【課題】光電変換領域の空乏層を厚くした場合でも、異なる光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ基板３０の裏面側から光を照射し、前記光に応じてｐ基板３０内で発生した電荷をｐ基板３０の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子１００であって、ｐ基板３０内に形成された前記電荷を蓄積するためのｎ型半導体層４と、ｐ基板の裏面から内側に形成されたｐ型半導体層２とを備え、ｎ型半導体層４とｐ型半導体層２との間に、不純物濃度が１．０×１０^１４／ｃｍ^３以下のｎ型又はｐ型半導体層、或いはｉ型半導体層を含む。 （もっと読む）

【課題】赤外光および紫外光による光電流の発生を防止することにより正確に色分析を行い、従来技術と比較して製造プロセスを簡素化および製造コストを抑制し、また、機械的応力および熱的応力に対して強いカラーセンサー、カラーセンサーの製造方法、および電子機器を提供する。
【解決手段】カラーセンサーは、入射される光をそれぞれ通過させるための並設された複数の色フィルター１９，２０，２１と、これら色フィルター１９，２０，２１を透過した光をそれぞれ受光して電気信号に変換する複数のフォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３とを備えるカラーセンサーであって、Ｎ基板１３を備え、フォトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３は、Ｎ基板１３上に形成されたＰ型アノード層１６を有し、Ｎ基板１３は、欠陥層１２、および、色フィルター１９，２０，２１と欠陥層１２との間に配置された無欠陥層１１を有している。 （もっと読む）

【課題】画素セル間のリーク電流を低減しかつ微細化に適した画素セル間の分離を実現し、光電変換素子の感度を向上させた固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の１態様による固体撮像装置は、第１導電型の基板ウェハの上方に設けられた第２導電型の半導体層中に形成された第２導電型の電荷蓄積層を含む複数の画素セルと、前記画素セルの周囲に設けられ各画素セルを電気的に分離し、平面内で部分的に不純物濃度が異なる第１導電型の素子分離拡散層とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 各フォトダイオードを構成する受光領域間の間隔を狭くすることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】 逆バイアスの印加時には、ガードリング４及び受光領域３から延びた空乏層ＤＰ４，ＤＰ３Ａ，ＤＰ３Ｂ，ＤＰ３Ｃが重なり（ピンチオフ状態）、ガードリング４と受光領域３との間に介在する分離領域２Ｂが、バイアス電位の与えられる半導体基板１から隔離される。分離領域２Ｂが半導体基板１に対しては電気的に浮いた状態となるため、ガードリング４及び受光領域３と分離領域２Ｂとの間のアバランシェ降伏が抑制される。すなわち、受光領域３Ａ，３Ｂ，３Ｃの間隔を狭くしても、分離領域２Ｂとの間にアバランシェ降伏が生じにくくなり、これらの間の耐圧が上昇する。 （もっと読む）

【課題】 ４分割光検出器において、素子分離構造の形成工程が複雑である。
【解決手段】 区画６２毎のＰＩＮフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）の共通のアノードとなるＰ-sub層８０の上に、ＰＩＮ−ＰＤのｉ層となる高比抵抗のエピタキシャル層８２を成長させる。区画６２境界に、基板表面からのイオン注入によって、ｐ＋領域である分離領域６４を形成する。各区画６２毎に形成したカソード領域６６と、Ｐ-sub層８０とを逆バイアスしてＰＩＮ−ＰＤを機能させる際、分離領域６４はＰ-sub層８０と共に接地電位とされアノードとなる。その結果、分離領域６４とＰ-sub層８０とに挟まれた位置のエピタキシャル層８２には、電子に対する電位障壁が形成される。これにより、各区画６２にて光の吸収で発生した電子が隣接する区画６２へ移動することが防止され、素子分離が実現される。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像装置において、製造工程での注入マスクずれによる白キズの増加、残像電子数の増加及び飽和電子数の減少等の特性劣化を抑制する。
【解決手段】Ｐウェル２０１の内部に、光を電荷に変換して蓄積するＮ型の信号蓄積部２０２が設けられている。信号蓄積部２０２の上側のＰウェル２０１の表面部にＰ型の表面シールド層２０６が設けられている。信号蓄積部２０２と隣接するようにＰウェル２０１上にゲート電極２０４が設けられている。ゲート電極２０４から見て表面シールド層２０６とは反対側のＰウェル２０１の表面部にＮ型のドレイン領域２０５が設けられている。表面シールド層２０６の一端に隣接するようにゲート電極２０４の下側のＰウェル２０１の表面部にＰ型の読み出し制御層２０８がさらに設けられている。 （もっと読む）

【課題】 光検出器の上部構造層をエッチングする際に、受光部面の平坦性を高くする必要がある。
【解決手段】 基板上に積層した下地層、受光部パッド、上部構造層に開口部を形成する集積回路製造方法であって、前記上部構造層と前記受光部パッドとの選択比が高いエッチング条件により、前記上部構造層及び前記受光部パッドをエッチングする受光部パッドエッチング工程と、前記受光部パッドエッチング工程後、前記受光部パッドと前記下地層との選択比が高いエッチング条件に切り替え、前記受光部パッド及び前記下地層をエッチングする下地層エッチング工程を行う。これにより開口部の底面の平坦性の向上が図られ、受光部面内での入射光量の均一性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】硬化性能が良好で下地との密着性に優れる光硬化性組成物、および下地との密着性に優れ、迷光による偽信号の発生が軽減され色欠陥の少ない該光硬化性組成物を用いて形成される反射防止膜を提供する。前記反射防止膜を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】着色剤、光重合性化合物、光重合開始剤およびアルカリ可溶性樹脂を含有し、該光重合性化合物が少なくともビスフェノール系化合物及びイソシアヌル環含有化合物のいずれか１種を含む光硬化性組成物、及びそれを用いた反射防止膜、並びに該反射防止膜を有する個体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】視感度に近い分光透過特性を有する半導体光センサ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の表面部分に形成された第１の受光素子１および第２の受光素子２と、第１の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第１の樹脂層１０ａと、第２の受光素子の受光領域上に設けられ、第１の分光透過特性を有する第２の樹脂層１０ｂと、第２の受光素子の受光領域上に、第２の樹脂層と積層するように設けられ、第２の分光透過特性を有する第３の樹脂層１１と、第１の受光素子から出力された第１の出力と第２の受光素子から出力された第２の出力との間で所定の演算を行って出力する演算回路３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードからの暗電流成分を高精度で補償することが可能な光検出モジュールを提供する。
【解決手段】 光を検出する方形状の受光用フォトダイオード１の一辺に隣接した領域に遮光した遮光用フォトダイオードを配置してユニット３を形成し、このユニットを多数配置して光検出部を構成し、受光用フォトダイオードの出力電流から、受光用フォトダイオードと遮光用フォトダイオードの面積比倍した遮光用フォトダイオードの出力電流を差し引く減算回路32を設けて、光検出モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の光半導体装置およびその製造方法においては、プロセス処理の熱によって、ｎ+型埋め込み層１２の不純物（Ａｓ）がｐ-型半導体基板１１の表面に沿って平面方向に拡散していき、不所望な寄生トランジスタ２２が回路素子形成部に形成される。
【解決手段】本発明の光半導体装置１０１は、受光素子部１６とバイポーラトランジスタ部２０とを備えており、ｐ-型半導体基板１１とｐ-型エピタキシャル層１３との境界に界面層としてｐ-型半導体層１０２ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で光の波長を検出するための技術を提供する
【解決手段】 本発明は、光の波長を検出する波長検出装置であって、複数の受光素子、演算部、および波長検出部を備える。複数の受光素子は分光感度特性が異なる。演算部は、複数の受光素子の出力比を求める。波長検出部は、出力比に対応する波長を検出する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置のフォトダイオード以外に入射する迷光を、メタル配線層や導波路の壁面に形成された金属膜で防止する方法は、斜め光を防ぎきれない。金属膜をフォトダイオードに接触させて斜め光を防ぐと、フォトダイオードが製造時にダメージを受ける。
【解決手段】フォトダイオード２２の上方には、入射光がフォトダイオード２２に到達するための光透過層２７が配置される。光透過層２７を囲うように、遮光性金属膜２８が配置される。遮光性金属膜２８の下端は、第一メタル配線層２４の下面よりも低く、さらには、電荷読み出しゲート２３の上面より低い。この構成により、斜めに入射して横方向に反れる光であっても、その殆どは遮光性金属膜２８に遮られて、迷光とはならない。遮光性金属膜２８の下端は、フォトダイオード２２には接触しないため、製造工程においてフォトダイオード２２の表面に損傷を与えることがない。 （もっと読む）

【課題】スミアの増大を引き起こすことなく、ノイズの低減を実現できる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板中に第１導電型不純物拡散層１３を有するフォトダイオード部を形成する。次に、基板中における第１導電型不純物拡散層上に、フォトダイオード部側から受光面側に向かって、順に低濃度領域、高濃度領域および中濃度領域からなる第２導電型不純物拡散層１４を形成する。ここで、高濃度領域および中濃度領域は、中濃度領域における受光面側を除く周囲を高濃度領域で囲むように形成する。また、中濃度領域は、高濃度領域の上層部に第１導電型不純物を導入して、高濃度領域よりも不純物濃度が低くなるようにして形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＰＮ接合を有するフォトダイオードの高感度化を課題とする。
【解決手段】 Ｐ型半導体基板上に形成された不純物濃度の薄いＮ型領域とＰ型半導体基板からなるＰＮ接合を有するフォトダイオードを光電変換領域とする画素とするＣＭＯＳイメージセンサにおいて、上記フォトダイオードの不純物濃度の薄いＮ型領域上の全面に絶縁膜を介して導電性を有する透明な物質からなるフォトゲート電極を配置し、該フォトゲート電極に負の電位を与えることにより薄いＮ型領域の表面に空乏層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】飽和を抑制しダイナミックレンジの低下を抑制する。
【解決手段】シリコンからなる光電変換層１０に絶縁層１１を介して再結合電極１２と第１待避電極１３と第２待避電極１４とが設けられる。再結合電極１２と第１待避電極１３と第２待避電極１４とにそれぞれ電圧を印加すると、光電変換層１０にはそれぞれ再結合領域、第１待避領域、第２待避領域となるポテンシャル井戸が形成される。光電変換層１１は受光光量に応じた個数の電子とホールとを生成する。再結合電極１２に印加する電圧の極性を交互に切り換えると、再結合領域から第２待避領域にホールを移動させるとともに再結合領域に電子を集積する第１集積期間と、再結合領域から第１待避領域に電子を移動させるとともに再結合領域にホールを集積する第２集積期間とが交互に生じる。再結合後のキャリアが受光出力になる。 （もっと読む）

【課題】 暗電流による影響を低減することが可能な光センサ回路、および、この光センサ回路を用いた受光モジュールを提供する。
【解決手段】 ＰＮＰトランジスタＱＰ４はダイオード接続される。ＰＮＰトランジスタＱＰ４のベース−エミッタ間電圧をＶｂｅとすると、ＰＮＰトランジスタＱＰ３のベース電圧は（Ｖｃｃ−Ｖｂｅ）となる。ＰＮＰトランジスタＱＰ３にはＰＮＰトランジスタＱＰ４に流れる電流よりも大きな電流は流れないので、ノードＮ５における電位は（Ｖｃｃ−Ｖｂｅ）よりも大きくなる。フォトダイオードＰＤ１Ａの両端に印加される電圧はＶｂｅ以下と小さくなるのでフォトダイオードＰＤ１Ａの暗電流は小さくなる。よって光センサ回路１は低照度時の線形性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードにおける暗電流が生じにくく、かつ主転送経路に沿った信号電荷の転送効率が高い上に、転送効率が作製誤差等に依存しない固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、深いフォトダイオード拡散層１０２の表面側の少なくとも一部を含むように半導体基板１００に形成され、浅いフォトダイオード拡散層１０３より浅く、不純物を含有する付加拡散層１１３と、半導体基板１００の表面において転送ゲート電極１０６下の領域及び付加拡散層１１３を含むように、半導体基板１００に形成され、浅いフォトダイオード拡散層１０３より浅く、不純物を含有する浅い拡散層１３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高感度で、特に赤外波長に対する遠赤外線のクロストークが少ないCMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明のCMOSイメージセンサは、基板と、基板上のエピタキシャル層と、光を受容するための、エピタキシャル層内に拡がる複数のピクセルと、基板内に発生したキャリアがエピタキシャル層に移動するのを防ぐための、基板とエピタキシャル層の間の水平方向の障壁層と、エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、複数のピクセルの隣接するもの同士の間の複数の横方向の障壁層との少なくとも１つとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 それぞれ受光素子を備える複数の受光領域を同一基板上に有し、個々の受光領域がそれぞれ異なる波長の入射光に対して高い受光感度を有する光半導体装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置１０１ａは、基板１０２上に、それぞれ受光素子が形成された第１の受光領域Ａ及び第２の受光領域Ｂを備える。基板１０２上の第１の受光領域Ａに第１の反射防止膜１１１が形成されていると共に、基板１０２上の第２の受光領域Ｂに第２の反射防止膜１１２が形成されている。第１の波長帯の光に対し、第１の反射防止膜１１１の反射率は第２の反射防止膜１１２の反射率よりも小さく、第１の波長帯とは異なる第２の波長帯の光に対し、第２の反射防止膜１１２の反射率は第１の反射防止膜１１１の反射率よりも小さいようになっている。 （もっと読む）