℃の熱盤上で、測定速度：５０μｍ／秒、測定高さ：５０μｍの条件で、せん断方向の外力を加えたときの最大応力としてダイシェア強度を測定して、これを接着強度とし、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
◎：接着強度が３．０ＭＰa以上（耐リフロー性ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２を満足、かつ、基板上のレジストを凝集破壊した）
○：接着強度が２．０ＭＰａ以上３．０ＭＰａ未満（耐リフロー性ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２を満足、かつ、レジストとフィルムの界面で剥離した）
×：接着強度が２．０ＭＰａ未満（耐リフロー性ＪＥＤＥＣ Ｌｅｖｅｌ２を不満足）
【０１２２】
［貯蔵弾性率］
以下のようにして硬化後の接着シートの貯蔵弾性率を評価した。
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層が対向するように硬化前の半導体用接着フィルムを二枚重ねにして、１１０℃で１時間、１２０℃で１時間、１４０℃で１時間、さらに１７０℃で５時間熱処理して硬化させた。硬化させた接着剤組成物層から長さが２０ｍｍ、幅が４ｍｍの検体を作製し、動的粘弾性の測定装置、ＴＡインスツルメンツ製ＲＳＡ ＩＩを用いて、ひずみ量０．０１（％）、一定周波数１０．０（ｓ−１）、昇温速度５℃／分の条件で−５０〜１５０℃の範囲で測定し、５０℃及び１００℃における貯蔵弾性率をそれぞれ求め、下記評価基準に従って評価した。
【０１２３】
〜評価基準５０℃〜
×：５０℃における貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ未満だった。
○：５０℃における貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ以上５０００ＭＰａ以下であった。
〜評価基準２００℃〜
×：２００℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａを超えた。
○：２００℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以下であった。
【０１２４】
［ずり粘度］
硬化前の半導体用接着フィルムのずり粘度を以下のようにして評価した。
半導体用接着フィルムの接着剤組成物層が対向するように硬化前の半導体用接着フィルムを二枚重ねにした。支持フィルムを剥がした後、平行平板プレート法によるずり弾性率の測定装置、ＴＡインスツルメンツ製ＡＲＥＳを用いて、ひずみ量１．０（％）、剪断速度０．１（ｓ−１）、１２０℃一定の条件で２０分測定し、１２０℃２０分後のずり粘度を測定し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
−×：ずり粘度が１００００Ｐａ・ｓ未満であった。
○：ずり粘度が１００００Ｐａ・ｓ以上１０００００Ｐａ・ｓ以下であった。
＋×：ずり粘度が１０００００Ｐａ・ｓを超えた。
【０１２５】
［吸湿耐熱性］
半導体接着フィルムから支持フィルムを剥がし、接着剤組成物層の両面にポリイミドフィルム（ユーピレックスＳ、厚さ５０μｍ）を積層し、１７０℃で５時間の加熱処理により接着層を硬化した試験片を作製した。この試験片を８５℃相対湿度８５％の環境に４８時間放置した後、１０ｍｍ角に切断した後、２６０℃のホットプレート上に乗せて、膨れや発泡を目視により観察し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
×：ホットプレート上に乗せて１分以内に膨れや発泡が生じた。
○：ホットプレート上に乗せて１分を超えても膨れや発泡が生じなかった。
【０１２６】
【表２】
【０１２７】
表２から、本発明の半導体用接着フィルムは、加熱処理に起因する反りの発生が抑制され、さらに耐熱性に優れることが分かる。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…半導体用接着フィルム、１…支持フィルム、２…接着剤組成物層、
１００…半導体装置、Ａ１…半導体チップ、３…基板、４…配線、５…端子、６…ワイヤ、２０…基材、
Ｂ１…硬化後の接着剤組成物層、Ｂ２…ポリイミドフィルム。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルムと、
前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、
を備える半導体用接着フィルム。
【請求項２】
前記接着剤組成物層における前記第１のエポキシ樹脂に対する前記第２のエポキシ樹脂の含有比率が３０質量％〜９０質量％である請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
前記接着剤組成物層はフィラーをさらに含む請求項１または請求項２に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
前記硬化剤はフェノール樹脂である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
前記接着剤組成物層は、前記硬化剤の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂のエポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であって、
前記（メタ）アクリル共重合体の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂および前記硬化剤の合計含有量１００質量部に対して２０質量部〜５０質量部である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項６】
前記フィラーはシリカフィラーである請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項７】
配線基板と、
前記配線基板上に設けられ、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムに含まれる接着剤組成物層と、
を備える半導体搭載用配線基板。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムを用いて被接着体に接着された半導体チップを有する半導体装置。
【請求項９】
加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリル共重合体と、を含む接着剤組成物。
【請求項１】
支持フィルムと、
前記支持フィルム上に設けられ、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂、硬化剤、および（メタ）アクリル共重合体を含む接着剤組成物層と、
を備える半導体用接着フィルム。
【請求項２】
前記接着剤組成物層における前記第１のエポキシ樹脂に対する前記第２のエポキシ樹脂の含有比率が３０質量％〜９０質量％である請求項１に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
前記接着剤組成物層はフィラーをさらに含む請求項１または請求項２に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
前記硬化剤はフェノール樹脂である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
前記接着剤組成物層は、前記硬化剤の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂および第２のエポキシ樹脂のエポキシ当量の加重平均値に対する比率が、官能基当量基準で３０％〜９５％となる含有量であって、
前記（メタ）アクリル共重合体の含有量が、前記第１のエポキシ樹脂、第２のエポキシ樹脂および前記硬化剤の合計含有量１００質量部に対して２０質量部〜５０質量部である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項６】
前記フィラーはシリカフィラーである請求項３〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルム。
【請求項７】
配線基板と、
前記配線基板上に設けられ、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムに含まれる接着剤組成物層と、
を備える半導体搭載用配線基板。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムを用いて被接着体に接着された半導体チップを有する半導体装置。
【請求項９】
加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ未満である第１のエポキシ樹脂と、加熱硬化後の２０℃における三点曲げ弾性率が５０ｇ／ｍｍ以上かつエポキシ当量が１００ｇ／ｅｑ〜２５０ｇ／ｅｑであって２０℃で固体である第２のエポキシ樹脂と、硬化剤と、（メタ）アクリル共重合体と、を含む接着剤組成物。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−４３７７（Ｐ２０１２−４３７７Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８４８７（Ｐ２０１０−１３８４８７）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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