【課題】信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。
【解決手段】基本接合構造を、素子上部から、ホールのエミッタ層兼窓層として機能する正孔輸送型の有機半導体薄膜であるp^*(n^*)型有機半導体薄膜と、低キャリア濃度且つ高抵抗の無機半導体層であるｉ型無機半導体光電変換層と、p(n)型無機半導体コレクタ層とからなるp^*-ｉ-p(n^*-ｉ-n)対称接合構造として、数Ｖから数十Ｖの直流あるいは交流のバイアス電圧を印加する有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非常に薄い半導体層を備えた光検出要素を提供する。
【解決手段】真空中での波長がλ₀ に近い光を検出するための光検出要素は、屈折率がnsであり、厚さがλ₀/4ns 乃至λ₀/20nsの範囲にある半導体層(1) と、該半導体層(1) の一側に設けられており、前記屈折率nsより小さい第１の屈折率を有して前記光を透過させる第１の媒体(3) と、前記半導体層(1) の他側に設けられており、前記屈折率nsより小さい第２の屈折率を有しており、幅がλ₀/nsに略等しい領域(5) を有する第２の媒体(6) と、前記半導体層(1) の他側であって、前記領域(5) の両側に設けられており、前記第２の屈折率より大きい第３の屈折率を有しており、前記第２の媒体(6) と共に反射性界面を形成する第３の媒体(7) とを備えている。 （もっと読む）

【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜からなる光吸収層１２と、光吸収層１２上に配置され、化合物半導体薄膜よりも高いバンドギャップエネルギーを有する表面層１４と、表面層１４上に配置され上部電極層１８と、上部電極層１８と対向し、光吸収層１２の裏面に配置された下部電極層１０とを備え、上部電極層１８と下部電極層１０間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜内で光電変換により発生した電荷を検出し、また、衝突電離により光電変換により発生した電荷の増倍を起こさせるフォトダイオードおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光センサ、光センサを含む光センサ装置、及びこれを含むディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光センサ、光センサ装置及びこれを含むディスプレイ装置に係り、基板と、基板上に備わって、酸化物を含む第１受光層と、第１受光層に接合され、有機物を含む第２受光層と、第１受光層及び第２受光層にそれぞれ接続する第１電極及び第２電極とを含む光センサ、これを含む光センサ装置及びディスプレイ装置を提供する。 （もっと読む）

本発明のフォトダイオードは、第1の型の導電性を有する半導体の第1および第2の層(1、3)の間に設けられる中間層(2)を含む、3つの層のスタック、ならびに、少なくとも中間層(2)および第2の層(3)と接触し、3つの層(1、2、3)の平面に対して横断方向に延在する領域(4)を含み、前記領域(4)は、第1の型の導電性と反対の第2の型の導電性を有する。中間層(2)は、第2の型の導電性を有する半導体材料で作製され、前記領域(4)とP-N接合を形成するために、第2の型の導電性から第1の型の導電性への、中間層(2)の導電性の型の反転が、第1および第2の層(1、3)内の第1の型の導電性のドーパントにより引き起こされる。
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【解決手段】本発明は、反射層(31)の少なくとも一部に直接形成され、光ビーム(35)によって照射される半導体層(33)の少なくとも一部を備えた光検出器に関しており、少なくとも１つのパッド(37)が、反射層の一部の反対側の半導体層の一部に形成されており、パッド及び反射層の一部は、金属か、又は負の誘電率を有する材料から形成されており、反射層の少なくとも一部と少なくとも１つのパッドとの間に形成された光共振器の厚さが、半導体層の光学指数に対する光ビームの波長の比率の４分の１より完全に小さく、一般的には比率の約10分の１である。
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一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
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【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＧａＮ半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＧａＮ半導体１との接合界面は、ショットキー接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】吸収効率の良く、フィルタ無しで紫外線のみを検出できるワイドバンドギャップ半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの半導体などで、ｐ型、ｎ型の双方が形成でき難い半導体であっても高感度に被測定光量が高感度で高精度であり、しかも再現性良く安定で、Ｓ／Ｎ比が大きい光検出装置を提供するための駆動方法とその光検出装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードに所定の順方向電圧と所定の時間印加した後、紫外線などの受光によるフォトダイオードの短絡光電流もしくはほぼ短絡光電流と見做せるような微小逆方向電圧を印加して光電流を計測するようにして、これらの短絡光電流から紫外線などの受光の量を計測する駆動方法で、順方向印加駆動回路と短絡電流の検出回路を有する光検出装置で、紫外線などの受光による短絡電流を計測する。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプの寿命を連続的に監視することで、ランプ交換時期の目安によらず、実際の消耗時期に合わせたランプ交換を可能にするとともに、紫外線測定箇所が制約されずに遠隔的なモニターを可能にする紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線を検知するフォトディテクタ２に向けて紫外線を伝播する光ファイバケーブル３が１または複数設けられ、光ファイバケーブル３が、紫外線を受光する受光部を有し、フォトディテクタ２が、β−Ｇａ_２Ｏ_３の単結晶１０およびその表裏に形成された電極１１，１２を備える。本発明の紫外線センサは、連続モニタリングが可能である。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型半導体基板とＮ型透明非結晶酸化物半導体層とを含む、光電デバイス用に採用されるダイオードを提供し、製作プロセスを簡単にするとともに、製造コストを低減する。
【解決手段】光電デバイスが提供される。光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。Ｎ型ＴＡＯＳ層がＰ−Ｎダイオードの一部を構成するとともに、ウインドウ層および前電極として供される。 （もっと読む）

【課題】 高移動度と対環境安定性を兼ね揃えた半導体および半導体素子を提供する。また可視光領域に受光感度を有する半導体および半導体素子を提供する。
【解決手段】 金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 （もっと読む）

【課題】吸収が浅いところでしか起こらないような短波長の光に対しても、応答速度や検出感度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型Ｓｉ基板１に、ｐ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｐ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないｎ型シリコン基板１上に積層されたｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２（０≦Ｘ＜１）との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。Ｍｇ_ＸＺｎＯは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、ｎ型Ｓｉ基板１とｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Ｍｇ_ＸＺｎＯとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ナノ線に基づく光センサ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。上記２つの電極の金属触媒層上に成長された両側の半導体ナノ線が上記２つの電極の間で上記基板と離隔され互いが空中で接触する構造で連結されている。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６とを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４および透明電極層２６は、順次積層されると共に、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜２４内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）