【課題】ギガビット応答特性・高信頼性で、ブレークダウン電圧特性の変動量が小さいメサ型のアバランシェフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】基板１１側から順に、電流信号を増幅する増倍層１３、増倍層１３内部の電界を緩和する電界緩和層１４、上層のエッチングの際に電界緩和層１４がエッチングされないようにするエッチングストップ層１６、光信号を電流信号に変換する光吸収層１７が積層し、光吸収層１７は、エッチングストップ層１６上にてメサ状に形成され、少なくとも光吸収層１７の側壁面は、半導体よりなる半導体保護膜１１１で覆われ、エッチングストップ層１６は、第１導電型半導体ないしノンドープ半導体よりなり、電界緩和層１４は、第１導電型半導体とは逆導電型の第２導電型半導体よりなる。 （もっと読む）

【課題】超高速動作に適した、受光感度の高い「光通信用フォトダイオード」を提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトダイオードは、半絶縁性基板１上に、ｐ形電極層２、半導体光吸収層３、４、半導体光吸収層３、４よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する電子走行層５、ｎ形電極バッファ層６、及びｎ形電極層７が順次積層され、半導体光吸収層３、４及び電子走行層５が第１のメサ構造を形成し、ｎ形電極バッファ層６及びｎ形電極層７が第２のメサ構造を形成し、ｐ形電極８と、ｎ形電極９とを有する。半導体光吸収層３、４は積層方向にドーピングプロファイルを有し、動作状態において、半導体光吸収層３、４にｐ形の中性を保つ領域が存在し、少なくとも電子走行層５とｎ形電極バッファ層６との両層が接する部分が空乏化し、第２のメサ構造の形状とドーピング構造で決まる電界分布により、第１のメサ構造内に活性領域が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高強度の光が入力されても、応答性の低下が抑制できるようにする。
【解決手段】例えばＩｎＰからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成された第１導電型の半導体からなる第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された半導体からなる光吸収層１０３と、光吸収層１０３の上に形成された第２導電型の半導体からなる第２半導体層１０５と、第１半導体層１０２に形成された第１電極および第２半導体層１０５に形成された第２電極とを少なくとも備える。光吸収層１０３は、対象とする光の波長に対応するバンドギャップエネルギーを有して基板１０１とは格子定数が異なる半導体から構成されて歪みを有している。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードをより低いバイアス電圧で動作させても、より高い感度が得られるようにする。
【解決手段】電子走行層１０３の上に形成された第１導電型の半導体からなる電界制御層１０４を備える。第１半導体層１０２，電子走行層１０３、電界制御層１０４、および第２半導体層１０７は、光吸収層１０５を構成する半導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体から構成され、電子走行層１０３および光吸収層１０５は、第１半導体層１０２，電界制御層１０４、および第２半導体層１０７よりも不純物濃度が低い状態とされている。 （もっと読む）

【課題】 接合バンプで接続されたハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、画素不良をなくし、経済性に優れ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】受光素子が複数配列されたフォトダイオードアレイ５０とＣＭＯＳ７０とを備え、フォトダイオードアレイの電極１１とＣＭＯＳの電極７１とが、接合バンプ９，７９を介在させて接合され、接合バンプ９，７９は、電極に接して位置する基部バンプ層９ａ，７９ａと、該基部バンプ層上に位置する、該基部バンプ層よりも、融点が低くかつ柔らかい金属からなる融合バンプ層９ｂ，７９ｂとを有し、該融合バンプ層が溶融して相手側と接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性が良く光吸収係数の高い光電変換膜を有することで、暗電流の発生を抑えて、感度を高めた固体撮像装置を可能にする。
【解決手段】シリコン基板１１上に格子整合された銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＳＳｅ）系混晶または銅−アルミニウム−ガリウム−インジウム−亜鉛−イオウ−セレン（ＣｕＡｌＧａＩｎＺｎＳＳｅ）系混晶からなるカルコパイライト系化合物半導体からなる光電変換膜１３を有する。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、画素に短絡や接続不良（オープン）を生じない、検出装置等を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ５０と、ＣＭＯＳ７０と、これらの間に介在する接合バンプ９と、受光素子アレイおよびＣＭＯＳのグランド電極１２，７２どうしを接続する接続部材２１とを備え、受光素子アレイのグランド電極１２は、画素領域４５の外側４７において、段の底面をなす化合物半導体層２にオーミック接触しており、接続部材２１は、受光素子アレイのグランド電極１２とＣＭＯＳのグランド電極７２とに対して直立していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 赤外検出器は、様々なノイズ源によって望ましくない影響を受ける。しかも一部の赤外検出器は、たとえば熱的に励起された電流キャリアによって発生するノイズを減少させるため、液化窒素温度(77K)以下の温度で動作するように冷却される。
【解決手段】 広帯域放射線検出器は第1型の電気伝導を有する第1層を有する。第2層は、第2型の電気伝導及び第1スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。第3層は、ほぼ前記第2型の電気伝導、及び、前記第1スペクトル領域の波長よりも長い波長を有する第2スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。当該広帯域放射線検出器は複数の内部領域をさらに有する。各内部領域は少なくとも部分的に前記第3層内部に設けられて良い。各内部領域は、前記第3層の屈折率とは異なる屈折率を有して良い。前記複数の内部領域は規則的に繰り返されるパターンに従って配置されて良い。 （もっと読む）

【課題】優れた発電効率を備える太陽電池素子を提供する。
【解決手段】太陽電池素子１００は、基板１１０と、マスクパターン１２０と、半導体ナノロッド１３０と、第１の電極１５０と、第２の電極１６０とを有する。半導体ナノロッド１３０は、基板１１０上に平面視三角格子状に配置されており、相隣り合う半導体ナノロッド１３０同士の中心間距離ｐと、半導体ナノロッド１３０の最小径ｄとの比ｐ／ｄが１〜７の範囲にある。半導体ナノロッド１３０は、第１の導電型の半導体からなる中心ナノロッド１３１と、真性半導体からなり中心ナノロッド１３１を被覆する第１の被覆層１３２と、第２の導電型の半導体からなり第１の被覆層１３２を被覆する第２の被覆層１３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いて良好な量子効率（電子取り出し効率）の受光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 それぞれが窒化物半導体からなるｎ型層、活性層及びｐ型層を順に有する受光素子であって、ｎ型層と活性層との間には、ｎ型層から順に、ｎ型層のｎ型不純物濃度よりも小さいｎ型不純物濃度の第１層と、第１層の格子定数よりも大きい格子定数の第２層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。
【解決手段】第１化合物半導体層１２と、第１化合物半導体層上に形成され、Ｚｎドープによりｐ型に制御された第２化合物半導体層１３と、この第２化合物半導体層上に形成された第３化合物半導体層１４とからなるエピタキシャル結晶において、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層の界面、及び、第３化合物半導体層と第２化合物半導体層の界面が、タイプＩＩまたは価電子帯のみが不連続となるようなヘテロ接合構造をなすようにする。また、第２化合物半導体層の価電子帯の不連続量が、第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層に対して、０．１ｅＶ以上となるようにする。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素としてＳｂを含むIII−Ｖ化合物半導体層を有する受光層とｎ型ＩｎＰ窓層とを有しており暗電流を低減可能なIII−Ｖ族化合物半導体受光素子を提供する。
【解決手段】受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。III−Ｖ族化合物半導体受光素子１１では、ＩｎＰ層２３は不純物としてアンチモンを含むと共に、ＩｎＰ層２３にはｎ型ドーパントとしてシリコンが添加されている。ＩｎＰ層２３中のアンチモン不純物は正孔を生成するように作用するけれども、この生成キャリアをＩｎＰ層２３中に添加されたシリコンが補償して、ＩｎＰ層２３の第２の部分２３ｄは十分なｎ導電性を示す。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族半導体基板上に形成される受光層の結晶品質を保ち良好な特性を得ることができ、且つ窓層表面の結晶性を良好にできる受光素子アレイ及びその製造方法、並びに該受光素子アレイの製造に用いられるエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。窓層１１を全有機ＭＯＶＰＥ法によって成長させ、窓層１１の成長温度を受光層７の成長温度以下とする。 （もっと読む）

【課題】 経済性に優れ、かつ高い製造歩留りを可能にしながら、隣接画素間に短絡を生じない、検出装置、センサ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 波長１μｍ〜３μｍに受光感度を持つ化合物半導体において受光素子Ｐが複数配列された受光素子アレイ５０と、画素ごとに光電荷を読み出すＣＭＯＳ７０と、受光素子アレイとＣＭＯＳとの間に介在する接合バンプ９と、接合バンプ９と導電接続する、筒体である筒状金属Ｇとを備え、筒状金属Ｇは、受光素子アレイ側およびＣＭＯＳ側のいずれか一方に設けられ、筒状金属Ｇは、接合バンプ９を収容するように位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】高い感度を得ることができる光検知器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層９と、活性層９上方に形成された上部電極４と、が設けられている。活性層９には、障壁層２と、障壁層２と格子整合する量子井戸層３と、が設けられている。障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。量子井戸層３には、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃと、第１の化合物半導体層３ａ及び３ｃの結晶に格子歪を生じさせる第２の化合物半導体層３ｂと、が設けられている。 （もっと読む）