【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。Ｄ_１は特定の縮環構造を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】光センサ、光センサを含む光センサ装置、及びこれを含むディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光センサ、光センサ装置及びこれを含むディスプレイ装置に係り、基板と、基板上に備わって、酸化物を含む第１受光層と、第１受光層に接合され、有機物を含む第２受光層と、第１受光層及び第２受光層にそれぞれ接続する第１電極及び第２電極とを含む光センサ、これを含む光センサ装置及びディスプレイ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳＮ比を向上させることができる固体撮像装置内視鏡を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、複数の画素部を有し、画素部が、画素電極１０４と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層１０７と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極１０８と、対向電極を覆う封止層１１０と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタＣＦと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路１１６と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段１１２と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、基板、当該基板上に配置された第一電極、当該第一電極上に配置された少なくとも１つの第一有機機能層、及び当該第一有機機能層上に配置された第二電極を有する、有機電子デバイスに関する。前記第一有機機能層には、マトリックス材料と、当該マトリックス材料に関するｐドーパントが含まれ、ここで当該ｐドーパントは、左式の配位子Ｌを少なくとも１個有する銅錯体を含有し、当該式中、Ｅ₁及びＥ₂は同一であっても異なっていてもよく、酸素、硫黄、セレン、又はＮＲ’であり、ここでＲは水素、又は置換若しくは非置換の分枝状、直鎖状、若しくは環状の炭化水素であり、Ｒ’は水素又は置換若しくは非置換の分枝状、直鎖状、若しくは環状の炭化水素である。本発明はさらに、銅原子を少なくとも２個有し、かつ２個の銅原子をブリッジする前記配位子Ｌを少なくとも１個有する、有機半導体マトリックス材料をドーピングするための多核銅錯体を提供する。
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【課題】
簡易な設備で作製可能で、高効率な有機光電変換素子、及び、これを含むイメージセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】
陰極、陽極、及び前記陰極及び前記陽極の間に形成される有機半導体層を含む有機光電変換素子であって、前記有機半導体層は、電子供与性の有機材料と電子受容性の有機材料との混合比が段階的に設定される４層以上の混合層を有する。 （もっと読む）

所望の結晶秩序を有する有機膜を有した有機電子デバイス及びそのようなデバイスを作製する方法を示す。そのような有機膜を組み込んだ有機感光デバイスは、第１の電極層及び第１の電極層上に配置された少なくとも１つの構造テンプレーティング層を含む。光活性領域は、少なくとも１つの構造テンプレーティング層の上に配置されており、ドナー材料及びアクセプタ材料を含み、ドナー材料又はアクセプタ材料は、少なくとも１つの構造テンプレーティング層によりテンプレートされ、それにより、秩序分子配置を有しており、さらに、テンプレートされた材料の分子の少なくとも大多数は、第１の電極層に対して非優先配向状態にある。
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【課題】高い変換効率を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】陽極１０と陰極２０と、前記陽極１０と陰極２０の間に光電変換層３０と、を含み、前記光電変換層３０が、少なくとも、電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）を含有する混合層３４を有し、前記混合層３４の最も陽極側部分の電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）の重量混合比（Ｐ／Ｎ）が、１＜Ｐ／Ｎ＜３であり、前記混合層３４のＰ／Ｎが、陽極側から陰極側に向かって小さくなっている、光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有すると共に、経時変化による変換効率の低下を抑制した光電変換素子を提供する。
【解決手段】陽極と陰極と、陽極と陰極の間に光電変換層と、を含み、光電変換層が、少なくとも、電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）を含有する混合層を有し、混合層の最も陽極側部分の電子供与性材料（Ｐ）と電子受容性材料（Ｎ）の重量混合比（Ｐ／Ｎ）が、３よりも大きく、混合層のＰ／Ｎが、陽極側から陰極側に向かって小さくなっている、光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率及び高速応答性に優れた光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、フラーレン又はフラーレン誘導体と、吸収スペクトルが下記（Ａ）及び（Ｂ）の少なくともいずれかの条件を満たす光電変換材料とを含む、光電変換素子。
（Ａ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつλ_Ｍ２＜λ_Ｌ２
（Ｂ）：λ_Ｍ１＜λ_Ｌ１、かつΔ｜λ_Ｍ１−λ_Ｌ１｜＞Δ｜λ_Ｍ２−λ_Ｌ２｜
（Ａ）及び（Ｂ）において、λ_Ｌ１、λ_Ｌ２、λ_Ｍ１、及びλ_Ｍ２は、波長４００〜８００ｎｍの範囲における最大吸収強度の１／２の吸収強度を示す波長であって、λ_Ｌ１及びλ_Ｌ２は、前記光電変換材料をクロロホルムに溶解させたときのクロロホルム溶液スペクトルにおける波長を表し、λ_Ｍ１及びλ_Ｍ２は、前記光電変換材料単独の薄膜吸収スペクトルにおける波長を表す。ただし、λ_Ｌ１＜λ_Ｌ２、λ_Ｍ１＜λ_Ｍ２である。 （もっと読む）

【課題】長波長放射を検出することができる装置を提供する。
【解決手段】
長波長放射を検出することができる光検出器であって、絶縁層の近位端上に配置されたソースと、絶縁層の遠位端上に配置されたドレインと、近位端と遠位端との間でソース及びドレインを結合する少なくとも１つのナノアセンブリと、ソースとドレインとの間に配置され、少なくとも１つのナノアセンブリの長手方向に少なくとも１つのナノアセンブリと並置された少なくとも２つの表面プラズモン導波路とを備え、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの一方は、少なくとも１つのナノアセンブリの第１の側に沿って配置され、少なくとも２つの表面プラズモン導波路のうちの他方は、第１の側に対向する少なくとも１つのナノアセンブリの第２の側に沿って配置される長波長放射を検出することができる光検出器を実現する。 （もっと読む）

【課題】カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト構造の化合物半導体薄膜からなる光吸収層１２と、光吸収層１２上に配置され、化合物半導体薄膜よりも高いバンドギャップエネルギーを有する表面層１４と、表面層１４上に配置され上部電極層１８と、上部電極層１８と対向し、光吸収層１２の裏面に配置された下部電極層１０とを備え、上部電極層１８と下部電極層１０間に逆バイアス電圧を印加して、化合物半導体薄膜内で光電変換により発生した電荷を検出し、また、衝突電離により光電変換により発生した電荷の増倍を起こさせるフォトダイオードおよびその製造方法。 （もっと読む）

ｎ型材料と接触している有機ｐ型材料を含み、前記ｎ型材料が、ＳｎＯ_２よりも高いバンドギャップ及び／又はＳｎＯ_２よりも真空準位に近い伝導帯端を有する表面被覆材料、例えばＭｇＯなど、の少なくとも１つの表面被覆を有するＳｎＯ_２を含む、固体ｐ−ｎヘテロ接合。本発明は、かかるｐ−ｎヘテロ接合を含むオプトエレクトロニクスデバイス、例えば太陽電池又は光センサーなど、並びにかかるヘテロ接合デバイスの製造方法を提供する。
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【課題】 リーク電流の低減に基づいた低暗電流と素子容量の低減による高速応答及び高い受光感度を備えたｐｉｎ型受光素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ等からなる半導体基板２０上に、ＳｉドープしたＧａＩｎＡｓからなるｎ型半導体層３０、アンドープＧａＩｎＡｓからなるｉ型半導体層３１及びＺｎドープＧａＩｎＡｓからなるｐ型半導体層３２が順次積層されており、ｉ型半導体層３１及びｐ型半導体層３２の周囲はメサ型に形成されており、そのメサ部の周囲にはパッシベーション半導体層４０を有している。さらに、ｐ型半導体層３２のメサ中央部の受光領域の厚みｈ２は、その周囲の厚みｈ１よりも薄くなっている。このような構造のｐｉｎ型受光素子では、低い暗電流特性を保持しながら、空乏層容量が低減し応答速度が格段に向上する。さらに、ｐ型半導体層３２での光吸収が低減され、受光感度も大幅に向上する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子のアニール処理を行なっても暗電流の増加を抑えることができる光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極間に設けられた光電変換層と、一対の電極と光電変換層との間の少なくとも一方に設けられた電荷ブロッキング層とを備えた光電変換素子の製造方法であって、電荷ブロッキング層を所定の膜厚で形成するステップと、光電変換素子をアニール処理するステップと、アニール処理を行なう際に、昇温速度を、暗電流が増加しない所定の速度以下とするステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を大幅に向上することができる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明は、画素電極層２１、有機光電変換層２３、第１の電子ブロック層２４、第２の電子ブロック層２５及び透明電極層２６が順次積層された有機光電変換素子２０である。有機光電変換層２３は、キナクリドンからなり、第１の電子ブロック層はＳｎＯからなり、第２の電子ブロック層２５は、ＳｉＯ−ＴｉＯ₂合金膜からなる。画素電極層２１はＡｌからなるとともに、画素電極層２１と有機光電変換層２３との間に、仕事関数が３．１ｅＶ以上４．３ｅＶ以下の希土類元素若しくはチタン族を含むＡｌ合金（又はＡｌ−Ｌｉ合金）からなるキャリア輸送層２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フィルファクターを向上させたイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１型不純物を有する半導体基板１と、入射光に反応して光電荷を生じるように構成されたフォトダイオード（８，９）と、フォトダイオードが生じた光電荷をセンサ出力信号に変換する複数のトランジスタＴｘ，Ｒｘ，Ｄｘ，Ｓｘと、を備える。フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。第１導電層８は、半導体基板１の表面に近い位置での断面積が、第２導電層９に近い位置での断面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】受光素子の電極層の赤外光吸収を小さくする。
【解決手段】第１の電極層２、赤外光の光吸収層３、第２の電極層４とを有し、下方から入射された赤外光９を検知する半導体受光素子において、第１及び第２の電極層２、４の少なくとも一方を、障壁層２２及び井戸層２１の少なくとも一方が不純物ドープされた半導体超格子とし、かつ、その半導体超格子が形成するサブバンド間の遷移エネルギーを、赤外光の光子エネルギーより大きくする。赤外光９によるサブバンド間遷移が禁止され、かつ電極層の伝導電子密度も低いので、赤外光吸収が小さい。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレンもしくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５または６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、または置換メチン基を表す。Ｄ_１は原子群を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】新規な光吸収能の高い薄膜からなる有機半導体を提供し、高光電変換効率、低暗電流性、応答信号強度が印加電圧に対して一定の値を示す有機半導体を含む光電変換素子、該光電変換素子を含む固体撮像素子を提供する。
【解決手段】下記の一般式（Ｉ）で示される化合物である有機半導体、該有機半導体を含む、光電変換素子、及び固体撮像素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１とＲ_１２およびＲ_１２とＲ_１３はそれぞれ連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】電磁シールド用の導電膜を備えるとともに、光検出領域に対向する領域で電磁シールド用の導電膜を除去した光センサにおいて、光検出領域に対向する領域でも電磁ノイズが侵入できないようにする。
【解決手段】シリコン基板１２の表層部には、フォトダイオード１３やＩＣ回路１５が形成されている。シリコン基板１２の上面には、絶縁層１６を介して遮光メタル１８が形成されており、ＩＣ回路１５は遮光メタル１８で覆われている。フォトダイオード１３に対向する領域では、遮光メタル１８に受光窓１９が開口され、受光窓１９は導電性光学フィルタ３２で覆われている。 （もっと読む）