【課題】従来のフォームはんだ製造方法は、所定量の金属粒を直接溶融はんだ中に投入してから金属粒を分散させるため、フォームはんだ中にフラックスが微量残っていた。そのため従来のフォームはんだ製造方法で得られたフォームはんだではんだ付けを行うとボイドが発生したり、部品が傾斜したりして充分な接合強度が得られなかった。
【解決手段】本発明では、熱分解可能なフラックスと高融点金属粒からなる混合物で混合母合金を作製し、さらに混合母合金を大量の溶融はんだに投入・攪拌してビレットを作製する。そして該ビレットを押出、圧延、打ち抜き工程を経てペレットやワッシャーにする。 （もっと読む）

【課題】はんだ接続時の接続不良を低減し、パワー半導体素子を歩留りよく接続することができる接続材料付き半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料１の表面に設けられた電極２となる金属層と、前記金属層の表面であって前記半導体材料の表面に接する面とは異なる面上に設けられた、前記金属層を被接続部材に接続させるための接続金属層５と、を備え、前記接続金属層５は、Ａｌ濃度が０ｍａｓｓ％より大きく１０ｍａｓｓ％以下であるＺｎ−Ａｌ合金、またはＺｎとＡｌとを積層させて形成された積層体からなるものである。 （もっと読む）

【課題】例えば、アルミニウム系金属材料のように、常温で安定な酸化膜を表面に有する部材を含む接合を大気中で、しかもフラックスを用いることなく、低コストで強度に優れた接合が可能な接合方法と共に、このような接合方法を適用した各種の接合部品を提供する。
【解決手段】重ね合わせた被接合材１，１の間にインサート材２を介在させた状態で、当該被接合材１，１を相対的に加圧しつつ加熱して、被接合材１，１とインサート材２の間で共晶反応を生じさせ、共晶反応溶融物を被接合材の酸化皮膜１ａと共に接合面から排出して被接合材１，１を接合するに際して、上記酸化皮膜１ａと共に共晶反応溶融物を含む排出物Ｄを排出するための凹部１ｃを接合面に設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スクラブ動作を用いて部品を所定位置にずれなく固定できる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、平板状の第１部品を吸着コレットに吸着させる工程と、平板状の第２部品の上面に接着金属を配置する工程と、該第１部品を吸着した状態で該吸着コレットを移動させ、該接着金属に該第１部品をのせる工程と、該第１部品と該吸着コレットが接した状態で、該第１部品と該第２部品の間の距離が増減する方向にのみ該吸着コレットをスクラブ動作させ、該接着金属を介して該第１部品を該第２部品に固定する固定工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】
従来のＺｎ／Ａｌ／Ｚｎクラッド材を用いて接続した半導体装置によっては、半導体装置内のダイボンディング時に、熱膨張率差によって生じる熱応力を緩和できず、半導体素子が破壊してしまうことがある。また接続温度が３９０〜４００℃以上と高いと、Ｓｉチップ、フレームの被接続材を含む周辺部材の耐熱性は少なくとも４００℃以上必要となり、部材の選択肢の幅が狭まるという課題がある。
【解決手段】
Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 （もっと読む）

【課題】基板上の所定位置に位置精度良好にチップが固定された実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板１の中央部から放射状に突起部を突出させた平面形状の半田濡れ性パターン２１ａを実装基板上に形成し、半田濡れ性パターンと略同一の平面形状の半田パターン２３ａを、半田濡れ性パターン上に選択的に形成し、この半田パターンを押圧することにより半田パターンを表面平坦化する。次いで、表面平坦化した半田パターン上にチップ状の発光素子１０を載置する。その後、半田パターンをリフローすることにより、チップ状の発光素子を半田材料の表面張力により、自己整合的に中央部上に移動させて固定する。 （もっと読む）

【課題】Zn-Al合金はんを用いた場合の、Alの濡れ性の低下、濡れ性の低下を抑える酸化防止材料使用時のコスト高、材料作製のプロセスの増加、及び接続後冷却時あるいは温度サイクル時の熱応力による半導体素子破壊を防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４と、被接続部材５と、半導体素子と被接続部材とを接続する第一の接続層とを有して構成される半導体装置であって、第一の接続層は、Al層１の両面にZn-Al合金層３１a、３１bが設けられた構成であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの中央部での半田の厚さを増すことなく、半導体チップ全面を容易にベースプレートにマウントできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、ベースプレート１の所定位置及び該所定位置の近傍にそれぞれマウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を供給する工程と、マウント用ロウ材２及び予備ロウ材３を溶融する工程と、所定位置のマウント用ロウ材２上に半導体チップ１０を搭載する工程と、予備ロウ材３の少なくとも一部を、ベースプレート１上で半導体チップ１０に向かって移動させて、マウント用ロウ材２と一体化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】チップと被搭載部材との間に介在する接合部の信頼性を高めることが可能なチップの実装方法を提供する。
【解決手段】チップたるＬＥＤチップ１の実装面側（裏面側）に共晶組成付近の第１のＡｕＳｎ層１２ａを形成するとともに被搭載部材たるベース基板２０の実装面側にＡｕ層１３を形成してから、ＬＥＤチップ１の実装面側の第１のＡｕＳｎ層１２ａとステージ１１０の上面側に配置されたベース基板２０のＡｕ層１３とを対向させ、第１のＡｕＳｎ層１２ａとＡｕ層１３とを接触させてから、ＬＥＤチップ１側からの加圧および加熱により第１のＡｕＳｎ層１２ａとＡｕ層１３とを溶融させて等温凝固させ、減圧および冷却を行うことで第１のＡｕＳｎ層１２ａよりもＡｕの組成比が高く且つ高融点の第２のＡｕＳｎ層からなる接合部１５を形成する接合工程を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接合不具合を抑制することによって、素子特性の低下を抑制することが可能なサブマウントを提供する。
【解決手段】このサブマウント１０は、サブマウント基板１１と、サブマウント基板１１の上面上に形成され、半導体レーザ素子２０を接合するための半田層１４と、半田層１４よりも小さい平面積を有するとともに、サブマウント基板１１と半田層１４との間に形成されたスペーサ層１５とを備えている。このスペーサ層１５は、Ｎｉ（ニッケル）から構成されているとともに、半田層１４は、共晶系はんだ材であるＡｕＳｎから構成されている。また、半田層１４の上面の所定領域には、スペーサ層１５によって、段差部１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子側面へのろう材の濡れ上がりを防止するとともに、半導体素子を高い位置精度で基台に接合することが可能な半導体素子の接合構造、及び半導体素子の接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】先ず第１接合部Ａにより半導体素子に形成された脚状部１８と基台とを高い位置精度で接合した後に、第２接合部Ｂにより十分な強度の接合を行うため、高い位置精度で半導体素子を基台に接合することができる。また、第４電極２３のろう材層は脚状部１８の間に位置するため、脚状部１８が障壁となって溶融したろう材層が半導体素子側面への濡れ上がりを防止する。このため、ろう材の濡れ上がりによる半導体素子への悪影響も生じることはない。 （もっと読む）

【課題】基板のはんだ面に電子部品を搭載する場合に、電子部品を搭載するに適したＡｕ−Ｓｎ共晶合金からなる平滑化されたはんだ面を安価に提供する。
【解決手段】基板への電子部品の搭載方法は、基板（１０）の電極面（２０）にＡｕバンプ（２４）を形成し、該Ａｕバンプ上にＳｎ系はんだシート（２６）を搭載し、これらのＳｎ系はんだシートとＡｕバンプをリフローしてＡｕ−Ｓｎ共晶合金（２８）とし、該共晶合金を平滑化し、該平滑化した共晶合金の面上に電子部品（３０）を接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の薄形回転砥石による半導体チップの切断方法では外形が直線的で角部を有し、かつ外縁にマイクロクラックを有する半導体チップしか得られず割れやく、製造段階でも個別に慎重に取り扱う必要があった。本発明は、高速で安価なRFIDタグの製造方法を得る。
【解決手段】導体チップの外周をドライエッチ加工による曲線的な形状とし、薄く加工しても割れにくい半導体チップを得て、振動整列により一括搭載する。本発明によれば、半導体チップが割れにくいため、工程内での不良も生じにくく、一括搭載により高速の実装搭載が可能であるため、製造コストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基台１１と、基台１１上に載置されたアルミニウム膜１２と、アルミニウム膜１２上に載置された半導体チップ１３とを具備し、基台１１の上面１１ａとアルミニウム膜１２の下面１２ａとが直接接合され、半導体チップ１３の第１電極１６とアルミニウム膜１２の上面１２ｂとが直接接合されている。
超音波を印加して室温で接合することにより、熱膨張の差に起因する信頼性の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】低有害、安全性等の環境要求に対応した錫（Ｓｎ）基はんだを用いた半導体装置およびその製造方法であって、簡単な層構造を有し、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、錫（Ｓｎ）基はんだ層１Ｓが形成されてなる半導体装置１０であって、半導体基板１を構成するシリコン（Ｓｉ）原子と記Ｓｎ基はんだ層１Ｓを構成する錫（Ｓｎ）原子とが結合して、半導体基板１とＳｎ基はんだ層１Ｓの界面が形成されてなる半導体装置１０とする。 （もっと読む）

【課題】 マウント時にサブマウントと窒化物半導体レーザチップとの間からはみ出したハンダが窒化物半導体レーザチップの側面に這い上がるのを抑制する窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チップ用コレット４２が吸着した窒化物半導体レーザチップ２０を、サブマウント１５の窒化物半導体レーザチップ２０を搭載する面に対して垂直に移動させる時のチップ搬送速度を、少なくとも窒化物半導体レーザチップ２０とサブマウント１５上のチップ接合用ハンダ１７とが接触する瞬間に２０００μｍ／秒以下とする。これにより、窒化物半導体レーザチップ２０とサブマウント１５との間からはみ出したチップ接合用ハンダ１７が窒化物半導体レーザチップの側面に這い上がるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子からの発熱を基体側に放熱させることができると共に、半導体発光素子の基体との接合信頼性の高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】セラミック基体１２上に半導体発光素子１３を囲繞する貫通孔１４を有する反射体１５が接合されてセラミック基体１２の上面と反射体１５の貫通孔１４の壁面とでキャビティ部１６が設けられる発光素子収納用パッケージ１１のキャビティ部１６に半導体発光素子１３を実装する半導体発光装置１０において、キャビティ部１６の底面のセラミック基体１２上面に半導体発光素子１３の下面全面を接合するためのダイマウント部１７が設けられ、ダイマウント部１７が薄膜導体金属膜１８を有すると共に、半導体発光素子１３がダイマウント部１７に融点が３６０℃以下の低融点共晶Ａｕろう１９で接合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合部に発生する気泡を低減させた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイマウント接合電極１３を有するＬＥＤチップ１０をセラミック基板２０に実装する実装工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記実装工程は、前記セラミック基板上に、Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子４１を有するはんだペースト４０を供給する工程と、前記はんだペースト上に、前記ダイマウント接合電極上にＳｎ膜１４が形成された前記ＬＥＤチップをマウントする工程と、前記Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子、及び前記Ｓｎ膜を溶融させて、前記セラミック基板とＬＥＤチップを接合する工程とを具備している。 （もっと読む）