【課題】高光電変換効率・高速応答性を示す有機材料を含む光電変換素子、固体撮像素子及び光センサーを提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表される化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子。一般式（１）


式中、Ｚ_１は５員または６員の含窒素複素環を形成する原子群を表す。Ｚａは５員または６員環を形成する原子群を表す。Ｒ_１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。Ｌ_１１〜Ｌ_１４はメチン基を表し、置換基を有していても良く、他のメチン基と環を形成しても良い。ｐ１は０または１を表す。ｎ１は０〜４の整数を表し、ｎ１が２以上の時、複数のＬ_１３、Ｌ_１４は同じでも異なってもよい。Ｍ１は電荷を中和するイオンを表し、ｍ１は電荷の中和に必要な数を表す。 （もっと読む）

【課題】極めて単純なプロセスにより製造できる光感度を高めた光電変換素子を得ることである。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層と電荷蓄積層を含む光電変換部を備える光電変換素子であって、前記光電変換層及び電荷蓄積層が有機色素である光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】水素濃度を減らしながら、半導体素子を容易に得ることができる、製造方法およびその方法で製造された半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率およびＳ／Ｎ比が高い光導電膜、及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】結晶質有機光電変換膜及び前記光電変換膜と異なる組成の非結晶質膜からなる２層が連続積層された構造を有することを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。
【解決手段】典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体光検出素子の表裏を貫通する電極用孔を形成することなく、表裏を電気的に接続し、高密度に配置可能な半導体光検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 一方の面に正及び負の電極６，７を備え、他方の面を光入射面とする半導体光検出素子１であって、一方の面の正負の電極のいずれかと電気的に接続し、素子の少なくとも1つの側面において、他方の面に向かって中途まで形成された1つの導電層８１と、他方の面側の半導体層と電気的に接続し、1つの側面と隣接する少なくとも１つの他の側面において、一方の面に向かって中途まで形成された１つの他の導電層８２とを有し、１つの側面と１つの他の側面との間の隅部において、１つの導電層８１と１つの他の導電層８２とが直接接続していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎを含む活性層または受光層と、Ｐを含む半導体層とを備える半導体素子を、量産ベースで製造することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、ＭＢＥ法により成長する工程と、その窒素含有半導体層上に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、塩化物気相成長法により成長する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光領域と受光領域とが混在するシート状の撮像素子であって、医療用に最適な撮像素子を提供する。
【解決手段】平面視において発光領域２ｂと受光領域２ａとが混在したシート状の撮像素子２であって、シート状の透光性基板２３と、透光性基板２３の表面上方の受光領域２ａに形成された光電変換素子２５と、透光性基板２３の表面上方の発光領域２ｂに形成された光を透過する透光部２４と、透光性基板２３の裏面側から透光性基板２３を介して透光部２４に光を入射する発光シート２２とを備え、透光性基板２３が赤外光を透過するものであり、光電変換素子２５が赤外光を検出するものであり、透光部２４が赤外光を透過するものであり、発光シート２２が赤外光を透光部２４に入射するものである。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を低減化することができる受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子（１００）は、半導体基板（１）と、半導体基板上に設けられた第１導電型の第１半導体層（２，３，４，５，６）と、第１半導体層上に設けられた第２導電型の第２半導体層（７）と、第１半導体層および第２半導体層の側面に設けられ一部に層厚の小さい薄層領域を備える第３半導体層（１３）とを備え、薄層領域（１３ａ）の最薄部は、第１半導体層と第２半導体層との界面のビルトイン空乏層（Ａ）よりも半導体基板側に位置する。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子に最適な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部Ａを備える光電変換素子であって、光電変換膜１２が、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、光電変換部Ａが全体として可視域の光を５０％以上透過する。 （もっと読む）

【課題】 ２．０μｍ〜３．０μｍの波長の光を高感度で感受できる暗電流の小さい受光素子を与えること。
【解決手段】ＩｎＰ基板と、窒素混晶比が５％以下でＩｎＰより大きい格子定数ａのＧａＩｎＮＡｓＳｂＰ混晶よりなり、ｈｃ＝ｂ（１−νｃｏｓ^２α）｛ｌｏｇ（ｈｃ／ｂ）＋１｝／８πｆ（１＋ν）ｃｏｓλによって決まる臨界膜厚ｈｃの１倍〜１１倍の厚みを持つ過大受光層と、窒素混晶比が５％以下でＩｎＰより格子定数の小さいＧａＩｎＮＡｓＳｂＰ混晶よりなり臨界膜厚ｈｃの１倍〜１１倍の厚みを持つ過小受光層とを交互積層してなる受光層を有し、過大受光層および過小受光層のＩｎＰ基板との格子不整合が±０．５％〜±５％であり、過大、過小受光層の少なくとも一方が２．０μｍ〜３．０μｍの間に吸収端波長を持ち、それぞれの層の合計厚みが２．０μｍ〜４．０μｍであり、厚み加重平均格子不整合が±０．２％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体であり、基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、基板面方位が｛１１１｝面であり、基板面と垂直な＜１１１＞軸方向に半導体格子を伸長される光電変換層を用いる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】量子井戸型光検知器に関し、積層された複数のＭＱＷ層を選択的に動作させる量子井戸型光検知器の構造に簡単な改変を加えるのみで、選択したＭＱＷ層への光入射が非選択のＭＱＷ層に於ける光吸収が影響を与えないようにする。
【解決手段】上下をｎ型コンタクト層３２及び３４で挟まれ所要波長の光を吸収する多重量子井戸からなる第１のＭＱＷ層３３、及び、上下をｎ型コンタクト層３６及び３８で挟まれ第１のＭＱＷ層３３が吸収する光の波長と異なる波長の光を吸収する多重量子井戸からなる第２のＭＱＷ層３７をｐ型ＧａＡｓ中間層３５を介して積層した構成を含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。
【解決手段】
一対の電極（１８０，３００）と光電変換層２００との間に、複数層構造の電荷ブロッキング層（電子ブロッキング層１９２，正孔ブロッキング層２０２）を設ける。電子ブロッキング層１９２は３層（１９２ａ〜１９２ｃ）からなり、正孔ブロッキング層２０２も３層（２０２ａ〜２０２ｃ）からなる。各層の中間準位のエネルギー位置を異ならせるために、各層の材料を異なるものにすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 ２次相互変調歪を抑制した上で、高い量子効率、低い素子容量を実現することができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型バッファ層２と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層３と、ｎ型窓層４と、ｎ型窓層４からＩｎＧａＡｓ受光層３に届くように形成されたｐ型領域５と、ｐ型領域に電気的に接続されるｐ部電極１５ａとを備えるアナログ伝送用のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子において、バッファ層のｎ型キャリア濃度が１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、ｐ型半導体、半導体接合素子、ｐｎ接合素子、および光電変換装置を提供すること。
【解決手段】硫化鉄に、Ｍｇ、Ｚｎ、または、Ｉａ族元素を混ぜることにより、半導体を作製する。また、この半導体を用いて、半導体結合素子または光電変換装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を大きく抑制することができる半導体受光素子、その製造方法およびその半導体受光素子を用いた受光装置を提供する。
【解決手段】 受光層３を含むエピタキシャル積層構造のプレーナー型半導体受光素子１０であって、受光層３の上にエピタキシャル成長したＩｎＡｌＡｓの窓層４と、ＩｎＡｌＡｓ窓層４が酸化されてなり、窓層を被覆する酸化被膜５と、窓層から受光層に届くようにｐ型不純物が導入されたｐ型領域１５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度および応答速度がともに優れたシリコン系の受光素子を提供する。
【解決手段】シリコン原子を主成分とする母体半導体と、格子点サイトの前記シリコン原子と置換されるｎ型ドーパントＤと、前記ｎ型ドーパントＤに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚとを含み、前記異種原子Ｚは前記ｎ型ドーパントＤとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となっている光電変換層を有することを特徴とする受光素子。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる光電変換素子において、暗電流を防ぐこと。
【解決手段】一対の電極１００，１０２と、一対の電極１００，１０２の間に配置された光電変換層１０１とを含む光電変換部を含む光電変換素子であって、光電変換部が、電極１００と光電変換層１０１との間に設けられ、電極１００，１０２への電圧印加時、電極１００から光電変換層１０１に正孔が注入されるのを防止する正孔ブロッキング層１０３と、電極１０２と光電変換層１０１との間に設けられ、電極１００，１０２への電圧印加時、電極１０２から光電変換層１０１に電子が注入されるのを防止する電子ブロッキング層１０４とを備え、正孔ブロッキング層１０３と電子ブロッキング層１０４は、それぞれ、その比誘電率が光電変換層１０１の比誘電率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２と対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間に形成された光電変換層３とを有し、下部電極２と上部電極４との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子１００であって、上部電極４を光入射側の電極とし、上部電極４が透明電極であり、下部電極２が光の反射機能を有する金属電極である。 （もっと読む）