【課題】レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。
【解決手段】典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、暗電流が小さく、光感度分布の平坦性が良く、かつ、高感度な光検出器を提供する。
【解決手段】第一導電形ワイドギャップエミッタ１６、第二導電形ナロウギャップベース１５、第一導電形コレクタ１４よりなる光検出器において、光を吸収する光吸収層１３は、ベース１５及びコレクタ１４のバンドギャップより小さなバンドギャップを有する井戸層が多重に積層して構成された多重量子井戸構造により構成され、光吸収層１３はコレクタ１４内に配置され、光吸収層１３を構成するそれぞれの井戸層はそれぞれ厚さが異なるようにした。 （もっと読む）

ナノワイヤベースのフォトダイオード１００、２００、３００、４００が開示される。フォトダイオードは、テーパ状の第１の端部１０６、２０６、３０６、４０６を有する第１の光導波路１０２、２０２、３０２、４０２と、テーパ状の第２の端部１１０、２１０、３１０、４１０を有する第２の光導波路１０４、２０４、３０４、４０４と、第１の端部１０８、２０８、３０８、４０８と第２の端部１１２、２１２、３１２、４１２とをブリッジ構成で接続し、少なくとも１つの半導体材料を含む少なくとも１本のナノワイヤ１１４、２１４、３１４、４１４とを備える。該フォトダイオードを作成する方法も開示される。
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【課題】格子定数差が大きな半導体基板上にボトムアップ的に制御性よくナノワイヤを作製する。
【解決手段】Ａｕ微粒子１２をＳｉ（１１１）基板１１上に形成し、ＧａＰナノワイヤ１３をＳｉ（１１１）基板１１上に成長させた後、ＩｎＰバッファ層１４をＧａＰナノワイヤ１３上に形成し、さらにＧａＩｎＡｓナノワイヤ１５をＩｎＰバッファ層１４上に成長させた後、ＧａＰナノワイヤ１３、ＩｎＰバッファ層１４およびＧａＩｎＡｓナノワイヤ１５の周囲が覆われるようにＩｎＰキャッピング層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】高速且つ増幅作用の大きいフォトトランジスタを提供する。
【解決手段】光半導体装置２０は、入射光を受光するフォトトランジスタを有し、フォトトランジスタは、半導体基板に形成された第１導電型のコレクタ層Ｃ（２、３及び５）と、コレクタＣ層上に形成された第２導電型のベース層６と、ベース層６上に形成された第１導電型のエミッタ層７とを備え、エミッタ層７の厚さは、入射光のエミッタ層７における吸収長以下である。 （もっと読む）

【課題】高速且つ高密度の光配線を低コストで構築するため、簡易な光結合系でも大きな実装余裕と動作余裕が得られる半導体受光素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた半導体からなる受光部と、基板上に設けられた樹脂層と、樹脂層に周囲を囲まれて受光部の上に位置し、開口径が、受光部近傍で受光部より小さく、基板から離れるに従って連続的に広くなり、樹脂層の表面側で受光部より大きい逆錐体型開口と、逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜とを備え、基板上の受光部以外の部分が遮光されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法が開示される。前記方法は、複数のエピタキシャル層が上にマウントされた基板を用意すること；および、前記複数のエピタキシャル層を損なわずに、前記基板を前記複数のエピタキシャルから分離することを具備する。これは、前記複数のエピタキシャル層の電気的、機械的および光学的な特性を保持する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの出力性能を高めるには１つのセンサ構成要素の面積に占めるフォトダイオードの面積の割合を増加させることが必要となる。そのため、フォトダイオードはコンタクトホールの開口エッジをまたがって形成されるが、エッジ長に依存するリーク電流が増大することが判明した。リーク電流はフォトセンサーの感度を低下させるため、リーク電流の抑制が不可欠である。
【解決手段】 ドレイン電極７上に形成されたコンタクトホールＣＨ１の開口エッヂが、フォトダイオード１００のエッジを内包する配置関係を持つフォトセンサーのアレイ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不純物由来のノイズが少ない高品質な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上に、フォトダイオード１３や電荷転送電極１８を含む画素領域２と、周辺回路電極２１を含む周辺回路領域３とが離隔形成されるとともに、これらの両領域に狭持される領域内に画素領域２内の素子に対して基準電位を供給するための基準電位供給層１４が形成される。少なくとも基準電位供給層１４の直下領域の一部には、ゲッタリングサイト２３が形成される。これにより、周辺回路領域３から画素領域２に対して拡散する不純物を捕獲し、画素領域２に対する不純物拡散が抑制され、高品質な固体撮像素子が実現できる。 （もっと読む）

【課題】第１の基板上に剥離膜を挟んで光電変換素子及び増幅回路を作製し、その後、第１の基板と光電変換素子及び増幅回路の剥離を含む工程によって作製される半導体装置において、増幅回路の出力特性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上に開口部を有する金属層を形成し、記金属層及び該開口部を含む前記基板上の一面に絶縁層を形成し、前記絶縁層の上層であって、前記金属層と重なる領域に光電変換層を形成し、前記金属層の開口部に薄膜トランジスタにより前記光電変換素子の出力電流を増幅する増幅回路を形成し、前記光電変換素子及び前記増幅回路上に保護膜を形成し、前記金属層にレーザビームを照射して、前記光電変換素子及び前記増幅回路を、前記絶縁層を含んで前記基板から剥離する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層のＭｇが活性層に拡散するのを抑制すること。
【解決手段】発光ダイオード１のｐ型クラッド層１５は、図２に示すように、活性層と接するノンドープのＡｌＧａＮ層１５１ａ上に、ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２とＡｌＧａＮ層１５１が交互に５回繰り返し積層された超格子構造である。ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２のＭｇ濃度は、ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅのＭｇ濃度をＮａ、Ｎｂ、Ｎｃ、Ｎｄ、Ｎｅとして、Ｎａ＝Ｎｂ＜Ｎｃ＜Ｎｄ＝Ｎｅであり、活性層から離れるに従い単調に増加している。ｐ−ＩｎＧａｎ層１５２のＭｇ濃度をこのようにすることで、活性層へ拡散するＭｇの濃度を低減することができ、発光効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】紫外線センサの感知可能な波長帯域を調整する方法であって、特に、酸化亜鉛単結晶基板をベースとした紫外線センサにおいて、ＵＶ−Ａ〜ＵＶ−Ｃの分別検出に寄与し得るような方法を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板１１とショットキー電極１３ａ，１３ｂとを備える紫外線センサ１０ａ、１０ｂの感知可能な波長帯域を長波長側にシフトさせる場合には、カドミウムを添加した酸化亜鉛薄膜を酸化亜鉛単結晶基板１１上に形成し、その酸化亜鉛薄膜上にショットキー電極を形成する。一方、波長帯域を短波長側にシフトさせる場合には、マグネシウムを添加した酸化亜鉛薄膜１２ｂを酸化亜鉛単結晶基板１１上に形成した後に薄膜１２ｂ上にショットキー電極１３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、暗電流が小さく、かつ、高感度な光検出器を提供する。
【解決手段】第一導電形エミッタ１６と、第二導電形ベース１５と、第一導電形コレクタ１４とを有し、前記エミッタ１６のバンドギャップエネルギーが前記ベース１５のバンドギャップエネルギーより大きなヘテロ接合フォトトランジスタにおいて、光を吸収する光吸収層１３を有し、該光吸収層１３を前記ベース１５及び前記コレクタ１４のバンドギャップより小さなバンドギャップよりなる単一又は多重構造の量子井戸層を有する量子井戸構造により構成し、該量子井戸層を前記コレクタ１４内に配置した。 （もっと読む）

【課題】素子特性および製造歩留まりの変動を小さくできる構造を有する半導体受光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ法でマスク４０に開口部４０ａと絶縁膜４６に開口部４６ａとを形成して、マスク４８を形成する。開口部４０ａ及び開口部４６ａは、単一のフォトリソグラフィ工程で形成される。マスク４８は、熱拡散法を用いて半導体多層膜に錫を導入する領域を規定する開口部４８ａを有する。マスク５０を備える中間生産物を、錫を含む雰囲気５２に晒すと、開口部５０ａから半導体多層膜に錫が拡散すると共にマスク５０の絶縁膜パターンが設けられた領域には錫は拡散されない。錫はｎ型ドーパントであるので、半導体多層膜中にｎ型半導体領域５０が形成される。ｎ型ドーパントは、ｎ型半導体領域５０がＩｎＧａＡｓ半導体層３４に到達するように導入される。 （もっと読む）

【課題】受光層の結晶性が高く、特性のばらつきが小さい半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体受光素子１は、基板２と、基板２上に順次積層された受光層３と、紫外線吸収層４とを備えている。受光層３は、受光した所定の波長を有する光を電気信号に変換して出力するためのものである。受光層３は、基板２側からｎ型半導体層６と、ｉ型半導体層７と、ｐ型半導体層８とが順次積層されている。ｎ型半導体層６、ｉ型半導体層７及びｐ型半導体層８は、それぞれ約０．１μｍ〜数μｍの厚みを有する（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ層（０≦ｘ≦０．６）からなる。ｎ型半導体層６には、ｎ型の不純物であるＳｉ又はＳｅがドープされている。ｐ型半導体層８には、ｐ型の不純物であるＺｎがドープされている。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、表面の劣化が少なく、かつ、低抵抗のｐ型III族窒化物半導体を製造することの可能なIII族窒化物半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体および半導体装置を提供することを特徴とする。
【解決手段】 ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶３２を結晶成長させて冷却した後に、前記III族窒化物結晶３２の上に、所定の積層構造３３を形成することによって、前記III族窒化物結晶をｐ型III族窒化物半導体として製造する。 （もっと読む）

【課題】有機材料を含む基材上へも形成可能であり、光導電特性や機械的特性、耐酸化性等に優れると共にこれらの特性が経時的にも安定して維持できる半導体膜、受光素子、感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、１３族元素と炭素と１５原子％以上５５原子％以下の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜、この半導体膜を有する受光素子、この半導体膜有する感光体、この感光体を含むプロセスカートリッジ、及びこの感光体を含む画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】Ｆｅドープ絶縁体層に埋め込まれた埋込導波路型受光素子のリーク電流を少なくする。
【解決手段】Ｆｅ―ＩｎＰ基板２４上に配設されたｎ−クラッド層２８と、このｎ−クラッド層２８の一部の上に配設され、ｎ−光ガイド層３０、ｎ−クラッド層２８と同じかまたはより高い屈折率を有するとともにｎ−光ガイド層３０の不純物濃度より低い１×１０^１７ｃｍ^−３以下の不純物濃度を有するかあるいはアンドープのｉ−光ガイド層３１、このｉ−光ガイド層３１よりも屈折率が高い光吸収層３２、ｐ−光ガイド層３４、およびｐ―クラッド層３６がＦｅ―ＩｎＰ基板２４側から順次メサ状に積層された導波路１６ａと、Ｆｅ―ＩｎＰ基板２４上に配設され導波路１６ａの側壁を埋設したブロック層と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】素子の微細化に対応して、光電変換部への集光を効果的に行い、受光面積を確保して、小型で高感度な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード部ＰＤの表面幅ｂが遮光膜９の表面と同等の高さかまたは遮光膜９の表面よりも高く、従来技術に比べてオンチップレンズとフォトダイオード部との距離が飛躍的に短くなるため、従来技術のように層内レンズを設けなくても、容易にフォトダイオード部に入射光を集光させることができる。また、遮光膜９の開口部ａの面積よりもフォトダイオード部ＰＤの表面積が同等または大きく、画素を微細化して画素サイズを小さくしても、受光面積が遮光膜９の開口面積により制約されないため、より広い受光面積を確保することができる。さらに、フォトダイオード部ＰＤの表面ｂが上に凸の半球状であれば、これがレンズの役割を果たすため、フォトダイオード部ＰＤへ効率的に入射光を集光させることができる。 （もっと読む）