半導体用途接着フィルム及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】 工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルムとその製造方法、及びそれを用いた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体を有し、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成された半導体用途接着フィルム。
【解決手段】 剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体を有し、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成された半導体用途接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用途接着フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ（以下「スタックドＭＣＰ」という）の開発がその中心を担っている。スタックドＭＣＰの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ１００μｍ以下のものが積極的に使用、検討されている。また多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。
【０００３】
このような状況の中、スタックドＭＣＰの接着部材として従来からペースト材料が用いられてきたが、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生等の原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。
【０００４】
こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤は、ペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドＭＣＰへの適用が積極的に検討されている。
【０００５】
このフィルム状接着剤は、通常、接着剤層が剥離基材Ａ上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材Ａを除去し、接着剤層上にダイシングテープを貼り付ける。その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着剤層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着剤層を有する構造となっており、この接着剤層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。
【０００６】
この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着剤層が接着剤層上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとＵＶ型ダイシングテープとの２種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着剤層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。
また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式ではウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという２つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ半導体用途接着フィルム（ダイボンドダイシングシート）が開発されている。この半導体用途接着フィルムとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ（例えば、特許文献１〜３参照）や、一つの樹脂層で粘着剤層と接着剤層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ（例えば、特許文献４参照）がある。
【０００７】
また、このような半導体用途接着フィルムを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献５、６）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【０００８】
かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの半導体用途接着フィルムは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。また、単層タイプの半導体用途接着フィルムは一般的に、剥離基材Ａ上に接着剤層と粘着剤層の両方の機能を有する樹脂層（以下、「粘接着層」という）を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に粘着剤層と貼り合わせる等の方法により作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３３４８９２３号公報
【特許文献２】特開平１０−３３５２７１号公報
【特許文献３】特許第２６７８６５５号公報
【特許文献４】特公平０７−０１５０８７号公報
【特許文献５】実公平６−１８３８３号公報
【特許文献６】登録実用新案第３０２１６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
係るプリカット加工において、接着剤層を形成する際には、接着剤層をウェハ形状に合わせた刃物等で接着剤層に対して垂直方向に切り込みを入れ、ウェハ貼付に寄与しない不要な接着剤層を剥離基材Ａより剥離し、除去する機構が広く採用されている。一方で、プリカット加工で切り込みを入れた際に接着剤層の砕片が発生し、その砕片が半導体素子に混入しまうという問題がある。
本発明は、上記、従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、接着剤層に切り込みを入れる工程を経ずに、接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥することで、工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルム及びその製造方法、並びに、上記半導体用途接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は以下に関する。
＜１＞剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、を有し、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成されたことを特徴とする半導体用途接着。
＜２＞前記接着剤層に（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の半導体用途接着フィルム。
＜３＞前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、且つエポキシ基含有モノマーの量が０．５〜５０質量％であることを特徴とする上記＜２＞に記載の半導体用途接着フィルム。
＜４＞前記接着剤層の２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での完全に硬化せしめた接着剤層の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【００１２】
＜５＞上記＜１＞〜＜４＞いずれかに記載の半導体用途接着フィルムの製造方法であって、剥離基材Ａ上に接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して積層する第１の積層工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材Ａ側と反対側の面から前記剥離基材Ａに達するまで該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする半導体用途接着フィルムの製造方法。
＜６＞ 半導体用途接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方法において、前記半導体用途接着フィルムは、上記＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の半導体用途接着フィルムであって、前記積層体を前記剥離基材Ａから剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着剤層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記接着剤層の前記粘着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着剤層から前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜７＞ 前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である上記＜６＞記載の半導体装置の製造方法。
＜８＞ 上記＜６＞又は＜７＞記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、接着剤層に切り込みを入れる工程を経ずに、接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥することで、工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルムの製造方法、並びに、上記半導体用途接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図２】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図３】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図４】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図５】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図６】図１に示す半導体用途接着フィルムのＡ−Ａ'断面図である。
【図７】本発明の半導体用途接着フィルムを用いて、半導体ウェハに接着剤層、ウェハリングに粘着剤層を貼り付けた半導体装置の製造方法を説明する断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜半導体用途接着フィルム＞
本発明の半導体用途接着フィルムは、剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成されたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体用途接着フィルムは、上述したプリカット加工が施された半導体用途接着フィルムと同様な構成を有する。そして、本発明の半導体用途接着フィルムにおいては、接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥することにより、接着剤層に切り込みを入れる工程を経ずに、工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体用途接着フィルムにおいて、上記接着剤層は、上記剥離基材Ａを剥離した後に上記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する所定の平面形状を有していることが好ましい。
上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる。なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状を完全に覆うことができる形状であればよく、半導体ウェハの平面形状に合致していてもよい。
【００１８】
更に、上記半導体用途接着フィルムにおいて、上記粘着剤層は、上記剥離基材Ａを剥離した後に上記接着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに粘着剤層が密着するように半導体用途接着フィルムの貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。
上記粘着剤層は、高エネルギー線の照射により上記接着剤層に対する粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層を粘着剤層から剥離する際において、紫外線、電子線、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。
【００１９】
上記半導体用途接着フィルムは、上記粘着剤層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材Ａとの間に配置される接着剤層を更に備えており、接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層を備えていることにより、半導体ウェハのダイシング時に使用するウェハリングに対してこの粘着剤層を貼り付け、接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、接着剤層の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、粘着剤層をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、接着剤層には十分に高い粘着力を持たせるとともに、粘着剤層にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、粘着剤層の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材Ａと粘着剤層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材Ａからの接着剤層及び粘着剤層の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。ここで、上記粘着剤層は、上記剥離基材Ａを剥離した後に上記粘着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体用途接着フィルムは、２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである接着剤層を有することが好ましい。２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が上記範囲であると、プリカットの加工性を確保できる。また、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が上記範囲であると、半導体装置の信頼性に優れる。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−７０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。
【００２１】
本発明の半導体用途接着フィルムは、剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層と、該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するよう形成された粘着剤層とが順次積層された構成を有している。本発明において、接着剤層と粘着剤層を積層体という。前記接着剤層及び粘着剤層からなる積層体は、所定の形状に切断されており、剥離基材Ａ上に部分的に積層され、上記積層体は、複数個、剥離基材Ａの長さ方向に分散配置されている。更に、剥離基材Ａには、積層体の形状の周縁に沿って、接着剤層側の面から剥離基材Ａの厚み方向に切り込み部（以下、「切り込み部Ａ」ともいう」がウェハリング形状に合致した形にプリカットされている。
【００２２】
ここで、積層体の上記所定の形状とは、剥離基材Ａ上に積層体が部分的に積層された状態となり、前記接着剤層の所定の平面形状が半導体ウェハ等の被着体の平面形状よりも大きい平面形状であれば、特に制限されないが、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。
【００２３】
半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、半導体用途接着フィルムから剥離基材Ａを剥離し、粘着剤層にウェハリングを貼り付け、その内側に半導体ウェハを貼り付ける。ここで、ウェハリングは、円環状や四角環状等の枠となっており、半導体用途接着フィルムにおける積層体の粘着剤層は、更にこのウェハリングに合致する平面形状を有していることが好ましい。
【００２４】
粘着剤層は、室温（２５℃）で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。該粘着剤層の高エネルギー線照射前の粘着力は３．０〜１５０Ｎ／ｍであることが好ましく、３０〜１００Ｎ／ｍであることがより好ましい。１５０Ｎ／ｍを超えるとウェハリングから剥がし難く、作業性が低下する。３．０Ｎ／ｍ未満であるとウェハリングに対する保持力が不足し、半導体装置の製造工程において支障をきたす恐れがある。
【００２５】
以下、半導体用途接着フィルムを構成する各層について詳細に説明する。
本発明における剥離基材Ａは、半導体用途接着フィルムの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。剥離基材Ｂは所定形状を有する接着剤層を形成するための保護フィルムとして用いる。かかる剥離基材Ａ及び剥離基材Ｂとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
また、剥離基材Ａ及び剥離基材Ｂの接着剤層側の面の一部若しくは全部が、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。剥離基材Ａの厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであることがより好ましく、２５〜５０μｍであることが特に好ましい。
【００２６】
接着剤層に用いられる（１）熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、半導体用途接着フィルムとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
本発明の半導体用途接着フィルムの接着剤層には、（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むと好ましい。
【００２７】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる半導体用途接着フィルムが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。
【００２８】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、東都化成株式会社製のＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。
【００２９】
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が、またｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７や、東都化成株式会社製、ＹＤＣＮ７００−１０等が挙げられる。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である日本化薬株式会社製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０１２、１０２５、１０２７等が挙げられる。
【００３０】
多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＥｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。
グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート６０４、東都化成株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。
脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業株式会社製 エポリードシリーズ、セロキサイドシリーズ等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３１】
エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。
【００３２】
上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ４８７１、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。
【００３３】
また、上記（２）の高分子量成分のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを含む重合体が挙げられる。官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましく、さらにこれらは、接着剤層の構成原料として用いられる、硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。
【００３４】
上記官能性モノマーを含む重合体であって、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、その中でも硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であるものが好ましい。
【００３５】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、グリシジル基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴム等を使用することができ、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。本発明でいうグリシジル基含有アクリルゴムとは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等からなるグリシジル基を含有する共重合体である。
【００３６】
このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。
【００３７】
上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成するためには、モノマー全量を基準として０．５〜５０質量％が好ましい。また、接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、０．５〜６．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％がさらに好ましく、１．０〜４．０質量％が特に好ましい。
【００３８】
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーと共重合させることも可能であり、エポキシ基含有モノマー以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。エポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、未硬化状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
【００３９】
上記官能性モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００４０】
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。
【００４１】
本発明の半導体用途接着フィルムを構成する粘着剤層としては、（３）基材層と（４）高エネルギー線重合性成分を含む糊層から構成されており、上記（３）基材層には剥離基材Ａに用いたフィルム又はシートと同様のものを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、粘着剤層は、これらのフィルムが２層以上に積層されたものであってもよい。
【００４２】
また、上記（４）糊層に高エネルギー線重合性成分を含有させることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付けた後、ダイシングを行う前に放射線照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に放射線照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような放射線重合性成分としては、従来放射線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。
【００４３】
粘着剤層に用いられる高エネルギー線重合性成分として、例えば、放射線重合性成分が挙げられる。放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。
【００４４】
また、粘着剤層には、光重合開始剤（例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ'−テトラメチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ'−テトラエチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９'−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。
【００４５】
また、粘着剤層の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜２００μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００４６】
本発明の半導体用途接着フィルムは、以上説明したような剥離基材Ａ、接着剤層及び粘着剤層を備えるものである。本発明の半導体用途接着フィルムにおいて、剥離基材Ａには、接着剤層と粘着剤層とからなる層体の平面形状の周縁に沿って、剥離基材Ａの粘着剤層側の面から剥離基材Ａの厚み方向に切り込み部Ａが形成されている。
【００４７】
また、熱で硬化する接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、無機フィラーを添加するといった方法を用いることができる。
接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするための無機フィラーは、後述する。
更に、接着剤層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量成分を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されないが、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４８】
また、接着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
また、無機フィラーの平均粒径は０．００５μｍ〜１．０μｍが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。
無機フィラーの配合量は、接着剤層１００質量％に対して１〜２０質量％であることが好ましい。前記配合量が１質量％未満では添加効果が得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００４９】
接着剤層の厚さは、半導体素子搭載用の支持部材等の被着体への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、接着剤層の厚さは１〜３００μｍであることが好ましく、１〜７５μｍであることがより好ましく、１〜２０μｍであることが特に好ましい。厚さが１μｍ未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、３００μｍを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。
【００５０】
＜半導体用途接着フィルムの製造方法＞
上記半導体用途接着フィルムの製造方法について説明する。
本発明の半導体用途接着フィルムの製造方法は、剥離基材Ａ上に所定の形状を有する接着剤層を長さ方向に同一形状、一定間隔で断続的に塗布、乾燥して積層する第１の積層工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材Ａ側と反対側の面から前記剥離基材Ａに達するまで該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする。
【００５１】
より具体的には、剥離基材Ａ上に、接着剤層を塗布する（第１の積層工程）。次いで第１の積層工程を終えた上記剥離基材Ａ上に、上記粘着剤層を積層する第２の積層工程と、プリカット刃により上記粘着剤層の面から上記剥離基材Ａに達するまで、該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、所定の形状の積層体とを形成するよう、上記剥離基材Ａに切り込み部Ａを環状に形成する（第１の切断工程）。これにより、半導体用途接着フィルムの製造を完了する。
【００５２】
以下、各製造工程についてより詳細に説明する。
第１の積層工程においては、まず、接着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとし、これを剥離基材Ａ上に塗布後、加熱により溶剤を除去する。
接着剤層を断続的に形成する方法としては所定の形状に一定間隔であれば、特に制限はなく、上記接着剤層形成用ワニスを断続的に剥離基材Ａ上に吐出して塗布する方法、剥離基材Ａ上の一部に予め撥油処理を施し、該接着剤層形成用ワニスを該撥油処理面以外に塗布し、接着剤層を形成する方法、あるいは所望する接着剤層の形状に刳り貫いた剥離基材Ｂを剥離基材Ａと接した状態とし、剥離基材Ｂの上面から該接着剤層形成用ワニスを塗布した後、剥離基材Ｂを除去し、所定の形状の接着剤層を得る方法などがある。
【００５３】
一方、第２の積層工程において用いる粘着剤層は、まず、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布後、加熱により溶剤を除去した後、別の基材フィルムと貼り合わせ、粘着剤層を得る。
【００５４】
ここで、両層形成用ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に制限されないが、層形成時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００５５】
第１の積層工程における接着剤層形成用ワニスの剥離基材Ａへの塗布方法、また第２の積層工程における粘着剤層形成用ワニスの基材フィルムへの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。
【００５６】
剥離基材Ａ上に撥油処理を施す部材としては、炭素数が１〜１６であり、フッ素を1つ以上結合しているフルオロアルキル基を有する化合物もしくはシロキサン化合物であればよく、例えば、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロドデカン酸、パーフルオロトリデカン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パーフルオロペンタデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パーフルオロヘプタン酸、（ポリ）シロキサン、例えばメチルメトキシ（ポリ）シロキサン、メチルエトキシ（ポリ）シロキサン、ジメチル（ポリ）シロキサン、ｎ−プロピルメトキシ（ポリ）シロキサン、ｎ−プロピルエトキシ（ポリ）シロキサン、イソ−ブチルメトキシ（ポリ）シロキサン、イソ−ブチルエトキシ（ポリ）シロキサン、ｎ−オクチルメトキシ（ポリ）シロキサンおよびｎ−オクチルエトキシ（ポリ）シロキサン、イソ−オクチルメトキシ（ポリ）シロキサンなどが挙げられる。
【００５７】
本発明の半導体用途接着フィルムの製造方法においては、第１の積層工程後、上記で得られた粘着剤層を前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、積層する第２の積層工程、上記粘着剤層の面から上記剥離基材Ａに達するまで、該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、所定の形状の積層体を形成するよう、上記剥離基材Ａに切り込み部Ａを環状に形成する第１の切断工程を経て、図１〜５に示すような半導体用途接着フィルムを得る。
なお、接着剤層と粘着剤層との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。
以上、本発明の半導体用途接着フィルム及び半導体用途接着フィルムの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではない。
【００５８】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明の半導体用途接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
本発明の半導体用途接着フィルムは、剥離基材Ａがキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール及び楔状の部材とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第１のロールを形成し、他端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第２のロールを形成している。そして、第２のロールの巻芯には、当該巻芯を回転させるための巻芯駆動用モータが接続されており、半導体用途接着フィルムにおける第２の積層体が剥離された後の剥離基材Ａが所定の速度で巻回されるようになっている。
【００５９】
まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロールの巻芯が回転し、第１のロールの巻芯に巻回されている半導体用途接着フィルムが第１のロールの外部に引き出される。そして、引き出された半導体用途接着フィルムは、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ及びそれを囲むように配置されたウェハリング上に導かれる。
【００６０】
次に、剥離基材Ａから、接着剤層及び粘着剤層からなる積層体が剥離される。このとき、半導体用途接着フィルムの剥離基材Ａ側から楔状の部材が当てられており、剥離基材Ａは部材側へ鋭角に曲げられ、剥離基材Ａと積層体との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材Ａと積層体との境界面にエアーが吹き付けられている。
【００６１】
このようにして剥離基材Ａと積層体との間に剥離起点が作り出された後、粘着剤層がウェハリングと密着し、接着剤層が半導体ウェハと密着するように積層体の貼り付けが行われる。このとき、ロールによって積層体は図７に示すように半導体ウェハ及びウェハリングに圧着されることとなる。そして半導体ウェハ及びウェハリング上への積層体の貼り付けが完了する。
【００６２】
以上のような手順により、半導体ウェハへの積層体の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。
そして、このような工程により積層体を半導体ウェハに貼り付ける場合、半導体用途接着フィルムを用いることにより、剥離基材Ａと積層体との間の剥離起点（剥離基材Ａと粘着剤層との間の剥離起点）を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。
【００６３】
次に、上記の工程により積層体が貼り付けられた半導体ウェハを、切削部材、例えばダイシング刃により必要な大きさにダイシングして、接着剤層が付着した半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層により半導体ウェハは粘着剤層に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハやダイシング後の半導体素子が脱落することが十分に抑制される。
【００６４】
次に、放射線等の高エネルギー線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着剤層への高エネルギー線の照射は、粘着剤層の接着剤層が設けられていない側の面から行う。
【００６５】
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を粘着剤層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子のピックアップ時において、接着剤層と粘着剤層との界面で剥離が生じやすくなり、接着剤層が半導体素子の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。そして、接着剤層が付着した半導体素子を、接着剤層を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。
【００６６】
＜半導体装置＞
本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板上に半導体素子が、接着剤層を介して積層されている。また、有機基板には、回路パターン及び端子が形成されており、この回路パターンと半導体素子とが、ワイヤボンドによってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材により封止され、半導体装置が形成されている。この半導体装置は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の半導体用途接着フィルムを用いて製造されるものである。以上、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではない。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
［半導体用途接着フィルムの作製］
（実施例１）
（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、及びカップリング剤を表１に示す組成（配合単位は質量部）で配合し、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。これに（２）高分子量成分を混合してワニスを得、真空脱気した。真空脱気後のワニス（不揮発分、１５質量％）を厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、ピューレックスＡ３１、ＰＥＴフィルム）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍの未硬化状態の四角状の接着剤層が長さ方向に２７８ｍｍの一定間隔で断続的に形成された半導体用途接着剤層を作製した。（第１の積層工程）
なお、表１中で用いた材料は、ＹＤＣＮ−７００−１０（ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製）、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（フェノール系樹脂、三井化学株式会社製）、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体、ナガセケムテックス株式会社製）、ＮＵＣ Ａ−１１６０（γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、日本ユニカー株式会社製）である。
【００６８】
粘着剤層は、放射線重合性成分としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬株式会社製、商品名：カヤラッドＤＰＨＡ)６３質量％，光重合開始剤として２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名：イルガキュア９０７）５質量％、ワニス調整用溶媒として、シクロヘキサノン３２質量％を加え、６０分以上攪拌混合し、粘着剤層形成用ワニスを調製した。この粘着剤層形成用ワニスを膜厚３８μｍの基材フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックスＡ５３）上に塗布し、１１０℃で１０分間加熱乾燥を行い、得られたフィルムをポリエチレン製フィルム（膜厚１００μｍ）と貼り合せて基材フィルム付粘着剤層を得た。
その後、基材フィルム付粘着剤層が接着剤層と接するように、ポリエチレン製フィルムを剥がし、室温（２５℃）、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた(第２の積層工程)。そして、基材フィルム付粘着剤層に対して、接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍの円形プリカット加工を行い、粘着剤層の不要部分を除去した（第１の切断工程）。これにより、図２に示すような半導体用途接着フィルムを得た。なお、説明を分かり易くするため、上記では主要部分のみ説明しているが、図２に示すように、剥離基材Ａの幅方向の両端部にも接着剤層を形成し、更に、この面上に、粘着剤層を形成しプリカット加工を行い、粘着剤層の不要部分を除去している（以下同様）。
【００６９】
(実施例２）
第１の積層工程で接着剤層の形状が六角形であること以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図３に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７０】
(実施例３)
剥離基材Ａの幅方向の中心で、直径が２１０ｍｍの部分のみ離型処理され、それ以外の面の表層部を厚みが１μｍとなるようにパーフルオロトリデカン酸を積層し、剥離基材Ｃを作製した。
剥離基材Ｃ全面に実施例１記載の接着剤層形成用ワニスを上記の直径が２１０ｍｍの離型処理面のみに塗布し、長さ方向に２７８ｍｍの一定間隔で断続的に形成された半導体用途接着剤層を作製した（第１の積層工程）。それ以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図１に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７１】
(実施例４)
実施例１記載の剥離基材Ａと予め直径２１０ｍｍの円形部分を刳り貫いた膜厚３６０μｍの剥離基材Ｂ（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックス）を完全に密着させた状態を保持しながら、該剥離基材Ｂ上面から、実施例１記載の接着剤層形成用ワニスを塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥した後、上記剥離基材Ｂを剥離基材Ａから除去し、膜厚が５０μｍの未硬化状態の円形状の接着剤層が長さ方向に２７８ｍｍの一定間隔で断続的に形成された半導体用途接着剤層を作製した（第１の積層工程）。
それ以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図１に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７２】
（比較例１）
表１に示す組成（配合単位は質量部）で配合してなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。これに（２）高分子量成分を混合してワニスを得、真空脱気した。真空脱気後のワニス（不揮発分、１５質量％）を厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、ピューレックスＡ３１、ＰＥＴフィルム）上全面に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍの未硬化状態の接着剤層を備えた半導体用接着剤層を作製した（第１の積層工程）。
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み、直径２１０ｍｍの円形プリカット加工を行った（接着剤層の切断工程）以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図１に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７３】
［半導体用途接着フィルムの評価］
実施例１〜４及び比較例１で作製した半導体用途接着フィルムの特性を、以下に示す各項目によって評価した。評価結果を表１に示した。
【００７４】
[接着剤層位置精度（面積比，位置ズレ）]
前記の通り、接着剤層および粘着剤層を備えた半導体用途接着フィルムを作製した接着フィルムを用い、所望する接着剤層の形状の面積を１００としたときの得られた接着剤層の面積比を算出し面積比として評価した。また、剥離基材の長さ方向の位置ズレの平均値を算出し位置ズレとして測定した(単位：ｍｍ)。
【００７５】
[プリカット品歩留り]
長さ４６０ｍ、幅３００ｍｍの基材フィルム付接着剤層を第１の積層工程で直径２１０ｍｍにプリカットし、基材フィルム付粘着剤層を貼り合わせ、第２の積層工程、第２の切断工程を経て半導体用途接着フィルムを作製した際、以下の数式を用いて歩留りを算出した。
（プリカット品歩留り）＝［（加工に成功した枚数）／（全加工枚数）］×１００
【００７６】
【表１】
【００７７】
接着剤層をプリカット加工した比較例1に比べ、塗布、乾燥して形成した実施例１〜４では、製品歩留まりが高く、さらにプリカット加工などの工程が省け工数の低減により生産性に優れる。また、プリカット加工した際の、プリカット加工で切り込みを入れた際に接着剤層の砕片が発生し、半導体素子に混入し、特性に不具合を発生してしまう問題を解決することができる。プリカット品歩留りの測定で、６３０ｍから得られた半導体用途接着フィルムの接着剤層の周囲を顕微鏡観察したが砕片が見られなかった。これに対し、比較例１では、接着剤層の砕片が発生していた。
【符号の説明】
【００７８】
１ ウェハ
２ 接着剤層
３ 剥離基材
４ 粘着剤層
５ 基材フィルム付粘着剤層の基材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用途接着フィルム及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量小型化の要求が急速に高まりつつある。これに伴い、半導体素子の高密度実装に対するニーズは年々強まり、特に半導体素子を積層するスタックドマルチチップパッケージ（以下「スタックドＭＣＰ」という）の開発がその中心を担っている。スタックドＭＣＰの技術開発は、パッケージの小型化と多段積載という相反する目標の両立にある。そのため、特に半導体素子に使用されるシリコンウェハの厚さは薄膜化が急速に進み、ウェハ厚さ１００μｍ以下のものが積極的に使用、検討されている。また多段積載は、パッケージ作製工程の複雑化を引き起こすため、パッケージ作製工程の簡素化及び、多段積載によるワイヤーボンディングの熱履歴回数の増加に対応した作製プロセス、材料の提案が求められている。
【０００３】
このような状況の中、スタックドＭＣＰの接着部材として従来からペースト材料が用いられてきたが、ペースト材料では、半導体素子の接着プロセスにおいて樹脂のはみ出しが生じたり、膜厚精度が低いといった問題がある。これらの問題は、ワイヤーボンディング時の不具合発生やペースト剤のボイド発生等の原因となるため、ペースト材料を用いた場合では、上述の要求に対処しきれなくなってきている。
【０００４】
こうした問題を改善するために、近年、ペースト材料に代えてフィルム状の接着剤が使用される傾向にある。フィルム状の接着剤は、ペースト材料と比較して、半導体素子の接着プロセスにおけるはみ出し量を少なく制御することが可能であり、且つ、フィルムの膜厚精度を高めて、膜厚のばらつきを小さくすることが可能であることから、特にスタックドＭＣＰへの適用が積極的に検討されている。
【０００５】
このフィルム状接着剤は、通常、接着剤層が剥離基材Ａ上に形成された構成を有しており、その代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。ウェハ裏面貼り付け方式とは、半導体素子の作製に用いられるシリコンウェハの裏面にフィルム状接着剤を直接貼付ける方法である。この方法では、半導体ウェハに対するフィルム状接着剤の貼付けを行った後、剥離基材Ａを除去し、接着剤層上にダイシングテープを貼り付ける。その後、ウェハリングに装着させて所望の半導体素子寸法にウェハを接着剤層ごと切削加工する。ダイシング後の半導体素子は裏面に同じ寸法に切り出された接着剤層を有する構造となっており、この接着剤層付きの半導体素子をピックアップして搭載されるべき基板に熱圧着等の方法で貼り付ける。
【０００６】
この裏面貼付け方式に用いられるダイシングテープは、通常、粘着剤層が接着剤層上に形成された構成を有しており、感圧型ダイシングテープとＵＶ型ダイシングテープとの２種類に大別される。ダイシングテープに要求される機能としては、ダイシング時には、ウェハ切断に伴う負荷によって半導体素子が飛散しない十分な粘着力が求められ、ダイシングした各半導体素子をピックアップする際には、各素子への粘着剤残りが無く、接着剤層付きの半導体素子がダイボンダー設備で容易にピックアップできることが求められる。
また、パッケージ作製工程の短縮化の要望から、更にプロセス改善の要求が高まっている。従来のウェハ裏面貼付け方式ではウェハへフィルム状接着剤を貼付けた後、ダイシングテープを貼付けるという２つの工程が必要であったことから、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとの両方の機能を併せ持つ半導体用途接着フィルム（ダイボンドダイシングシート）が開発されている。この半導体用途接着フィルムとしては、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせた構造を持つ積層タイプ（例えば、特許文献１〜３参照）や、一つの樹脂層で粘着剤層と接着剤層との両方の機能を兼ね備えた単層タイプ（例えば、特許文献４参照）がある。
【０００７】
また、このような半導体用途接着フィルムを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献５、６）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【０００８】
かかるプリカット加工を施す場合、積層タイプの半導体用途接着フィルムは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。また、単層タイプの半導体用途接着フィルムは一般的に、剥離基材Ａ上に接着剤層と粘着剤層の両方の機能を有する樹脂層（以下、「粘接着層」という）を形成し、この粘接着層に対してプリカット加工を行い、樹脂層の不要部分を除去した後に粘着剤層と貼り合わせる等の方法により作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３３４８９２３号公報
【特許文献２】特開平１０−３３５２７１号公報
【特許文献３】特許第２６７８６５５号公報
【特許文献４】特公平０７−０１５０８７号公報
【特許文献５】実公平６−１８３８３号公報
【特許文献６】登録実用新案第３０２１６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
係るプリカット加工において、接着剤層を形成する際には、接着剤層をウェハ形状に合わせた刃物等で接着剤層に対して垂直方向に切り込みを入れ、ウェハ貼付に寄与しない不要な接着剤層を剥離基材Ａより剥離し、除去する機構が広く採用されている。一方で、プリカット加工で切り込みを入れた際に接着剤層の砕片が発生し、その砕片が半導体素子に混入しまうという問題がある。
本発明は、上記、従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、接着剤層に切り込みを入れる工程を経ずに、接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥することで、工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルム及びその製造方法、並びに、上記半導体用途接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は以下に関する。
＜１＞剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、を有し、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成されたことを特徴とする半導体用途接着。
＜２＞前記接着剤層に（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むことを特徴とする上記＜１＞に記載の半導体用途接着フィルム。
＜３＞前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、且つエポキシ基含有モノマーの量が０．５〜５０質量％であることを特徴とする上記＜２＞に記載の半導体用途接着フィルム。
＜４＞前記接着剤層の２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での完全に硬化せしめた接着剤層の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである上記＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【００１２】
＜５＞上記＜１＞〜＜４＞いずれかに記載の半導体用途接着フィルムの製造方法であって、剥離基材Ａ上に接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して積層する第１の積層工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材Ａ側と反対側の面から前記剥離基材Ａに達するまで該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする半導体用途接着フィルムの製造方法。
＜６＞ 半導体用途接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方法において、前記半導体用途接着フィルムは、上記＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の半導体用途接着フィルムであって、前記積層体を前記剥離基材Ａから剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着剤層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記接着剤層の前記粘着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着剤層から前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜７＞ 前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である上記＜６＞記載の半導体装置の製造方法。
＜８＞ 上記＜６＞又は＜７＞記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、接着剤層に切り込みを入れる工程を経ずに、接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥することで、工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルムの製造方法、並びに、上記半導体用途接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図２】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図３】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図４】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図５】本発明に係る剥離基材、接着剤層と粘着剤層とを備えた半導体用途接着フィルムの一例の平面図である。
【図６】図１に示す半導体用途接着フィルムのＡ−Ａ'断面図である。
【図７】本発明の半導体用途接着フィルムを用いて、半導体ウェハに接着剤層、ウェハリングに粘着剤層を貼り付けた半導体装置の製造方法を説明する断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜半導体用途接着フィルム＞
本発明の半導体用途接着フィルムは、剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成されたことを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体用途接着フィルムは、上述したプリカット加工が施された半導体用途接着フィルムと同様な構成を有する。そして、本発明の半導体用途接着フィルムにおいては、接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥することにより、接着剤層に切り込みを入れる工程を経ずに、工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することができる。
【００１７】
また、本発明の半導体用途接着フィルムにおいて、上記接着剤層は、上記剥離基材Ａを剥離した後に上記積層体を貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する所定の平面形状を有していることが好ましい。
上記被着体としては、例えば半導体ウェハが挙げられるが、この半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる。なお、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状を完全に覆うことができる形状であればよく、半導体ウェハの平面形状に合致していてもよい。
【００１８】
更に、上記半導体用途接着フィルムにおいて、上記粘着剤層は、上記剥離基材Ａを剥離した後に上記接着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。これにより、半導体ウェハをダイシングする際に半導体ウェハが十分に固定され、ダイシングが容易となる。また、半導体ウェハをダイシングする際にウェハリングを用い、このウェハリングに粘着剤層が密着するように半導体用途接着フィルムの貼り付けを行った場合、ウェハリングへの粘着力が十分に得られてダイシングが容易となる。
上記粘着剤層は、高エネルギー線の照射により上記接着剤層に対する粘着力が低下することが好ましい。これにより、接着剤層を粘着剤層から剥離する際において、紫外線、電子線、放射線等の高エネルギー線を照射することにより、剥離が容易に可能となる。
【００１９】
上記半導体用途接着フィルムは、上記粘着剤層の周縁部の少なくとも一部と上記剥離基材Ａとの間に配置される接着剤層を更に備えており、接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層を備えていることにより、半導体ウェハのダイシング時に使用するウェハリングに対してこの粘着剤層を貼り付け、接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられないようにすることができる。接着剤層がウェハリングに直接貼り付けられる場合には、接着剤層の粘着力は、ウェハリングから容易に剥離できる程度の低い粘着力に調整する必要が生じるが、粘着剤層をウェハリングに貼り付けることにより、このような粘着力の調整が不要となる。したがって、接着剤層には十分に高い粘着力を持たせるとともに、粘着剤層にはウェハリングを容易に剥離できる程度の十分に低い粘着力を持たせることにより、半導体ウェハのダイシング作業及びその後のウェハリングの剥離作業をより効率的に行うことが可能となる。更に、粘着剤層の粘着力を十分に低く調整することができるため、剥離基材Ａと粘着剤層との間に剥離起点を作り出しやすくなり、剥離基材Ａからの接着剤層及び粘着剤層の剥離が容易となって剥離不良の発生をより十分に抑制することが可能となる。ここで、上記粘着剤層は、上記剥離基材Ａを剥離した後に上記粘着剤層を貼り付けるべき被着体及び上記接着剤層に対して室温（２５℃）で粘着性を有することが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体用途接着フィルムは、２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである接着剤層を有することが好ましい。２５℃での硬化前の貯蔵弾性率が上記範囲であると、プリカットの加工性を確保できる。また、２６０℃での硬化後の貯蔵弾性率が上記範囲であると、半導体装置の信頼性に優れる。この貯蔵弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤硬化物に引張荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎの条件で−７０℃から３００℃まで測定する、温度依存性測定モードによって測定できる。
【００２１】
本発明の半導体用途接着フィルムは、剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層と、該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するよう形成された粘着剤層とが順次積層された構成を有している。本発明において、接着剤層と粘着剤層を積層体という。前記接着剤層及び粘着剤層からなる積層体は、所定の形状に切断されており、剥離基材Ａ上に部分的に積層され、上記積層体は、複数個、剥離基材Ａの長さ方向に分散配置されている。更に、剥離基材Ａには、積層体の形状の周縁に沿って、接着剤層側の面から剥離基材Ａの厚み方向に切り込み部（以下、「切り込み部Ａ」ともいう」がウェハリング形状に合致した形にプリカットされている。
【００２２】
ここで、積層体の上記所定の形状とは、剥離基材Ａ上に積層体が部分的に積層された状態となり、前記接着剤層の所定の平面形状が半導体ウェハ等の被着体の平面形状よりも大きい平面形状であれば、特に制限されないが、例えば、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、ウェハ形状（円の外周の一部が直線である形状）等の、半導体ウェハへの貼付が容易な形状であることが好ましい。これらの中でも、半導体ウェハ搭載部以外の無駄な部分を少なくするために、円形やウェハ形状が好ましい。
【００２３】
半導体ウェハのダイシングを行う際には、通常、ダイシング装置での取り扱いのためにウェハリングが用いられる。この場合、半導体用途接着フィルムから剥離基材Ａを剥離し、粘着剤層にウェハリングを貼り付け、その内側に半導体ウェハを貼り付ける。ここで、ウェハリングは、円環状や四角環状等の枠となっており、半導体用途接着フィルムにおける積層体の粘着剤層は、更にこのウェハリングに合致する平面形状を有していることが好ましい。
【００２４】
粘着剤層は、室温（２５℃）で半導体ウェハやウェハリング等の被着体を十分に固定することが可能であり、且つ、ウェハリング等に対してはダイシング後に剥離可能な程度の粘着性を有していることが好ましい。該粘着剤層の高エネルギー線照射前の粘着力は３．０〜１５０Ｎ／ｍであることが好ましく、３０〜１００Ｎ／ｍであることがより好ましい。１５０Ｎ／ｍを超えるとウェハリングから剥がし難く、作業性が低下する。３．０Ｎ／ｍ未満であるとウェハリングに対する保持力が不足し、半導体装置の製造工程において支障をきたす恐れがある。
【００２５】
以下、半導体用途接着フィルムを構成する各層について詳細に説明する。
本発明における剥離基材Ａは、半導体用途接着フィルムの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。剥離基材Ｂは所定形状を有する接着剤層を形成するための保護フィルムとして用いる。かかる剥離基材Ａ及び剥離基材Ｂとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。
また、剥離基材Ａ及び剥離基材Ｂの接着剤層側の面の一部若しくは全部が、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていることが好ましい。剥離基材Ａの厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、１０〜５００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであることがより好ましく、２５〜５０μｍであることが特に好ましい。
【００２６】
接着剤層に用いられる（１）熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、半導体用途接着フィルムとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化して接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。
本発明の半導体用途接着フィルムの接着剤層には、（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むと好ましい。
【００２７】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れる半導体用途接着フィルムが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが好ましい。
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限されない。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。
【００２８】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコートシリーズ（エピコート８０７、エピコート８１５、エピコート８２５、エピコート８２７、エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１００７、エピコート１００９）、ダウケミカル社製のＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び、東都化成株式会社製のＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。
【００２９】
フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート１５２、エピコート１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が、またｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７や、東都化成株式会社製、ＹＤＣＮ７００−１０等が挙げられる。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である日本化薬株式会社製 ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、１０１２、１０２５、１０２７等が挙げられる。
【００３０】
多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のＥｐｏｎ １０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。
グリシジルアミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート６０４、東都化成株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。
複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。
脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業株式会社製 エポリードシリーズ、セロキサイドシリーズ等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３１】
エポキシ樹脂を使用する際は、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。なお、本発明においてエポキシ樹脂硬化剤とは、エポキシ基に触媒的に作用し架橋を促進するような、いわゆる硬化促進剤と呼ばれるものも含む。
【００３２】
上記エポキシ樹脂硬化剤としてのフェノール樹脂の中で好ましいものとしては、例えば、大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ４８７１、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名：エピキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、エピキュアＹＬ６０６５、エピキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲ等が挙げられる。
【００３３】
また、上記（２）の高分子量成分のうち好ましいものの一つとして、官能性モノマーを含む重合体が挙げられる。官能性モノマーとは、官能基を有するモノマーのことをいい、かかる重合体における官能基としては、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリジシル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましく、さらにこれらは、接着剤層の構成原料として用いられる、硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることが好ましい。
【００３４】
上記官能性モノマーを含む重合体であって、重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有し、かつ重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体等が挙げられ、その中でも硬化前のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であるものが好ましい。
【００３５】
上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、グリシジル基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、グリシジル基含有アクリルゴム等を使用することができ、グリシジル基含有アクリルゴムがより好ましい。本発明でいうグリシジル基含有アクリルゴムとは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等からなるグリシジル基を含有する共重合体である。
【００３６】
このようなモノマーとしては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等を使用することが好ましい。重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体として具体的には、例えば、ナガセケムテックス株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名）等が挙げられる。
【００３７】
上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー単位の量は、加熱により硬化して網目構造を効果的に形成するためには、モノマー全量を基準として０．５〜５０質量％が好ましい。また、接着力を確保できるとともに、ゲル化を防止することができるという観点からは、０．５〜６．０質量％がより好ましく、０．８〜５．０質量％がさらに好ましく、１．０〜４．０質量％が特に好ましい。
【００３８】
グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等のエポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーと共重合させることも可能であり、エポキシ基含有モノマー以外の上記官能性モノマーとしては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチル（メタ）アクリレートとは、エチルアクリレート又はエチルメタクリレートを示す。エポキシ基含有モノマー以外の官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して決定し、Ｔｇが−１０℃以上となるようにすることが好ましい。Ｔｇが−１０℃以上であると、未硬化状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。
【００３９】
上記官能性モノマーを重合させて、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーを含む高分子量成分の重量平均分子量は、１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００４０】
また、官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１０〜４００質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成形時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、高分子量成分の使用量は、熱重合性成分１００質量部に対して、１５〜３５０質量部がより好ましく、２０〜３００質量部が特に好ましい。
【００４１】
本発明の半導体用途接着フィルムを構成する粘着剤層としては、（３）基材層と（４）高エネルギー線重合性成分を含む糊層から構成されており、上記（３）基材層には剥離基材Ａに用いたフィルム又はシートと同様のものを用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。更に、粘着剤層は、これらのフィルムが２層以上に積層されたものであってもよい。
【００４２】
また、上記（４）糊層に高エネルギー線重合性成分を含有させることにより、半導体ウェハ等の被着体に接着剤層を貼り付けた後、ダイシングを行う前に放射線照射してダイシング時の粘着力を向上させることや、逆にダイシングを行った後に放射線照射して粘着力を低下させることでピックアップを容易にすることができる。本発明において、このような放射線重合性成分としては、従来放射線重合性のダイシングシートに使用されていた化合物を特に制限なく使用することができる。
【００４３】
粘着剤層に用いられる高エネルギー線重合性成分として、例えば、放射線重合性成分が挙げられる。放射線重合性成分としては、特に制限されないが、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等を使用することができる。
【００４４】
また、粘着剤層には、光重合開始剤（例えば、放射線等の高エネルギー線の照射によって遊離ラジカルを生成するようなもの）を添加することもできる。かかる光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ'−テトラメチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ'−テトラエチル−４，４'−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９'−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。
【００４５】
また、粘着剤層の厚さは、１０〜５００μｍであることが好ましく、２５〜２００μｍであることがより好ましく、５０〜１５０μｍであることが特に好ましい。
【００４６】
本発明の半導体用途接着フィルムは、以上説明したような剥離基材Ａ、接着剤層及び粘着剤層を備えるものである。本発明の半導体用途接着フィルムにおいて、剥離基材Ａには、接着剤層と粘着剤層とからなる層体の平面形状の周縁に沿って、剥離基材Ａの粘着剤層側の面から剥離基材Ａの厚み方向に切り込み部Ａが形成されている。
【００４７】
また、熱で硬化する接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするために、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やしたり、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げたり、無機フィラーを添加するといった方法を用いることができる。
接着剤層の貯蔵弾性率を大きくするための無機フィラーは、後述する。
更に、接着剤層には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量成分を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されないが、例えばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００４８】
また、接着剤層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
これらのなかでも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。
また、無機フィラーの平均粒径は０．００５μｍ〜１．０μｍが好ましく、これより小さくても大きくても接着性が低下する可能性がある。
無機フィラーの配合量は、接着剤層１００質量％に対して１〜２０質量％であることが好ましい。前記配合量が１質量％未満では添加効果が得られない傾向があり、２０質量％を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。
【００４９】
接着剤層の厚さは、半導体素子搭載用の支持部材等の被着体への接着性は十分に確保しつつ、半導体ウェハへの貼り付け作業及び貼り付け後のダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であることが望ましい。かかる観点から、接着剤層の厚さは１〜３００μｍであることが好ましく、１〜７５μｍであることがより好ましく、１〜２０μｍであることが特に好ましい。厚さが１μｍ未満であると、十分なダイボンド接着力を確保することが困難となる傾向があり、３００μｍを超えると、貼り付け作業やダイシング作業への影響等の不具合が生じる傾向がある。
【００５０】
＜半導体用途接着フィルムの製造方法＞
上記半導体用途接着フィルムの製造方法について説明する。
本発明の半導体用途接着フィルムの製造方法は、剥離基材Ａ上に所定の形状を有する接着剤層を長さ方向に同一形状、一定間隔で断続的に塗布、乾燥して積層する第１の積層工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材Ａ側と反対側の面から前記剥離基材Ａに達するまで該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする。
【００５１】
より具体的には、剥離基材Ａ上に、接着剤層を塗布する（第１の積層工程）。次いで第１の積層工程を終えた上記剥離基材Ａ上に、上記粘着剤層を積層する第２の積層工程と、プリカット刃により上記粘着剤層の面から上記剥離基材Ａに達するまで、該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、所定の形状の積層体とを形成するよう、上記剥離基材Ａに切り込み部Ａを環状に形成する（第１の切断工程）。これにより、半導体用途接着フィルムの製造を完了する。
【００５２】
以下、各製造工程についてより詳細に説明する。
第１の積層工程においては、まず、接着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとし、これを剥離基材Ａ上に塗布後、加熱により溶剤を除去する。
接着剤層を断続的に形成する方法としては所定の形状に一定間隔であれば、特に制限はなく、上記接着剤層形成用ワニスを断続的に剥離基材Ａ上に吐出して塗布する方法、剥離基材Ａ上の一部に予め撥油処理を施し、該接着剤層形成用ワニスを該撥油処理面以外に塗布し、接着剤層を形成する方法、あるいは所望する接着剤層の形状に刳り貫いた剥離基材Ｂを剥離基材Ａと接した状態とし、剥離基材Ｂの上面から該接着剤層形成用ワニスを塗布した後、剥離基材Ｂを除去し、所定の形状の接着剤層を得る方法などがある。
【００５３】
一方、第２の積層工程において用いる粘着剤層は、まず、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布後、加熱により溶剤を除去した後、別の基材フィルムと貼り合わせ、粘着剤層を得る。
【００５４】
ここで、両層形成用ワニスの調製に使用する上記溶剤としては、各構成材料を溶解又は分散することが可能なものであれば特に制限されないが、層形成時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。
【００５５】
第１の積層工程における接着剤層形成用ワニスの剥離基材Ａへの塗布方法、また第２の積層工程における粘着剤層形成用ワニスの基材フィルムへの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。
【００５６】
剥離基材Ａ上に撥油処理を施す部材としては、炭素数が１〜１６であり、フッ素を1つ以上結合しているフルオロアルキル基を有する化合物もしくはシロキサン化合物であればよく、例えば、パーフルオロオクタン酸、パーフルオロドデカン酸、パーフルオロトリデカン酸、パーフルオロテトラデカン酸、パーフルオロペンタデカン酸、パーフルオロヘキサデカン酸、パーフルオロヘプタン酸、（ポリ）シロキサン、例えばメチルメトキシ（ポリ）シロキサン、メチルエトキシ（ポリ）シロキサン、ジメチル（ポリ）シロキサン、ｎ−プロピルメトキシ（ポリ）シロキサン、ｎ−プロピルエトキシ（ポリ）シロキサン、イソ−ブチルメトキシ（ポリ）シロキサン、イソ−ブチルエトキシ（ポリ）シロキサン、ｎ−オクチルメトキシ（ポリ）シロキサンおよびｎ−オクチルエトキシ（ポリ）シロキサン、イソ−オクチルメトキシ（ポリ）シロキサンなどが挙げられる。
【００５７】
本発明の半導体用途接着フィルムの製造方法においては、第１の積層工程後、上記で得られた粘着剤層を前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、積層する第２の積層工程、上記粘着剤層の面から上記剥離基材Ａに達するまで、該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、所定の形状の積層体を形成するよう、上記剥離基材Ａに切り込み部Ａを環状に形成する第１の切断工程を経て、図１〜５に示すような半導体用途接着フィルムを得る。
なお、接着剤層と粘着剤層との貼り合わせは、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネーター等を用いて行うことができる。
以上、本発明の半導体用途接着フィルム及び半導体用途接着フィルムの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではない。
【００５８】
＜半導体装置の製造方法＞
本発明の半導体用途接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
本発明の半導体用途接着フィルムは、剥離基材Ａがキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール及び楔状の部材とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第１のロールを形成し、他端が円柱状の巻芯に接続された状態で巻回され第２のロールを形成している。そして、第２のロールの巻芯には、当該巻芯を回転させるための巻芯駆動用モータが接続されており、半導体用途接着フィルムにおける第２の積層体が剥離された後の剥離基材Ａが所定の速度で巻回されるようになっている。
【００５９】
まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロールの巻芯が回転し、第１のロールの巻芯に巻回されている半導体用途接着フィルムが第１のロールの外部に引き出される。そして、引き出された半導体用途接着フィルムは、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ及びそれを囲むように配置されたウェハリング上に導かれる。
【００６０】
次に、剥離基材Ａから、接着剤層及び粘着剤層からなる積層体が剥離される。このとき、半導体用途接着フィルムの剥離基材Ａ側から楔状の部材が当てられており、剥離基材Ａは部材側へ鋭角に曲げられ、剥離基材Ａと積層体との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材Ａと積層体との境界面にエアーが吹き付けられている。
【００６１】
このようにして剥離基材Ａと積層体との間に剥離起点が作り出された後、粘着剤層がウェハリングと密着し、接着剤層が半導体ウェハと密着するように積層体の貼り付けが行われる。このとき、ロールによって積層体は図７に示すように半導体ウェハ及びウェハリングに圧着されることとなる。そして半導体ウェハ及びウェハリング上への積層体の貼り付けが完了する。
【００６２】
以上のような手順により、半導体ウェハへの積層体の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。
そして、このような工程により積層体を半導体ウェハに貼り付ける場合、半導体用途接着フィルムを用いることにより、剥離基材Ａと積層体との間の剥離起点（剥離基材Ａと粘着剤層との間の剥離起点）を容易に作り出すことができ、剥離不良の発生を十分に抑制することができる。
【００６３】
次に、上記の工程により積層体が貼り付けられた半導体ウェハを、切削部材、例えばダイシング刃により必要な大きさにダイシングして、接着剤層が付着した半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層により半導体ウェハは粘着剤層に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハやダイシング後の半導体素子が脱落することが十分に抑制される。
【００６４】
次に、放射線等の高エネルギー線を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化させる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着剤層への高エネルギー線の照射は、粘着剤層の接着剤層が設けられていない側の面から行う。
【００６５】
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を粘着剤層の下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子のピックアップ時において、接着剤層と粘着剤層との界面で剥離が生じやすくなり、接着剤層が半導体素子の下面に付着した状態でピックアップされることとなる。そして、接着剤層が付着した半導体素子を、接着剤層を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。
【００６６】
＜半導体装置＞
本発明の半導体装置は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板上に半導体素子が、接着剤層を介して積層されている。また、有機基板には、回路パターン及び端子が形成されており、この回路パターンと半導体素子とが、ワイヤボンドによってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材により封止され、半導体装置が形成されている。この半導体装置は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の半導体用途接着フィルムを用いて製造されるものである。以上、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではない。
【実施例】
【００６７】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
［半導体用途接着フィルムの作製］
（実施例１）
（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤、及びカップリング剤を表１に示す組成（配合単位は質量部）で配合し、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。これに（２）高分子量成分を混合してワニスを得、真空脱気した。真空脱気後のワニス（不揮発分、１５質量％）を厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、ピューレックスＡ３１、ＰＥＴフィルム）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍの未硬化状態の四角状の接着剤層が長さ方向に２７８ｍｍの一定間隔で断続的に形成された半導体用途接着剤層を作製した。（第１の積層工程）
なお、表１中で用いた材料は、ＹＤＣＮ−７００−１０（ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製）、ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（フェノール系樹脂、三井化学株式会社製）、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体、ナガセケムテックス株式会社製）、ＮＵＣ Ａ−１１６０（γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、日本ユニカー株式会社製）である。
【００６８】
粘着剤層は、放射線重合性成分としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬株式会社製、商品名：カヤラッドＤＰＨＡ)６３質量％，光重合開始剤として２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン（Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、商品名：イルガキュア９０７）５質量％、ワニス調整用溶媒として、シクロヘキサノン３２質量％を加え、６０分以上攪拌混合し、粘着剤層形成用ワニスを調製した。この粘着剤層形成用ワニスを膜厚３８μｍの基材フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックスＡ５３）上に塗布し、１１０℃で１０分間加熱乾燥を行い、得られたフィルムをポリエチレン製フィルム（膜厚１００μｍ）と貼り合せて基材フィルム付粘着剤層を得た。
その後、基材フィルム付粘着剤層が接着剤層と接するように、ポリエチレン製フィルムを剥がし、室温（２５℃）、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付けた(第２の積層工程)。そして、基材フィルム付粘着剤層に対して、接着剤層と同心円状に直径２９０ｍｍの円形プリカット加工を行い、粘着剤層の不要部分を除去した（第１の切断工程）。これにより、図２に示すような半導体用途接着フィルムを得た。なお、説明を分かり易くするため、上記では主要部分のみ説明しているが、図２に示すように、剥離基材Ａの幅方向の両端部にも接着剤層を形成し、更に、この面上に、粘着剤層を形成しプリカット加工を行い、粘着剤層の不要部分を除去している（以下同様）。
【００６９】
(実施例２）
第１の積層工程で接着剤層の形状が六角形であること以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図３に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７０】
(実施例３)
剥離基材Ａの幅方向の中心で、直径が２１０ｍｍの部分のみ離型処理され、それ以外の面の表層部を厚みが１μｍとなるようにパーフルオロトリデカン酸を積層し、剥離基材Ｃを作製した。
剥離基材Ｃ全面に実施例１記載の接着剤層形成用ワニスを上記の直径が２１０ｍｍの離型処理面のみに塗布し、長さ方向に２７８ｍｍの一定間隔で断続的に形成された半導体用途接着剤層を作製した（第１の積層工程）。それ以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図１に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７１】
(実施例４)
実施例１記載の剥離基材Ａと予め直径２１０ｍｍの円形部分を刳り貫いた膜厚３６０μｍの剥離基材Ｂ（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：テイジンピューレックス）を完全に密着させた状態を保持しながら、該剥離基材Ｂ上面から、実施例１記載の接着剤層形成用ワニスを塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥した後、上記剥離基材Ｂを剥離基材Ａから除去し、膜厚が５０μｍの未硬化状態の円形状の接着剤層が長さ方向に２７８ｍｍの一定間隔で断続的に形成された半導体用途接着剤層を作製した（第１の積層工程）。
それ以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図１に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７２】
（比較例１）
表１に示す組成（配合単位は質量部）で配合してなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。これに（２）高分子量成分を混合してワニスを得、真空脱気した。真空脱気後のワニス（不揮発分、１５質量％）を厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、ピューレックスＡ３１、ＰＥＴフィルム）上全面に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が５０μｍの未硬化状態の接着剤層を備えた半導体用接着剤層を作製した（第１の積層工程）。
得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み、直径２１０ｍｍの円形プリカット加工を行った（接着剤層の切断工程）以外は実施例１と全く同様の操作を行い、図１に示すような半導体用途接着フィルムを得た。
【００７３】
［半導体用途接着フィルムの評価］
実施例１〜４及び比較例１で作製した半導体用途接着フィルムの特性を、以下に示す各項目によって評価した。評価結果を表１に示した。
【００７４】
[接着剤層位置精度（面積比，位置ズレ）]
前記の通り、接着剤層および粘着剤層を備えた半導体用途接着フィルムを作製した接着フィルムを用い、所望する接着剤層の形状の面積を１００としたときの得られた接着剤層の面積比を算出し面積比として評価した。また、剥離基材の長さ方向の位置ズレの平均値を算出し位置ズレとして測定した(単位：ｍｍ)。
【００７５】
[プリカット品歩留り]
長さ４６０ｍ、幅３００ｍｍの基材フィルム付接着剤層を第１の積層工程で直径２１０ｍｍにプリカットし、基材フィルム付粘着剤層を貼り合わせ、第２の積層工程、第２の切断工程を経て半導体用途接着フィルムを作製した際、以下の数式を用いて歩留りを算出した。
（プリカット品歩留り）＝［（加工に成功した枚数）／（全加工枚数）］×１００
【００７６】
【表１】
【００７７】
接着剤層をプリカット加工した比較例1に比べ、塗布、乾燥して形成した実施例１〜４では、製品歩留まりが高く、さらにプリカット加工などの工程が省け工数の低減により生産性に優れる。また、プリカット加工した際の、プリカット加工で切り込みを入れた際に接着剤層の砕片が発生し、半導体素子に混入し、特性に不具合を発生してしまう問題を解決することができる。プリカット品歩留りの測定で、６３０ｍから得られた半導体用途接着フィルムの接着剤層の周囲を顕微鏡観察したが砕片が見られなかった。これに対し、比較例１では、接着剤層の砕片が発生していた。
【符号の説明】
【００７８】
１ ウェハ
２ 接着剤層
３ 剥離基材
４ 粘着剤層
５ 基材フィルム付粘着剤層の基材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成されたことを特徴とする半導体用途接着フィルム。
【請求項２】
前記接着剤層に（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項３】
前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、且つエポキシ基含有モノマーの量が０．５〜５０質量％であることを特徴とする請求項２記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項４】
前記接着剤層の２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での完全に硬化せしめた接着剤層の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の半導体用途接着フィルムの製造方法であって、剥離基材Ａ上に接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して積層する第１の積層工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材Ａ側と反対側の面から前記剥離基材Ａに達するまで該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする半導体用途接着フィルムの製造方法。
【請求項６】
半導体用途接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方法において、前記半導体用途接着フィルムは請求項１〜４のいずれかに記載の半導体用途接着フィルムであって、前記積層体を前記剥離基材Ａから剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着剤層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記接着剤層の前記粘着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着剤層から前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【請求項１】
剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体と、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層が同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成されたことを特徴とする半導体用途接着フィルム。
【請求項２】
前記接着剤層に（１）エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱重合性成分と、（２）官能性モノマーを含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項３】
前記高分子量成分が、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であり、且つエポキシ基含有モノマーの量が０．５〜５０質量％であることを特徴とする請求項２記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項４】
前記接着剤層の２５℃での貯蔵弾性率が１０〜１００００ＭＰａであり、且つ、２６０℃での完全に硬化せしめた接着剤層の貯蔵弾性率が０．５〜１０００ＭＰａである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用途接着フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかに記載の半導体用途接着フィルムの製造方法であって、剥離基材Ａ上に接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して積層する第１の積層工程、前記所定の平面形状の接着剤層及び前記剥離基材Ａを覆うように、前記粘着剤層を積層する第２の積層工程、及び前記粘着剤層の前記剥離基材Ａ側と反対側の面から前記剥離基材Ａに達するまで該剥離基材Ａ平面に対して非垂直方向に切り込みを入れ、前記切り込まれた外周部分の粘着剤層を除去し、前記所定の平面形状の接着剤層と、該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接する粘着剤層とからなる、所定の形状の積層体とを形成する第１の切断工程を含むことを特徴とする半導体用途接着フィルムの製造方法。
【請求項６】
半導体用途接着フィルムを用いて半導体装置を製造する方法において、前記半導体用途接着フィルムは請求項１〜４のいずれかに記載の半導体用途接着フィルムであって、前記積層体を前記剥離基材Ａから剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程、前記積層体付き半導体ウェハを、少なくとも前記接着剤層と前記粘着剤層との界面まで切削部材で切削し、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記接着剤層の前記粘着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着剤層から前記半導体素子を前記接着剤層と共にピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程、及び前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材又は別の半導体素子である請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１４２２５３（Ｐ２０１１−１４２２５３Ａ）
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２８３１（Ｐ２０１０−２８３１）
【出願日】平成２２年１月８日（２０１０．１．８）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２１日（２０１１．７．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月８日（２０１０．１．８）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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