【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子１１と受光素子１２とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子１１から放出された光を微細な棒状受光素子１２で受光することによって、微細な棒状受光素子１２の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子１１と微細な棒状受光素子１２との対を非常に微細にして、電子デバイス１０を非常に微細化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤセンサーの出力が微弱であっても高速で動作可能である。
【解決手段】非常に微細なナノワイヤ素子からなるナノワイヤセンサー素子４を含むナノワイヤセンサーの出力を、非常に微細なナノワイヤ素子からなるナノワイヤ増幅素子５およびナノワイヤ抵抗素子６,７を含むナノワイヤ回路で直接受ける。こうして、出力を増幅するためのナノワイヤ増幅素子５やナノワイヤセンサー素子４からナノワイヤ増幅素子５までの配線１２が持つ寄生容量を非常に小さくして、出力が微弱なナノワイヤセンサー素子４を備えていても、電子デバイス１を高速に動作させる。 （もっと読む）

【課題】低照度側の光検出範囲を低下させることなく、高照度側の光検出範囲を拡大することができる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光を電流に変換する第１の光電変換素子（１）と、光を電流に変換する第２の光電変換素子（２）と、ベースに入力された前記第１の光電変換素子の電流を増幅し、増幅した電流を複数のエミッタから出力する第１のバイポーラトランジスタ（３）と、ベースに入力された前記第２の光電変換素子の電流を増幅し、増幅した電流を複数のエミッタから出力する第２のバイポーラトランジスタ（４）と、前記第１のバイポーラトランジスタの一のエミッタの電流及び前記第２のバイポーラトランジスタの一のエミッタの電流を加算する電流加算部（９）とを有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】光量変動による光電変換素子の逆バイアス電圧の変動を抑え、光応答特性の良い光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により光を電流に変換する第１の光電変換素子（１０）と、前記第１の光電変換素子により変換された電流を増幅する第１の電流増幅手段（２０）と、前記第１の電流増幅手段により増幅された電流をモニタしたモニタ信号を出力する第１の電流モニタ手段（３０）と、前記第１の電流モニタ手段によりモニタされたモニタ信号に対して１より小さいゲインをかけ、前記ゲインをかけられたモニタ信号に応じた逆バイアス電圧を前記第１の光電変換素子に印加する第１のバイアス電圧設定手段（５０）とを有することを特徴とする光電変換装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 十分な受光感度を保ちつつ、受光部の容量を低減し、且つキャリアの走行時間も短縮した半導体受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層からなり、前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を実現することができる光電変換素子、撮像素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２０１，２０４と、前記一対の電極２０１，２０４の間に設けられた光電変換層２００、２０２とを備えた光電変換素子であって、光電変換層２００、２０２が複数層で構成され、複数層の各層がドナー−アクセプタ連結構造で且つ同じ有機化合物から構成され、複数層の一部の層が他の層と配向性が異なる。 （もっと読む）

【課題】光信号をフォトトランジスタで増幅して出力する光センサにおいて安定した電流リミット機能と画素リセット機能を実現することが可能な光センサ、測光装置及びカメラシステムを提供する。
【解決手段】フォトトランジスタ１０１の入射光量が所定量以下でそのベース電位が定常状態の動作点の第一の電位にある時は電荷排出用ＭＯＳＦＥＴ１０２がオフするように制御する。また、フォトトランジスタ１０１の入射光量が所定量以上で電流検出用ＭＯＳＦＥＴ１０６が飽和領域で動作するように制御する。そしてフォトトランジスタ１０１のベース電位が第一の電位から第二の電位に変化した時に電荷排出用ＭＯＳＦＥＴ１０２がオンするように制御する。 （もっと読む）

【課題】フォトトランジスタで増幅した信号を対数圧縮して出力する光センサにおいて低電源電圧化を行い、システムが要求する低電源電圧化を満足する光センサ及びカメラシステムを提供する。
【解決手段】ベースをＭＯＳＦＥＴ１０２と電流源１０３との接続点に接続し、フォトトランジスタ１０７に直列に接続したバイポーラトランジスタ１０４を具備する。また、ベースをその接続点に接続し、対数圧縮信号を積分する積分用容量素子１０６と直列に接続したバイポーラトランジスタ１０５を具備する。バイポーラトランジスタ１０４のコレクタをＧＮＤ等の回路上の最も低い電位に設定でき、フォトトランジスタ１０７のベース端子Ｂの設定値を下げられる。 （もっと読む）

【課題】フォトトランジスタの周波数応答性及び感度を向上させる。
【解決手段】基板の表面領域に形成されたコレクタ領域（１８）、ベース領域（１２）及びエミッタ領域（１４）を備え、光の入射に伴って発生する電子及び正孔をコレクタ領域（１８）とベース領域（１２）の境界で分離するフォトトランジスタであって、境界の少なくとも一部が凹凸に形成されていることを特徴とするフォトトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】可視光通信用の受光素子アレイの集積回路の提供
【解決手段】（ａ）とその等価回路である（ｂ）において、ｐ型基板２１０のｎ−ｗｅｌｌ（ｎ型ウエル）２２０内にｐ拡散を行い、ｎ−ｗｅｌｌ２２０の下のｐ型基板を利用してｐ−ｎ−ｐ構造２３０，２４０(ウエル内の左と右の長方形参照）を作る。ｎ−ｗｅｌｌ２２０をＶ_ＤＤにした場合は、このｐ拡散の構造２４０（左の長方形）はフォトダイオードとして動作する。しかし、ｎ−ｗｅｌｌ２２０をＭＯＳＦＥＴスイッチで切り離すと、ｐ−ｎ−ｐ構造２３０（右の長方形）は、トランジスタのベース部分がフロート状態となり、フォトトランジスタ２３０として動作する。
このフォトトランジスタの応答感度は、ｐ拡散のフォトダイオードよりも約４０倍高感度（赤：波長６５０ｎｍの場合）であることがわかった。 （もっと読む）

【課題】高効率で、高精度の光検出が可能な半導体素子、半導体装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体素子１は、ｐ型領域と、ｎ型領域と、前記ｐ型領域と前記ｎ型領域との間に設けられたｉ型領域とを有し、前記ｐ型領域をソース電極２２、前記ｎ型領域をドレイン電極２３として用いるｐｉｎ型のフォトトランジスタ２と、前記フォトトランジスタ２で発生した電流を増幅する電流増幅回路とを備え、前記フォトトランジスタ２のゲート電極２１に電圧を印加した状態で、前記フォトトランジスタ２の前記ｉ型領域で受光した光が電流に変換され、該電流が前記電流増幅回路で増幅されて出力されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】受光素子部における動作特性を向上させ、且つバイポーラトランジスタやＭＯＳトランジスタと共に集積化が可能な光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置は、入射光を電流信号に変換する受光動作部５４と、電流信号を増幅する電流増幅動作部５２とを有する受光素子部５０を備える。受光動作部５４は、第１導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型の半導体層２と、半導体層２上に設けられた第２導電型の第１の半導体領域６と、第１の半導体領域６と絶縁分離された、半導体層２上に設けられた第１導電型の第２の半導体領域５とを有し、電流増幅動作部５２は、第２の半導体領域５と、半導体基板１内に設けられた第２導電型の第３の半導体領域３と、第２の半導体領域５と絶縁分離され、第３の半導体領域３上に設けられた第２導電型の第４の半導体領域４とを有している。 （もっと読む）

【課題】イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。
【解決手段】イメージング装置の光センサアレイは、シリコンのような複数アモルファス半導体から形成されるバイポーラフォトトランジスタを使用する。該トランジスタは、オープンベース素子であって、入射する光子によって発生する正孔により、ベース領域への電流注入が生じる。また、コレクタ領域は、好ましくはアモルファスシリコンの真性層で形成される。該トランジスタは、バイポーラ電流が集積される集積モードか、もしくは、光の強度に応答する電流がモニタされる静的モードで動作する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積装置において、簡素化された構成にて、電気的特性に弊害を受けずに光機能を設け、電気的特性を向上させる。
【解決手段】結晶基板１２上に電子供給層（ｎ型層）２５を形成し、この電子供給層（ｎ型層）２５の上にゲート電極８，ソース電極７，ドレイン電極６を形成してＦＥＴ部を設け、さらに前記ソース電極７の外側の結晶基板１２上にｎ型オーミック電極５を形成し、このｎ型オーミック電極５の上にｎ型層２７，ｎ型活性層（発光層）１５，ｐ型層２６を形成して発光部３を設ける。この構成により、同一結晶基板１２上にＦＥＴ素子部と発光素子部を形成し、電気的機能と光機能とを共有するようにして、回路規模が小さいままで、光励起効果を用いて特性向上を図ることを可能にする。 （もっと読む）

光活性材料を用いて、電源エレクトロニクスデバイスおよび回路の光制御に影響を与えるために従来法に対する大きな性能利点を有する電源デバイスおよび回路を作成する。浅いドナーをホウ素関連Ｄ−センターで補償することにより炭化ケイ素光活性材料を形成する。生成する材料はｎ型であることもｐ型であることもあるが、ポリタイプ毎に異なる、Ｄ−センターからの光励起電子が伝導バンド末端に近い状態となることが可能となるのに必要な閾値エネルギーよりも過剰な光子エネルギーを有する電磁放射線で照射するとき、その中に持続的光伝導性を誘導する能力により、他の材料と区別される。
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半導体放射線検出器は、半導体材料のバルク層と、バルク層の第１の表面に以下の順序で、第２の伝導性タイプの半導体の修正内部ゲート層と、第１の伝導性タイプの半導体のバリア層と、第２の伝導性タイプの半導体のピクセルドーピングとを備える。ピクセルドーピングは、ピクセルドーピングに対応するピクセルを創成するために少なくとも１つのピクセル電圧と結合されるように適応されている。デバイスは第１の伝導性タイプの第１のコンタクトを備える。前記ピクセル電圧はピクセルドーピングと第１のコンタクトとの間の電位差として規定される。バルク層は第１の伝導性タイプのものである。第１の表面の反対側のバルク層の第２の表面に、デバイスのアクティブエリアの外側で二次電荷を輸送するか、又は放射線入射窓として機能するようないかなる導電性背面層も存在しない。
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【課題】安定した電流検出が可能な電流検出回路を提供する。
【解決手段】第１トランジスタＱ１は、フォトトランジスタ２１０の電流経路上に設けられる。バイアス電流経路１２は、直列接続されたバイアススイッチＳＷ１、第１バイアス抵抗Ｒｂｉａｓ１を含み、フォトトランジスタ２１０を含む主電流経路１０と並列に設けられる。第２トランジスタＱ２は、第１トランジスタＱ１とともにカレントミラー回路を構成し、第１トランジスタＱ１に流れる第１電流Ｉｑ１を所定係数倍した第２電流Ｉｑ２を生成する。第２電流Ｉｑ２は充電キャパシタＣｃｈｇに充電され、電圧に変換される。バイアス電流経路１２は、フォトトランジスタ２１０の受光開始に先立ってオンし、フォトトランジスタ２１０が受光を開始してから所定時間経過後にオフする。 （もっと読む）

【課題】外部からの電磁波を良好にシールドすることができるフォトダイオードおよびこれを備えるフォトトランジスタを提供すること。
【解決手段】Ｐ^-型の基板５の表層部にＰ⁺型拡散層６が形成され、このＰ⁺型拡散層６上にＮ^-型エピタキシャル層７が形成されている。Ｎ^-型エピタキシャル層７の表層部には、フォトダイオード領域４の出力トランジスタ２側の端部にＮ⁺型の電極コンタクト領域１０が形成され、この電極コンタクト領域１０を取り囲むように平面視矩形枠状のＰ^-型拡散領域１１が形成され、このＰ^-型拡散領域１１の周囲にＰ⁺型拡散領域１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】視感度に近い分光感度特性を有する半導体光センサ装置およびこれを備えた情報機器を提供する。
【解決手段】シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された第１フォトダイオードと、第２フォトダイオードと、前記第１フォトダイオードからの光電流を増幅する第１増幅回路と、前記シリコン基板上に形成され、前記第２フォトダイオードからの光電流を増幅し、前記第１増幅回路と略同一の増幅特性を有する第２増幅回路と、前記第２フォトダイオードの上に設けられ、入射光のうちの可視光成分を赤外光成分に対して相対的に減衰させる赤外透過フィルタと、前記シリコン基板上に形成され、前記第１増幅回路の出力と前記第２増幅回路の出力との差分を出力する減算回路と、を備え、前記シリコン基板上において、前記第１フォトダイオードの中心と前記第２フォトダイオードの中心とが実質的に対称に配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部絶縁距離を確保しながら小型化を図ることができるような光結合素子、およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】発光素子２と受光素子１とが対向配置されている光結合素子としての対向型フォトカプラを次のような構造とする。受光素子１の両面に形成されているエミッタ電極６ａ、６ｂ同士が、受光素子１の内部を貫く貫通電極５を介して接続されている。また、貫通電極５は、受光素子１に形成されているエミッタ領域８を貫いて形成されている。 （もっと読む）