【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子アレイにおいて、共通のｎ側電極を、能率よく確実に形成することができる、受光素子アレイ、その製造方法および当該受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】選択拡散されたｐ型領域１５ごとに設けられｐ側電極１２と、ＩｎＰ基板１の非成長部に接続されて、エピタキシャル積層体Ｅの最表面側へと延びるｎ側電極１１とを備え、エピタキシャル積層体Ｅの非成長側の端縁の壁面Ｅsは平滑面であり、そのエピタキシャル積層体の端縁部の格子欠陥密度が、そのエピタキシャル積層体の内側の格子欠陥密度より高く、かつｎ側電極が接続されるＩｎＰ基板の非成長部Ｍは、ＩｎＰ基板の内側から連続した平坦面とする。 （もっと読む）

【課題】複数の光検出素子を有する光検出装置をコンパクト化すること。
【解決手段】基板２と、基板２の表面２ａ上に設けられており、電気的に直列接続された複数の光検出素子１０を有する帯状の光検出体８とを備える。複数の光検出素子１０は、光信号を電気信号に変換する光電変換領域１２と、この電気信号を外部に出力するための信号出力領域１４とをそれぞれ有する。光電変換領域１２と信号出力領域１４とは光検出体８において交互に配置され、隣り合う光電変換領域１２と信号出力領域１４とは電気的に接続され、光検出体８は、表面２ａに沿って渦巻き状に延びている。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】高速応答を実現できる信頼性の高い導波路型受光素子を得る。
【解決手段】導波路型受光素子１０の入射端面１２から入射光１４が入射される。導波路型受光素子１０は、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ基板１８上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２０、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層２４、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａ、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂ、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層３０、ｐ−ＩｎＰクラッド層３２、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３４が順番に積層された積層構造を備える。隣接するｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ａとｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６ｂの間にｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａが挿入されている。ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ非光吸収層２８ａのバンドギャップ波長は、入射光１４の波長より短い。 （もっと読む）

【課題】分光される光（入射光）が微弱な場合であっても、これを分光することが可能な高感度の光電交換素子を提供する。
【解決手段】基板と、該基板に形成される層であって、入射光が吸収されることにより発生するキャリアを捕獲するための第一層と、該第一層に接するように配置され、該第一層で捕獲されたキャリアを外部に取り出すための第二層と、該第一層上に配置される誘電体層と、該誘電体層上に配置され、ゲート電圧が印加されるゲート電極層とを備え、該ゲート電極層の少なくとも一部は、入射光に対して透光性を有する材料からなる光電変換素子およびこれを用いたイメージセンサーである。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、ＺｎＯ膜を用いたときに装置全体の電流−電圧特性を改善することができるＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。受光面側又は光取り出し面側にｐ型ＧａＮ層６に接してＺｎＯ膜８が形成され、半導体素子は受光面側又は光取り出し面側から見た大きさが２００μｍ×２００μｍ以下に作製されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法およびそのＩｎＧａＡｓ受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ組成が０．５３を超えるＩｎＧａＡｓ受光層３と、ＩｎＧａＡｓ受光層に接して位置し、全厚みまたは基板と逆側の厚み部分がｐ型のＩｎＡｓＰ窓層４と、ｐ型ＩｎＡｓＰ窓層からＩｎＧａＡｓ受光層内に届き、受光素子の受光領域を取り囲むようにｎ型不純物を導入して形成したｎ型分離領域１９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いパワーの光が入射した場合にも劣化・破壊が生じにくく、光の損失が小さく高感度な端面入射型受光素子及びその光結合方法並びに光結合構造を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板上に、入射光を吸収して光電変換する光吸収層を含む受光導波路５４が形成され、かつ受光導波路５４は、光が入射される端面である入射端面６５に対してＳｉ基板と平行な方向から光を入射して用いる端面入射型受光素子６４であって、入射光は、入射端面６５に対して所定の入射角ｉをもって入射され、かつ受光導波路５４の側壁が、入射角ｉ及び受光導波路５４の等価屈折率に応じて定まる導波光ビーム５９の導波方向に対して平行である。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 （もっと読む）

【課題】キャリアの走行時間の増大を最低限に抑制しつつ、容量を低減することの可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層構造２０は、第１導電型層１１と、光吸収層１２と、光入射面１３Ａを有する第２導電型層１３とを半導体基板１０側から順に含んで構成されている。半導体積層構造２０のうち第１導電型層１１の一部と、光吸収層１２とにより柱状のメサ部１４が構成されており、光吸収層１２の内部に、または第１導電型層１１と光吸収層１２との間に酸化層１９が設けられている。酸化層１９は、光入射面１３Ａとの対向領域内に設けられた非酸化領域１９Ａと、非酸化領域１９Ａの周囲に設けられた環形状の酸化領域１９Ｂとを積層面内に有しており、酸化領域１９Ｂの比誘電率が、他の層（第１導電型層１１、光吸収層１２、第２導電型層１３）の比誘電率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

放射の検出に使用される第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０を有する半導体ボディ２を備えている放射受光器１を開示する。第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０は、垂直方向に互いに隔置されている。第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間にはトンネル領域２４が配置されている。トンネル領域２４は接続面３１に導電接続されており、接続面３１は、第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間で半導体ボディ２に外部から電気的に接触する目的で使用される。さらに、放射受光器を製造する方法も開示する。
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【課題】 高い解像度を得ることができる機構を備えた受光素子アレイ、撮像装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光層３を含む受光素子１０が、複数個、共通の読出し制御回路の基板３０上に配置され、各受光素子は、隣接する受光素子から隔離され、各受光素子に設けられた対の電極のうち、第１導電側電極１２は、すべての受光素子にわたって電気的に共通に接続されており、他方の第２導電型領域６に設けられる第２導電側電極１１は、それぞれ読出し制御回路の読出し部３１に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの高感度化と高速化を両立させる。
【解決手段】半導体基板１１と、その上に選択エピタキシャル成長により形成された複数の活性領域１２と、それらの活性領域１２に対してそれぞれ設けられ、互いに連絡してそれらの活性領域１２を電気的に接続する櫛型電極１３とからフォトダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ光によりフィルタ層で発生したキャリアの受光層への拡散を抑制し、より高感度な半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体受光素子は、半導体基板１２７と、半導体基板１２７上に形成された第１導電型のバッファ層１２６と、半導体基板１２７上に形成された第２導電型のバッファ層１２２と、第１導電型のバッファ層１２６と第２導電型のバッファ層１２２との間に形成された真性半導体からなる受光層１２３と、第１導電型のバッファ層１２６と第２導電型のバッファ層１２２との間において、受光層１２３の入射側に、受光層１２３と接触して形成されたフィルタ層１２４ａとを備え、フィルタ層１２４ａの受光層１２３との界面における不純物濃度の方が、他方の界面における不純物濃度よりも高いものである。 （もっと読む）

【課題】選択エピを用いることでより安定した素子分離が可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体層を積層して作製する半導体素子の製造方法において、前記半導体基板上の半導体素子の分離に際しては、分離すべき素子単位を予め絶縁膜で囲い、この囲い中に半導体層を積層して半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑さを低減する光センサの製造方法の開発する。
【解決手段】光センサの製造方法である。この種の製造工程の方式では、一回のリソグラフィ・エッチングのみで、ダイオード構造を形成することができる。しかも、この方式ではソース／ドレイン極をゲート極誘電層上に直接形成することができるため、従来のプラグ構造を廃止でき、しかもソース／ドレイン極の一方の上にダイオード積層構造を形成し、光センサの構造をより簡素化できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でスイッチ機能と接続状態の確認機能を兼ね備えた接続確認モジュールを搭載した光電子回路基板を提供する。
【解決手段】第１及び第２の光モジュール１２Ａ、１２Ｂ、及び光導波路１０Ｃを備えた光電子回路基板１に開口１３を設け、その開口１３に光接続確認モジュール３を挿入する。光接続確認モジュール３は、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄを有し、第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄは、それぞれが、ミラー３２２を有している。光接続確認モジュール３は、プッシュ操作を行うことにより、光導波路１０を伝播する光信号２を光路変換し、光路変換された光信号２を第１〜第４の光信号取出部３２ａ〜３２ｄの上面３２３から可視光として出射させる。検査者は、出射した光信号２を目視することで、光接続の状態を確認することが出来る。 （もっと読む）

【課題】従来の光検出器では全く感度のない波長の光を光電変換可能とすることにより、光吸収可能な帯域幅を増大させることができる受光素子を提供する。
【解決手段】受光体１１と、受光体１１の表面に積層させた金属性の２つの端子１３とを備え、入射される伝搬光の波長の１/４以下の間隔で２つの端子１３を互いに離間させることにより受光体１１を露出させた近接場光滲出領域１５が形成され、近接場光滲出領域１５は、受光体１１の非吸収波長からなる伝搬光の入射に基づいて近接場光を滲出させ、これを印加されたバイアス電圧に基づいて受光する。 （もっと読む）