【課題】 チップ状ワークの貼り剥がしを容易とするチップ保持用テープを提供すること。
【解決手段】 基材上に粘着剤層が形成された構成を有しており、粘着剤層は、チップ状ワークを貼り付けるチップ状ワーク貼付領域と、マウントフレームを貼り付けるフレーム貼付領域とを有し、フレーム貼付領域にマウントフレームを貼り付けて使用するチップ保持用テープであって、粘着剤層において、フレーム貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力が、測定温度２３±３℃、引張り速度３００ｍｍ／分の条件下において、チップ状ワーク貼付領域でのシリコンミラーウェハに対する１８０度引き剥がし粘着力の５倍以上であるチップ保持用テープ。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性及び速硬化性に優れ、かつ、透明性が高く、半導体チップボンディング時のアライメントマークの認識を容易なものとする半導体チップ接合用接着剤、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、水酸基当量が１１０以上のフェノール系硬化剤と、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールとを含有する半導体チップ接合用接着剤、並びに該接着剤を用いて製造されることを特徴とする非導電性ペースト及び非導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ｗの半導体基板１Ｓの内部に集光点を合わせた状態でレーザ光を照射することにより改質領域ＰＬを形成する。続いて、半導体ウエハ１Ｗの裏面に回転塗布法により液状の接着材を塗布した後、これを乾燥させて固体状の接着層８ａを形成する。その後、上記改質領域ＰＬを分割起点として半導体ウエハ１Ｗを個々の半導体チップに分割する。この半導体チップをその裏面の接着層８ａにより他の半導体チップの主面上に接着することにより、半導体チップが多段に積層された構成を有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】プリカット加工等により所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シート、並びに、上記接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上の長さ方向に分散配置された接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記接着剤層及び前記粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層が、前記剥離基材上における前記粘着フィルム間に断続的に形成されている、接着シート。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界においてボイドが成長することを抑制し、被着体と半導体チップとの接着信頼性を向上させることが可能な熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体チップの被着体への固着に用いる、接着剤層を少なくとも有する熱硬化型ダイボンドフィルムであって、接着剤層は、熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有するとともに、熱可塑性樹脂としての重量平均分子量１０万以上のアクリル樹脂を含有し、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計重量をＸとし、アクリル樹脂の重量をＹとしたとき、Ｘ／Ｙが０．０７〜０．７であり、１７５℃で１時間加熱処理した後の、加熱処理前を基準としたエポキシ基の減少率が６０％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド時のダイ圧着荷重が小さくても、または圧着時間が従来よりも短くてもボイドのない半導体装置を簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、硬化した接着剤層を介してチップが積層された基板からなる半導体装置を製造する方法であって、未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化させて硬化した接着剤層とする加熱硬化工程；および前記加熱硬化工程によって、前記未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板が、８０℃以上であって接着剤層の反応率が１０％となる温度以下である加圧開始温度まで加熱されてから、前記基板を、常圧に対し０．０５ＭＰａ大きい圧力以上の静圧により加圧する静圧加圧工程を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップとリードフレームやパッケージ基板等との間の接着力に優れ、かつ、接着剤層の内部のイオン性不純物を捕集することが可能なシート状接着剤、及び、該シート状接着剤を用いて作製したウエハ加工用テープ、並びに、該シート状接着剤を用いて作製された半導体装置を提供する。
【解決手段】シート状接着剤１２は、キレートにて変性されたキレート変性硬化樹脂を、接着剤層組成物として含んでおり、かつ、硬化樹脂成分に対するキレート変性エポキシ樹脂の配合割合が１０質量％以下であり、かつ、硬化樹脂成分量１００質量部に対して重量平均分子量が１０万以上である高分子量化合物成分量が４０〜１００質量部である。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンディング後の硬化収縮を抑制し、これにより被着体に対する反りの発生を防止することが可能な熱硬化型ダイボンドフィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の熱硬化型ダイボンドフィルムは、被着体上に半導体素子を接着して固定させるための熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化性成分としてのエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を少なくとも含み、前記熱硬化性成分中のフェノール性水酸基のモル数に対する、前記熱硬化性成分中のエポキシ基のモル数の割合が１．５〜６の範囲内である。 （もっと読む）

本発明は、ダイアタッチフィルム、半導体ウェーハ及び半導体パッケージング方法に関する。本発明では、ダイシング工程時にバーの発生またはチップの飛散などを防止し、ダイボンディング工程時に優れたエキスパンディング性及びピックアップ性を示すダイアタッチフィルムを提供することができる。また、本発明では、ワイヤボンディングまたはモールディング工程でのチップの剥離、押されまたは集まり現象などを防止することができるダイアタッチフィルムを提供することができる。これにより、本発明によれば、半導体パッケージ工程で埋め込み性の向上、ウェーハまたは配線基板の反りの抑制及び生産性の向上などが可能である。 （もっと読む）

【課題】素子を保持した状態で拡張した場合に素子に浮きが生じない素子保持用粘着シートを提供すること。
【解決手段】基材層と、該基材層上に設けられた外部刺激によって硬化する粘着剤層とを有する素子保持用粘着シートであって、該粘着剤層が硬化した状態で伸長させた場合の下記式で表される亀裂発生伸度が１１５％より大きい、素子保持用粘着シート：
亀裂発生伸度（％）＝［（粘着剤層表面に亀裂が生じたときの粘着シートの長さ）−（粘着シートの元の長さ）］／（粘着シートの元の長さ）×１００。 （もっと読む）

【課題】 基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられた接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムであって、半導体ウェハが薄型の場合にもこれをダイシングする際の保持力を損なうことなく、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着フィルムと一体に剥離する際の剥離性に優れたダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓである。 （もっと読む）

【課題】Ｂ−ステージ化可能であって、しかも空隙を発生しない硬化性組成物の提供。
【解決手段】２つの別々に硬化する化学セット又は組成物を含む硬化性組成物であって、それらの硬化温度が十分に離れていて、一方の化学組成物がＢ−ステージ化で完全に硬化し、第２の化学組成物は、基板への半導体チップの最終取付など最終硬化が望まれるまで未硬化で残しておくことができる硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品に対する接着力が高く、耐リフロークラック性及び絶縁信頼性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供する。
【解決手段】硬化性化合物及びトリアジンジチオール化合物を含有する電子部品接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】 ダイボンドフィルムが引張張力により好適に破断される熱硬化型ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体チップの被着体への固着に用いる、接着剤層を少なくとも有する熱硬化型ダイボンドフィルムであって、熱硬化前における室温での単位面積あたりの破断エネルギーが１Ｊ／ｍｍ^２以下であり、破断伸び率が４０％以上５００％以下である熱硬化型ダイボンドフィルム。 （もっと読む）

【課題】特に耐熱性が高く、成型性に優れるポリシロキサン系組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも以下のＡ成分を１つ以上含みかつＢ成分を１つ以上含む流動性液体または固体のポリシロキサン系組成物であって、
Ｒ^１ＳｉＯ３/２ ［Ａ］
Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ２/２ ［Ｂ］
（ここでＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３は炭化水素基または芳香族環を含む炭化水素基でありそれぞれ異なっていても良いし同一でも良い）
該ポリシロキサン系組成物は、加熱により、成型、塗布または前記Ａ、Ｂ以外の固形成分を混合するなどの作業が可能な粘度まで粘性が調整でき、その後高温で熱処理することにより硬化物を得ること。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの高位置精度を実現して半導体装置の品質の安定化を図る。
【解決手段】ＳＩＰの組み立てのダイボンディング工程で、高い位置精度を要求されないマイコンチップ３を表面非接触型のコレットでピックアップして第１のチップ搭載部上にダイボンディングし、その後、高い位置精度が要求されるＡＳＩＣチップ４を表面接触型のコレットでピックアップして第２のチップ搭載部上にダイボンディングすることで、２種類のコレットを使い分けることにより、前記表面接触型のコレットによってダイボンディングを行ったＡＳＩＣチップ４の高い位置精度を実現するとともに、前記ＳＩＰの品質の安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】ワークが薄型の場合にも、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイボンドフィルムと一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、基材１上に粘着剤層２を有するダイシングフィルムと、粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルム３とを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、粘着剤層は、主モノマーとしてのアクリル酸エステルと、アクリル酸エステルに対し含有量が１０〜３０ｍｏｌ％の範囲内のヒドロキシル基含有モノマーと、ヒドロキシル基含有モノマーに対し含有量が７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内のラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とを含み構成されるポリマーを含み、ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含み構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い割合で充填剤を含有しても弾性率が低く十分な低応力性を有する樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂（Ａ）、充填材（Ｂ）を含む樹脂組成物であって、前記熱硬化性樹脂（Ａ）が一般式（１）で示される化合物（Ａ１）と官能基を２個以上有する化合物（Ａ２）を含むことを特徴とする樹脂組成物。


Ｒ^１：水素、炭素数１〜６の炭化水素基、Ｒ^２：環状脂肪族骨格を有する有機基。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムキレート系潜在性硬化剤と、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂とを含有する熱硬化型エポキシ樹脂組成物に導電粒子を配合してなる熱硬化型導電性ペースト組成物において、脂環式エポキシ化合物を使用せずに、アルミニウムキレート系潜在性硬化剤でグリシジルエーテル系エポキシ樹脂を低温速硬化できるようにするとともに、良好な保存安定性を実現する。
【解決手段】熱硬化型導電ペースト組成物は、アルミニウムキレート系潜在性硬化剤と、式（Ａ）のシラノール化合物と、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂と、導電性材料とを含有する。


式中、ｍは２又は３であり、但しｍとｎとの和は４である。Ａｒは、置換されてもよいアリール基である。 （もっと読む）