【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０は、ＧａＳｂ基板１２と、ＧａＳｂ基板１２上に形成されたＧａＳｂを含む層と、ＧａＳｂを含む層上に形成されたＩｎＡｓ層とを備え、ＩｎＡｓ層のＧａＳｂ基板１２と反対側の最表面１７ａにおいて全構成元素に対するＳｂの組成が３％以下である。半導体装置は、半導体ウエハ１０と、半導体ウエハ１０の最表面１７ａ上に形成された電極とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法、半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０の製造方法は、以下の工程を備えている。成長室内で、ＧａＳｂ基板１２上に、Ｓｂ供給部からＳｂの原料を供給することでＧａＳｂを含む層を成長する。成長室内で、ＧａＳｂを含む層上に第１のＩｎＡｓ層１６を成長することで、エピタキシャルウエハを得る。第１のＩｎＡｓ層１６の成長時の温度よりも高い温度でエピタキシャルウエハを保持する。成長室からエピタキシャルウエハを取り出して、Ｓｂ供給部を立ち下げる。Ｓｂ供給部が立ち下げられた状態で、エピタキシャルウエハを成長室内に投入し、第１のＩｎＡｓ層１６上に第２のＩｎＡｓ層１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加や製造歩留まりの低下を招くことなく、コアに所望の特性を持たせることができるダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード５は、ＳｉＣで作製された棒状コア１と、ｎ型のＧａＮで作製された第１のシェル２と、ｐ型のＧａＮで作製された第２のシェル３とを備える。ダイオードの２極の役割は、ｎ型の第１のシェル２とｐ型の第２のシェル３とが担うので、コア１の材質として第１,第２のシェル２,３とは異なるＳｉＣを選択できる。棒状コア１の屈折率(３〜３.５)が第１のシェル２の屈折率(２.５)よりも大きいので、第１,第２のシェル２,３のｐｎ接合面で発生した光が第１のシェル２から棒状コア１内へ入射し易いと共に棒状コア１内へ入射した光は、棒状コア１と第１のシェル２との界面で全反射し易い。よって、発生した光をコア１へ導波してコア１で強く発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図ることができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型の基板１０と、基板１０上に積層されたｎ型の第１半導体層１１と、第１半導体層１１上に積層されたノンドープの光吸収層１２上に積層され、Ａｌを含有するｐ型の第２半導体層１３と、第２半導体層１３上に積層されたキャップ層１４と、を備え、キャップ層１４の一部が第２半導体層１３を露出するようにエッチングされ、第２半導体層１３の露出面から基板１０側の界面まで第２半導体層１３の一部が酸化されることで、Ａｌ酸化物を含有する酸化領域１５に囲まれたｐ型の半導体領域１３ａが形成されていることにより、ｐｉ接合面を露出させずに受光部を形成することで、エッチングに起因した結晶欠陥がｐｉ接合面に発生することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】メサ表面に由来する暗電流を低減することができるＡＰＤを提供することを目的とする。
【解決手段】ＡＰＤ３０１は、半絶縁性基板１と、半絶縁性基板１面上に、ｐ形電極層２、ｐ形光吸収層３Ａ、低不純物濃度の光吸収層３Ｂ、バンドギャップ傾斜層４、ｐ形電界制御層５、なだれ増倍層６、ｎ形電界制御層７Ａ、及び低不純物濃度の電子走行層７Ｂの順で積層された第１積層構成からなる第１メサ１０１と、積層方向から見て、外周が第１メサ１０１の外周の内側にあり、電子走行層７Ｂ側の表面上に、ｎ形電極バッファ層８Ａ、及びｎ形電極層８Ｂの順で積層された第２積層構成からなる第２メサ１０２と、ｐ形電界制御層５より第２メサ１０２側にある層の、第１メサ１０１の外周の内側で第２メサ１０２の外周を取り囲む包囲部分１４に形成され、バイアス印加時にｐ形電界制御層５の包囲部分が空乏化することを防止する空乏化抑制領域１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メサ表面や電極層の形状に由来する暗電流を低減することができるＡＰＤを提供することを目的とする。
【解決手段】ＡＰＤ３０１は、半絶縁性基板１と、半絶縁性基板１面上に、ｐ形電極層２、ｐ形光吸収層３Ａ、低不純物濃度の光吸収層３Ｂ、バンドギャップ傾斜層４、ｐ形電界制御層５、なだれ増倍層６、ｎ形電界制御層７Ａ、及び低不純物濃度の電子走行層７Ｂの順で積層された第１積層構成からなる第１メサ１０１と、積層方向から見て、外周が第１メサ１０１の外周の内側にあり、第１メサ１０１の電子走行層７Ｂ側の表面上に、ｎ形電極バッファ層８Ａ、及びｎ形電極層８Ｂの順で積層された第２積層構成からなる第２のメサ１０２と、を備え、ｎ形電界制御層７Ａの総ドナー濃度がｐ形電界制御層５の総アクセプタ濃度より２×１０^１１〜１×１０^１２／ｃｍ^２の範囲で低いことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】電子走行層および光吸収層の薄層化をすることなく、３ｄＢ帯域周波数が向上できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたｎ型の半導体からなるｎ型コンタクト層（第１半導体層）１０２と、基板１０１の上に形成された半導体からなる電子走行層１０３と、基板１０１の上に形成された半導体からなる光吸収層１０４と、基板１０１の上に形成されたｐ型の半導体からなるｐ型コンタクト層（第２半導体層）１０５と、ｎ型コンタクト層１０２に形成された第１電極１０６およびｐ型コンタクト層１０５に形成された第２電極１０７とを少なくとも備える。ｐ型コンタクト層１０５の電子伝導帯端は、光吸収層１０４の電子伝導帯端より高いエネルギー状態とされ、ｐ型コンタクト層１０５の価電子帯端は、光吸収層１０４の価電子帯端より高いエネルギー状態とされている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＳｂ基板上に形成された、表面性状の良好なＭＱＷを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ＧａＳｂ基板１の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷ３を有し、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたIII族窒化物の受光層を形成することのできる半導体積層構造、及びこれを用いた紫外線センサーを提供する。
【解決手段】所定の基材３上において、III族窒化物下地層４と、少なくともGaを含むIII族窒化物層５とを順次に積層し、その上にInおよびAl、あるいは一方を含むIII族窒化物からなるAlyInxGa1-x-yN受光層６を設けた半導体積層構造１、及びこれを用いて表面にショットキー電極７s、およびオーミック電極７oを形成させて紫外線センサー２を作製する。 （もっと読む）

【課題】従来のエピ構造に断面Ｖ型の分離溝を追加形成することで光学的クロストークを抑制可能な受光素子アレイを提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１は、第１導電型の半導体基板２と、この半導体基板２の表面側に形成した第１導電型の受光層４と、この受光層の表面側に形成した第１導電型の窓層５と、この窓層を貫通して受光層の表面側に突入する状態に形成され且つ１次元的または２次元的な配列として離隔状に形成された複数の第２導電型領域６と、これら複数の第２導電領域６の表面の少なくとも一部に夫々設けた複数の第１電極７と有し、複数の第２導電型領域６からなる複数のアレイが形成する複数のアレイ間領域に、少なくとも前記窓層５と受光層４を貫通する深さの表面側に開放された断面Ｖ型の第１分離溝１０を夫々設けている。 （もっと読む）

【課題】応答歪を低減し、かつ受光感度の低下を抑えることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。窓層１８のバンドギャップエネルギーは、光吸収層１６のバンドギャップエネルギーよりも大きい。光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 短波長側から長波長側の近赤外域にわたって、受光感度の変動を抑制した、受光素子等を提供する。
【解決手段】この受光素子５０は近赤外域に感度を持ち、ペア数が５０以上の、タイプ２型のＭＱＷの受光層３と、受光層の中に位置し、または該受光層の外面に接して位置し、タイプ２型の遷移におけるバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する第２の受光層１３と、エピタキシャル積層体の表面から該エピタキシャル積層体内へと位置する、ｐ型領域６とを備え、そのｐ型領域は先端部にｐｎ接合１５を形成しており、そのｐｎ接合が、該第２の受光層１３よりもエピタキシャル積層体の表面に近い位置に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流が低く、近赤外の長波長側に受光感度を拡大した、半導体素子、光学センサ装置および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体素子５０は、ＩｎＰ基板１の上に位置するタイプ２（ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ）のＭＱＷの受光層３と、ＭＱＷの上に位置するＩｎＰコンタクト層５とを備え、ＭＱＷでは、ＧａＡｓＳｂの、組成ｘ（％）が４４％以上であり、膜厚ｚ（ｎｍ）は３ｎｍ以上であり、かつｚ（ｎｍ）≧−０．４ｘ（ａｔｍ．％）＋２４．６、を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な化合物半導体層、特にIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に下地層を成膜する工程と、下地層上にＳｉＯ₂ 膜の帯状パターンマスクを形成し、次いで下地層及びサファイア基板の上部をエッチングして帯状の凸部と溝状の凹部とを交互に周期的に備えた凹凸構造を形成する工程と、その凹凸構造上にＧａＮ層を横方向成長法により成長させる工程と、この横方向成長工程の前（または後）に、識別マークを基板の少なくとも一方の面側に形成する工程と、識別マークを基準にして低欠陥密度領域上に半導体素子形成領域を位置決めする位置決め工程とを含む。横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】マスクパターン形状から大きく乖離しないメサ部のメサパターン形状を得ること。
【解決手段】所定の結晶軸方向に平行な方向に、マスクパターンの最大長とする複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチング速度が等価なサイドエッチングを行うことによって、マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ギガビット応答特性・高信頼性で、ブレークダウン電圧特性の変動量が小さいメサ型のアバランシェフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】基板１１側から順に、電流信号を増幅する増倍層１３、増倍層１３内部の電界を緩和する電界緩和層１４、上層のエッチングの際に電界緩和層１４がエッチングされないようにするエッチングストップ層１６、光信号を電流信号に変換する光吸収層１７が積層し、光吸収層１７は、エッチングストップ層１６上にてメサ状に形成され、少なくとも光吸収層１７の側壁面は、半導体よりなる半導体保護膜１１１で覆われ、エッチングストップ層１６は、第１導電型半導体ないしノンドープ半導体よりなり、電界緩和層１４は、第１導電型半導体とは逆導電型の第２導電型半導体よりなる。 （もっと読む）

【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）