入射光のための開口部（１６）を備え、倍増層（７）、電界制御層（８）、吸収層（１０）を含む、多数の種々の半導体層を前記開口部から下方に備え、前記吸収層が光を吸収するようになっている表面光入射型アバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）であって、前記開口部から前記吸収層（１０）を通過したフォトンを反射し、前記吸収層に戻すように配置されている少なくとも１つのブラッグミラー（１４）が前記吸収層（１０）の下に存在することを特徴とする、表面光入射型アバランシュフォトダイオード（ＡＰＤ）。
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【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成り暗電流の低減された受光素子及びエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３と、基板３上に設けられた受光層７と、受光層７に接して設けられ、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる拡散濃度分布調整層９と、拡散濃度分布調整層９に接して設けられ、拡散濃度分布調整層９よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、Ｐ元素を含有する窓層１１と、を備え、窓層１１と拡散濃度分布調整層９との接合面から窓層１１内に延びる所定領域内のｎ型のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以上１×１０^１9ｃｍ^−３以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成る暗電流の低減された半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３ａ上にＳｂ元素を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第１の半導体層２ａを形成する工程と、第１の半導体層２ａを形成した後に、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第２の半導体層１０ａを第１の半導体層２ａ上に形成する工程とを備え、第１の半導体層２ａを形成する工程は、第１の半導体層２ａに含まれており基板３ａとの界面から所定の厚みを有する第１の層の形成を第１の温度のもとで行った後に、第１の半導体層２ａのうち第１の層を除いた第２の層の形成を第１の温度よりも高い第２の温度のもとで行い、第２の半導体層１０ａを形成する工程は、第２の半導体層１０ａに含まれており第１の半導体層２ａとの界面から所定の厚みを有する第３の層の形成を第２の温度のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。
【解決手段】受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。III−Ｖ族化合物半導体受光素子１１では、ＩｎＰ層２３は不純物としてアンチモンを含むと共に、ＩｎＰ層２３にはｎ型ドーパントとしてシリコンが添加されている。ＩｎＰ層２３中のアンチモン不純物は正孔を生成するように作用するけれども、この生成キャリアをＩｎＰ層２３中に添加されたシリコンが補償して、ＩｎＰ層２３の第２の部分２３ｄは十分なｎ導電性を示す。 （もっと読む）

【課題】 多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の量子井戸を５０ペア以上有する多重量子井戸構造３を形成する工程を備え、その多重量子井戸構造３の形成工程では、全有機金属気相成長法（全有機ＭＯＶＰＥ法）により、多重量子井戸構造を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】暗電流および劣化を抑制可能な半導体受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体受光素子の製造方法では、第１導電型半導体基板を用意する工程と、第１導電型半導体基板上に、第１導電型層、光吸収層、拡散バッファ層、および第２導電型層をこの順に含んだ半導体層を形成する工程と、前記拡散バッファ層および前記第２導電型層において、外周の一部または全部を除去することにより内周を受光部として残す第２導電型層除去工程と、前記第１導電型層の形成後かつ前記光吸収層の形成前に、アバランシェ増倍層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ−ＩｎＰ基板４０１と、Ｐ−ＩｎＰ基板４０１に格子整合し、かつ、ｐ型の不純物が注入されたｐ−ＺｎドープＩｎＰバッファ層４０２と、ｐ−ＺｎドープＩｎＰバッファ層４０２よりも上層にあって、Ｐ−ＩｎＰ基板４０１に格子整合し、かつ、ｐ型不純物、ｎ型不純物のいずれか一方を含むｎ−ＳｉドープＩｎＰクラッド層４０４、ｎ−ＳｉドープＩｎＧａＡｓキャップ層４０５と、を備え、ｎ−ＳｉドープＩｎＰクラッド層４０４、ｎ−ＳｉドープＩｎＧａＡｓキャップ層４０５に、Ｓｂを含ませる。 （もっと読む）

【課題】 十分な受光感度を保ちつつ、受光部の容量を低減し、且つキャリアの走行時間も短縮した半導体受光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層からなり、前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を具備し、かつ簡易に製造できる半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、ｎ型の半導体基板２０１上に、半導体メサ１２０と、少なくとも半導体メサ１２０の側壁を覆う半導体層１０７ａが少なくとも形成されている。半導体メサ１２０は、光吸収層１０４と、ｐ型のコンタクト層１０６を少なくとも有する。半導体基板１０１の主面は、＜０１−１＞方向を軸として、（１００）面に対して回転角θだけ回転した結晶面であり、その回転角θは０．１°≦｜θ｜≦１０°である。 （もっと読む）

【課題】メサ型フォトダイオードの安定なデバイス特性及び長期信頼性を得る。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側面２３と、メサの上面２４における少なくとも当該メサの肩の部分（肩部２５）とは、それらの上に成長された第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により連続的に被覆されている。半導体層においてメサの側面２３を覆う部分の層厚Ｄ１が８５０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】高品質な光デバイスをシリコン基板上にモノリシックに形成する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板上に設けられた複数のシード結晶と、複数のシード結晶に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つに、供給される駆動電流に応じて光を出力する発光半導体、または光の照射を受けて光電流を発生する受光半導体を含む光電半導体が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、光電半導体を有する３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体にヘテロ接合トランジスタが形成されている光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０１の表面で単層又は複数層のグラフェン層１１１が成長する工程と、グラフェン層との界面で、共有結合性を有することなく、原子レベルのポテンシャルの規則性のみを用いた結合力を伴って窒化物半導体層１１４が形成される工程と、窒化物半導体層１１４とグラフェン層１１１ａとの間、あるいはグラフェン層相互間１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃのポテンシャルによる接合力以上の力で、窒化物半導体層がＳｉＣ基板から剥離される工程とを備える。また、剥離された窒化物半導体層が第２基板１３０の表面に接合される。 （もっと読む）

単一の独立した個別増幅器を用いることによる、又は入力信号を個別に増幅される個別成分に分散させることによる、光又は電気入力信号の検出のためのシステム及び方法を提供する。入力信号は、９５０ｎｍより長い波長における光吸収プロセスの結果又は低レベル電気信号とすることができる。個別増幅器は、非ゲートモードで降伏領域内又はそれを越えたバイアス電圧を受けながら動作可能なアバランシェ増幅器であり、入力信号検出及び増幅半導体層にモノリシックに統合された複合誘電体フィードバック層を含む。 （もっと読む）

【課題】メサ上に再成長される半導体層によるメサの被覆性を、工程の追加を行わずに向上させることができるようにする。
【解決手段】メサ（受光領域メサ１９）の側壁は、当該メサの裾が広がる方向に傾斜する斜面である。メサの少なくとも側壁１１２は、その上に成長された、第１導電型、第２導電型、半絶縁型、ないしノンドープの半導体層（例えば、ノンドープＩｎＰ層１７）により被覆されている。メサの下端部における斜面の傾斜角度θ１よりも、メサの上端部における斜面の傾斜角度θ３の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】増倍率が低い状態においても、光吸収層内で発生した電子の、光吸収層と電界調整層の界面への蓄積が抑制され、素子破壊に至る光信号強度を増加させることが可能な光吸収層を有するアバランシェホトダイオード及びこれを用いた光受信モジュールの提供。
【解決手段】電気調整層のうち、積層方向の少なくとも一部における伝導帯端のエネルギー準位が、光吸収層における伝導帯端のエネルギー準位より高く、増倍層の伝導帯端のエネルギー準位より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつ、高効率の光学デバイスを製造する。
【解決手段】多結晶ウルツ鉱型半導体素子２００の製造方法であって、層状物質であり、かつ、六回対称結晶構造を有するグラファイト基板２０１の主面に、表面処理を行うことにより表面を荒らす表面処理ステップと、表面処理ステップで表面処理された主面に、複数の結晶粒１０４を有する多結晶ウルツ鉱型半導体１０３を主面の垂直方向に成長させる成膜ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でガードリング構造を作り込むことのできるアバランシェフォトダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】拡散によりｐｎ接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。拡散マスクを経てＺｎを窓層２０に拡散し、受光部とガードリングとを同時に形成する。拡散制御層と窓層とで拡散係数がほぼ等しい場合、単純に拡散制御層の厚さに相当する厚みが拡散フロントでの深さの差となる。 （もっと読む）

【課題】作製時の歩留まりが高く、且つ光導波路と半導体光素子との結合効率を高めることができる半導体集積光デバイス及びその作製方法を提供する。
【解決手段】半導体集積光デバイス１Ａは、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、III−Ｖ族化合物半導体を含む光導波路１１０を有する半導体レーザ領域１０と、半導体レーザ領域１０と並んでｎ型ＩｎＰ基板３上に設けられ、光導波路１１０と光学的に結合されｎ型ＩｎＰ基板３の主面に沿って延びる光導波路２１ａ〜２１ｅを有する光導波領域２０とを備える。光導波領域２０は、ｎ型ＩｎＰ基板３と光導波路２１ａ〜２１ｅとの間に設けられた下部クラッドとしての酸化シリコン層２３を更に有し、光導波路２１ａ〜２１ｅは、III−Ｖ族化合物とは異なる半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】ＰＩＮ構造を有する光電変換素子を、ＣＶＤ法を用いて形成する場合、Ｐ層やＮ層の不純物の混入を避けるために、各々の層毎にチャンバーを分けて形成することが必要となる。この場合にはチャンバーが３つ必要となり、設備投資が大きくなるという課題がある。また、Ｉ層と半導体以外の領域が接触することで、界面欠陥起因の電荷発生により、黒浮きが生じる課題がある。
【解決手段】Ｉ型半導体層２０８を、ＣＶＤ法により得られたＮ⁺層２１０と、イオン注入法で形成されたＰ⁺層２０７で包んだ。Ｉ型半導体層２０８は半導体以外の領域と接触しない。そのため、界面欠陥起因の電荷発生を抑制することができる。また、Ｐ⁺層２０７をイオン注入法で形成することで、２つのチャンバーを備えたＣＶＤ装置を用いることが可能となり、設備投資を抑えることが可能となった。 （もっと読む）