【課題】光電変換膜中の異なる材料の界面において生じる湧き出し電荷を抑制し、暗電流を効果的に減少させることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜と、光電変換膜と、導電性膜とを有する光電変換素子であって、光電変換膜が、一般式（ｉ）で表される化合物を含む、光電変換素子。一般式（ｉ）


（式中、Ｒ_２〜Ｒ_９は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_７及びＲ_８のうち少なくとも２つが、それぞれ独立にアリール基、複素環基、又は−Ｎ（Ｒａ）（Ｒｂ）を表す。Ｒａ及びＲｂは、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒａ及びＲｂの少なくともいずれかは、アリール基又は複素環基を表す。Ｒ_１は、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。） （もっと読む）

【課題】光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型で、赤外線領域の赤外線を電気信号に変換するのに適した光センサを提供すること。
【解決手段】光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。半導体基板の裏面から入射した光量に応じた信号を電圧又は電流で出力し、半導体基板の裏面に２層からなる保護層を設けることで、半導体基板の裏面の変色を防ぎ、また、光の利用効率を向上することが出来る。 （もっと読む）

【課題】フラーレンを含む光電変換層を備える光電変換素子の耐光性向上を図る。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間にフラーレンを含む光電変換層１２を備え該光電変換層１２内に前記フラーレンの励起状態を失活させる消光剤を含有させる。励起状態となったフラーレンを消光剤が失活させることで、フラーレンの重合が過度に進むのを阻止し、耐光性を高める。 （もっと読む）

赤外線外部光電子放出検出器は、ｎ−タイプ半導体層とｐ−層とを含むｎ−ｐヘテロ接合を有することができ、該ｎ−層半導体は、ショットキーバリヤを形成するナノ粒子と共に埋め込まれたドープされたシリコンを含み、該ｐ−層は、ｐ−タイプダイアモンドフィルムである。ナノ粒子は、約５〜１０ｎｍの平均粒径を有する、約２０〜３０原子百分率の金属粒子（例えば銀）であることができる。ｐ−層は、負電子親和力を有する表面層を有することができる。ｎ−層は、約３μｍ〜１０μｍの厚さの範囲にあることができ、好ましくは、約３μｍの厚さである。ドープされたシリコンは、燐およびアンチモンから成るリストから選択される元素によってドープされることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。半導体ナノロッド１３０は、基板１１０上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド１３０同士の中心間距離ｐと、半導体ナノロッド１３０の最小径ｄとの比ｐ／ｄが１〜７の範囲にある。半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率及び耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合された光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、少なくとも下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する有機光電変換素子。


（式中、Ａ_１及びＡ_２は各々独立して、置換又は無置換の５〜６員のアリール又はヘテロアリール基から選ばれる基を表す。） （もっと読む）

【課題】低バンドギャップポリマーによる高い光電変換効率のため、高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体含有の有機光電変換素子等を提供する。
【解決手段】対極と透明電極間に、下記一般式（１）の化合物含有の有機層を設ける。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを有する太陽電池及び光センサアレイを提供することにある。
【解決手段】陰極と陽極の間に、一般式（１）で表されるフラーレン誘導体とｐ型半導体材料とを含有する層を有することを特徴とする有機光電変換素子。
【化１】


（式中、点線部分は架橋構造を形成する原子団を表す。Ｒは置換基を表す） （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、隣接画素間に短絡を生じない、検出装置、センサ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 波長１μｍ〜３μｍに受光感度を持つ化合物半導体において受光素子Ｐが複数配列された受光素子アレイ５０と、画素ごとに光電荷を読み出すＣＭＯＳ７０と、受光素子アレイとＣＭＯＳとの間に介在する接合バンプ９と、接合バンプ９と導電接続する、筒体である筒状金属Ｇとを備え、筒状金属Ｇは、受光素子アレイ側およびＣＭＯＳ側のいずれか一方に設けられ、筒状金属Ｇは、接合バンプ９を収容するように位置することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、有機フォトダイオード中の光活性層のための新規な材料、当該材料の使用及び有機フォトダイオードに関する。本発明は、有機光活性色素、即ち、電子供与体成分としての、そして従って、“バルクへテロ接合”のための高分子正孔伝導体に対する代替物としての、供与体置換された芳香族置換基を有するスクアライン、当該有機フォトダイオード中の有機活性層（４）のための材料、を開示している。 （もっと読む）

光電子素子は、第１の電極と、第１の電極上に配置される量子ドット層であって、複数の量子ドットを含む量子ドット層と、量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層であって、量子ドット層とフラーレン層とが電子的ヘテロ接合を形成する、フラーレン層と、フラーレン層上に配置される第２の電極とを含む。素子は、電子ブロッキング層を含んでもよい。量子ドット層は、向上した電荷キャリア移動度を呈するように、化学処置によって修飾されてもよい。
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光検出器は、１つ以上のフォトダイオードと、信号処理回路とを含む。各フォトダイオードは、透明な第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極との間に挿入されるヘテロ接合を含む。各ヘテロ接合は、量子ドット層、および量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層を含む。信号処理回路は、各第２の電極と信号通信状態にある。光検出器は、赤外線、可視、および／または紫外線範囲内の波長に応答してもよい。量子ドット層は、量子ドット層の電荷キャリア移動度を向上させる化学物質によって処置されてもよい。
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【課題】
簡易な設備で作製可能で、高効率な有機光電変換素子、及び、これを含むイメージセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】
陰極、陽極、及び前記陰極及び前記陽極の間に形成される有機半導体層を含む有機光電変換素子であって、前記有機半導体層は、電子供与性の有機材料と電子受容性の有機材料との混合比が段階的に設定される４層以上の混合層を有する。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】陽極１０と陰極２０と、前記陽極１０と陰極２０の間に光電変換層３０と、を含み、前記光電変換層３０が、少なくとも、電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）を含有する混合層３４を有し、前記混合層３４の最も陽極側部分の電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）の重量混合比（Ｐ／Ｎ）が、１＜Ｐ／Ｎ＜３であり、前記混合層３４のＰ／Ｎが、陽極側から陰極側に向かって小さくなっている、光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有すると共に、経時変化による変換効率の低下を抑制した光電変換素子を提供する。
【解決手段】陽極と陰極と、陽極と陰極の間に光電変換層と、を含み、光電変換層が、少なくとも、電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）を含有する混合層を有し、混合層の最も陽極側部分の電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）の重量混合比（Ｐ／Ｎ）が、３よりも大きく、混合層のＰ／Ｎが、陽極側から陰極側に向かって小さくなっている、光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを有する太陽電池及び光センサアレイを提供することにある。
【解決手段】陰極と陽極の間に、吸収極大波長が７００ｎｍ以上のフラーレン誘導体を含有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

ｎ型材料と接触している有機ｐ型材料を含み、前記ｎ型材料が、ＳｎＯ_２よりも高いバンドギャップ及び／又はＳｎＯ_２よりも真空準位に近い伝導帯端を有する表面被覆材料、例えばＭｇＯなど、の少なくとも１つの表面被覆を有するＳｎＯ_２を含む、固体ｐ−ｎヘテロ接合。本発明は、かかるｐ−ｎヘテロ接合を含むオプトエレクトロニクスデバイス、例えば太陽電池又は光センサーなど、並びにかかるヘテロ接合デバイスの製造方法を提供する。
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【課題】新たに工程を追加せずに側面容量を低減することでコストパフォーマンスに優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】第一導電型の半導体層と、前記第一導電型の半導体層上に形成された第二導電型の半導体層とを備える半導体基板を有し、前記第二導電型の半導体層上の受光領域に入射された光を電流に変換する光半導体装置であって、前記第二導電型の半導体層の上面から当該第二導電型の半導体層を貫通して前記第一導電型の半導体層と接するよう形成された第一導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に設けられた前記電流を取り出すための第一の電極と、前記第二導電型の半導体層上で、かつ前記第一の電極から離れた位置に設けられた前記電流を取り出すための第二の電極と、前記第二導電型の半導体層上で、かつ前記第一の電極と前記第二の電極との間の領域に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた第三の電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 小型化しながらＩｎバンプによる画素ごとの接続に伴う問題を解決し、かつフォトダイオードと読み出し回路の接続部周辺に高い応力を生じない、光検出装置を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ型センサーチップ５０には画素ごとに画素電極１１が設けられ、また、読み出し回路７０には、金属突起の読み出し電極７１が設けられ、受光素子アレイ型センサーチップの画素電極と読み出し回路の読み出し電極とを画素ごとに導電接続する異方性導電フィルム６０を備え、異方性導電フィルム６０が、受光素子アレイ型センサーチップと信号読み出し回路との間を充填して、受光素子アレイ型センサーチップと読み出し回路とを接着していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】取り扱う波長帯に応じてフォトダイオードのサイズを変更し、色毎の感度バランスを整えること。
【解決手段】本発明は、異なる波長に対応する複数の受光領域Ｂ、Ｒ、Ｇｂ、Ｇｒが配置される画素部１０と、画素部１０における複数の受光領域Ｂ、Ｒ、Ｇｂ、Ｇｒで取り扱う各波長での光照射のエネルギープロファイルに応じた大きさとなるよう複数の受光領域Ｂ、Ｒ、Ｇｂ、Ｇｒを区分けする素子分離部２０とを有する固体撮像装置１である。特に、波長が長い光に対応した受光領域ほど大きくなるよう設定するものである。 （もっと読む）