【課題】耐イオンマイグレーションに優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置は、導体ベースプレートと、導体ベースプレートに配置された第１接着剤と、第１接着剤上に配置され、導体ベースプレートと接着される半導体チップと、導体ベースプレート上において、半導体チップと導体ベースプレートとの接合面の外周に配置され、第１接着剤を被覆する第２接着剤とを備え、第１接着剤は、導電性金属成分を含有し、前記第２接着剤は、導電性金属成分を含有していない。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）

【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】回路基板やリードフレームのステージなどの支持板上に半導体チップを実装する際に、半導体チップが移動や回転等の位置ずれを生じないようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法であって、支持板２の半導体チップ実装領域２Ａ及び半導体チップ１の裏面の一方に、第１金属を含む層５及び第２金属を含む層６の一方を形成し、半導体チップ実装領域及び半導体チップの裏面の他方の、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の一方が形成された領域の一部に相当する領域に、第１金属を含む層及び第２金属を含む層の他方を形成し、半導体チップ実装領域に半導体チップを位置合わせし、第１金属及び第２金属を含む合金を含む層９を形成して、半導体チップを半導体チップ実装領域に接合する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】 素子部品の搭載を容易にする。
【解決手段】 素子部品が収納されたパレットから導電性接着剤が設けられた素子搭載部材ウェハに素子部品を搭載する素子部品搭載装置であって、パレットから移動された素子部品を仮置きするトレーと、パレットに収納された複数の素子部品を吸引する複数の吸着部を有し、吸着部で素子部品をトレーに仮置きし、仮置きした素子部品をトレーから素子搭載部材ウェハの所定の位置に搭載する吸引移動手段とを備え、トレーが素子部品を個別に仮置きさする複数の凹部を有し凹部の壁面が傾斜しつつ凹部の開口側に露出しており、吸引移動手段がトレーの凹部に素子部品を仮置きした場合に、素子部品が凹部の傾斜した壁面を滑り凹部の底面に位置したところで、再度、素子部品を吸引して素子搭載部材ウェハの搭載位置まで移動して吸引した素子部品を所定の位置に搭載することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な信頼性を維持しつつ、レーザバーとサブマウントを面接合させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１８と、該基板の表面に形成されたエピタキシャル層２０と、該エピタキシャル層の表面に形成された表面電極２２と、該表面電極に形成されたエピタキシャル面めっき２４と、該基板の裏面に形成された裏面電極２６と、該裏面電極に形成された基板面めっき２８と、を有するレーザバー１２と、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきにはんだにより固定されたサブマウント１６と、を備える。該エピタキシャル面めっき２４は該基板面めっき２８よりも厚く形成され、該エピタキシャル面めっき又は該基板面めっきの全面が、該はんだ１４により該サブマウントと面接合する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度勾配を低減するとともに、半導体装置における放熱性能を向上すること。
【解決手段】電気回路に実装されるＩＧＢＴ（半導体素子）１１と、電気回路１００に形成されＩＧＢＴ１１との間で電気的に接続される回路パターン２１と、ＩＧＢＴ１１と回路パターン２１との間に介在して両者を電気的に接続する接続層３０と、を備える。接続層３０は、ＩＧＢＴ１１と回路パターン２１とを機械的に接合するはんだ層３２と、駆動時に温度が最大になるＩＧＢＴ１１の一部に臨んで設けられはんだ層３２と比較して電気抵抗が高いダイオード３１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合部に発生する気泡を低減させた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイマウント接合電極１３を有するＬＥＤチップ１０をセラミック基板２０に実装する実装工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記実装工程は、前記セラミック基板上に、Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子４１を有するはんだペースト４０を供給する工程と、前記はんだペースト上に、前記ダイマウント接合電極上にＳｎ膜１４が形成された前記ＬＥＤチップをマウントする工程と、前記Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子、及び前記Ｓｎ膜を溶融させて、前記セラミック基板とＬＥＤチップを接合する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】接合材料の主成分であるＢｉは、延性が低いことから、パワー半導体素子とリードフレームとの間の接合部の接合材料に用い、ヒートサイクルによる繰り返し応力が加わると、モールド樹脂と接合部との界面で剥離が発生しやすくなる。
【解決手段】接合構造体２００は、半導体素子１０１と、半導体素子１０１に対向して配置される電極１０３と、半導体素子１０１の裏面電極２０１に対向する側の表面のバリア層２０４と、半導体素子１０１と電極１０３とを接続するＢｉを主成分とする接合材料からなる接合部１０５とを有し、半導体素子１０１、バリア層２０４、電極１０３及び接合部１０５の外周をモールド樹脂２０６により封止されている接合構造体２００であって、接合材料が有機物由来の官能基２０７を含有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル抵抗を大幅に低減した電界効果トランジスタ実装体を実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタ実装体の製造方法は、トランジスタ１００を形成する工程（ａ）と、形成基板１０１を研磨する工程（ｂ）と、形成基板１０１を研磨したトランジスタ１００を保持基板２００に固定する工程（ｃ）とを備えている。工程（ａ）は、形成基板１０１の主面上に第１の半導体層及び該第１の半導体層よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層を順次形成する。工程（ｂ）は、形成基板１０１における主面と反対側の面を研磨する。工程（ｃ）は、形成基板１０１の反りが小さくなる方向の応力を形成基板１０１に印加した状態でトランジスタ１００を保持基板２００の上に固定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの中央部での半田の厚さを増すことなく、半導体チップ全面を容易にベースプレートにマウントできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ベースプレート１の所定位置及び該所定位置の近傍にそれぞれマウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を供給する工程と、マウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を溶融する工程と、所定位置のマウント用ロウ材２上に半導体チップ１０を搭載する工程と、予備ロウ材３の少なくとも一部を、ベースプレート１上で半導体チップ１０に向かって移動させて、マウント用ロウ材２と一体化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

半導体パッケージ（Ｍ）が、第一の側面または上面（１２０）および第一の側面（１２０）とは反対の第二の側面または下面（背面）（１０４）を有する。熱生成領域（１２０）が半導体基板層（１００）の第一の側面（１２０）に関連して形成される。ダイ接着部材（１０６）が半導体基板層（１００）の第二の側面（１０４）に接して形成され、半導体基板層（１００）の第二の側面（１０４）の全体よりも小さい範囲にわたって伸張する。ダイ接着部材（１０６）は半導体基板層（１００）に関して熱生成領域（１０２）と反対側に一様に位置する。
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【課題】装置のマザーボードへの実装時の高い信頼性および小型で良好な放熱性を兼ね備え、かつ半導体素子とダイパッドとの間に良好な導電性を得ることができ、半導体素子の裏面で電気的な接続が必要な製品にも適用させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１上のダイパッド２と、ダイパッド２に接着剤３にて固着された半導体素子４と、半導体素子４と電気的に接続された複数の電極端子６と、ダイパッド２と半導体素子４と電極端子６とを封止する樹脂封止体７と、電極端子６とビアを通じて各々電気的に接続された外部端子８とを備え、ダイパッド２の表面に酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）１８ｂが形成され、酸化ケイ素上に半導体素子４を接着剤３にて固着する。 （もっと読む）

【課題】一部の機能端子に対してワイヤボンディングを用いる必要がなく、配線接続本数を縮小することができ、サイズを縮小可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０の表面には、半導体集積回路が形成され、ボンディング用の第１の表面電極２１と、裏面電極２４と接続する第２の表面電極２２が設けられている。半導体チップ２０の第２の表面電極２２と裏面電極２４は、ビアホールに金属を充填した貫通ビア部２３により電気的に接続されている。リードフレーム３０のダイパッド部は、半導体チップ２０を電気的に接続して固定する。半導体チップ２０の第１の表面電極２１とインナーリード部３２をワイヤボンディングする。実装基板６０とはアウターリード部３３，３４により接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子側面へのろう材の濡れ上がりを防止するとともに、半導体素子を高い位置精度で基台に接合することが可能な半導体素子の接合構造、及び半導体素子の接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】先ず第１接合部Ａにより半導体素子に形成された脚状部１８と基台とを高い位置精度で接合した後に、第２接合部Ｂにより十分な強度の接合を行うため、高い位置精度で半導体素子を基台に接合することができる。また、第４電極２３のろう材層は脚状部１８の間に位置するため、脚状部１８が障壁となって溶融したろう材層が半導体素子側面への濡れ上がりを防止する。このため、ろう材の濡れ上がりによる半導体素子への悪影響も生じることはない。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体パワートランジスタをパッケージに収納する構造を有する半導体パワーモジュールについて、ハンダにより基板上に固定されるIII族窒化物半導体パワートランジスタのクラック発生を抑制すること。
【解決手段】厚さ３００μｍ以上のサファイア基板２１上に成長されたIII族窒化物半導体からなるIII族窒化物半導体素子２０と、III族窒化物半導体素子２０が搭載されるヒートシンク１１と、ヒートシンク１１とIII族窒化物半導体素子２０とを接合する融点３００℃以上のハンダ１３と備えることにより、III族窒化物半導体素子２０のクラック発生は防止される。 （もっと読む）

【課題】特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いてＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの素子を基板に接合する方法を提供する。

【解決手段】素子１の接合面を上向きにしてその上にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト６を搭載または塗布し、この状態のまま非酸化性雰囲気中でリフロー処理してＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト６を溶融し、素子１の接合面全面に拡がって溶融Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層を冷却し凝固して凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層７を形成し、この凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層７を有する素子１を反転させて、凝固Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ層７が基板４に接するように素子１を基板４の上に載置し、この状態で非酸化性雰囲気中でリフロー処理することによりボイドのないＡｕ−Ｓｎ合金はんだ接合部９を介して素子１を基板４に接合する。 （もっと読む）

【課題】特にＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを用いてＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの素子を基板に接合する方法を提供する。
【解決手段】Ａｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２を基板１に搭載または塗布し、前記基板１に搭載または塗布したＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２の表面に素子３の一部が接しかつ素子の一端が基板１に接するように素子３をＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２上に載置し、かかる状態でＡｕ−Ｓｎ合金はんだペースト２を搭載または塗布しかつ素子３を載置した基板１を非酸化性雰囲気中でリフロー処理する。 （もっと読む）

【課題】 マウント時にサブマウントと窒化物半導体レーザチップとの間からはみ出したハンダが窒化物半導体レーザチップの側面に這い上がるのを抑制する窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チップ用コレット４２が吸着した窒化物半導体レーザチップ２０を、サブマウント１５の窒化物半導体レーザチップ２０を搭載する面に対して垂直に移動させる時のチップ搬送速度を、少なくとも窒化物半導体レーザチップ２０とサブマウント１５上のチップ接合用ハンダ１７とが接触する瞬間に２０００μｍ／秒以下とする。これにより、窒化物半導体レーザチップ２０とサブマウント１５との間からはみ出したチップ接合用ハンダ１７が窒化物半導体レーザチップの側面に這い上がるのを抑制することができる。 （もっと読む）