【課題】集積度が高くリソグラフィーコストが低いｎ型及びｐ型ＦＥＴの積層構造を有した半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１上にそれぞれ離隔しつつ列状に形成された第１グループの複数の柱状ゲート電極１０と、前記半導体基板１上であって前記第１グループの隣接する柱状ゲート電極１０間に形成された第１導電型の第１半導体層１２と、前記第１半導体層の上であって前記第１グループの隣接する柱状ゲート電極間に形成された第１絶縁層２０と、前記第１絶縁層２０の上であって前記第１グループの隣接する柱状ゲート電極１０間に形成された前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層１３とを備え、前記第１半導体層１２をチャネルとする前記第１導電型の第１ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記第２半導体層１３をチャネルとする前記第２導電型の第２ＭＯＳＦＥＴが形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタは、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタが有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、該ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタのバックゲートとして機能させる。下部のトランジスタは、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタのソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、を有し、第１のトランジスタ１６０は、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタ１６２は酸化物半導体層を含んで構成され、第１のトランジスタ１６０のゲート電極と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極とは、電気的に接続され、第１の配線と、第１のトランジスタ１６０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線と、第１のトランジスタ１６０のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の配線と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線と、第２のトランジスタ１６２のゲート電極とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭ回路の動作速度を向上させる。
【解決手段】駆動ＭＩＳＦＥＴと転送ＭＩＳＦＥＴとそれらの上部に形成された縦型ＭＩＳＦＥＴとでメモリセルを構成したＳＲＡＭにおいて、周辺回路を構成するＭＩＳＦＥＴ間の電気的接続を、メモリセルの縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）よりも下部に形成されるプラグ２８および中間導電層４６、４７で行うとともに、縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）よりも上部に形成されるプラグ、第１および第２金属配線層を用いて行うことにより、配線の自由度を向上でき、高集積化できる。また、ＭＩＳＦＥＴ間の接続抵抗を低減でき、回路の動作スピードを向上できる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を貼り合わせる積層半導体装置を効率よく製造できる方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を貼り合わせて積層半導体装置を製造する半導体装置製造方法であって、回路が形成された複数の基板のうちの一の基板に凹部を形成する凹部形成ステップと、一の基板を複数の基板のうちの他の基板に重ね合わせる重ね合わせステップと、重ね合わせステップの後に、一の基板の凹部に導電性材料を導入することにより、一の基板の回路と他の基板の回路との間の電気的な導通路を形成する導通形成ステップとを備える半導体装置製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】待機電力を十分に低減した新たな半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の電源端子と、第２の電源端子と、酸化物半導体材料を用いたスイッチングトランジスタと、集積回路と、を有し、前記第１の電源端子と、前記スイッチングトランジスタのソース端子またはドレイン端子の一方は電気的に接続し、前記スイッチングトランジスタのソース端子またはドレイン端子の他方と、前記集積回路の端子の一は電気的に接続し、前記集積回路の端子の他の一と、前記第２の電源端子は電気的に接続した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】無線通信機能を有する半導体装置を低消費電力化又は長寿命化すること。
【解決手段】当該半導体装置は、電力供給源となる電池と、特定の回路とがチャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを介して電気的に接続することによって解決することができる。当該酸化物半導体の水素濃度は、５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下である。そのため、当該トランジスタのリーク電流を低減することができる。その結果、当該半導体装置の待機時の消費電力を低減することができる。また、これにより当該半導体装置を長寿命化することができる。 （もっと読む）

【課題】待機電力の低減を実現する半導体装置の提供を、目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を活性層として有するトランジスタをスイッチング素子として用い、該スイッチング素子で、集積回路を構成する回路への電源電圧の供給を制御する。具体的には、回路が動作状態のときに上記スイッチング素子により、当該回路への電源電圧の供給を行い、回路が停止状態のときに上記スイッチング素子により、当該回路への電源電圧の供給を停止する。また、電源電圧が供給される回路は、半導体を用いて形成されるトランジスタ、ダイオード、容量素子、抵抗素子、インダクタンスなどの、集積回路を構成する最小単位の半導体素子を、単数または複数有する。そして、上記半導体素子が有する半導体は、結晶性を有するシリコン（結晶性シリコン）、具体的には、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成された論理回路と、を有し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記論理回路の少なくとも一の入力とは電気的に接続され、前記トランジスタを介して、前記論理回路に少なくとも一の入力信号が供給される半導体装置である。ここで、トランジスタのオフ電流は１×１０^−１３Ａ以下であるのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように設けられた不純物領域と、チャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、不純物領域と電気的に接続する第１のソース電極および第１のドレイン電極と、を有する第１のトランジスタと、半導体材料を含む基板上の第２のゲート電極と、第２のゲート電極上の第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する第２のソース電極および第２のドレイン電極と、を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】低酸素処理を施したシリコン基板は基板表面層が応力に対して非常にもろくなってしまい、ハンド津愛想うちの製造プロセスの過程でクラックや反りが発生する原因ともなってしまう。
【解決手段】チャネル形成領域に形成された不純物領域に応力を集中させるため、チャネル形成領域に対して人為的かつ局部的に不純物領域を設ける。チャネル形成領域に局部的に添加された不純物元素（炭素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素）の領域は、低酸素処理を施したシリコン基板の応力を緩和する緩衝領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】 改善された三次元メモリ（例えば、ＲＲＡＭ）アーキテクチャを提供すること。
【解決手段】 メモリデバイスが、平面基板と、平面基板の上方の複数の水平な導電性平面と、複数の水平な導電性平面と交互に配置される複数の水平な絶縁層とを備える。複数の導電性平面および絶縁層と直角である垂直な導電性列のアレイが、複数の導電性平面および絶縁層における開口部を通過する。メモリデバイスは、複数のプログラム可能なメモリ素子を備え、それぞれのメモリ素子が、水平な導電性平面の１つをそれぞれの垂直な導電性列に連結する。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さい、またはトランジスタの劣化を防止するよう形成された、有機トランジスタと無機トランジスタとを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置としてのＣＭＯＳ回路は、（ａ）基板１００と、（ｂ）有機半導体層１０６ａを含むｐ型有機トランジスタＰＴと、（ｃ）ｐ型有機トランジスタＰＴの上層に設けられた無機半導体層１２６ａを含むｎ型無機トランジスタＮＴと、を備える。さらに、ｎ型無機トランジスタＮＴのチャネル領域１２６は、ｐ型有機トランジスタＰＴのチャネル領域１０６と、平面視において少なくとも部分的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】基板に開口を有する高周波デバイスを精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に貫通電極下部１４Ｄ、開口１６および突起１７を設ける。基板１１の表面に、絶縁膜１２、誘電体層１３、絶縁膜１２と誘電体層１３とを貫通する貫通電極上部１４Ａおよびスイッチング素子１５を形成する。基板１１には、開口１６および突起１７を同時に形成したのち、基板１１を貫通すると共に貫通電極上部１４Ａと接する貫通電極下部１４Ｄを形成する。開口１６および突起１７を同時に形成することにより、インターポーザ基板などの実装基板に精度よく位置合わせすることが可能な高周波デバイス１を、工程数を増やすことなく得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有するＣＭＯＳトランジスタにおいて、ＣＭＯＳトランジスタのチャネル領域に応力を印加する構造の製造方法の提供。
【解決手段】単結晶のシリコン基板１１の表面に素子分離領域１３Ｉにより画成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタ１０Ａが形成された第１の素子領域１３ＡとｐチャネルＭＯＳトランジスタ１０Ｂが形成された第２の素子領域１３Ｂとを含む単結晶シリコンの活性層１３を形成し、シリコン基板と活性層との間に形成されたシリコン酸化膜を有し、シリコン酸化膜は第１の素子領域の下および第２の素子領域の下に連続して延在し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシリコン酸化膜は最大の膜厚を有し、ゲート長方向に向かって膜厚を減少させ、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシリコン酸化膜は最小またはゼロの膜厚を有し、チャネル領域から、ゲート長方向に向かって膜厚を増大させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構を有する接合型半導体基板を形成するための構造体、設計構造体、及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】 ２つの半導体基板を備える接合型基板が提供される。各々の半導体基板は、半導体デバイスを含む。少なくとも１つの基板貫通ビアが２つの半導体基板の間に設けられ、それらの間に単一の経路を提供する。２つの半導体基板の底側は、冷却機構を含む少なくとも１つの接合材料層によって接合される。１つの実施形態において、冷却機構は冷却チャネルであり、その中を通って冷却流体が流動し、接合型基板内の半導体デバイスの動作中に接合型半導体基板を冷却する。別の実施形態において、冷却機構は、２つの端部とそれらの間の連続した経路を備えた導電性冷却フィンである。冷却フィンはヒートシンクに接続され、接合型基板内の半導体デバイスの動作中に接合型半導体基板を冷却する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体集積回路を接続する配線の位置を容易に決定することを課題にする。
【解決手段】第１の基板上に第１の分離層と第１の半導体素子層を形成し、第１の半導体素子層に第１のレーザビームを照射することにより第１の開口部を形成し、第１の開口部に第１の半導体素子層と接続する第１の配線を形成し、第１の半導体素子層上に第１の保護材を形成し、第１の保護材に第１の配線に接続する第１の電極を形成し、第１の分離層に沿って第１の基板と第１の半導体素子層を分離し、上述の作製工程により第２の基板上に、第２の分離層、第２の半導体素子層、第２の配線、第２の保護材、第２の電極を作製し、第２の電極と第１の配線を接続するように第２の保護材上に第１の半導体素子層を貼り合わせ、第２の分離層に沿って第２の基板と第２の半導体素子層を含む積層構造を分離する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】回路素子の静電破壊を抑制できる、貫通電極を用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の半導体基板を積層して含む半導体装置であって、半導体基板のうち所与の半導体基板を貫通し、半導体装置の外部端子と電気的に接続する貫通電極５３と、所与の半導体基板に設けられた回路素子１３と、静電放電保護回路４２とを含み、静電放電保護回路４２と貫通電極５３との配線抵抗が、回路素子１３と貫通電極５３との配線抵抗よりも小さく構成する。静電放電保護回路４２が、所与の半導体基板において、貫通電極５３から最も小さい配線抵抗で接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧のばらつきが小さい記憶素子部と、低消費電力で高速な論理素子部を有する半導体装置を可能にする。
【解決手段】記憶素子部１２と論理素子部１３とに素子分離領域１４で分離された半導体層１１の記憶素子部１２の第１面Ｓ１側に第１ゲート電極２３を有する第１電界効果トランジスタ２１と、記憶素子部１２の第２面Ｓ２側に第２ゲート電極３３を有し、第１電界効果トランジスタ２１とソース・ドレイン領域を共通とする第２電界効果トランジスタ３１と、論理素子部１３の第１面Ｓ１側に第３ゲート電極４３を有する第３電界効果トランジスタ４１と、第１面Ｓ１側に形成された第１絶縁膜５１と、第２面Ｓ２側に形成された第２絶縁膜６１を有し、第１、第２電界効果トランジスタ２１、３１は完全空乏型の電界効果トランジスタであり、第１、第２ゲート電極２３、３３は電気的に接続されている。 （もっと読む）