【課題】高流動性と高信頼性とを両立したダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】少なくとも３つの重合鎖が放射状に伸びる星型構造を有する共重合体と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、フィラーとを含有するダイボンドフィルムであって、前記共重合体のガラス転移点が６０℃以下であるダイボンドフィルムである。前記共重合体は１０〜４０重量部含み、前記エポキシ樹脂及び硬化剤は３０〜４５重量部含み、また前記共重合体と前記エポキシ樹脂と前記硬化剤との合計１００重量部に対して、前記フィラーを４０〜１８０重量部含むことが好ましい。 （もっと読む）

熱界面材料は結合剤中に、整合性のある大きな熱伝導粒子と、小さなセラミック熱伝導粒子とを含む。結合剤は熱可塑性（及び選択的には熱硬化性）粒子と、不安定性の液体とを含んでもよく、実質的に互いに不溶性である。結合剤は更に液状エポキシを含んでもよい。大きな熱伝導粒子の各々自体は結合性かつ整合性のある扁平粒子の凝集である。 （もっと読む）

【課題】塗布作業性に優れ、かつ銀メッキ表面に対する接着特性を維持しつつ、銅表面に対する接着特性に優れた樹脂組成物を提供し、該樹脂組成物を使用することで高温リフロー処理後でも剥離のない高信頼性の半導体装置を提供することである。
【解決手段】導電性粒子（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）、スルフィド結合を有する化合物がスルフィド結合とアルコキシシリル基を有する化合物（Ｃ１）、及びスルフィド結合と水酸基を有する化合物（Ｃ２）を含むことを特徴とする樹脂組成物、接着剤層、並びに該樹脂組成物を使用して作製したことを特徴とする半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の薄化と必要な剛性確保を両立でき、使用の度に接着剤等を塗布する必要性を排除し、基板に悪影響を及ぼすおそれが少なく、しかも、環境に対する負荷の少ない基板の加工方法を提供する。
【解決手段】薄化された半導体ウェーハ１を、耐熱性を有する保持治具１０の変形可能な保持層１４に粘着保持させ、この半導体ウェーハ１に複数の半導体チップ２４をダイアタッチ材２５を介して積層し、これらを所定の温度環境下に配置してダイアタッチ材２５の硬化により半導体ウェーハ１と複数の半導体チップ２４とを接着させ、その後、保持治具１０の保持層１４を変形させて半導体ウェーハ１を取り外す。薄化した半導体ウェーハ１と保持治具１０を一体化するので、必要な剛性を確保でき、ハンドリング、加熱時の保持、冷却作業に支障を来たすことがない。 （もっと読む）

【課題】硬化後の硬化物が常温及び高温領域で適度な柔軟性を有するとともに、半導体チップ等の電気部品と基板との接着性に優れ、基板に接着した半導体チップ等の電気部品に大きな反りが発生することを防止できる電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】炭素数３〜６のポリエーテル骨格、芳香族骨格及び前記芳香族骨格に直結するグリシジルエーテル骨格を有するエポキシ化合物（Ａ）と、炭素数３〜６の脂肪族ポリエーテル骨格及び前記脂肪族ポリエーテル骨格に直結するグリシジルエーテル骨格を有するエポキシ化合物（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、芳香族骨格を有するエポキシ当量５０〜１５０の多官能エポキシ（Ｄ）及び／又は無機フィラーとを含有する電子部品用接着剤であって、硬化物とした場合に、２６０℃における貯蔵弾性率が４ＭＰａ以上である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】耐湿信頼性に優れた半導体装置を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、半焼成ハイドロタルサイトと、前記半焼成ハイドロタルサイトと異なる無機充填剤とを含むことを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子３が封止されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品のソリ等の発生を防止し、接着信頼性に極めて優れ、ジェットディスペンス装置を用いた塗布方法に好適に用いることができるとともに、精密な塗布をすることが可能な電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】特定のＮ基含有３感能エポキシ化合物（Ａ）を２０〜６０重量％と、炭素数１１〜３０のアルキル基、アルケニル基又はアラルキル基含有無水コハク酸化合物（Ｃ）を３０〜６０重量％と、硬化促進剤とを含有する電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】電子部品のソリ等の発生を防止し、接着信頼性に極めて優れる電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ当量が５０〜１５０である多官能エポキシ化合物と、分子中に下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）からなる群より選択される少なくとも１つの骨格を有する酸無水物とを含有する電子部品用接着剤であって、硬化物とした場合に、前記硬化物は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１１０〜１５０℃であり、１０〜５０℃における貯蔵弾性率が１０００〜４０００ＭＰａであり、かつ、１７０℃以上における最低貯蔵弾性率が４０ＭＰａ以上である電子部品用接着剤。
（ａ）炭素数１０〜３０のアルキル基
（ｂ）炭素数１０〜３０のアルケニル基
（ｃ）炭素数１０〜３０のアラルキル基 （もっと読む）

本発明は、半導体パッケージ工程に適用されるダイシング・ダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体装置に関する。前記ダイシング・ダイボンディングフィルムは、ウエハーとダイボンディング部の接着層との間の接着力（Ｘ）及びダイボンディング部の接着層とダイシング部の粘着層との間の粘着力（Ｙ）の割合［（Ｘ）／（Ｙ）］が０．１５〜１であり、前記ダイボンディング部接着層の室温貯蔵弾性率が１００〜１０００ＭＰａであることを特徴とする。本発明に係るダイシング・ダイボンディングフィルムはダイシング工程でのバリ発生を低減し、発生されたバリによってボンディングパッド部が覆われ、接続信頼性が落ちる不良がなく、優れた信頼性を有する半導体装置を製造することができる。
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本発明は、接着フィルム、ダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置に関する。より具体的に、本発明の接着フィルムは、基材フィルム及び接着層を含み、前記接着層は５〜５０μｍの厚さで降伏強度が２０〜５０ｇｆであり、引張弾性領域の勾配が３０〜８０ｇｆ／ｍｍであることを特徴とする。これは、接着層の厚さに応じてバリ発生率の予測及び制御ができるように降伏強度及び引張弾性領域の勾配が調節されたものであり、これを含むダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置はバリ発生率が低く、優れた作業性及び信頼性を有する。
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【課題】ワークが薄型の場合にも、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイボンドフィルムと一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に粘着剤層を有するダイシングフィルムと、ダイシングフィルム上に設けられたダイボンドフィルムとを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、粘着剤層は、１０〜３０ｍｏｌ％のヒドロキシル基含有モノマーを含むアクリル系ポリマーに、ヒドロキシル基含有モノマーに対し７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内のラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を付加反応させたポリマーと、ヒドロキシル基に対し反応性を示す官能基を分子中に２個以上備え、かつ、ポリマー１００重量部に対し含有量が２〜２０重量部の架橋剤を含み、ダイボンドフィルムはエポキシ樹脂を含み構成される。 （もっと読む）

【課題】粘着層への移行現象が無く、基板上の微細なパターンに対する追随性がよく、ボイドの無い硬化物を与える接着剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材、該基材上の粘着層、及び該粘着層上の接着層を含むダイシング・ダイアタッチフィルムの接着層を構成するための接着剤組成物であって、
（Ａ）２５℃において固体状態であり、５０℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ〜５００ｍＰａ・ｓであるエポキシ樹脂、
（Ｂ）前記エポキシ樹脂（Ａ）と反応性の官能基を有する、ポリイミドシリコーン樹脂またはフェノキシ樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂を、該官能基の量に対する成分（Ａ）のエポキシ基の量のモル比が３〜５０となる量で、
（Ｃ）エポキシ樹脂硬化触媒を触媒量で、及び
（Ｄ）無機充填剤を接着剤組成物の５〜９０質量％で、
含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】配線基板と接着剤層との界面のボイドの発生が抑えられる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、未硬化の接着剤層が設けられたチップを該未硬化の接着剤層を介して配線基板にダイボンドし、該チップがダイボンドされた配線基板を加熱し、該未硬化の接着剤層を硬化させて半導体装置を製造する方法であって、前記チップを、チップ保持面が凹状となっているコレットにより、該チップの未硬化の接着剤層が設けられていない面を保持する保持工程と、前記チップの外周が未硬化の接着剤層を介して前記配線基板に接するようにした後に、該チップの全面が未硬化の接着剤層を介して該配線基板に接するようにしてダイボンドするダイボンディング工程と、前記硬化が完了する前に、前記チップがダイボンドされた配線基板を常圧よりも０．０５ＭＰａ以上大きな静圧により加圧する静圧加圧工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な熱時接着力及び吸湿接着力を有し、実装時のワイヤボンディングによる熱履歴後でも支持部材の表面に形成された凹凸の凹部への充填性に優れ、耐はんだリフロー性に優れた信頼性を有する接着部材を提供する。
【解決手段】接着剤層を有する接着部材であって、前記接着剤層を１７０℃で３時間硬化させた後、動的粘弾性測定により、変位１０μｍ、振幅１０Ｈｚの条件で測定した、接着剤層硬化物の２６５℃における貯蔵弾性率が３．０ＭＰａ未満であり、前記接着剤層面を半導体パッケージ用有機基板に貼付し１７０℃で３時間硬化させた後、温度１２１℃、２気圧、湿度１００％、保持時間２０時間の条件下でプレッシャークッカテスト処理し、処理前後の前記半導体パッケージ用有機基板に対する接着剤層硬化物の２６５℃におけるダイシェア強度の比（処理後のダイシェア強度／処理前のダイシェア強度）が０．９０以上である、ことを特徴とする接着部材。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを、Ａｇペーストよりなるダイマウント材を介してアイランドに接着してなる半導体装置において、ダイマウント材を介したチップ−アイランド間の熱伝導性の向上および当該間の剥離抑制を実現する。
【解決手段】半導体チップ２０の一面２０ａおよびアイランド１１の一面１１ａに、凹凸１４を設け、Ａｇフィラーを、凹凸１４の凹部のサイズよりも平均粒径が小さく全体が凹部に入り込んでいる第１のフィラー１３ａと、凹部のサイズよりも平均粒径が大きく凹部の外側に位置しつつ第１のフィラー１３ａと接触している第２のフィラー１３ｂとを備えるものとし、さらに、第２のフィラー１３ｂの平均粒径を、チップ−アイランド間におけるダイマウント材１３の厚さよりも小さいものとした。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時にチップ等との接着性に優れ、ピックアップ時にはダイシングテープとの剥離が可能で、硬化後には、チップ等と接着性に優れ、ボイドが抑制され、高温での弾性率が高く、耐折性があり、かつ高温での耐湿性に優れるダイボンディング用熱硬化性フィルムを提供する。
【解決手段】（Ｉ）重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂、（ＩＩ）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される１種以上のエポキシ樹脂、（ＩＩＩ）ノボラック型フェノール樹脂、（ＩＶ）マレイミド化合物、（Ｖ）シランカップリング剤、並びに（ＶＩ）カルボキシル基末端アクリロニトリルブタジエンゴム又はエポキシ基含有アクリルゴムを含むダイボンディング用熱硬化性フィルムである。 （もっと読む）

【課題】チップを破損させたり、接合材の十分な展開を阻害したりすることなく、チップ搭載プロセスに必要な時間を短縮することができるダイボンディング方法及び装置を提供する。
【解決手段】ディスペンサから供給されたシリンジ１内の接合材２は、ヒータユニット３により加熱される。接合材２は、温度が高くなると、粘度が低下するので、接合材２をシリンジ１内で加熱することにより、接合材２の粘度を低下させ、接合材２の流動性を高める。これにより、接合材２は、シリンジ１からノズル１ｂを介して吐出されるときから、粘性が低く、高速で吐出することができると共に、リードフレーム１１上に供給された接合材２は、接合部１４上で半導体チップ１３の低荷重での押圧により容易に広がり、展開される。 （もっと読む）

【課題】 従来の製造工程を変更することなく、高信頼性の半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造方法、当該方法に使用する接着シート及び当該方法により得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子１３を被着体１１上に接着シート１２を介して仮固着する仮固着工程と、前記半導体素子１３にワイヤーボンディングをするワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子１３を封止樹脂１５により封止する工程とを含み、前記接着シート１２の１７５℃での損失弾性率が２０００Ｐａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワークの反りを抑制しつつ，接合作業時間の短縮が図られた接合部材の接合方法および接合装置を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法では，まず，断熱密閉されたスペース２内にワーク１０を収容する。次に，ピストン３を下方移動させ，スペース２内を加圧し，スペース２内の温度を常温よりも高い温度としている。この雰囲気の状態を維持することで，熱硬化性樹脂であるワーク１０の接着剤１８が硬化し，樹脂ケース１１とヒートシンク１２とが接合される。次に，ピストン３を上方移動させ，スペース２内を減圧し，スペース２内の温度を常温よりも低い温度にしている。この雰囲気の状態を維持することで，ワーク１０が冷却される。 （もっと読む）

【課題】低温ラミネート性、耐熱性及び低粘着性を十分に兼ね備えた接着フィルム、及び上記接着フィルムを用いた接着シートを提供すること。
【解決手段】ガラス転移温度が１０〜８０℃で重量平均分子量が２００００〜１０００００であるポリイミド樹脂と、熱硬化性樹脂と、無機フィラーと、を含み、１００℃での溶融粘度が５００〜５０００Ｐａ・ｓであり、４０℃でのフィルム表面タック強度が５０ｇｆ以下である、半導体素子固定用接着フィルム１。 （もっと読む）