【課題】暗電流を抑制すると共に、負の固定電荷を有する層の特性の制約を緩和することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換が行われるフォトダイオードが形成された半導体層２と、少なくともフォトダイオードが形成された領域の半導体層２上に形成された負の固定電荷を有する第１の膜２１と、この負の固定電荷を有する第１の膜２１上に形成された、負の固定電荷を有する第１の膜２１とは異なる材料から成る、負の固定電荷を有する第２の膜２２とを含む固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の低減に基づいた低暗電流と素子容量の低減による高速応答及び高い受光感度を備えたｐｉｎ型受光素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ等からなる半導体基板２０上に、ＳｉドープしたＧａＩｎＡｓからなるｎ型半導体層３０、アンドープＧａＩｎＡｓからなるｉ型半導体層３１及びＺｎドープＧａＩｎＡｓからなるｐ型半導体層３２が順次積層されており、ｉ型半導体層３１及びｐ型半導体層３２の周囲はメサ型に形成されており、そのメサ部の周囲にはパッシベーション半導体層４０を有している。さらに、ｐ型半導体層３２のメサ中央部の受光領域の厚みｈ２は、その周囲の厚みｈ１よりも薄くなっている。このような構造のｐｉｎ型受光素子では、低い暗電流特性を保持しながら、空乏層容量が低減し応答速度が格段に向上する。さらに、ｐ型半導体層３２での光吸収が低減され、受光感度も大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に高品質なＳｂ系結晶を成長させた半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】本発明の一態様による半導体素子は、Ｓｉ基板１１上に設けられ、Ｓｂと、Ｓｂ以外のＶ族元素を含み、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下の、第１の層１２と、第１の層上に設けられＳｂを含む第２の層１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光受信モジュールに実装される端面入射型受光素子の製造コスト及び製造工程における歩留まりの低下を抑える。
【解決手段】端面入射型受光素子１０が、光を吸収するための光吸収層１５が設けられ、光を伝搬する導波路３４の出射端面から出射した光が光吸収層１５の受光端面に入射するようサブキャリア２０に実装されるように構成されており、受光素子１０のサブキャリア２０への実装面に、光吸収層１５を有し光吸収層１５の層厚方向にメサ状に突出形成された受光部１６と、受光素子１０がサブキャリア２０に実装された状態でサブキャリア２０に当接してサブキャリア２０に対して光吸収層１５の層厚方向に受光素子１０を位置決めできる受光素子高さ基準面１７を有する突出形成された位置決め突出部１８と、から成る段差構造が形成されており、受光部１６頂面が基準面に対して低く凹んだ状態に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化しながらＩｎバンプによる画素ごとの接続に伴う問題を解決し、かつフォトダイオードと読み出し回路の接続部周辺に高い応力を生じない、光検出装置を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ型センサーチップ５０には画素ごとに画素電極１１が設けられ、また、読み出し回路７０には、金属突起の読み出し電極７１が設けられ、受光素子アレイ型センサーチップの画素電極と読み出し回路の読み出し電極とを画素ごとに導電接続する異方性導電フィルム６０を備え、異方性導電フィルム６０が、受光素子アレイ型センサーチップと信号読み出し回路との間を充填して、受光素子アレイ型センサーチップと読み出し回路とを接着していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】赤外線検出素子は、Ｎ型のＩｎＡｓからなる半導体基板１と、半導体基板１上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ１Ｓｂ_１−Ｘ１を含むバッファ層２，３，４と、バッファ層２，３，４上に形成されたＩｎＡｓ_Ｘ２Ｓｂ_１−Ｘ２からなる光吸収層５と、光吸収層５上に形成されたＩｎＰＳｂからなるキャップ層６とを備えている。組成比Ｘ１は、組成比Ｘ２よりも大きく、組成比Ｘ１は、半導体基板１から光吸収層５に近づくに従って段階的に減少しており、キャップ層６の表面から光吸収層５内にＰ型不純物が添加されてなる。なお、半導体基板１としてＩｎＳｂを用いた場合には、組成比の関係は逆となる。 （もっと読む）

【課題】発光装置および受光装置をモノリシックに集積することができる受発光装置を提供する。
【解決手段】半導体層１０３は分離溝３００によって発光領域１００と受光領域２００とに分離され、活性層１０６のうちの少なくとも一部は利得領域１４０を構成し、利得領域は第１側面１０５に設けられた第１端面から第１側面に設けられた第２端面まで連続しており、第１端面から第２端面までの間に利得領域に生じる光を反射させる反射面を有し、反射面にはミラー部１７０が設けられ、第１端面から延びる第１部分１４２および第２端面から延びる第２部分１４４は第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、第１部分に生じる光の一部は反射面において反射して第２端面から出射され、第２部分に生じる光の一部は反射面において反射して第１端面から出射され、利得領域に生じる光の一部はミラー部を透過し、受光領域の半導体層１０３は透過した光を受光する。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

半導体構造体は、基板（１２）と、基板（１２）の上面を覆うシード層（１６）と、シード層（１６）を覆って配置される半導体層（２０）と、半導体層（２０）中のトランジスタデバイス（２２、２４）とを備え、基板（１２）はその中に開口部（４２）を備え、該開口部（４２）は基板（１２）の底面から延在して、シード層（１６）の底面で終端し、光電気構造体（４４）はシード層（１６）の底面上に配置される。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、気体のモニタリングを高感度で遂行することができる、気体モニタリング装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、気体モニタリング装置は、波長３μｍ以下の少なくとも１つの波長の光を受光して、気体中のガス成分等を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合フォトダイオードの外周に高抵抗半導体層を形成したメサ型半導体受光素子では、再成長界面とｐ型層もしくはｎ型層が直接、接触する構造となっており、高抵抗半導体層でメサ側壁の欠陥や界面順位が低減されていても、完全に除去することは難しくリークパスの要因となる。また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。
【解決手段】ｐ型領域と高抵抗半導体層の間にｉ型層を有することで埋め込み界面を流れる表面リーク電流を低減する事ができ、暗電流の少ない受光素子半導体受光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、生体成分を高感度で検出することができる生体成分検出装置を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、生体成分検出装置は、波長３μｍ以下の生体成分の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より簡易に製造することができる複数の波長の光の検知が可能な光検知器を提供する。
【解決手段】光結合層の表面には、λ₁検知部１１とλ₂検知部１２との間で互いに格子溝の延びる方向が異なる回折格子１１ａ、１２ａが形成されている。例えば、一方は基板を構成するＧａＡｓの［０１１］方向を向いており、他方は［０１−１］方向を向いている。また、吸収層には複数の量子ドットが形成されている。量子ドットの形状は、回折格子１１ａの格子溝に沿った方向と、回折格子１２ａの格子溝に沿った方向との間で相違している。 （もっと読む）

【課題】光から電力への変換効率が高い光電変換素子、これを用いた光給電装置、及び光電変換素子の製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる光電変換素子は、光吸収層（２０２、２０５、２０７）のバンドギャップエネルギー（Ｅｇ１、Ｅｇ２、・・・、Ｅｇｎ）が異なる２つ以上のＰＩＮ接合を有する。２つ以上のＰＩＮ接合は、光２０９が入射する側からバンドギャップエネルギーが小さくなる順（Ｅｇ１＞Ｅｇ２＞・・・＞Ｅｇｎ）に配置され、且つ、各々のＰＩＮ接合が直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来のショットキーダイオード式の受光素子よりも受光感度が優れており、かつショットキー電極の接合が十分に強化された受光素子を提供する。
【解決手段】所定の基板の上に、ＡｌＧａＮからなり導電性を有する第１コンタクト層を形成する第１コンタクト層と、ＡｌＧａＮからなる受光層と、ＡｌＮからなり厚みが５ｎｍの第２コンタクト層とをこの順にエピタキシャル形成し、第２コンタクト層に第２電極をショットキー接合することによって、ＭＩＳ接合を形成する。さらに、ショットキー接合後に窒素ガス雰囲気下で６００℃、３０秒の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作で高受光感度と高速応答性の実現が可能な受光素子を備えた光半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型を有する第１半導体領域と、第１半導体領域上に設けられ、第２導電型を有する第２半導体領域とを備える。そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。また、半導体基板と前記第１半導体領域とに跨って設けられ、その上部が前記第１半導体領域の所定の深さまで貫入し、第１導電型を有する第５半導体領域とを備える。そして、前記第２半導体領域と前記第３半導体領域の表面部に逆方向電圧を印加することによって電流信号の増幅動作を行う。 （もっと読む）

【課題】受光感度の優れた光抵抗方式の受光素子を提供する。
【解決手段】第１のIII族窒化物からなる第１層と、第１のIII族窒化物とは組成が異なる第２のIII族窒化物からなる第２層とが繰り返し交互に積層された超格子構造を有するコンタクト部を、第３のIII族窒化物からなる受光層の上において対向電極を構成する櫛歯状電極である第１の電極と第２の電極の電極指形成位置に対応させて形成したうえで、第１と第２の電極をそれぞれ、対応するコンタクト部を被覆しつつコンタクト部および受光層と接合形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にゲルマニウムを主成分とする半導体素子を形成する際に、バッファ層を薄くすることで段差を減らし、同一基板上にシリコン系半導体素子を混載することを容易にする。
【解決手段】 具体例を述べれば、バッファ層をゲルマニウム層とシリコン層の２層とし、シリコン層のみを溶融することでゲルマニウムの面内原子間隔を安定的に保持するバッファ層を形成し、その上にゲルマニウム層を形成することで転位密度等の結晶欠陥を低減する。 （もっと読む）

【課題】長波長側の波長帯で受光感度が大きい化合物半導体の製造方法、半導体受光素子の製造方法、化合物半導体及び半導体受光素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含有する化合物半導体を製造する際に、用いるＶ族原料のうち少なくとも１つを、ジメチルアミノ基を含む有機金属のＶ族原料とする。 （もっと読む）