【課題】生産性を高めることが可能なアバランシェフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ型ＧａＩｎＡｓ光吸収層３、ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ遷移層４、ｎ型ＩｎＰ電界調節層５、ｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６、ｎ型ＡｌＩｎＡｓ窓層７、ｐ型ＧａＩｎＡｓコンタクト層８を順次成長させる。次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。さらに、前記受光領域に、Ｚｎを選択的にｎ型ＩｎＰアバランシェ増倍層６に至るまで熱拡散し、ｐ型導電領域１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】感度低下及び分光感度のブロード化を防ぐことが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜１１と、第一電極膜１１に対向する第二電極膜１３と、第一電極膜１１と第二電極膜１３の間に配置される光電変換膜を含む光電変換層１２とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜１３上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜１３上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生し、且つ、正孔の移動度よりも電子の移動度が小さい特性を持ち、且つ、第一電極膜１１近傍よりも第二電極膜１３近傍の方が電子と正孔をより多く発生するものであり、第一電極膜１１を正孔の取り出し用の電極とした。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造で安定に動作し、製造コストも低いプラズモン共鳴型光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズモン共鳴型光電変換素子は、支持基板１０の上に正極集電体１２が形成され、その上には、光を照射されてプラズモン共鳴を起こす金、銀、白金、銅またはパラジウム等の金属で構成された電荷発生層１４が形成されている。この電荷発生層１４は、プラズモン共鳴を起こしやすくするために、突起部を有する。また、電荷発生層１４の上には、電荷発生層１４で発生した電荷を取り出す半導体層１６が形成されている。半導体層１６には、例えば酸化チタン等のｎ型半導体を使用することができる。半導体層１６の上には、ＩＴＯ等の透明電極１８が形成され、透明電極１８の上には、ガラス、プラスチック等の支持基板２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】 透明保護板を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、透明保護板表面への汚れの付着を防止するとともに、入射光の反射を抑制し、入射光の損失を防止することのできる光電変換膜積層型固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 透明保護板１００を有する光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記透明保護板１００の少なくとも受光面側に機能性膜２０２，２０１を設けたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】有機感光性のオプトエレクトロニクスデバイスを形成するための方法を開示し、ここで、有機光伝導性材料はデバイスの電極によってカプセル化される。
【解決手段】有機感光性オプトエレクトロニクスデバイスは、その電極によってカプセル化される（封入される）有機光伝導性材料内に形成される。透明基板上に堆積される第１導電性材料を含む第１透明膜が提供される。第１導電性材料上に第１光導電性有機材料が配置される。金属が第１光導電性有機材料上を１ｎｍ／秒以下の初速度で堆積され、第１光導電性有機材料のいかなる露出部分および露出された該第１光導電性有機材料とのいかなる界面部分を厚み１０ｎｍ以上で完全に被覆する。１０ｎｍ以上の厚みが得られた後、第１光導電性有機材料の露出されていた部分および露出されていた該第１光導電性有機材料との界面部分を完全に覆う金属の累積厚みが少なくとも２５０ｎｍになるまで、少なくとも初速度の３倍に増加された速度でスパッタする。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザの前方光を監視して温度変化や経年変化があっても常に正確に半導体レーザのパワーを制御するための前方光モニタ用の暗電流の小さいフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】 ＩｎＰ窓層或いはＩｎＰ基板の上に、ＳｉＯＮ層をプラズマＣＶＤ法で設け、その上にＡｌ_２Ｏ_３／Ｓｉの交互膜あるいはＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＯ_２の交互膜をイオンアシスト電子ビーム蒸着法で形成し、半導体レーザの４５゜入射光に対して、反射率を０．８〜０．９にし、ＩｎＰ層まで透過してくる光のパワーを０．１〜０．２にした。 （もっと読む）

【課題】 光ファイバ通信で用いられる光の波長帯(1.3〜1.55μｍ)において十分な感度があり、低暗電流で且つ低い増倍雑音特性を有しながら、更に、低価格なＰＤ、ＡＰＤ構造を実現するフォトダイオードの提供。
【解決手段】 ｐｎ接合を有するシリコン（Ｓｉ）で形成される第１半導体層と、該第１半導体層に積層される第２半導体層を有してなるフォトダイオードを製造するフォトダイオード製造方法であって、前記第１半導体層及び／又は前記第２半導体層の接合面側に、鉄（Ｆｅ）の薄膜層を形成し、前記鉄の薄膜層を境界面とし、前記第１半導体層と前記第２半導体層を接合させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶化しやすい化合物層の上に高温の蒸着温度をもつ化合物の層を設ける場合、結晶化しやすい化合物を結晶化させない光電変換膜を提供する。
【解決手段】 ３０℃以上２００℃以下の結晶化温度をもつ有機化合物を主成分とする層と該有機化合物より２０℃以上１００℃以下低い結晶化温度、及び５０℃以上３００℃以下高い蒸着温度を持つ化合物を主成分とする機能性層との間に、該有機化合物より２０℃以上１００℃以下高い結晶化温度、及び３０℃以上２００℃以下高い蒸着温度を持つ化合物を主成分とする層（中間層）を設けることを特徴とする光電変換膜。 （もっと読む）

【課題】 良好な高周波特性を有する面発光レーザと、当該面発光レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子を含む光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光素子１００は、面発光レーザ１３０と、当該面発光レーザ１３０から出射されたレーザ光の一部を検出する受光素子１２０と、を含む光素子１００であって、前記面発光レーザは、基板１０１の上方に形成された第１ミラー１０２と、前記第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、前記活性層の上方に形成された第２ミラー１０４、１０８と、を有し、前記受光素子は、前記第２ミラーの上方に形成された光吸収層１１１と、前記光吸収層に形成された第１の不純物含有層１１４と、前記光吸収層に形成された第２の不純物含有層１１５と、前記第１の不純物含有層の上方に形成された第１電極１１２と、前記第２の不純物含有層の上方に形成された第２電極１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】短波長紫外線検出器として有用なＡｌＮ結晶もしくはＡｌ組成比が高いＡｌＧａＮ結晶においては、Ｐ型、Ｎ型のいずれの導電性においても低抵抗化が困難なため正常なオーミック特性が得られず、良好な感度を有する紫外線検出器が実現できなかった。
【解決手段】バンドギャップの大きい半導体を光吸収層とし、光により励起されたキャリアを半導体層の横方向に走行させ、部分的に形成されている低抵抗層に導き、本低抵抗層に形成されている電極部から光電流を取り出すことにより、短波長紫外線を高感度で検出する。たとえばキャリア濃度の低いＡｌＮ結晶層もしくはＡｌＧａＮ結晶層に逆バイアスを印加し、空間電荷領域を横方向に広げることにより、広い光感度領域が得られ高感度な受光素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子等を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの電極に挟まれた有機光電変換膜が特定構造を有するクマリン化合物からなる正孔輸送性材料を含有する光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

本発明は、受光部を大口径化できるフォトダイオードの構造に関する。本発明によれば、光電変換のための化合物半導体の接合構造を有した受光部と、前記受光部一面の光入射領域にオーム接触された網構造の第１電極と、前記第１電極と対応するように前記受光部の他面に形成される第２電極とを含むフォトダイオードが開示される。 （もっと読む）