【課題】引張歪による直接エネルギーギャップＥ_０の縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム粒子と、前記ゲルマニウム粒子の周囲を覆って、前記ゲルマニウム粒子を埋め込む埋め込み層を具備し、前記埋め込み層が、前記ゲルマニウム粒子の３つの結晶軸方向夫々に於いて、引張歪を前記ゲルマニウム粒子に発生させていること。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高い有機光電変換素子、この素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供する。
【解決手段】陰極と陽極の間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する低分子化合物を含有する有機光電変換素子。


〔式中、Ｚは、置換または無置換の５員または６員の芳香族環、これらの縮合芳香族環を形成するに必要な原子群を表し、Ｒ_１、Ｒ_２は、水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を達成可能で、耐久性が高く、塗布プロセスに対応でき、プラスチック基板上に形成できる有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】透明電極１２と対電極１３の間に、バルクヘテロジャンクション層１４を有し、かつ、下記一般式（１）から（４）のいずれかで表される、分子量３００〜３０００の低分子化合物を少なくとも１種含有する。


（式中、Ｄ_１、Ｄ_２、Ａ_１、Ａ_２及びＮ_１は置換または無置換の芳香族環を表す。） （もっと読む）

有機感光性光電子デバイスは式Ｉのスクアライン化合物から形成される少なくとも一つのドナー−アクセプターヘテロ接合点を含み；式中、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立して置換されていてもよい芳香族基から選択される。本明細書に記載される有機光電子デバイスは、少なくとも二つの異なるスクアライン化合物から形成されるドナー−アクセプターヘテロ接合点を含んでいてもよい。開示されているデバイスの製造方法も開示されており、当該方法は、前記スクアライン化合物を蒸着する少なくとも一つの昇華工程を含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】 短波長側の光に対する感度を向上させることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子１では、ｐ電極１２の延在部１２ａが絶縁膜１１を介して光入射孔８の側面８ａから底面８ｂの周縁部８ｃに至っている。これにより、延在部１２ａで光の進行が遮られるため、コンタクト層６、及びその一端面６ａに積層されたキャップ層７を介することなく、光が光入射孔８から光吸収層４に入射することになる。よって、分光感度のばらつきを抑制することができる。更に、ｐ電極１２の接続部１２ｂが絶縁膜１１及びキャップ層７を貫いてコンタクト層６の不純物拡散領域９に接続されている。これにより、光吸収層４の一端面４ａに積層されたキャップ層５を所定の厚さに薄型化することができる。以上により、半導体受光素子１によれば、短波長側の光に対する感度を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】複数の光検出素子を有する光検出装置をコンパクト化すること。
【解決手段】基板２と、基板２の表面２ａ上に設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子１０を有する帯状の光検出体８とを備える。複数の光検出素子１０は、光信号を電気信号に変換する光電変換領域１２と、この電気信号を外部に出力するための信号出力領域１４とをそれぞれ有する。光電変換領域１２と信号出力領域１４とは光検出体８において交互に配置され、隣り合う光電変換領域１２と信号出力領域１４とは電気的に接続され、光検出体８は、表面２ａに沿って渦巻き状に延びている。 （もっと読む）

ベース接点を横切って分散されている複数の構造化ピラーを備えた電極及びその製造方法が記載される。１つの実施形態において、この構造化ピラーは円形断面を有する円柱状構造であって、このベース表面にわたって等間隔の二次元アレイとして分散している。構造化ピラーの高さ、直径、及び間隔は好ましくはナノメートルスケールであり、それゆえに、ピラーを備えた電極はナノ構造化ピラー電極と同定される。ナノ構造化ピラーは、例えば、標準的なリソグラフィプロセスを用いた界面鋳型内への成膜又は界面鋳型を介したエッチングによって形成されてもよい。構造化ピラー電極は、光起電力電池などの光電子デバイスに組み込むと、多くの利点を提供する。これらの利点には、例えば、キャリア輸送距離の短縮を介する電荷収集効率の改善や、電極−光活性層界面の表面積の増加などが含まれる。これらの改善は、光起電力デバイスの電力変換効率の増加に寄与する。
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【課題】吸収効率の良く、フィルタ無しで紫外線のみを検出できるワイドバンドギャップ半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの半導体などで、ｐ型、ｎ型の双方が形成でき難い半導体であっても高感度に被測定光量が高感度で高精度であり、しかも再現性良く安定で、Ｓ／Ｎ比が大きい光検出装置を提供するための駆動方法とその光検出装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードに所定の順方向電圧と所定の時間印加した後、紫外線などの受光によるフォトダイオードの短絡光電流もしくはほぼ短絡光電流と見做せるような微小逆方向電圧を印加して光電流を計測するようにして、これらの短絡光電流から紫外線などの受光の量を計測する駆動方法で、順方向印加駆動回路と短絡電流の検出回路を有する光検出装置で、紫外線などの受光による短絡電流を計測する。 （もっと読む）

【課題】高速応答を実現できる信頼性の高い導波路型受光素子を得る。
【解決手段】導波路型受光素子１０の入射端面１２から入射光１４が入射される。導波路型受光素子１０は、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ基板１８上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層３０、ｐ−ＩｎＰクラッド層３２、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３４が順番に積層された積層構造を備える。隣接するｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａとｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂの間にｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａが挿入されている。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａのバンドギャップ波長は、入射光１４の波長より短い。 （もっと読む）

【課題】１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、応答性に優れ、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上に、受光素子１０が、複数、配列された受光素子アレイであって、Ｉｎ組成が０．５３を超えるＩｎＧａＡｓ受光層３と、ｎ型窓層４とを備え、その窓層はｎ型キャリア濃度１×１０¹⁶／ｃｍ³以上を有し、受光素子の受光領域のｐｎ接合またはｐｉｎ接合１７を形成するためのｐ型領域１５は、上記の窓層からＩｎＧａＡｓ受光層へと導入されたｐ型不純物によって形成され、そのｐ型領域は、窓層において上記のｎ型キャリア濃度の周囲領域１９に囲まれている。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型半導体基板とＮ型透明非結晶酸化物半導体層とを含む、光電デバイス用に採用されるダイオードを提供し、製作プロセスを簡単にするとともに、製造コストを低減する。
【解決手段】光電デバイスが提供される。光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。Ｎ型ＴＡＯＳ層がＰ−Ｎダイオードの一部を構成するとともに、ウインドウ層および前電極として供される。 （もっと読む）

【課題】受光素子間の漏れ電流を十分に低減し、小型、簡易な受光素子アレイを提供すること。
【解決手段】受光素子アレイは、導電型半導体基板２上に形成された光吸収層３を有し、かつ、導電型半導体基板２と逆の導電型の拡散領域５を光吸収層３の直上に設けられた導電型半導体層４内に複数形成されている。ここで光吸収層３は、導電型半導体基板２と同一の導電型を有する。また、導電型半導体基板２には、裏面電極１が蒸着等により形成され、導電型半導体層４には絶縁膜６および表面電極７が形成されている。光吸収層３は電子を多数キャリアとする導電型となっているため、電子―正孔間の再結合確率が高く、光吸収層３中を横方向に拡散移動する正孔はその距離に従い大幅に減少する。よって、隣接する受光素子に到達する正孔が減少し、結果として隣接する受光素子への漏れ電流は抑圧される。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易であって構造及び回路構成の制限を緩和することができる複合センサ及びこれを用いた炎センサを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】低暗電流、高光電変換効率で高速応答が可能な光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち少なくとも一方と光電変換層１０２との間に設けられた電荷ブロッキング層１０５，１０３とを備え、電荷ブロッキング層１０５，１０３が水素化無機酸化物を含む。 （もっと読む）

【課題】熱励起した正孔（ホール）による暗電流、及び拡散電流を抑制した赤外線センサを提供すること。
【解決手段】第１の化合物半導体層１０２において発生した熱励起キャリア（正孔）は第３の化合物半導体層１０５方向に拡散しようとするが、第１の化合物半導体層１０２および第３の化合物半導体層１０５よりもバンドギャップが大きく、その拡散を抑制する第２の化合物半導体層１０３を第１の化合物半導体層１０２と第３の化合物半導体層１０５との間に設けることで、正孔による暗電流が低減される。第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、導電性の半導体からなる第１の電極層と、前記第１の電極層の上に形成された前記第１の光電変換層と、前記第１の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第２の電極層と、前記第２の電極層の上に形成された、第２の光電変換層と、前記第２の光電変換層の上に形成された、導電性の半導体からなる第３の電極層からなる赤外線を電気信号に変換する光半導体装置において、前記第１の光電変換層が、前記半導体基板の主面に投影した形状が、第１の方向に長軸を有する第１の量子ドットから成り、前記第２の光電変換層が、前記主面に投影した形状が、前記第１の方向にに交差する第の２の方向に長軸を有する第２の量子ドットから成ること。 （もっと読む）

【課題】 単独で広波長帯域の光を吸収することができるフォトダイオードを提供し、光電力の測定を煩雑な操作や複雑な装置を必要とせずに簡便化し、さらに精密な測定を可能とする。
【解決手段】 入射光が入射する第一半導体層と、該第一半導体層と接合して設けられ、該第一半導体層よりもエネルギー禁止帯幅が小さい第二半導体層とからなり、前記第一半導体層がｐｎ接合を有し、該第一半導体層の該第二半導体層と接触する部分の導電型と該第二半導体層の導電型が同じであることを特徴とするフォトダイオードである。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一画素の含まれるＭＯＳトランジスタの個数を低減できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光信号を電気信号に変換する複数の画素を備えるＣＭＯＳイメージセンサであって、Ｐ型Ｓｉ基板に形成されたフォトダイオード１と、フォトダイオード１のカソード上に絶縁膜を介して形成されたＳｉ層と、Ｓｉ層に形成されたＭＯＳトランジスタ２と、を一画素１０内に有し、ＭＯＳトランジスタ２のソース又はドレイン（即ち、Ｓ／Ｄ）の一方は行方向に向かって延びるＶＤＤラインに接続され、ＭＯＳトランジスタ２のＳ／Ｄの他方は行方向に向かって延びるＲＯＷラインに接続され、且つ、ＭＯＳトランジスタ２のゲート電極は行方向と交差する列方向に向かって延びるＣＯＬＵＭラインに接続されている。 （もっと読む）