【課題】 容易に作製可能なモノリシックに集積されている受発光装置を提供する。
【解決手段】 基板上１０１に、第１の半導体多層膜反射鏡１０２、第１の共振器（１０３，１０４，１０５）、第２の半導体多層膜反射鏡１０６、第２の共振器（１０７，１０８，１０９）、第３の半導体多層膜反射鏡１１０を備え、第１の共振器には活性層１０４が設けられて面型発光部が形成され、また、他方の共振器には光吸収層１０８が設けられて面型受光部が形成され、前記活性層１０４及び前記光吸収層１０８に対してそれぞれ独立に電圧を印加可能な電極１１３，１１２，１１１が設けられており、第１の共振器と第２の共振器とは異なる共振器長を有している。 （もっと読む）

【課題】所要面積が小さく、また簡単且つ廉価に製造することができる、可視スペクトル領域にあるビームを検出するための効率的で小型のビーム検出器を提供する。
【解決手段】第１の検出素子において形成される信号が第２の検出素子において形成される信号とは別個に取り出され、第１の検出素子は可視ビームに対して部分的に透過性であり、第１の検出素子を通過した可視ビームは第２の検出素子において信号を形成する。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの電極に挟まれた有機光電変換膜を有し、該有機光電変換膜が少なくとも正孔輸送性光電変換膜と電子輸送性光電変換膜とを含んでなり、該正孔輸送性光電変換膜と該電子輸送性光電変換膜が可視域に吸収を有し、かつ、両者の光吸収の長波長端の差が５０ｎｍ以下である、光電変換素子、及び撮像素子。 （もっと読む）

【課題】高速且つ高感度のフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】光を吸収して電荷を発生する吸収層として機能する第１の半導体層と、該第１の半導体層に接して設けられた電荷輸送層として機能する第２の半導体層とを少なくとも含み、前記第１の半導体層で発生した電荷のいずれか一方の極性の電荷を、前記第１の半導体層から前記第２の半導体層へと移動するように、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に電界が印加されるフォトダイオードにおいて、前記第１の半導体層のキャリア濃度が１０¹⁷個／ｃｍ³以下であることを特徴とするフォトダイオード。 （もっと読む）

本発明は、受光部を大口径化できるフォトダイオードの構造に関する。本発明によれば、光電変換のための化合物半導体の接合構造を有した受光部と、前記受光部一面の光入射領域にオーム接触された網構造の第１電極と、前記第１電極と対応するように前記受光部の他面に形成される第２電極とを含むフォトダイオードが開示される。 （もっと読む）

【課題】 半導体光デバイスのｐ型半導体層に、ＢｅとＦｅとを同時にドーピングする場合にも、Ｂｅのドーピング遅れをなくし、所望の正孔濃度を得る。
【解決手段】 少なくともｎ型の導電型を有するｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層と、ｐ型半導体層の両側に形成され、Ｆｅがドーピングされた電流ブロック層とを備える半導体光デバイスにおいて、ｐ型半導体層を形成する際には、ＦｅとＢｅとが、同時にドーピングされる。このとき、ｐ型半導体の正孔濃度は、約１．０×１０^１８/cm³とし、Ｆｅ元素濃度が約２×１０^１６〜８×１０^１６/cm³となるように、各元素をドーピングする材料の流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】
有機物質、特に重合体からｐｎヘテロ接合ダイオードを製造する。
【解決手段】
本発明は概して、半導体（共役）重合体と、例えば、フラーレン、特に、バックミンスターフラーレン、Ｃ₆₀、等の受容体から、ヘテロ接合ダイオードを製造することに係り、詳細には、フォトダイオード及び光電池等のヘテロ接合構造体を使用することに関する。 （もっと読む）

共通な光軸に沿って入射光ビームを検出し、出射光ビームを送信する光トランシーバを提供する。かかる光トランシーバは、多種多様な用途に適したコンパクトな光トランシーバを提供する。
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【課題】 小型化を達成しつつ光電変換効率及び感度が良く、かつ色分離の良い光電変換素子及びそれを用いた撮像素子を提供する。
【解決手段】 一対の電極21，22と、電極21，22間に形成された積層型感光層７とを有し、積層型感光層７はヘテロ接合した二層以上のｐ型有機半導体層3p及びｎ型有機半導体層3nからなるとともに、その積層方向は素子面に対してほぼ垂直であり、また電極21，22は素子面に対してほぼ垂直方向に形成されている光電変換素子。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
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本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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【課題】 電極と半導体との接触抵抗が低減したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】 不純物原子と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体表面層１０ａを形成する第１種のＶ族元素以外のＶ族元素である第２種のＶ族元素とを含有する表面側不純物拡散層１２が、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体表面層１０ａの表面側領域の少なくとも一部に形成され、不純物原子を含有する内側不純物拡散層１１が表面側不純物拡散層１２の内側に形成され、かつ、表面側不純物拡散層１２のバンドギャップが、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体表面層１０ａのバンドギャップより小さいことを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 暗電流に対する光電流比率を高める。
【解決手段】 障壁層であるＡｌＧａＡｓ層１０３ａ−１〜１０３ａ−ｎと量子井戸層であるＧａＡｓ層１０３ｂ−１〜１０３ｂ−（ｎ−１）からなる多重量子井戸１０３を有した光検知装置１００において、障壁層であるＡｌＧａＡｓ層１０３ａ−１〜１０３ａ−ｎに光電流及び暗電流のもとになるキャリアの移動度に制限を加えるための不純物（Ｓｉ）をドーピングしたことで、光入射時にキャリア濃度が増加すると、スクリーニング効果により実効的な不純物濃度が低くなり、キャリアの移動度が光非入射時よりも上がるため、暗電流に対する光電流比率が高まる。 （もっと読む）

拡散またはエッチング工程のいずれかで製造された素子の頂部の小さな局所化された接点層と、下部接点領域を定める半導体層とを含むプレーナ型雪崩効果光ダイオードである。半導体増幅層が２つの接点領域の間に配置され、また半導体吸収層が増幅層と上部接点層との間に配置されている。光ダイオードは、低キャパシタと低電界を半導体増幅層と吸収層の周辺部近くに有する。 （もっと読む）