【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】汎用性が高く、良好な高温環境下での信頼性が得られる方法で半導体チップの実装を行い、半導体装置の高温動作を可能とする。
【解決手段】実装基板と半導体チップとの間に、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉより選択されるいずれかの金属又はその合金を含む接合支持層と、接合支持層を挟んで積層され、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎより選択されるいずれかの金属又はこれらの金属から選択される２以上の金属からなる合金を含む溶融層と、を有し、少なくとも最外層に溶融層が形成された接合層を介在させ、溶融層の融点以上の温度で保持し、液相拡散により溶融層より融点が高い合金層を形成して、実装基板と半導体チップを接合させる。 （もっと読む）

【課題】プロセス温度の低温化とプロセス時間の短縮化可能な積層化高融点半田層およびその形成方法、およびこの積層化高融点半田層を適用した半導体装置を提供する。
【解決手段】低融点メタル薄膜層８１と、低融点メタル薄膜層８１の表面および裏面に配置された高融点メタル薄膜層８２とを有する３層構造を複数積層化した積層化構造８０と、積層化構造８０の表面に配置された第１高融点メタル層１ａと、積層化構造８０の裏面に配置された第２高融点メタル層１ｂとを備え、低融点メタル薄膜層８１と高融点メタル薄膜層８２、積層化構造８０と第１高融点メタル層１ａおよび第２高融点メタル層１ｂは、液相拡散接合によって互いに合金化された積層化高融点半田層５、およびこの積層化高融点半田層５を適用する半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スクラブ動作を用いて部品を所定位置にずれなく固定できる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、平板状の第１部品を吸着コレットに吸着させる工程と、平板状の第２部品の上面に接着金属を配置する工程と、該第１部品を吸着した状態で該吸着コレットを移動させ、該接着金属に該第１部品をのせる工程と、該第１部品と該吸着コレットが接した状態で、該第１部品と該第２部品の間の距離が増減する方向にのみ該吸着コレットをスクラブ動作させ、該接着金属を介して該第１部品を該第２部品に固定する固定工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣデバイスの動作温度は高温となるので、その裏面にヒートシンクをハンダ接合すると動作時にハンダが溶ける。
【解決手段】ヒートシンク３４ａはその前面を半導体チップ３２の裏面の金属電極膜４２に向けて配置される。ヒートシンク３４ａを構成する熱伝導板５０ａの裏面に厚みの途中まで達した開口部５２ａを設ける。開口部５２ａの底部の熱伝導板５０ａを被溶接部５４ａとし、ヒートシンク３４ａの裏面側から開口部５２ａに入射させるレーザビーム５６により、被溶接部５４ａと金属電極膜４２とを溶融・合金化してヒートシンク３４ａを半導体チップ３２に接合する。 （もっと読む）

【課題】振動子の発振周波数不安定を抑制し、安定的に発振させる事ができる振動子の作製方法、振動子作製用マスク、及び振動子用パッケージを提供する。
【解決手段】振動子作製方法は、貫通孔１４ａ、１４ｂが設けられたマスク１０を基台に載置した状態で、貫通孔内に第１の開口から充填された接着剤と接する貫通孔周りのマスク１０の側壁のうち、第１の開口を含むマスク表側側壁領域を除き、第１の開口と反対側の第２の開口を含むマスク裏側側壁領域を加熱素子２２ａ、２２ｂにて加熱する事で、接着剤の側壁部を部分的に硬化させ、マスク１０を基台から除去後、基台に設けられた接着剤を用いて振動板を基台に接着させる事により振動子を作製する。振動子作製用マスクは、上記加熱素子を有するマスクで、振動子用パッケージは、振動板を接着するための基台上に、振動板を接着するための接着剤の塗布領域を加熱する加熱素子を有する。 （もっと読む）

【課題】
ダイアタッチフィルムにアクリル酸エステル共重合体を使用した場合でさえも、ピックアップ時における粘着層とダイアタッチフィルムとの間の剥離が容易であり、かくして、ダイシング後の半導体チップのピックアップ作業を容易に行うことができる多層粘着シートを提供する。
【解決手段】
基材フィルムと、基材フィルムの一方の面に積層された粘着層と、粘着層の露出面に積層されたダイアタッチフィルムとを有し、粘着層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と紫外線重合性化合物（Ｂ）と多官能イソシアネート硬化剤（Ｃ）と光重合開始剤（Ｄ）とシリコーン重合体（Ｅ）を有する。 （もっと読む）

【課題】無機フィラーを高配合とした場合のボイドの形成を防止して、高熱伝導性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）フェノキシ樹脂、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、および（Ｃ）無機フィラーを含み、（Ａ）フェノキシ樹脂と（Ｂ）多官能エポキシ樹脂の重量比率が８０：２０〜２０：８０の範囲にあるエポキシ樹脂組成物。樹脂成分としてフェノキシ樹脂と多官能エポキシ樹脂とを所定の配合比で併用することにより、塗膜性ないしは成膜性や接着性等を損なうことなく、ボイドを低減して高熱伝導性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】すず基はんだを用いて寿命信頼性の高い接合が可能な半導体素子および寿命信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】すず基はんだ８を用いて導電部材７と接合するための半導体素子１０であって、半導体材料からなる基材１の前記導電部材７との接合面に、シリサイド層２Ｓと、チタンからなる第１の金属層３と、アンチモンからなる第２の金属層４と、ニッケルおよび／または銅を有する第３の金属層５と、が基材１側から順次積層されている、ように構成した。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルに対する耐久性が高い半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体素子１０と、配線部１６及び絶縁基板１８の少なくとも一部とを接続するはんだ接合部１２を設ける。はんだ接合部１２は、配線部１６の一部が除去されている除去領域の表面に接合が存在し、除去領域に繋がる段差の側面に接合が存在しない構成とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体搭載用基板に半導体素子を実装する場合に必要な応力緩和性、基板凹凸埋込性を有し、耐熱性、耐湿性に優れた半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シートを提供する。
【解決手段】 高分子量成分と、脂肪族エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂のいずれかまたは両方を含む半導体用接着シート。高分子量成分のＴｇが、−１０〜６０℃、重量平均分子量が２万〜１００万で、高分子量成分を樹脂成分中８０〜９５質量％、脂肪族エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂を樹脂成分中２〜２０重量％含有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体ウェハに貼り付け可能で、熱時の弾性率が高い半導体用接着フィルムとそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 ワイヤボンドの温度よりも低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するポリイミド樹脂（低Ｔｇポリイミド樹脂）と、ワイヤボンドの温度よりも高いガラス転移温度のポリイミド樹脂（高温高弾性ポリイミド樹脂）を含む半導体用接着フィルム。低Ｔｇポリイミド樹脂のＴｇは、８０℃以下で、高温高弾性ポリイミド樹脂のＴｇは、１９０〜２３０℃であると好ましい。この半導体用接着フィルムを用いて作製した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体２と半導体素子３とを熱硬化性接着剤組成物１を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体２と半導体素子３とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物１であって、所定の反り評価試験における反り量１が所定の条件式１を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。［条件式１：−１０（μｍ）≦反り量１≦１０（μｍ）］ （もっと読む）

【課題】 工数を低減でき、かつ接着剤層の砕片の混入を防止することが可能な半導体用途接着フィルムとその製造方法、及びそれを用いた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 剥離基材Ａと、該剥離基材Ａ上に配置され、所定の平面形状を有した接着剤層及び該接着剤層を覆い且つ該接着剤層の周囲で前記剥離基材Ａに接するように形成された粘着剤層からなる、所定の形状を有する積層体を有し、前記剥離基材Ａ上に前記積層体が複数個長さ方向に分散配置された半導体用途接着フィルムであって、前記剥離基材Ａ上に前記接着剤層を同一形状でかつ長さ方向に一定間隔で断続的に塗布、乾燥して形成された半導体用途接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】１５０℃より高温にて省エネ、耐熱性のあるＳｉＣチップと回路配線基板との良好な実装接合を実現できるパワーエレクトロニクスに特に有用な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、回路配線基板のＮｉ保護層上にＴａ／ＴａＮまたはＴａ／ＴａＮ／Ｔａのはんだ拡散バリア層を持つ。また、ＡｕＧｅ，ＡｕＳｉ等の高温はんだを介してＳｉＣチップを前記拡散バリア層を設けた配線基板と接合する。 （もっと読む）

【課題】ソース抵抗を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層１８からなる活性領域ＡＡと、活性領域ＡＡ上に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、それぞれゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２に接続されたゲート端子電極ＧＥ１〜ＧＥ３、ソース端子電極ＳＥ１〜ＳＥ４およびドレイン端子電極ＤＥと、ソース端子電極が配置される側の基板の端面に配置され、ソース端子電極と接続された端面電極ＳＣ１〜ＳＣ４と、端面電極上に配置され、ダイボンディングで使用する半田層がソース端子電極ＳＥ１〜ＳＥ４に到達するのを防止する突起電極３４とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル抵抗を大幅に低減した電界効果トランジスタ実装体を実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタ実装体の製造方法は、トランジスタ１００を形成する工程（ａ）と、形成基板１０１を研磨する工程（ｂ）と、形成基板１０１を研磨したトランジスタ１００を保持基板２００に固定する工程（ｃ）とを備えている。工程（ａ）は、形成基板１０１の主面上に第１の半導体層及び該第１の半導体層よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層を順次形成する。工程（ｂ）は、形成基板１０１における主面と反対側の面を研磨する。工程（ｃ）は、形成基板１０１の反りが小さくなる方向の応力を形成基板１０１に印加した状態でトランジスタ１００を保持基板２００の上に固定する。 （もっと読む）

【課題】従来の導電性ペーストの性能が低下することなく、接合信頼性が向上し、耐紫外線性、耐熱性、耐候性に優れた耐光性導電ペーストを提供する。
【解決手段】（Ａ）平均分子量が５００〜１４００の固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、（Ｂ）ベンゼン環骨格を有さないアミン系硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶剤及び／又はベンゼン環骨格を有さない反応性希釈剤、及び（Ｅ）導電性粉末を含むことを特徴とする耐光性導電ペーストである。 （もっと読む）