【課題】フィルファクタの大きいメサ構造を採用した上で、メサ構造の溝の壁面におけるリーク電流を抑制することができる受光素子等を提供する。
【解決手段】 本発明の受光素子１０は、半導体基板１上に画素が形成された受光素子であって、光を受光するための受光層３と、受光層内に位置するｐｎ接合１５と、画素と該画素の周囲とを溝によって隔てるメサ構造とを備え、メサ構造の溝７の壁面にわたって、ｐｎ接合の端が該メサ構造の壁面に露出しないように不純物壁面層８が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】体格の増大が抑制された光センサを提供する。
【解決手段】複数の受光部（６０）を有する光センサであって、受光部（６０）は、半導体基板（１０）に形成された受光素子（２０）と透光用の開口部（５０）を有し、受光素子（２０）の形成面（１０ａ）上に透光膜（３０）を介して遮光膜（４０）が形成され、該遮光膜（４０）に開口部（５０）が形成されており、受光部（６０）として、形成面（１０ａ）に直交する光によって形成面（１０ａ）に投影した開口部（５１，５２）の投影部位と受光素子（２１，２２）との距離が互いに等しく、投影部位から受光素子（２１，２２）に向かう向きが互いに逆向きの関係にある、対を成す受光部（６１，６２）を有し、対を成す受光部（６１，６２）は、形成面（１０ａ）に沿い、投影部位と受光素子（２１，２２）とを結ぶ方向に直交する方向にて、並んでいる。 （もっと読む）

【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。アンドープＩｎＰ窓層６の一部にｐ型不純物領域８が設けられている。直線状ｐ側電極９がｐ型不純物領域８上に配置されてｐ型不純物領域８に接続されている。直線状ｐ側電極９は、ｎ型ＩｎＰ基板１の主面に対向する平面視において直線状である。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 暗電流を増大させることなく、近赤外の長波長側に受光感度を拡大することができる、受光素子等を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子は、ＩｎＰ基板１の上に位置し、ＩｎＧａＡｓ層３ａとＧａＡｓＳｂ層３ｂとが交互に積層されたタイプ２の多重量子井戸構造の受光層３を備え、ＩｎＧａＡｓ層またはＧａＡｓＳｂ層の層内において上面または下面へと、そのＩｎＧａＡｓまたはＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギが小さくなるように、厚み方向に組成の勾配が付いていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長域まで受光でき、画素ピッチを密にしても暗電流を小さくでき、かつ画素の結晶性を損なうおそれがない、受光素子等を提供する。
【解決手段】 近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子５０であって、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギのＩＩＩ−Ｖ族半導体を有する受光部１０を備え、受光部１０が、該受光部より大きいバンドギャップエネルギを持つ半導体層１に取り囲まれるように埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】近赤外の波長域１．５μｍ〜１．８μｍに十分高い感度をもち、暗電流を低くできる受光素子等を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、バッファ層上に接して位置する受光層３とを備え、受光層３が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下の第１の半導体層３ａと、それよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第２の半導体層３ｂとを１ペアとして、５０ペア以上を含み、第１の半導体層３ａおよび第２の半導体層３ｂが歪補償量子井戸構造を形成し、厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流（暗電流）が低減された光電変換部を有する光電変換装置、これを適用した電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の光電変換装置は、基板上に形成された回路部と、回路部に電気的に接続された第１電極２１と、第１電極２１に対向配置された透光性を有する第２電極２２と、第１電極２１と第２電極２２との間に挟持された光電変換部２６とを備え、光電変換部２６は、カルコパイライト型のｐ型化合物半導体膜からなる光吸収層２３と、非晶質の酸化物半導体層２４と、ｎ型半導体膜からなる窓層２５とが順に積層されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価で量産性に富み、暗電流や表面リーク電流が低く、感光波長域が広く高感度で信頼性の高い赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】比較的安価で大面積ウェファの入手が容易なＧａＡｓやＳｉ基板上に、ＰＤを構成するエピタキシャル層に格子整合し、かつ機械強度の弱い緩和層を成長し、格子不整合や結晶成長前後の熱歪みを解消する。更に、感光層を夾んで、電子および正孔の相補的なバリア層を形成し、感光層の外からの電子および正孔の流入が選択的に抑制するとともに、光励起された電子正孔を、ポテンシャルバリア無しにそれぞれの電極に導く。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の左右比が飽和することが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板に複数の受光素子が形成され、受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して透光用の開口部が形成されている。上記形成面に沿う仮想直線に対して線対称となるように、一対の受光素子が半導体基板に形成され、これら一対の受光素子に対応する一対の開口部が、仮想直線に対して線対称となるように遮光膜に形成されており、一対の受光素子それぞれは、仮想直線の一方から他方に向って、中央がへこんだ凹形状を成し、その横幅が、一端から他端に向うにしたがって太くなっている。そして、形成面に交差する光によって、形成面に投影した、一対の開口部それぞれの少なくとも一部が、対応する受光素子、及び、その受光素子の両端を結ぶ線によって囲まれた領域に位置する。 （もっと読む）

【課題】応答歪を低減し、かつ受光感度の低下を抑えることができる半導体受光素子を得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型の光吸収再結合層１２、ｎ型の多層反射膜１４、光吸収層１６、及び窓層１８が順に積載されている。窓層１８の一部にｐ型ドーピング領域２０が形成されている。ｐ型ドーピング領域２０にｐ側電極２２が接続されている。ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にｎ側電極２６が接続されている。窓層１８のバンドギャップエネルギーは、光吸収層１６のバンドギャップエネルギーよりも大きい。光吸収再結合層１２のバンドギャップエネルギーは、ｎ型ＩｎＰ基板１０のバンドギャップエネルギーよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族半導体基板上に形成される受光層の結晶品質を保ち良好な特性を得ることができ、且つ窓層表面の結晶性を良好にできる受光素子アレイ及びその製造方法、並びに該受光素子アレイの製造に用いられるエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。窓層１１を全有機ＭＯＶＰＥ法によって成長させ、窓層１１の成長温度を受光層７の成長温度以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成り暗電流の低減された受光素子及びエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３と、基板３上に設けられた受光層７と、受光層７に接して設けられ、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる拡散濃度分布調整層９と、拡散濃度分布調整層９に接して設けられ、拡散濃度分布調整層９よりも大きいバンドギャップエネルギーを有し、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、Ｐ元素を含有する窓層１１と、を備え、窓層１１と拡散濃度分布調整層９との接合面から窓層１１内に延びる所定領域内のｎ型のキャリア濃度は、５×１０^１５ｃｍ^−３以上１×１０^１9ｃｍ^−３以下の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓ_ｘＳｂ_１−ｘ（０．３３≦ｘ≦０．６５）を成膜するとき、Ｖ族のヒ素（Ａｓ）およびアンチモン（Ｓｂ）の両方の分子の供給量の和を、ＩＩＩ族のガリウム（Ｇａ）の分子の供給量の１５倍以上とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のアバランシェフォトダイオードにおいて、光吸収層をアンドープとした場合には、動作時のバイアス電圧が高くなり、光吸収層を僅かにドープした場合にはそのドープ量の制御が困難であるために容易に製造できなかった。
【解決手段】この発明に係るアバランシェフォトダイオードは、第１導電型の基板と、基板の主面上に基板側から順に積層して設けられた、アバランシェ増倍層と、光吸収層と、窓層とを有するアバランシェフォトダイオードであって、窓層の一部が第２導電型領域であり、光吸収層は、第１光吸収層と、第１光吸収層より導電率の高い第２光吸収層とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】引張歪による直接エネルギーギャップＥ_０の縮小効果を増大するゲルマニウム構造体を提供すること。
【解決手段】ゲルマニウム粒子と、前記ゲルマニウム粒子の周囲を覆って、前記ゲルマニウム粒子を埋め込む埋め込み層を具備し、前記埋め込み層が、前記ゲルマニウム粒子の３つの結晶軸方向夫々に於いて、引張歪を前記ゲルマニウム粒子に発生させていること。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、受光層のＩｎＰ基板１と反対側に位置する拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、選択拡散された受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）