【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す有機材料を含む光電変換素子を提供する。
【解決手段】 導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）
【化１】


式中、ＸはＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ_１０を表す。Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは各々、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙは連結して環を形成してもよい。但し、Ｒ^ｘとＲ^ｙが共にシアノ基であることはない。Ｒ_７〜Ｒ_１０はそれぞれ独立に、水素または置換基を表す。Ｒ_８とＲ_９は連結して環を形成してもよい。Ｌは共役結合からなる連結基を表す。Ｄ_１は原子群を表す。 （もっと読む）

【課題】水素濃度を減らしながら、半導体素子を容易に得ることができる、製造方法およびその方法で製造された半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率およびＳ／Ｎ比が高い光導電膜、及び光電変換素子を提供する。
【解決手段】結晶質有機光電変換膜及び前記光電変換膜と異なる組成の非結晶質膜からなる２層が連続積層された構造を有することを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しつつ、光電変換効率を向上させることができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層とを含む光電変換部を有する光電変換素子であって、光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の膜厚比が１：１より小さい。 （もっと読む）

【課題】格子定数差が大きな半導体基板上にボトムアップ的に制御性よくナノワイヤを作製する。
【解決手段】Ａｕ微粒子１２をＳｉ（１１１）基板１１上に形成し、ＧａＰナノワイヤ１３をＳｉ（１１１）基板１１上に成長させた後、ＩｎＰバッファ層１４をＧａＰナノワイヤ１３上に形成し、さらにＧａＩｎＡｓナノワイヤ１５をＩｎＰバッファ層１４上に成長させた後、ＧａＰナノワイヤ１３、ＩｎＰバッファ層１４およびＧａＩｎＡｓナノワイヤ１５の周囲が覆われるようにＩｎＰキャッピング層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】光量損失を最小限にし長寿命でかつ小型化が容易な露光装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１００と、このガラス基板１００上に配列された複数の発光素子１１０から構成される発光素子列を具備し、発光素子１１０が１層以下の空気層３を介して感光体２に対向せしめられ、感光体２を露光するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層の配向を高度に制御した有機光電変換素子の製造方法、及び該有機光電変換素子を組み込んだ撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極の間に、光導電性を有する有機化合物を含有する層を配置した有機光電変換素子の製造方法において、該光導電性を有する有機化合物を含有する層の一部、または全てを基板温度６０℃〜２５０℃に制御しながら気相成長させる、また該有機化合物は分子の配向性を高めたキナクリドン系色素である。 （もっと読む）

絶縁された電極を作成し、それらの電極間にナノワイヤを組み込む(600)方法(100)はそれぞれ、半導体層(210)上の半導体材料の横方向エピタキシャル過成長を使用して、同一結晶方位を有する絶縁電極(260、270)を形成する。この方法(100、600)は、半導体層上の絶縁膜(240)内の窓(242)を介した半導体機構要素(250)の選択的エピタキシャル成長(140)を含む。垂直ステム(252)は、窓を介して半導体層と接触し、レッジ(254)は、絶縁膜上の垂直ステムの横方向エピタキシャル過成長である。この方法は更に、半導体機構要素と半導体層から１対の絶縁電極(260、270)を作成(160)することを含む。ナノワイヤベースのデバイス(800)は、１対の絶縁電極と、１対の絶縁電極のそれぞれの表面間を架橋するナノワイヤ(280)とを含む。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子に最適な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部Ａを備える光電変換素子であって、光電変換膜１２が、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、光電変換部Ａが全体として可視域の光を５０％以上透過する。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａであって、光電変換層１２ａが、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）との混合層を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。
【解決手段】
一対の電極（１８０，３００）と光電変換層２００との間に、複数層構造の電荷ブロッキング層（電子ブロッキング層１９２，正孔ブロッキング層２０２）を設ける。電子ブロッキング層１９２は３層（１９２ａ〜１９２ｃ）からなり、正孔ブロッキング層２０２も３層（２０２ａ〜２０２ｃ）からなる。各層の中間準位のエネルギー位置を異ならせるために、各層の材料を異なるものにすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子において、電荷転送領域の遮光性の確保と光電変換を行うセンサ部の感度の確保を両立させるとともに、熱電子の発生によるノイズ発生を低減することを可能とする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を出力するセンサ部１３上に開口部３１を形成した遮光膜３０を備えた固体撮像素子１であって、前記遮光膜３１は原子層蒸着法により成膜された金属膜を含み、前記金属膜が水素を含むものである。 （もっと読む）

【課題】単板式カラー固体撮像素子よりも高画質で、積層型撮像素子よりも薄型化を実現することが可能な固体撮像素子の製造方法であって、素子の特性劣化を少なくすることが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上方の同一平面上に形成された多数の光電変換膜９ｒ，９ｇ，９ｂと、多数の光電変換膜９ｒ，９ｇ，９ｂの各々で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す信号読み出し部４ｒ，４ｇ，４ｂとを有する固体撮像素子の製造方法であって、光電変換膜９ｒ，９ｇ，９ｂの各々を構成する材料を、同一平面上にマスクを介して選択的に順次成膜して、多数の光電変換膜９ｒ，９ｇ，９ｂを形成する光電変換膜形成工程と、光電変換膜形成工程に先立ち、半導体基板１上方に、前記マスクを載置するためのマスク載置部材１０を形成するマスク載置部材形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極２と、下部電極２と対向する上部電極４と、下部電極２と上部電極４との間に形成された光電変換層３とを有し、下部電極２と上部電極４との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子１００であって、上部電極４を光入射側の電極とし、上部電極４が透明電極であり、下部電極２が光の反射機能を有する金属電極である。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる光電変換素子において、暗電流を防ぐこと。
【解決手段】一対の電極１００，１０２と、一対の電極１００，１０２の間に配置された光電変換層１０１とを含む光電変換部を含む光電変換素子であって、光電変換部が、電極１００と光電変換層１０１との間に設けられ、電極１００，１０２への電圧印加時、電極１００から光電変換層１０１に正孔が注入されるのを防止する正孔ブロッキング層１０３と、電極１０２と光電変換層１０１との間に設けられ、電極１００，１０２への電圧印加時、電極１０２から光電変換層１０１に電子が注入されるのを防止する電子ブロッキング層１０４とを備え、正孔ブロッキング層１０３と電子ブロッキング層１０４は、それぞれ、その比誘電率が光電変換層１０１の比誘電率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】劣化因子による性能劣化を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された下部電極２と、下部電極２上方に形成された光電変換層３と、光電変換層３上方に形成された上部電極４とを含む光電変換素子１００であって、下部電極２、光電変換層３、及び上部電極４を覆う層であって、水分や酸素等の劣化因子を吸着する吸着性及び劣化因子と反応する反応性の少なくとも一方を有する劣化因子吸着・反応性層５と、劣化因子吸着・反応性層５を覆って、下部電極２、光電変換層３、及び上部電極４を保護する保護層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極成膜時における素子特性劣化の少ない光電変換素子を提供する。
【解決手段】第一電極１１と、第一電極１１に対向する第二電極１３と、第一電極１１と第二電極１３との間に形成された光電変換層１２とを含む光電変換部を有する光電変換素子１００であって、第一電極１１又は第二電極１３と光電変換層１２との間に、光電変換層１２の表面の凹凸を緩和する平滑層１０４を設けた。 （もっと読む）

【課題】後ろ側接点を有するＳＯＩ基板上に形成されたフォトダイオード配列とその製造方法を提供する。
【解決手段】バックリット・フォトダイオード配列は、相互に対向する第１主表面および第２主表面とを備えた半導体基板を含む。第１誘電層が第１主表面上に形成される。第１導電通路および第２導電通路が第２主表面から半導体基板と第１誘電層を通って延びている。第１導電通路および第２導電通路が第２誘電材料によって半導体基板から分離されている。第１導電率の第１陽極／陰極層が第１誘電層上に形成され、第１導電通路に電気的に連結されている。真性半導体層が第１陽極／陰極層上に形成されている。第１導電率とは反対の第２導電率の第２陽極／陰極層が真性半導体層上に形成されて、第２導電通路に電気的に連結されている。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド系元素を含む光伝導層を有するフォト薄膜トランジスタ及びこれを用いたイメージセンサの単位セルを提供する。
【解決手段】ガラス基板上にカルコゲナイド系元素を含むＧＳＴ膜で形成され、光を吸収して光電流を発生させうる光伝導層と、光伝導層の両側に形成され、光伝導層と連結されて光により発生する光電流の導通のために形成されたソース電極及びドレイン電極と、光伝導層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、光電流のオンオフのために形成されたゲート電極と、を備えてなるフォト薄膜トランジスタである。これにより、カルコゲナイド系元素を含む非晶質状態のＧＳＴ膜を光伝導層として用いて、非常に高い光伝導性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】 微弱光についても高精度に検出することができ、２次元アレイ化にも対応可能な、高感度な光検出素子を提供する。
【解決手段】 光検出素子１は、光を吸収して光電子を発生する光電子発生体１０と、光電子発生体１０で発生した光電子の量に応じた電流が流れるトランジスタ３０とを備えた光検出素子であり、トランジスタ３０は、光電子発生体１０の表面に絶縁体２０を介して形成されたソース電極３１とドレイン電極３２とを有し、ソース電極３１とドレイン電極３２とが、導電性又は半導電性のナノチューブを含むチャネル部３３を介して接続されたものである。 （もっと読む）