【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極に挟持された光電変換層を有する光電変換素子であって、該光電変換層が少なくとも１つの有機材料を含み、
該一対の電極の一方の電極と、該光電変換層との間に少なくとも１層の電子ブロッキング層を備え、該電子ブロッキング層の少なくとも１層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を含む混合層である光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示し、かつ蒸着時に分解が起こらない化合物を提供すること。
【解決手段】紫外可視吸収スペクトルにおいて４００ｎｍ以上７２０ｎｍ未満に吸収極大を有し、その吸収極大波長のモル吸光係数が１００００ｍｏｌ^-1・ｌ・ｃｍ^-1以上で、融点と蒸着温度の差（融点−蒸着温度）の差が３１℃以上である特定構造の化合物。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が比較的低く大電流にも対応可能という特性を持ちながら、光照射強度に応じて電流を変化させることができる半導体素子および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】電子走行層１４における電子供給層１５との界面には動作時にチャネルとなる２次元電子ガス領域１６が形成される。２次元電子ガス領域１６におけるドレイン電極１１とソース電極１２との間の一部には、空乏化部１８により空乏化された空乏領域１７が形成されている。半導体素子１は、空乏領域１７に光を照射しない状態で、２次元電子ガス領域１６の空乏領域１７が空乏化しているため、ドレイン電極１１・ソース電極１２間が非導通となる。一方、半導体素子１は、電子走行層１４のバンドギャップよりも大きなエネルギを持つ光を空乏領域１７に受けた状態で、空乏領域１７に電子２０と正孔とが生成されることでドレイン電極１１・ソース電極１２間が導通する。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体を含有する有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物を含有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。（式中、ＦＬＮはフラーレンを表す。Ａは芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｒ_１は水素原子または置換基を表す。）
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【課題】短絡電流密度と曲線因子の両立が可能な、光電変換効率の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ広ダイナミックレンジを実現することのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板１０１上方に形成された光電変換層と、光電変換層で発生した正孔に応じた信号を読み出す読出し回路１１６とを有する。読出し回路１１６は、光電変換層と電気的に接続されたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤの電位をリセット電位にリセットするリセットトランジスタ２０４と、ＦＤの電位に応じた信号を出力する出力トランジスタ２０５とを含む。トランジスタ２０４，２０５はｎＭＯＳ型である。全ての電位の基準となる電位をＧＮＤとし、ＭＯＳトランジスタ回路の電源電圧をＶｄｄとし、リセット電位をＶｓとし、リセットトランジスタ２０４がオン状態でのＦＤ電位とリセットトランジスタ２０４がオン状態からオフ状態になった直後のＦＤ電位との差をΔＶ２としたとき、ＧＮＤ＜Ｖｓ＜ＧＮＤ＋ΔＶ２＋（Ｖｄｄ／５）の関係が成り立つ。 （もっと読む）

【課題】応答歪を低減し、かつ受光感度の低下を抑えることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。窓層１８のバンドギャップエネルギーは、光吸収層１６のバンドギャップエネルギーよりも大きい。光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】戻り光不良を防ぐことができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板３２は、互いに対向する表面と裏面を有する。ｎ型ＩｎＰ基板３２の表面上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４が設けられている。このｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４は、ｎ型ＩｎＰ基板３２のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ。ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３４上にｎ型ＩｎＰ層３６が設けられている。ｎ型ＩｎＰ層３６の一部にｐ型領域４０が設けられている。ｎ型ＩｎＰ層３６にカソード電極４２が接続され、ｐ型領域４０にアノード電極４４が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面上に低反射膜４６が設けられている。ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面が入射光の受光面である。ｎ型ＩｎＰ基板３２の裏面には、低反射膜４６よりも入射光に対する反射率が高い物質又は構造が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる有機活性層とを有し、有機活性層中に電子供与性化合物と電子受容性化合物とを有し、透過型電子顕微鏡で観察した有機活性層の画像であって明暗を２値化した有機活性層の画像において、電子供与性化合物と電子受容性化合物との接合長さが、有機活性層の画像１μｍ^２あたり、１００μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増大、歩留まりの悪化、素子性能のばらつきを改善した光電変換素子を提供する。
【解決手段】
基体上に導電性薄膜、有機層からなる光電変換膜、透明導電性酸化物薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、光電変換膜の膜厚が１５０ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物薄膜の膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を確実に抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に二次元状に配列された複数の下部電極と、複数の下部電極の上方に、各下部電極と対向して配置された上部電極と、複数の下部電極と上部電極との間に配置された有機光電変換層と、上部電極の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜と、を備え、下部電極の端部側面と、該下部電極を支持する下方の層の表面とのなす角度が４５度以上であり、且つ、封止膜が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力が−２００ＭＰａ〜２５０ＭＰａである。 （もっと読む）

【課題】波長６００ｎｍ以上の赤色領域の吸光度を制御することができる光電変換素子、及び該光電変換素子を用いて色再現性が向上した撮像素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に配置された光電変換層とを含む光電変換素子であって、前記光電変換層がｐ型半導体化合物と二種類以上の異なる無置換フラーレンを含む光電変換素子。該光電変換素子を含む撮像素子。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子で、光照射による感度劣化を抑制する。
【解決手段】基板1０１上に第１電極層１０４と有機材料を含む光電変換層１５と第２電極層１０８とが積層されてなる光電変換素子１００であって、光電変換層１５がＰ型有機半導体とＮ型有機半導体のバルクへテロ構造体を備え、該Ｐ型有機半導体のイオン化ポテンシャルと前記バルクへテロ構造体の見かけのイオン化ポテンシャルとの差が０．５０ｅＶ以下とする。これにより、光照射による感度劣化を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子に適した光電変換素子材料として有用な新規化合物の中間体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｖ）で表される化合物。


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_５とＲ_６は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
好ましくは、Ｒ_２１及びＲ_２２の少なくとも一方が、置換又は無置換のアリール基であって、単結合又は置換基を介してＲ_３又はＲ_６と連結して環を形成する基。Ｒ_２１及びＲ_２２の一方が前記環を形成する基の場合、他方は置換又は無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。 （もっと読む）

【課題】光電流及び素子抵抗をともに大きくできるようにすること。
【解決手段】本発明の赤外線センサ１００は、第１の光吸収層１０３及び第２の光吸収層１０６によって吸収された赤外線を光電流に変換するＰＮダイオードをトンネル接合によって直列接合させた構造である。半導体基板１０１上に設けられた第１のｎ型化合物半導体層１０２と、その上に設けられた第１の光吸収層１０３と、その上に設けられた第１のｐ型ワイドバンドギャップ層１０４と、その上に設けられた第２のｎ型化合物半導体層１０５と、その上に設けられた第２の光吸収層１０６と、その上に設けられた第２のｐ型ワイドバンドギャップ層１０７と、その上に設けられたｐ型キャップ層１０８と、第１のｎ型化合物半導体層１０２上及びｐ型キャップ層１０８上に電極１１０，１０９を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】電極２１、電極２１に対向する電極２２、及び電極２１と電極２２の間に設けられた有機材料を含む光電変換層２３を有し、電極２１及び電極２２間に電界を加えた状態において光電変換層２３で発生した電荷を電極２１及び電極２２で捕集して、電極２１で捕集された電荷又は電極２２で捕集された電荷に応じた信号を取り出す有機光電変換素子であって、光電変換層２３が、それぞれフェルミ準位の異なる層２３ａ，２３ｂを含み、層２３ａ，２３ｂの各々が、ｐ型材料とｎ型材料の混合層であり、層２３ａ，２３ｂうち、電極２１及び電極２２のうちの正孔を捕集する電極に近い位置にある一方の層のフェルミ準位をＦ１とし、他方の層のフェルミ準位をＦ２としたとき、（Ｆ１）≧（Ｆ２）となっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い感度を有し、撮像画像に滲みが発生するのを抑制することが可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子Ｐと、複数の光電変換素子Ｐの各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部３とを有する撮像素子であって、光電変換素子Ｐが、前記電荷を捕集する画素電極６と、画素電極６と対向する対向電極１０と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する光電変換層９と、画素電極６と光電変換層９との間に設けられた電子ブロッキング層７とを含み、画素電極６同士の間隔が２５０ｎｍ以下であり、電子ブロッキング層７の各々の画素電極６側の面から対向電極１０側の面までの表面電位の変化量が−１ｅＶ以上、３ｅＶ以下となっている撮像素子。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減することが可能な有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】画素電極６、画素電極６に対向する対向電極１０、及び画素電極６と対向電極１０の間に設けられた有機材料を含む光電変換層９を有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９の電子スピン数が１．０×１０^１５／ｃｍ^３以下となっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）