【課題】鉄シリサイド層を活性層として具え、十分に高い光−電気変換効率を有する実用的なダブルへテロ構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】所定の基板上に鉄シリサイド層を形成し、前記鉄シリサイド層上にシリコンゲルマニウム又は平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒のシリコンからなるキャップ層を形成して半導体素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】 応答歪の少ない半導体受光素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型半導体基板と、基板上の一部の領域上のみに配置された、半導体基板よりもバンドギャップエネルギーの小さいアンドープ半導体層からなる光吸収層と、光吸収層上及び半導体基板上に配置された、光吸収層よりもバンドギャップエネルギーの大きいアンドープ半導体層からなる窓層と、窓層上面の、光吸収層上の領域を含むように設けられた、光吸収層に達する深さを備えた第２導電型不純物を有するドーピング領域と、基板の裏面側に設けられた第１の電極と、窓部上の一部領域上に設けられた第２の電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】 集積化の容易な受光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受光素子１００は，
基板１０１と、
基板１０１の上方に形成された第１コンタクト層１１２と、
第１コンタクト層１１２の上方に形成された光吸収層１１４と、
光吸収層１１４の上方に形成された第２コンタクト層１１６と、
第２コンタクト層１１６の上方に形成された集光レンズ１７０と、を含み、
光吸収層１１４および第２コンタクト層１１６のうちの少なくとも一方は、面方向に周期的な屈折率分布を有するフォトニック結晶領域１４０を有し、
フォトニック結晶領域１４０は、欠陥領域１４２を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム結合後に高温プロセスの必要性のない、薄膜ゲルマニウム光検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜ゲルマニウム光検出器を製造する方法は、シリコン基板を準備することと（１２）、ＣＭＯＳデバイスをシリコン基板上に製造することと（１４）、ゲルマニウム基板を準備することと（３０）、結合するために各基板の表面を準備することと（３４）、ゲルマニウム基板を、ＣＭＯＳを有するシリコン基板に結合して、結合構造を形成することと（３８）、ゲルマニウム基板の一部分を結合構造から除去することと、ＰＩＮダイオードをゲルマニウム基板に形成することと（４６）、ゲルマニウム層の一部分をエッチングによって除去することと（５２）、ゲルマニウム光検出器を完成させることと（６４）を包含する。 （もっと読む）

【課題】暗電流不良を低減可能な構造を有する受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子１１は、第１のＩｎＰ層１３と、第２のＩｎＰ層１５と、第３のＩｎＰ層１７と、受光層１９とを備える。第１のＩｎＰ層１３は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。第２のＩｎＰ層１５は、第１導電型を示しており、ＩｎＰ基板２１と第１のＩｎＰ層１３との間に設けられている。第３のＩｎＰ層１７は、第２導電型領域２３を有する。受光層１９は、第１のＩｎＰ層１３と第３のＩｎＰ層１７との間に設けられている。第２のＩｎＰ層１５のキャリア濃度Ｃ２は第１のＩｎＰ層１３のキャリア濃度Ｃ１より大きい。受光層のバンドギャップはＩｎＰ半導体層のバンドギャップより小さい。例えば、受光層１９は、ノンドープのＩｎＧａＡｓ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】 良好な高周波特性を有する面発光レーザと、当該面発光レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子を含む光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光素子１００は、面発光レーザ１３０と、当該面発光レーザ１３０から出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子１２０と、を含む光素子１００であって、前記面発光レーザは、基板１０１の上方に形成された第１ミラー１０２と、前記第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、前記活性層の上方に形成された第２ミラー１０４、１０８と、を有し、前記受光素子は、前記第２ミラーの上方に形成された光吸収層１１１と、前記光吸収層に形成された第１の不純物含有層１１４と、前記光吸収層に形成された第２の不純物含有層１１５と、前記第１の不純物含有層の上方に形成された第１電極１１２と、前記第２の不純物含有層の上方に形成された第２電極１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 容易な光導波モジュールの製造方法及び光・電気複合デバイスの製造方法、並びにこの製造方法によって実現可能な信頼性の高い光導波モジュール及び光・電気複合デバイスを提供すること。
【解決手段】 シリコン基体２に光導波層３を形成する工程と、光導波層３の一部分を除去して凹部６を設ける工程と、凹部６内に受光素子構成層を成膜する工程とを有する、光導波モジュールの製造方法、及びこの製造方法により得られる光導波モジュール１。本発明の光導波モジュールの製造方法によって得られた光導波モジュール１において、光導波層３及び受光素子４を含む基体２上に、絶縁膜１２を介して半導体層１３を接合する、光・電気複合デバイスの製造方法、及びこの製造方法により得られる光・電気複合デバイス１４。 （もっと読む）

【課題】ヘテロＥＬＯ技術を応用した窒化物半導体基板層の形成に際し、ＡｌＮ組成比の高いＡｌＧａＮ層を短時間で成長できるＧａＮ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体の貫通転位密度を低減するための下地半導体層部１０を形成する工程において、下地半導体層部１０の一部を構成するＧａＮまたはＡｌＧａＮを主とするシード結晶層１３を、シード結晶層１０の平面視パターンのエッジ部分より基板表面と平行な方向に離間するほど膜厚が厚くなるように、エッジ部分に沿った傾斜面を有する山形状に形成し、シード結晶層１３の上側に直接、或いは、シード結晶層１３の表面に沿って形成された中間層１４の上に、下地半導体層部１０の一部を構成するＡｌＧａＮを主とする上部下地半導体層１５を、アルカリ土類金属またはアルカリ金属から選択される元素を供給して、その表面が平坦になるように形成する。 （もっと読む）

【課題】短波長紫外線検出器として有用なＡｌＮ結晶もしくはＡｌ組成比が高いＡｌＧａＮ結晶においては、Ｐ型、Ｎ型のいずれの導電性においても低抵抗化が困難なため正常なオーミック特性が得られず、良好な感度を有する紫外線検出器が実現できなかった。
【解決手段】バンドギャップの大きい半導体を光吸収層とし、光により励起されたキャリアを半導体層の横方向に走行させ、部分的に形成されている低抵抗層に導き、本低抵抗層に形成されている電極部から光電流を取り出すことにより、短波長紫外線を高感度で検出する。たとえばキャリア濃度の低いＡｌＮ結晶層もしくはＡｌＧａＮ結晶層に逆バイアスを印加し、空間電荷領域を横方向に広げることにより、広い光感度領域が得られ高感度な受光素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を沈積させ、さらに基板上でＩＩＩ−Ｖ構造部品とシリコン構造部品を組み合わせる。
【解決手段】 本発明は、厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜を非ＩＩＩ−Ｖ基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を、欠点となる格子応力を生じさせることなく沈積するため、本発明は２つのＩＩＩ−Ｖ皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを提案している。
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成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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【課題】高速且つ高感度のフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】光を吸収して電荷を発生する吸収層として機能する第１の半導体層と、該第１の半導体層に接して設けられた電荷輸送層として機能する第２の半導体層とを少なくとも含み、前記第１の半導体層で発生した電荷のいずれか一方の極性の電荷を、前記第１の半導体層から前記第２の半導体層へと移動するように、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に電界が印加されるフォトダイオードにおいて、前記第１の半導体層のキャリア濃度が１０¹⁷個／ｃｍ³以下であることを特徴とするフォトダイオード。 （もっと読む）

本発明は、受光部を大口径化できるフォトダイオードの構造に関する。本発明によれば、光電変換のための化合物半導体の接合構造を有した受光部と、前記受光部一面の光入射領域にオーム接触された網構造の第１電極と、前記第１電極と対応するように前記受光部の他面に形成される第２電極とを含むフォトダイオードが開示される。 （もっと読む）

増加した出力を生成するために、積み重ねられた多数の接合またはサブセルを用いたレーザパワー変換が開示される。柔軟で、効率的で、かつコスト効率の高いレーザパワー変換のために、垂直集積および水平集積の双方が開示される。レーザパワー変換器の一実施例は、入射レーザ光を受ける第１のまたは上部サブセルと、第１のサブセルの下方にあり、レーザ光を次に受ける第２のサブセルと、第１のサブセルと第２のサブセルとの間のトンネル接合とを少なくとも含む。
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【課題】 良好な高周波特性を有し、簡単な構成で歩留まりの高い半導体受光素子を構成する。
【解決手段】 Ｆｅ−ＩｎＰ基板２４上にｎ−コンタクト層２６を選択的に配設し、ｎ−コンタクト層２６の上にｎ−コンタクト層２６側から、ｎ−クラッド層２８、光吸収層３２、およびｐ−クラッド層３６が順次積層された光導波路層１６ａを配設し、この光導波路層１６ａの周囲をｎ−クラッド層２８上に配設されたＦｅ−ＩｎＰのブロック層３８により埋め込み、光導波路層１６ａのｐ−クラッド層３６と電気的に接続されたコンタクト電極１８ａとこのコンタクト電極１８ａからブロック層３８の側壁上を経由してＦｅ−ＩｎＰ基板２４上に延在する引出電極部１８ｂとこの引出電極部１８ｂと接続されＦｅ−ＩｎＰ基板２４表面にＳｉＮ膜２２を介して配設された電極パッド１８ｃとを有するｐ電極１８を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】良質な光電変換層を有し、画素の高集積化が可能で、感度が高く、高度な色分離ができ、尚且つ偽色や残像が少ない固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板に信号転送回路（図示せず）が形成された信号転送回路基板１２（シリコン基板）上に、光電変換部１４が設けられた固体撮像素子において、受光面側から、例えば４４０から４８０ｎｍにバンドギャップを持つＩｎＡｌＰからなる第１光電変換層１８（第１化合物半導体層：ＩｎＡｌＰ層）、５２０から５８０ｎｍにバンドギャップを持つＩｎＧａＡｌＰからなる第２光電変換層２０（第２化合物半導体層：ＩｎＧａＡｌＰ層）、及び、６００ｎｍより長波長側にバンドギャップを持つＧａＡｓからなる第３光電変換層２２（第３化合物半導体層：ＧａＡｓ層）の光電変換層を積層させて、積層型の化合物半導体層からなる光電変換部１４を構成する。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成された半導体レーザとフォトダイオード間でのリーク電流の低減を図る。
【解決手段】 ｛１００｝結晶面を主面とする同一半導体基板上に、共振器長方向を[０−１１]結晶軸方向として半導体レーザＬＤと、フォトダイオードＰＤが結晶成長により近接して形成され、フォトダイオードＰＤが｛１１１｝Ｂ結晶面の傾斜面を有するように連続的に結晶成長された導電型の異なる第１の半導体層４０及び第２の半導体層４９からなり、ｐｎ接合が前記｛１１１｝Ｂ結晶面を除く第１の半導体層４０の上面のみに形成され、｛１１１｝Ｂ結晶面が、前記半導体レーザＬＤからの出射光を反射する反射鏡３３となり、半導体レーザＬＤとフォトダイオードＰＤとの間に高濃度不純物領域によるリーク電流阻止層４８が設けられて成る。 （もっと読む）

【課題】 低雑音特性と高速応答性とを向上させることができ、かつ感度を高くできるアバランシェフォトダイオードを提供する。
【解決手段】 第１導電型半導体層と第２導電型半導体層の間に半導体増倍層を含み、半導体増倍層と第２導電型半導体層の間に半導体光吸収層を含んでなるアバランシェフォトダイオードにおいて、半導体光吸収層と第２導電型半導体層の間にさらに半導体光吸収層の増倍を抑える増倍抑制層を０．６μｍ以下の厚さに形成し、半導体光吸収層の厚さが０．５μｍ以上に設定した。 （もっと読む）

テルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）を製造する方法が開示される。方法は、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）によって１つまたは複数のバッファ層を基板上に成長させることを含む。その後、ｘを０と１を含めて、その間としてテルル化カドミウム水銀Ｈｇ_１−ｘＣｄ_ｘＴｅの少なくとも１つの層が、有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって成長される。バッファ層を成長させるためにＭＢＥを使用することにより、ある範囲の基板がＣＭＴ成長に使用されることが可能になる。ＭＢＥバッファ層は、ＣＭＴの後続のＭＯＶＰＥ成長について正確な配向を提供し、また、ＭＯＶＰＥ中のＣＭＴの化学汚染および基板の侵食を防止する。方法は、ＣＭＴ層のデバイス処理が、結晶ＣＭＴ層および／またはパッシベーション層の他のＭＯＶＰＥ成長と共に実施されることをも可能である。本発明は、この方法によって形成される新規なデバイスにも関する。
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本発明では、所定の波長λ₀の最大値を有する所定のスペクトル感度分布（９）にしたがって放射（８）を検出するための放射検出器を提供する。該放射検出器は、検出器信号の生成に使用され放射受信のために設けられた活性領域（５）を有する半導体ボディ（１）を含んでいる。１つの実施形態によれば、該活性領域（５）は複数の機能層（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）を有し、該機能層のバンドギャップおよび／または厚さは異なり、該機能層（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）は、波長λ₀より大きい波長領域にある波長を少なくとも部分的に吸収するように構成されている。
別の実施形態によれば、前記活性領域にフィルタリング層構造体（７０）が後置されており、該フィルタリング層構造体（７０）は、少なくとも１つのフィルタリング層（７，７ａ，７ｂ，７ｃ）を含み、該フィルタリング層構造体は検出器感度（１０）の短波長側（１０１）を、所定のスペクトル感度分布（９）にしたがって、λ₀を下回る波長の吸収によって決定する。本願ではさらに、人間の眼のスペクトル感度領域（９）にしたがって放射（８）を検出するための放射検出器が開示されている。半導体ボディは、モノリシックに統合化することができる。
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