【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】無機半導体と有機物とを能動的な役割に用い、かつ有機物の劣化を防止することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＺｎＯ系半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ショットキー障壁が形成されており、これらの間で整流作用が発生する。しかも、有機物電極２の表面には、撥水膜３が被覆されているため、水等から有機物電極２表面を防護することができ、有機物電極の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ、マイクロレンズ、フォトダイオードを使用しない新規な構造の有機光電変換膜、これを備える光電変換素子およびイメージセンサーを提供する。
【解決手段】本発明は、有機物からなるｐ型物質層と、ｐ型物質層上に形成された、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）からなるｎ型物質層と、を備える有機光電変換膜である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、太陽電池装置で使用されるシリコン半導体装置と伝導性厚膜組成物とに関する。
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【課題】吸収が浅いところでしか起こらないような短波長の光に対しても、応答速度や検出感度が低下しないようなフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型Ｓｉ基板１に、ｐ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｐ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないｎ型シリコン基板１上に積層されたｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２（０≦Ｘ＜１）との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。Ｍｇ_ＸＺｎＯは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるｐｎ接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、ｎ型Ｓｉ基板１とｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Ｍｇ_ＸＺｎＯとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を低下させることなく、暗電流を抑制することができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４間に配置された光電変換層１０２と、電極１０１，１０４と光電変換層１０２との間に形成された電荷ブロッキング層１０５とを備え、電荷ブロッキング層１０５の表面の平均粗さが２．０nm以下とする。または、電荷ブロッキング層１０５のＸ線回折スペクトルにおいて回折ピークが現れない、もしくはその中で最大となる回折ピークの半値幅が５°以上とする。 （もっと読む）

【課題】応答速度を改善することができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４間に配置された光電変換層１０２と、電極１０１，１０４と光電変換層１０２との間に形成された電荷ブロッキング層１０５とを備え、電荷ブロッキング層１０５と一方の電極との間に中間層１０６を備える。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体を用いた光電変換部に衝突電離による電荷の増倍を発生させ、暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高い光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。
【解決手段】下部電極層２５と、下部電極層２５上に配置され、表面に高抵抗層２４２を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜２４と、化合物半導体薄膜２４上に配置された透明電極層２６とを備え、下部電極層２５、化合物半導体薄膜２４および透明電極層２６は、順次積層されると共に、透明電極層２６と下部電極層２５間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜２４内で光電変換により発生した電荷の衝突電離による増倍を起こさせる光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ナノ線に基づく光センサ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。上記２つの電極の金属触媒層上に成長された両側の半導体ナノ線が上記２つの電極の間で上記基板と離隔され互いが空中で接触する構造で連結されている。 （もっと読む）

【課題】青色光の波長領域の光を選択的に吸収して電流を発生させる有機光電変換膜およびそれを備える光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子は、所定の間隔で互いに離れて設けられるアノード１１０およびカソード１２０と、アノードとカソードとの間に形成される有機光電変換膜１３０と、を備える。有機光電変換膜は、ルブレンを含むｐ型物質層１３１と、ｐ型物質層上に形成され、フラーレンまたは高次フラーレンを含むｎ型物質層１３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低暗電流、高光電変換効率で高速応答が可能な光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２とを備え、光電変換層１０２が、少なくとも１つの有機化合物半導体で構成され、該光電変換層１０２の正孔移動度をh1とし、電子移動度をe1としたとき、0.1<h1/e1<10を満たす。 （もっと読む）

【課題】電極材料がＩｎＳｂ内に拡散することを確実に阻止し、動作環境に影響されることなく安定した特性を長期間維持できる、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩｎＳｂを含む化合物半導体で成る半導体層１０、半導体層１０上に形成される絶縁層１１、絶縁層の一部を除去することによって形成された開口部１２、１３の全領域と接触する第１電極８、第１電極８上に形成された第２電極９によって半導体装置を構成し、第１電極８を、第２電極９に含まれる金属が半導体層１０に拡散することを防ぐ部材で形成する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性・耐久性に優れ、感度調整のための校正を行うことなく波長254nm付近の紫外線を連続的に監視することができる紫外線センサを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板１０の表面上及び裏面上にそれぞれ第１の電極１１及び第２の電極１２が形成されたセンサチップ１がパッケージ２の内部に収容されて外部雰囲気から封止される。パッケージ２は検出対象の紫外線に対して透光性を有する窓部材２１を有し、センサチップ１の第１の電極１１及び第２の電極１２に電気的に接続されたリード３１及び３２がパッケージ１の外部に引き出されている。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができ、応答速度の低下を防止できる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に前記一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が酸化珪素SiOx(0<x<2)と、該酸化珪素よりも電子移動度の高い材料とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層を有する新規光電界効果トランジスタの提供。
【解決手段】光電界効果トランジスタは、以下のゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極並びに有機半導体層を順次含み、前記有機半導体層が広がる面内に前記ソース電極とドレイン電極が間隔を空けて配置されて前記ソース電極とドレイン電極の間の有機半導体層内にチャンネルが形成され、前記有機半導体層への光照射に応じて生じる前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の電流変化又は閾値電圧変化が検出され、そして前記有機半導体層が、ｐ型とｎ型の接合構造ではなく、ｐ型半導体単体又はｎ型半導体単体のいずれか１種で構成される。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率・高速応答性を示す有機材料を含む光電変換素子、固体撮像素子及び光センサーを提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表される化合物を含む光電変換膜を有する光電変換素子。一般式（１）


式中、Ｚ_１は５員または６員の含窒素複素環を形成する原子群を表す。Ｚａは５員または６員環を形成する原子群を表す。Ｒ_１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、またはヘテロ環基を表す。Ｌ_１１〜Ｌ_１４はメチン基を表し、置換基を有していても良く、他のメチン基と環を形成しても良い。ｐ１は０または１を表す。ｎ１は０〜４の整数を表し、ｎ１が２以上の時、複数のＬ_１３、Ｌ_１４は同じでも異なってもよい。Ｍ１は電荷を中和するイオンを表し、ｍ１は電荷の中和に必要な数を表す。 （もっと読む）

本出願は、性能が改善された光学的に被覆された半導体デバイスの種々の実施形態、及び、その製造のための種々の方法を開示し、本方法は、半導体デバイス表面上に低密度低屈折率の材料の第１の層を堆積し、半導体デバイスの被覆された表面上に低密度低屈折率材料及び高密度高屈折率材料の交互層を含む多層光学被覆を堆積し、交互する多層の光学被覆の一部を選択的に除去して低密度の第１の層の少なくとも一部を露出させ、低密度材料の第１の層の一部を選択的に除去して半導体デバイスの少なくとも一部を露出させることを含む。 （もっと読む）

【課題】極めて単純なプロセスにより製造できる光感度を高めた光電変換素子を得ることである。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層と電荷蓄積層を含む光電変換部を備える光電変換素子であって、前記光電変換層及び電荷蓄積層が有機色素である光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す有機材料を含む光電変換素子を提供する。
【解決手段】 導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）
【化１】


式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ_１０を表す。Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは各々、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは連結して環を形成してもよい。但し、Ｒ^ｘとＲ^ｙが共にシアノ基であることはない。Ｒ_７〜Ｒ_１０はそれぞれ独立に、水素または置換基を表す。Ｒ_８とＲ_９は連結して環を形成してもよい。Ｌは共役結合からなる連結基を表す。Ｄ_１は原子群を表す。 （もっと読む）