【課題】高密度で低消費電力駆動が可能な有機半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチックからなるシート状の基板の両面に複数の有機トランジスタが形成された有機半導体装置であって、前記各有機トランジスタは、前記基板の面に互いに電気的に分離して形成されたソース電極、ドレイン電極と、これら電極を含む前記基板表面に形成された有機半導体層と、この有機半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ソース電極、ドレイン電極間のチャンネル領域を含む前記ゲート絶縁膜に形成されたゲート電極とを備え、かつ前記基板を挟んで互いに対向して配置された複数の有機トランジスタのうち、所望のトランジスタのソ−ス電極またはドレイン電極は前記基板を貫通して形成されたビアフィルを通して電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタを形成する際に、そのトランジスタの下方に形成されている膜が受ける熱的ダメージを低減することができる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１絶縁膜３７の上に遮蔽膜３８を形成する工程と、遮蔽膜３８の上に第２絶縁膜３９と非晶質半導体膜４０とを順に形成する工程と、非晶質半導体膜４０にエネルギービームを照射し、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルとなる部分の非晶質半導体膜４０を溶融して多結晶半導体膜４１にする工程と、上記チャネルの上の多結晶半導体膜４１上にゲート絶縁膜４３ａとゲート電極４４ａとを順に形成する工程と、ゲート電極４４ａの横の多結晶半導体膜４１にソース／ドレイン領域４１ａを形成し、該ソース／ドレイン領域４１ａ、ゲート絶縁膜４３ａ、及びゲート電極４４ａでTFT６０を構成する工程と、を有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の回路が形成されているSi層上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に多結晶もしくは非晶質Si層を積層し、これをレーザー照射及び走査により（再）結晶化して、ここに別の半導体素子の回路を形成し、これらの回路を接続する３次元半導体デバイスの製造方法に関する。レーザー（再）結晶化Ｓｉ層の結晶性を改良することにより、現在のICに適した性能を与える。
【解決手段】絶縁膜17,26をCMPにより平坦化する；多結晶又は非晶質Ｓｉ層22,32を積層し、エネルギーが照射面積当たり10J/cm²以上の固体連続波レーザーにより照射・走査行う；Ｓｉ層22,32に10¹⁴/cm²以上のドーズ量で水素イオンを添加する；その後Si層22,32が溶融しない条件加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】
リーク電流をより多く抑制できるＭＩＭ容量素子を有する半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された複数の半導体素子と、第1の金属層を用いて、前記半導体基板上方に形成された金属配線と、前記第1の金属層を用いて、前記半導体基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上に、前記下部電極周縁から引き下がった形状で形成された誘電体膜と、前記誘電体膜体膜上に、前記誘電体膜周縁から引き下がった形状で形成された上部電極と、を有し、前記下部電極、誘電体膜、上部電極がＭＩＭ容量素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】サーマルバジェットに関する問題を解決し、三次元の積層半導体素子を作成する方法を提供する。
【解決手段】基板内にホールをパターニングするステップと、このホールに部分的に犠牲材料を充填するステップと、このホールの充填されていない部分の側壁にスペーサを形成し開口を狭めるステップと、犠牲材料の残留物をこの狭められた開口から除去するステップと、最後にスペーサ上に共形層を堆積することでエアギャップの開口を密封するステップとから構成される、半導体基板内に深いエアギャップを形成する方法が開示される。深いビアエアギャップを形成する方法はウェハ同士の垂直積層を作成するのに用いられる。従来のＦＥＯＬおよびＢＥＯＬ処理の完了後、深いビアエアギャップが開口されるようにウェハの裏面が薄くされ、導電性材料がこのビア開口内に堆積され、導電性材料が充填されたスルーウェハもしくは深いビアが作成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタで構成された回路と積層素子とを集積化する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、コンタクト用の電極３０５が形成された積層素子とを有し、前記層間絶縁膜上に、前記薄膜トランジスタと接続する配線が設けられ、前記絶縁性基板１０１の裏面から前記絶縁性基板１０１と前記層間絶縁膜とを貫通しなおかつ前記配線と接続する端子２０６が設けられ、前記絶縁性基板１０１の裏面側にて前記端子２０６と前記コンタクト用の電極３０５が電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 積層ウェハ間に接着剤を短時間に容易かつ均一に注入することのできる接着剤注入装置および接着剤注入方法を提供する。
【解決手段】 複数層からなる平板部材２５の隙間に接着剤を注入するための接着剤注入装置１０であって、平板部材２５を収納する容器１８と、容器１８内および平板部材２５の隙間内を排気する排気手段１９と、容器１８内に接着剤を供給する接着剤供給手段１２と、容器１８内にガスを導入することによって容器１８内と平板部材２５の隙間内に圧力差を生じさせて、平板部材２５の全周から接着剤を注入させるガス導入手段２０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】回路面積の小さく、配線長の短い、小型の半導体集積回路を提供する。
【解決手段】多層構造で構成される半導体集積回路であって、第１半導体層と、第１半導体層に形成された第１半導体層トランジスタと、第１半導体層上に堆積され、金属配線が形成された配線層と、配線層上に堆積された第２半導体層と、第２半導体層に形成された第２半導体層トランジスタとを備える。なお、第１半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性と、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性とは概ね同等であり、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜は、ラジカル酸化又はラジカル窒化により形成される。 （もっと読む）

第一ウェハ上に形成された第一の複数のトランジスタと、第二ウェハ上に形成された第二の複数のトランジスタとを備えた集積回路。第一トランジスタのうち少なくとも実質的に大部分が第一導電型であり、第二の複数のトランジスタのうち少なくとも実質的に大部分が第二導電型である。ウェハ同士が結合された後、第二ウェハの一部が除去されて、第二の複数のトランジスタのチャネルの歪みの圧縮性が、第一の複数のトランジスタのチャネルの歪みの圧縮性よりも高くなる。
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垂直方向の半導体装置は、電気装置そして／または相互接続を含む分離して作られた基板に付加される。多くの垂直方向の半導体装置は物理的に互いに分離され、そして同一半導体本体又は半導体基板内には配置されない。多くの垂直方向の半導体装置は取り付けられた後に個別のドープされたスタック構造を生成するため、エッチングされた数個のドーピングされた半導体領域を含む薄い層として分離して作られた基板へ付加される。あるいは多くの垂直方向の半導体装置が分離して作られた基板に取り付けるのに先立ち製作される。ドープされたスタック構造は、ダイオードキャパシタ、ｎ‐ＭＯＳＦＥＴ、ｐ‐ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、及び浮遊ゲートトランジスタのベースを形成する。強誘電体メモリー装置、強磁性体メモリー装置、カルコゲニド位相変更装置が分離して作られた基板と連結して使用するために、堆積可能なアッド‐オン層に形成される。堆積可能なアッド‐オン層は相互接続ラインを含む。

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