デバイス静電容量を減少させ、それによって、光検出器帯域幅を増加させるために、誘電体層が吸収層と基板層の間に配置されるＭＳＭ光検出器デバイスが本明細書に記載される。誘電体層は、光検出器効率を増加させ、高いフィールド・ドリフト領域からゆっくり移動するキャリアを遮断する。誘電体層は、ＡｌＧａＡｓの湿式熱酸化、イオン注入、またはウェハ・ボンディングとそれに続く基板除去のうちの１つによって形成される酸化物層であってよい。
（もっと読む）