【課題】ｐ型不純物の異常拡散の発生を防止すること。
【解決手段】半導体装置は、何れか一方が光感応層または発光層として機能し、ｐ型の不純物が低濃度にドープされ、且つ互いにヘテロ接合する第１および第２のIII−V族化合物半導体層を備える。第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】光検出精度を向上させることの可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出器１０はｎ型半導体基板１１上に、光検出層１２、多層膜半導体層１３およびｐ型コンタクト層１４をこの順に積層して構成されており、面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。多層膜半導体層１３は光非吸収層１３Ａおよび光吸収層１３Ｂを交互に積層して構成されている。光非吸収層１３Ａは発振波長λ_０に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の腹の位置に設けられている。光吸収層１３Ｂは発振波長λ_０に相当するエネルギー以下のバンドギャップを有するｐ型半導体からなり、レーザ光の定在波の節の位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】室温での動作が可能であり、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響も受けにくい超小型の、赤外線センサＩＣを提供すること。
【解決手段】素子抵抗が小さく、電子移動度の大きな化合物半導体をセンサ部３２に用いて、該化合物半導体センサ部３２と、化合物半導体センサ部３２からの電気信号を処理して演算を行う集積回路部３３とをバンプ３７により電気的に接続し、樹脂パッケージにより、同一パッケージ３５内に配設することにより、これまでにない小型で、簡易なパッケージで室温動作可能な赤外線センサＩＣを実現できる。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体であり、基板格子定数がゲルマニウムよりも小さく、基板面方位が｛１１１｝面であり、基板面と垂直な＜１１１＞軸方向に半導体格子を伸長される光電変換層を用いる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 長波長域に検出感度が広くあり、欠陥密度を小さくして暗電流を抑制することが可能な受光層を有する半導体受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＰ基板上に位置するＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓバッファ層１２（０≦ｘ≦１）と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓバッファ層１２上に位置する、窒素を含む化合物半導体の受光層１３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。
【解決手段】
一対の電極（１８０，３００）と光電変換層２００との間に、複数層構造の電荷ブロッキング層（電子ブロッキング層１９２，正孔ブロッキング層２０２）を設ける。電子ブロッキング層１９２は３層（１９２ａ〜１９２ｃ）からなり、正孔ブロッキング層２０２も３層（２０２ａ〜２０２ｃ）からなる。各層の中間準位のエネルギー位置を異ならせるために、各層の材料を異なるものにすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】暗電流のばらつきを低減可能なｐｉｎ型フォトダイオードを作製する方法を提供する。
【解決手段】パッシベーションのためのＩｎＰ半導体２９を成長した後に、燐雰囲気中で熱処理３１を行うので、半導体メサ上に成長されたＩｎＰ半導体がマイグレートする。熱処理の結果、マイグレートによりＩｎＰ半導体２９ａの厚みの均一性が良好になる。 （もっと読む）

【課題】光を吸収する部分の温度の影響を受けずに、微小の長波長赤外線エネルギーの絶対値を正確に検出する超小型の光センサを提供すること。
【解決手段】基板１０上に第１メサ２１及び第２メサ４１を有する。第１メサ２１は、第１導電型の半導体層２０を含み、第１導電型の半導体層２０の電極６１が形成される部分を有する。第２メサ４１は、第１メサ２１上に設けられている。ＰＩＮフォトダイオードの場合、Ｉ層３０及び第２導電型の半導体層４０を備え、ＰＮフォトダイオードの場合、第２導電型の半導体層４０を備えている。基板１０上に、第１導電型の半導体層２０が設けられ、その上にＩ層３０が設けられ、更にその上、第２導電型の半導体層４０が設けられている。被検出光が半導体基板１０の裏面から入射し、Ｉ層３０まで進入した場合には、光はＩ層３０で吸収されて電子とホールが発生し、光センサの出力電圧が発生する。 （もっと読む）

【課題】 ２次相互変調歪を抑制した上で、高い量子効率、低い素子容量を実現することができる半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型バッファ層２と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層３と、ｎ型窓層４と、ｎ型窓層４からＩｎＧａＡｓ受光層３に届くように形成されたｐ型領域５と、ｐ型領域に電気的に接続されるｐ部電極１５ａとを備えるアナログ伝送用のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の受光素子において、バッファ層のｎ型キャリア濃度が１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、電荷転送領域の遮光性の確保と光電変換を行うセンサ部の感度の確保を両立させるとともに、熱電子の発生によるノイズ発生を低減することを可能とする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を出力するセンサ部１３上に開口部３１を形成した遮光膜３０を備えた固体撮像素子１であって、前記遮光膜３１は原子層蒸着法により成膜された金属膜を含み、前記金属膜が水素を含むものである。 （もっと読む）

【課題】高濃度半導体材料を用いたメサ型のＰＩＮ-ＰＤにおいて、受光部への入射光が吸収層を透過し、基板に近い側の高濃度層まで到達することによって、高濃度層内で遅いキャリアが発生し、高周波応答が劣化するという問題がある。
【解決手段】ｐ-ｉ-ｎ型の多層構造において、基板に近い側の高濃度層１０３の受光部に該当する部分をエッチングもしくは選択成長技術により受光部の周囲に比べてあらかじめ薄くし、その上に吸収層１０４およびもう一方の高濃度層を成長しメサ型構造の受光部を形成する。これによって、良好なオーミックコンタクトを形成することが出来、高周波応答特性に優れたＰＩＮ-ＰＤが実現出来る。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を大きく抑制することができる半導体受光素子、その製造方法およびその半導体受光素子を用いた受光装置を提供する。
【解決手段】 受光層３を含むエピタキシャル積層構造のプレーナー型半導体受光素子１０であって、受光層３の上にエピタキシャル成長したＩｎＡｌＡｓの窓層４と、ＩｎＡｌＡｓ窓層４が酸化されてなり、窓層を被覆する酸化被膜５と、窓層から受光層に届くようにｐ型不純物が導入されたｐ型領域１５とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アレイ内における素子の大きさが均一で、しかもその形状が整っており、素子間で、受信光波長選択性を有し、しかも高濃度のＮを含む半導体結晶を得ることにより、感度が良好な受光素子アレイ、その製造方法、および光計測システムを提供する。
【解決手段】 第１導電型または半絶縁性の半導体基板１上に、一次元または二次元に配列された複数の開口部を有するマスク層２を形成する工程と、前記開口部に受光層３ｂを含む複数の半導体層３ａ、３ｂ、３ｃを選択成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】紫外光またはより短波長の光だけを極めて高い受光感度で検出することができ、しかもｐ型層を用いないで済むことにより製造も容易な半導体光検出器を提供する。
【解決手段】第１の半導体層２上にこの第１の半導体層２よりもバンドギャップが大きい第２の半導体層３を設け、その上に第２の半導体層３よりもバンドギャップが小さく、かつ、このバンドギャップは可視光の最短波長に対応する光子エネルギーよりも大きく、かつ、第２の半導体層３とタイプＩのヘテロ接合を形成する第３の半導体層４を設け、第１の半導体層２に第１の電極５を設け、第３の半導体層４に第２の電極６を設けて半導体光検出器を構成する。動作時に第３の半導体層４による光吸収によって生成される正孔が第３の半導体層４と第２の半導体層３との界面に蓄積される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン基板上にＡｌＮを成長させるための改良された方法、さらに、シリコン基板上に、例えばIII族窒化物材料等のワイドギャップ材料を成長させるための改良された方法、さらには、シリコン基板上にＳｉＣを成長させるための改良された方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体プロセス技術及び装置に関する。特に、本発明は、シリコン基板上に高品質のIII族窒化物層を形成する方法、及びそれにより得られる装置に関する。本発明では、シリコン基板に対してプレドージング工程が適用される。当該プレドージング工程では、基板を、少なくとも０．０１μｍｏｌ／ｃｍ^２の、Ａｌを含む１以上の有機金属化合物に、５μｍｏｌ／分未満の流速でさらす。本発明は、また本発明により得られる半導体構造、並びに当該構造を備える装置に関する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極２，４と、一対の電極２，４に挟まれた光電変換層３とを含む光電変換素子１００であって、電極２と光電変換層３との間に、電極２の光電変換層３側の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層５を備える。 （もっと読む）

【課題】 多波長量子井戸型赤外線検知器に関し、長短両波長に対して最適な構造の光結合器を構成して長短両波長に対する検出感度を向上する。
【解決手段】 感度波長が異なる複数の多重量子井戸構造光吸収層１，２を積層して１画素で複数の波長帯に対して感度を有するとともに、赤外光入射面の反対側の素子表面に設けた段差パターン５からなる光結合器構造４を備えた多波長量子井戸型赤外線検出装置の段差パターン５の段差の高い部分の素子表面上にのみ相対的に長波長光だけを透過し相対的に短波長光を反射する性質を持つフィルタ材６を設けるとともに、フィルタ材６を含む段差パターン５の全面に入射光を全て反射する膜を設け、段差パターン５の底面から反射が起こるフィルタ材６あるいは反射膜１０までの材料中の光路長を反射を起こす光の波長のおおよそ１／４とする。 （もっと読む）

【課題】光入出力端面をエッチングにより形成する場合でも光入出力端面の汚染を防ぐことができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】半導体基板上に光導波路を有する多層構造を形成する第１工程と、多層構造をエッチングすることにより、光の入出力を行うための光入出力端面を形成する第２工程と、光入出力端面を第１絶縁膜で覆う第３工程と、第３工程の後に、全面を第２絶縁膜で覆い、光入出力端面の部分及び光導波路の上方において第２絶縁膜に開口を形成する第４工程と、第４工程の後に、光導波路の上方に上面電極を形成する第５工程と、第５工程の後に、半導体基板の裏面を研磨し、裏面電極を形成する第６工程と、第４〜第６工程の後に、第２絶縁膜を残しつつ第１絶縁膜を除去する第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】検出可能な赤外線の帯域が広い量子ドット型光半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板５１の上に、バッファ層５２、下部電極層５３、第１の赤外線吸収層５４ａ、第２の赤外線吸収層５４ｂ及び上部電極層５５を形成する。第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂはいずれも量子ドットと、量子ドットを覆うキャップ層と、量子ドットにより導入された歪みを回復させる中間層とを複数積層して形成されている。第１及び第２の赤外線吸収層５４ａ，５４ｂの量子ドットはいずれもＩｎＡｓにより形成されており、中間層はいずれもＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓにより形成されている。また、第１の赤外線吸収層５４ａのキャップ層はＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ａｓにより形成され、第２の赤外線吸収層５４ｂのキャップ層はＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 優れた高速応答性を有する半導体受光素子、および量産性に適したその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上にｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層２を介在させて位置するｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層３と、その受光層３上のＩｎＰ窓層４と、窓層４上に位置するパッシベーション膜５と、窓層４および受光層３にわたって形成されたｐ型領域８と、ｐ型領域８の窓層４を通って受光層３にいたり、ｐ型領域の受光層３とオーミック接触するｐ型部電極７と、ｎ型バッファ層２およびｎ型受光層３のいずれかにオーミック接触するｎ型部電極３３とを備える。 （もっと読む）