【課題】本発明は、極薄ウェハの保護テープ、又は貼り合わせるダイシングテープの軟化温度よりも低い温度でウェハ裏面にラミネートでき、かつウェハの反り等の熱応力を低減でき、半導体装置の製造工程を簡略化でき、さらに耐熱性及び耐湿信頼性に優れるダイ接着用フィルム状接着剤、当該フィルム状接着剤とダイシングテープを貼り合せた接着シートならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも接着剤層を有してなるフィルム状接着剤であって、前記接着剤層は、（Ａ）ＳＰ値が１０．０〜１１．０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２であるポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂を含有し、
ｔａｎδピーク温度が−２０〜６０℃かつフロー量が１００〜１５００μｍであるフィルム状接着剤とする。 （もっと読む）

【課題】ペースト状態で室温開放系における粘度安定性及びＢステージ保存安定性に優れ、且つ、ボイドの無い硬化物を与える接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】成分（Ａ）エポキシ樹脂、成分（Ｂ）エポキシ樹脂硬化促進剤、成分（Ｃ）２５℃において固体状の熱可塑性樹脂の粒子、成分（Ｄ）ブチルカルビトールアセテート、成分（Ｅ）エポキシ樹脂硬化剤、及び成分（Ｆ）無機充填剤を含み、前記成分（Ｃ）が前記成分（Ｄ）に室温で溶解も膨潤もせずに残存している状態であることを特徴とする接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記粘着フィルムを取り除く部分が剥離基材の短手方向（長手方向に直交する方向）の中心からずれている接着シート。 （もっと読む）

【課題】低弾性率かつ密着性に優れた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）数平均分子量５００以上３００００以下で、かつ、１分子内に少なくとも１つの二重結合を有する炭化水素化合物又はその誘導体と、（Ｂ）１つ以上のエチレン性不飽和基を有するモノマーと、（Ｃ）ラジカル重合触媒と、（Ｄ）一般式［Ｉ］で表されるジスルフィド環式基を有する（メタ）アクリル酸エステル誘導体と、（Ｅ）充填材と、を必須成分とする半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及び該熱硬化型樹脂組成物を用いて得られた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
電子部材の銅を含有する面の接着において、高い接着性を有する接着性樹脂組成物を提供すること。また、かかる接着性樹脂組成物を用いて接着された高信頼性かつ高生産性の半導体装置を提供すること。
【解決手段】
電子部材の銅を含有する面の接着に用いられる接着性樹脂組成物であって、ラジカル重合性二重結合を有する化合物（Ａ）、ラジカル開始剤（Ｂ）、グアニジン誘導体及び／又はグアナミン誘導体（Ｃ）、充填剤（Ｄ）を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程で発生する熱による硬化の影響を受け難く、封止工程での凹凸埋込み性に十分に優れる接着剤層を備える接着シートを提供すること。
【解決手段】本発明は、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体とを含む接着剤組成物をシート状に形成した接着剤層を備える接着シートであって、エポキシ樹脂硬化剤が、下記一般式（１）で表されるフェノール樹脂を含有する接着シートに関する。式（１）中、ｎは１〜２０の整数を示し、ｍは１〜２０の整数を示す。
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【課題】 剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有するダイボンドダイシングシートを用いて半導体用ウェハを個片化し、ピックアップ時のはく離帯電を抑制したダイボンドダイシングシートと、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 剥離基材、接着剤層、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムからなり、粘着剤層が接着剤層側になるように形成されたダイボンドダイシングシートにおいて、少なくとも接着剤層のいずれかの側に帯電防止層を設けたダイボンドダイシングシート。帯電防止層が、２３℃、５０％ＲＨ環境下における表面固有抵抗値が１×１０¹²Ω／□以下であると好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成性、低温での加工性（低温貼付性）、及び耐リフロー性に必要とされる高温時の高接着性を満足することができ、かつダイボンド後の組立工程で受ける熱履歴の低温化に対応可能な硬化性が得られると同時に高弾性化を達成できる接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性成分とを含み、（Ａ）熱可塑性樹脂が、（Ａ１）ガラス転移温度が６０℃以下、かつ重量平均分子量が１００００〜１０００００のポリイミド樹脂、及び（Ａ２）樹脂分が２０質量％となるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解させたときの２５℃における粘度が１０ポイズ以上の非ポリイミド樹脂を含有し、（Ｂ）熱硬化性成分が、（Ｂ１）エポキシ樹脂及び（Ｂ２）ビスマレイミド樹脂を含有する、接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱、耐ＵＶ性、貯蔵安定性が良好な硬化物を与える樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）の構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。


［式中、Ｒ¹、Ｒ²は特定の有機基、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基。］ （もっと読む）

【課題】接着剤の無駄が少なく、かつ、均一な膜厚で半導体ウェハ上に接着剤層を形成することができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウェハの一方の表面全体に、メッシュスクリーン印刷法によって接着剤を塗布して接着剤層を形成する工程と、上記接着剤層を加熱によりＢステージ化する工程と、を含み、上記接着剤の２５℃での粘度が１〜１００Ｐａ・ｓであり、チキソトロピー指数が１．０〜２．０である、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高くすることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつ平均粒子径が０．０１μｍ以上、１０μｍ以下であるフィラーと、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、平均粒子径が０．０１μｍ以上、１０μｍ以下であり、かつ融点が８０℃以上、２２０℃以下である金属物質とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の半導体素子が積層された半導体装置において、基板表面の凹凸に対する埋め込み性を良好なものとしつつ、各半導体素子に対してワイヤーボンディングを良好に行うことができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、絶縁基板５上に複数の半導体素子７１、１７１、２７１、３７１、４７１が積層され、絶縁基板５に隣り合う半導体素子７１と絶縁基板５とが、接着層３１を介して接着され、隣り合う２つの半導体素子７１、１７１同士等は、接着層３１とは異なる特性を有する接着層１３１等を介して接着されている。 （もっと読む）

【課題】極薄チップからなる半導体素子であっても、接着面に空隙を生じさせることなくワイヤ埋込構造での実装を可能とし、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性に優れたフィルム状接着剤、接着シート、及び、上記フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】（ａ）軟化点が１００℃以下であり、且つ、エポキシ当量が１４０以上であるエポキシ樹脂または水酸基当量が１４０以上であるフェノール樹脂を２０質量％以上含む熱硬化性樹脂を１００質量部、
（ｂ）架橋性官能基をモノマー比率で３〜１５％有し、重量平均分子量が１０万〜８０万であり、かつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量成分を３０〜１００質量部、
（ｃ）無機フィラーを１０〜６０質量部、
（ｄ）硬化促進剤を０〜０．０７質量部、含有することを特徴とするフィルム状接着剤とする。 （もっと読む）

【課題】 被着体との密着性に優れ、加工ブレードの摩耗率が十分に小さく、且つ、硬化後に優れた熱伝導性を発揮する高熱伝導性フィルム状接着剤を得ることが可能な高熱伝導性フィルム状接着剤用組成物、高熱伝導性フィルム状接着剤、並びに、それを用いた半導体パッケージとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）及びフェノキシ樹脂（Ｄ）を含有しており、前記無機充填剤（Ｃ）が、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）：
（ｉ）平均粒径が０．１〜５．０μｍ、
（ｉｉ）モース硬度が１〜８、
（ｉｉｉ）熱伝導率が３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、
の全条件を満たし、且つ、
前記無機充填剤（Ｃ）の含有量が３０〜７０体積％であることを特徴とする高熱伝導性フィルム状接着剤用組成物。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるピックアップ装置を提供すること、または前記ピックアップ装置を用い、信頼性の高いダイボンダのピックアップ装置を提供することを特徴とする。
【解決手段】ダイ４を表面に搭載したダイシングフィルムが固定されたピックアップ装置と、前記ダイシングフィルム上より剥離された前記ダイ４を吸着して基板に実装するコレット４２を備えたダイボンダのピックアップ装置において、前記ダイ４の周辺部の前記ダイシングフィルムを突き上げて剥離起点を形成する剥離起点形成手段と、前記剥離起点とは異なる部分の前記ダイシングフィルムを突き上げて前記ダイ４を前記ダイシングフィルムから剥離する剥離手段と、前記剥離起点形成手段の前記突き上げと前記剥離手段の前記突き上げとを別々に駆動する駆動手段とを有する突き上げユニット５０とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用接着剤シートの製造をハイスループット化することができ、かつ、適当で均一な形状、面積、膜厚を有する光半導体装置用接着剤を基材シート上に形成することができる光半導体装置用接着剤シートの製造方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１２から切り出されソーティングされた光半導体素子１３を基材シート２上からピックアップし、前記光半導体素子１３を光半導体装置１４内の素子取付部１５に搭載した後、前記光半導体素子１３を前記素子取付部１５に硬化接着するために用いる光半導体装置用接着剤が配置された光半導体装置用接着剤シート３を製造する方法であって、少なくとも、前記基材シート２上にフィルム状の前記光半導体装置用接着剤１を剥離可能に成形する接着剤成形工程、及び前記成形された光半導体装置用接着剤１を任意の形状に分割する接着剤分割工程を有する。 （もっと読む）

【課題】導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性及びダイシェア強度を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を提供すること。
【解決手段】１分子中に１個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、１分子中に３個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アルミニウム粉と、を含有する、半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】配線が上層の半導体チップに接触し難い接着剤層付き半導体チップを提供する。
【解決手段】本発明は、電子部品上に第１の半導体チップが配置されており、かつ該第１の半導体チップの上面に設けられた電気接続端子から配線が引き出されている積層構造体上に、上記第１の半導体チップと上記配線の少なくとも一部の領域とを接着剤層に埋め込むように積層される接着剤層付き半導体チップ１に関する。本発明に係る接着剤層付き半導体チップ１は、第２の半導体チップ２と、該第２の半導体チップ２の表面２ａに積層された第１の接着剤層３と、第１の接着剤層３の第２の半導体チップ２側とは反対の表面３ｂに積層された第２の接着剤層４とを備える。第１の接着剤層３の積層時のダイボンディング温度における粘度は、第２の接着剤層４の積層時のダイボンディング温度における粘度よりも同じ温度で高い。 （もっと読む）

【課題】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを含有する熱伝導性接着剤において、熱伝導性接着剤が固化する前に、低融点金属を液化させて高融点金属粉間を互いに十分に結びつけることができるようにし、且つ熱伝導性接着剤自体の接着力を良好なレベルに維持できるようにする。
【解決手段】硬化成分及び該硬化成分用の硬化剤を含有する熱硬化性接着剤と、その熱硬化性接着剤中に分散した金属フィラーとを有する熱伝導性接着剤は、金属フィラーとして、銀粉及びハンダ粉を使用する。ハンダ粉は、熱伝導性接着剤の熱硬化処理温度よりも低い溶融温度を示し、且つ該熱硬化性接着剤の熱硬化処理条件下で銀粉と反応して、当該ハンダ粉の溶融温度より高い融点を示す高融点ハンダ合金を生成するものを使用する。硬化剤としては、金属フィラーに対してフラックス活性を有する硬化剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】接着強度に優れるとともに、応力緩和性に優れ、半導体装置における耐半田クラック性等を良好とすることのできる半導体接着用熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）下記一般式（１）で表されるポリサルファイド変性エポキシ樹脂、（Ｂ）前記（Ａ）成分のポリサルファイド変性エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、および（Ｄ）充填材を必須成分とする半導体接着用熱硬化性樹脂組成物。
【化２】


（式中、Ｒ^１はビスフェノール骨格を有する２価の有機基を表し、ｍは各繰り返し単位毎に独立に１〜３の整数を表し、ｎは１〜５０の整数を表す。） （もっと読む）